用于射頻無源件和天線的方法、設(shè)備和材料的制作方法
【專利摘要】描述了用于射頻無源件和天線的方法、設(shè)備和材料。在一個(gè)示例中，電子組件包含具有對準(zhǔn)磁疇的合成磁性納米復(fù)合材料、嵌入在所述納米復(fù)合材料內(nèi)的導(dǎo)體以及延伸通過納米復(fù)合材料以連接到導(dǎo)體的接觸盤。
【專利說明】用于射頻無源件和天線的方法、設(shè)備和材料

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本說明書涉及射頻無源裝置和封裝領(lǐng)域，并且具體地說，涉及使用納米磁性復(fù)合物上的小型天線的無源裝置和封裝。

【背景技術(shù)】
[0002]小形狀因子裝置(比如超級(jí)本計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)和智能電話)容納多達(dá)5到7個(gè)天線或更多天線，以除了其它的之外還覆蓋W1-F1、藍(lán)牙、蜂窩數(shù)據(jù)網(wǎng)絡(luò)，諸如LTE(長期演進(jìn))或3G (第三代蜂窩)、FM(頻率調(diào)制)無線電、GPS (全球定位系統(tǒng))、RFID (射頻識(shí)別)、NFC(近場通信)和DTV(數(shù)字電視廣播)服務(wù)。天線的數(shù)量、它們的尺寸以及它們的RF隔離要求對裝置的形狀因子和設(shè)計(jì)施加了嚴(yán)格約束。傳統(tǒng)上，分立組件已經(jīng)被用于天線和電感器，天線和電感器通常被置于母板上。如果天線尺寸可被顯著縮小，則通信裝置的總體尺寸可被縮小，或者該裝置的更大部分可用于其它目的。
[0003]作為一個(gè)示例，典型的流行平板計(jì)算機(jī)可除了其它的之外還具有4個(gè)天線，平面倒F蜂窩頻帶天線(GSM/WCDMA/LTE)和W1-Fi/藍(lán)牙天線。該蜂窩頻帶天線的尺寸可大致是35mmX 10mm,并且W1-Fi/藍(lán)牙天線的尺寸可大致是16mmX 10mm。這些天線還可具有用于優(yōu)化接收的復(fù)雜形狀，其影響該裝置其余部分的設(shè)計(jì)自由度。
[0004]高效RF天線只是適合于在移動(dòng)系統(tǒng)、小型系統(tǒng)和無線系統(tǒng)中所使用的未來微電子封裝的小形狀因子磁性元件的一個(gè)示例。用于功率輸出的電感器以及其它組件也是符合需要的。雖然置于母板上的分立組件已經(jīng)被用于天線和電感器，但這可顯著影響最終產(chǎn)品的尺寸。此類組件的尺寸在物理上受材料和電氣規(guī)范的限制。雖然高的相對磁導(dǎo)率可允許裝置更小，但高磁導(dǎo)率材料趨向于也是導(dǎo)電的。這引起渦流損耗以及其它缺陷。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0005]本發(fā)明的實(shí)施例在附圖的各圖中作為示例而非作為限制例證了，附圖中相似的附圖標(biāo)記是指類似的單元。
[0006]圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的RF封裝的簡化橫截面圖解。
[0007]圖2是圖1的RF封裝的簡化頂部俯視圖。
[0008]圖3-8是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在形成具有天線的封裝時(shí)階段序列的橫截面圖解，所述天線包含納米磁性復(fù)合材料。
[0009]圖9是如圖3-8中所示形成的封裝的橫截面圖解。
[0010]圖10-15是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在形成具有包含納米磁性復(fù)合材料的天線的替換封裝時(shí)階段序列的橫截面圖解。
[0011]圖16A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的納米磁性復(fù)合材料的二氧化硅納米粒子的涂層的分子式的圖解。
[0012]圖16B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的納米磁性復(fù)合材料的二氧化硅納米粒子的涂層的替換分子式的圖解。
[0013]圖17A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例具有非對準(zhǔn)磁疇的納米磁性復(fù)合材料的圖解。
[0014]圖17B是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例在磁疇被對準(zhǔn)之后圖17A的納米磁性復(fù)合材料的圖解。
[0015]圖18A是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例使用納米磁性復(fù)合材料形成的電感器的橫截面圖解。
[0016]圖18B是圖18A的電感器的頂部俯視圖。
[0017]圖19是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例形成微電子封裝的工藝流程圖。
[0018]圖20是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例合并微電子封裝的計(jì)算裝置的框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019]可使用沉積在有機(jī)封裝襯底上的納米磁性材料層來制作尺寸非常小的天線。該天線可在納米磁性復(fù)合材料層上制作，納米磁性復(fù)合材料層本身層壓或模塑在有機(jī)封裝襯底上。該天線然后可與其它RF組件集成以產(chǎn)生例如可用在超級(jí)本、平板計(jì)算機(jī)和智能電話中的非常小的RF封裝或模塊。
[0020]天線的尺寸與至少三個(gè)重要因素相關(guān):RF頻率；天線襯底材料的介電常數(shù)；以及天線襯底材料的磁導(dǎo)率。
[0021]這些關(guān)系在數(shù)學(xué)上可寫為:
K = h, ? |ε, Pri ^ (等式 1)
其中λ是具有介電常數(shù)L和磁導(dǎo)率h的襯底中的波長；Xci是自由空間波長(c/f)；C是自由空間中的光速，并且f是天線的RF頻率。
[0022]η η“ (uf / ε,.' (等式 2)
其中H是具有介電常數(shù)ε ^和磁導(dǎo)率的襯底中的阻抗，并且Iltl是自由空間的阻抗。
[0023]如這些關(guān)系式(等式I和2)所指示的，天線尺寸取決于λ，λ又取決于L和h的乘積。阻抗n取決于和L之比。因此，可通過使用具有高介電常數(shù)L的非磁性介電材料(即其μ r為I的材料)來縮小天線尺寸。
[0024]然而，當(dāng)天線尺寸隨介電常數(shù)的增大而減小時(shí)，阻抗也減小了。當(dāng)阻抗失配增大(即Htl/n)時(shí)，從天線的能量轉(zhuǎn)移被減少了。這又降低了天線效率和帶寬(天線可承載的數(shù)據(jù)速率)。磁導(dǎo)率非常高的磁性材料容易得到并用在許多應(yīng)用中，然而它們不適合于制作天線，這是因?yàn)檫@些材料的磁導(dǎo)率在高頻(即在幾百M(fèi)Hz以上)陡然下落。
[0025]在RF頻率具有較高磁導(dǎo)率和介電常數(shù)的納米磁性復(fù)合材料層可在半導(dǎo)體封裝之上形成。天線結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)在該納米磁性材料上面，從而得到更小并且更高效的天線。天線可設(shè)計(jì)在納米磁性襯底上，并且然后附連到封裝襯底，來作為表面安裝組件。用納米磁性材料可實(shí)現(xiàn)天線面積的至三分之一的縮小或至更小尺寸的縮小。例如，35mmX 1mm的天線可縮小到大約20mmX 5mm。16mmX 1mm的天線可縮小到大約1mmX 10mm。這接近一些半導(dǎo)體封裝的尺寸，從而允許在封裝上形成用于無線通信應(yīng)用的天線。
[0026]通過在物理上將天線附連到封裝，由于更短的互連距離和縮小的RF插入損耗而進(jìn)一步改進(jìn)了 RF性能。也不需要將RF收發(fā)器連接到外部天線的昂貴同軸RF線纜，所述外部天線可能位于平板計(jì)算機(jī)或智能電話邊沿。同軸RF線纜的消除降低了 RF損耗和成本。
[0027]可通過將磁性納米粒子浸潰在環(huán)氧樹脂中并且然后固化通過該浸潰所形成的復(fù)合材料來合成納米磁性復(fù)合層。此類納米復(fù)合襯底層保留了其如下磁性性質(zhì):在較高頻率(例如高達(dá)大約5GHz-10GHz)具有合理介電常數(shù)(例如大約10-20)和磁導(dǎo)率(例如大約
1.5-4)的。這種材料可使用商業(yè)上可得到的納米磁性粒子(例如大約20nm到50nm的尺寸)和環(huán)氧化合物來合成。
[0028]如在下面更詳細(xì)描述的，該合成材料可通過絲網(wǎng)印刷或模塑而集成在封裝襯底或其它表面上。這些天線結(jié)構(gòu)可制作在此納米磁性層之上以獲得上面提到的非常小的形狀因子。這種納米磁性材料也可被絲網(wǎng)印刷或?qū)訅涸谠摲庋b之上，以更進(jìn)一步縮小尺寸。天線結(jié)構(gòu)可通過在納米磁性層之上鍍銅來創(chuàng)建?？稍诩{米磁性層上創(chuàng)建直通通孔(through vias)以將天線連接到RF電路和封裝上的地。
[0029]如下面所描述的，納米粒子磁性復(fù)合層可作為封裝制作的一部分來構(gòu)造。天線然后可制作在此納米粒子襯底層上。天線然后可與封裝內(nèi)的RF傳送和接收電路集成以產(chǎn)生小形狀因子RF收發(fā)器模塊，所述小形狀因子RF收發(fā)器模塊具有與RF電路封裝大約相同的尺寸。
[0030]圖1是具有天線、可選的RF電路管芯和連接盤的RF封裝的橫截面圖。封裝10構(gòu)建在襯底上，在此情況下是可用焊球14 (僅示出了其中兩個(gè)，不過可存在更多個(gè))附連到印刷電路板(諸如系統(tǒng)板、母板或邏輯板(如圖9所示的38))的一個(gè)或多個(gè)堆積層(BUL) 12。BUL承載含有RF電子電路的管芯16。通過BUL的通孔27將管芯與天線結(jié)構(gòu)20連接，天線結(jié)構(gòu)20還附連到堆積層12。
[0031]封裝10含有有選擇地層壓在一個(gè)或多個(gè)堆積層12上面的納米粒子磁性復(fù)合物
22。通過該復(fù)合材料的通孔24通過襯底與導(dǎo)電路徑26連接，以通過該復(fù)合物和襯底將天線20連接到管芯16。這些天線也可通過這些通孔耦合到外部電源或外部裝置(諸如母板)(未示出)上的其它連接件14。替換地，這些天線20可分開構(gòu)造在納米磁性材料22上，并且然后隨后附連到一個(gè)或多個(gè)RF封裝堆積層12來作為表面安裝組件。
[0032]該封裝襯底或BUL 12還承載耦合到硅管芯和天線的各種附加分立組件28。這些將被稱為無源件，但分立組件可以是無源的或有源的。該封裝覆蓋有電介質(zhì)(諸如模塑化合物30)以密封天線、無源件、通孔和各種連接件并使它們絕緣。模塑化合物被選擇成對天線所打算接收和傳送的射頻而言是透明的。
[0033]無源裝置組件28 (諸如電容器)可電連接到線路26，諸如到天線的信號(hào)線路。在此類實(shí)施例中，來自于管芯16中的信號(hào)端口的直流(DC)可被無源裝置28阻斷或重新路由，使得DC電流未沿連接到天線(其設(shè)計(jì)成僅接收射頻(RF)信號(hào))的信號(hào)線路或通孔24行進(jìn)。在另一實(shí)施例中，由于來自于管芯中信號(hào)端口的信號(hào)的阻抗，無源裝置組件對于封裝中去到天線的信號(hào)線路可擔(dān)任頻率選擇器。
[0034]有源裝置組件28 (諸如功率放大器、低噪聲放大器或RF開關(guān))可在附連到襯底12之前首先基于砷化鎵管芯形成。在此類實(shí)施例中，有源裝置(比如功率放大器)可放大所選擇的RF信號(hào)并通過通孔24向天線20發(fā)送所選擇的RF信號(hào)。來自于該天線的接收信號(hào)可通過天線開關(guān)和低噪聲放大器裝置來路由，以選擇和放大所接收的RF信號(hào)。這個(gè)經(jīng)放大的信號(hào)沿信號(hào)線路26通過襯底12路由到管芯16。在一替換實(shí)施例中，有源裝置可以是包含功率放大器的SOC (芯片上系統(tǒng))管芯。
[0035]圖2是圖1的封裝10的頂部俯視圖,其中能看到天線結(jié)構(gòu)和復(fù)合材料,但不能看到襯底和無源組件。天線結(jié)構(gòu)20可具有各種不同的形狀，并且擱在復(fù)合材料22之上。這些天線在適當(dāng)位置通過通孔24耦合到其它組件，使得可承載由天線接收的信號(hào)以便進(jìn)行下變頻、解調(diào)、基帶處理以及其它RF階段，并且到管芯16。
[0036]如在下面所示的，納米粒子磁性復(fù)合材料可集成在封裝襯底之上，并且然后模塑在封裝之上。天線結(jié)構(gòu)20可在那個(gè)復(fù)合表面30上形成圖案。來自這些電路的RF輸出信號(hào)線路連接到這些天線以使RF收發(fā)器模塊完整?？赏ㄟ^在模塑材料中鉆孔或以各種其它方式中的任何方式來創(chuàng)建到管芯的RF電路的連接通孔24。通孔可通過模塑材料的整個(gè)厚度或僅部分通過模塑材料，以連接到嵌入在模塑材料中的組件的頂面。
[0037]圖3至圖9是封裝(諸如圖1和圖2的封裝)在制造的漸進(jìn)階段中的橫截面視圖。圖3是用于形成類似于圖1和圖2的封裝的單個(gè)封裝的工藝的組件初始配置的側(cè)橫截面圖。在圖3中，形成臨時(shí)載體34以承載其它組件。在替換實(shí)施例中，該載體是固定襯底。臨時(shí)載體可比所示出的更大，諸如晶圓，使得在載體的表面上同時(shí)形成許多封裝。載體襯底可以是任何平面襯底，諸如帶、硅晶圓、玻璃、金屬或聚合物。
[0038]粘合劑36被施加到該載體之上以將無源件28、納米磁性天線23 (包含材料22、金屬20、通孔24和金屬盤2)以及任何其它組件固定到載體上。這些組件可以是無源裝置組件和有源組件。無源組件可包含帶通濾波器、電容器、電感器、電阻器和用于時(shí)鐘生成的晶體。有源組件可包含功率放大器和RF開關(guān)。
[0039]無源組件28和納米磁性天線包含放在載體之上的盤29。然后可通過復(fù)合材料鉆出通孔24并且可在該復(fù)合物上形成天線結(jié)構(gòu)20的圖案。在另一實(shí)施例中，納米磁性層有選擇地層壓在襯底上，直到設(shè)計(jì)在納米磁性復(fù)合材料之上的天線結(jié)構(gòu)。這些無源件通常在對于連接盤29分開的工藝中制作，以允許它們附連到襯底并通過襯底連接。復(fù)合材料和天線結(jié)構(gòu)可分開制作，并且然后附連到載體34，或直接在臨時(shí)載體上制作。
[0040]在圖4中，模塑化合物30被施加在復(fù)合天線23和無源件28的上面，以嵌入這些無源組件和納米復(fù)合天線23。模塑化合物然后可被固化以向封裝上的組件提供可靠的機(jī)械支撐?？捎酶鞣N方式中的任何方式，包含旋涂、注入模塑、壓縮模塑和轉(zhuǎn)移模塑，來施加模塑化合物。例如，模塑化合物可以是熱固性材料，諸如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚酰亞胺和聚苯并噁唑(PBO)。也可填充模塑化合物。在一實(shí)施例中，模塑化合物包括大致90%的填充物，諸如二氧化硅粒子。模塑化合物層然后被完全固化以加強(qiáng)這些裝置組件的對準(zhǔn)，并提供用于處置的剛性。
[0041]在圖5中，已經(jīng)通過溶解粘合劑而從臨時(shí)載體34中釋放模塑化合物30。該粘合劑可選擇成使得在模塑化合物被完全固化之后它充當(dāng)脫離劑。然后，通過恰當(dāng)?shù)臏囟忍幚?，可使該粘合劑與模塑化合物底部分離。移除該載體34暴露出在無源件和天線上形成的金屬盤29。粘合劑和載體可通過剝落、激光剝離和紫外線(UV)照射來釋放。如所例證的，之前與載體襯底接觸的每一個(gè)裝置組件的暴露表面可與之前與載體襯底接觸的模塑化合物層的暴露表面共平面。這提供了平坦表面，在其上可形成附加襯底層。
[0042]在圖6中，該封裝已經(jīng)被翻轉(zhuǎn)。通常，該封裝將與許多其它封裝一起在晶圓上形成，因此整個(gè)晶圓被翻轉(zhuǎn)。新襯底12被堆積在模塑化合物30上面。新襯底在所需數(shù)量的級(jí)形成有所需數(shù)量的銅通道26，以便連接天線23和無源件28并支持它們的預(yù)計(jì)功能。提供焊料或金屬路徑27以形成通孔。在一個(gè)實(shí)施例中，形成單個(gè)重新分布層(RDL)扇出和堆積層來作為共平面表面上的襯底12。
[0043]在一些實(shí)施例中，首先形成具有一個(gè)或多個(gè)跡線26的形成圖案的RDL，之后在RDL上面沉積堆積層，并對堆積層形成圖案以形成多個(gè)開口 25，開口 25可暴露接觸盤或跡線。各種介電材料可用于形成堆積層。在一個(gè)實(shí)施例中，使用光敏聚酰亞胺。在此類實(shí)施例中，在形成圖案以形成開口之后，通過UV照射來固化光敏聚酰亞胺。
[0044]在圖7中，焊球14、18在開口 25中附連到重新分布層或襯底12，開口 25是為此目的而形成的。在圖8中，在分開的工藝中形成的管芯16被附連到中央焊球結(jié)構(gòu)18。在實(shí)施例中，管芯16電接合到單個(gè)RDL，垂直地緊鄰這些無源件，但在RDL 12的相對側(cè)上。此類連接可通過拾取和放置有源管芯16進(jìn)行，之后是焊料重熔或者熱壓接合(TCB)。如所例證的，管芯的焊球18的凸塊圖案與分立組件28對準(zhǔn)以便進(jìn)行最小橫向路由和扇出，這可縮小(x, y)形狀因子大小。替換地，可用引線接合(未示出)將管芯電接合到襯底。
[0045]在圖9中，承載管芯16和天線23的封裝10被接合到電路板38。球柵陣列14或任何其它適合的結(jié)構(gòu)可用于將該封裝附連到該板上。焊球14可采取沿襯底周邊布置的導(dǎo)電凸塊的形式?？墒褂酶鞣N工藝，包含絲網(wǎng)印刷或微球球柵陣列(BGA)，來形成內(nèi)部導(dǎo)電凸塊14和外部導(dǎo)電凸塊18。用于該P(yáng)CB的導(dǎo)電凸塊14具有比導(dǎo)電凸塊18的高度更大的高度或具有比將管芯附連到襯底的焊球的高度更大的高度。這些更高的凸塊在將管芯16電接合到襯底12之前可放置在襯底上。如圖7中所示，所有導(dǎo)電凸塊大的14和小的18同時(shí)放置在襯底上，或用不同步驟放置在襯底上。管芯16然后附連到襯底，如圖8中所示，之后襯底附連到PCB。
[0046]圖10是根據(jù)另一實(shí)施例的封裝的替換形式的橫截面視圖。介電襯底60附連在布線層62上方，填充有金屬通道64，以互連各種組件。一個(gè)或多個(gè)管芯66以及其它組件68 (諸如無源元件)被附連在介電襯底60之上。
[0047]模塑化合物70被施加在介電襯底60上面以密封并保護(hù)管芯和無源件，并將它們保持在適當(dāng)位置。在模塑化合物70上面形成第二介電層72，并且在第二介電層72之上形成金屬通道74。然后可在介電層72上面形成納米粒子復(fù)合材料76。一旦已經(jīng)形成復(fù)合材料76，就可在復(fù)合材料上面形成天線結(jié)構(gòu)78。通孔80可被鉆到復(fù)合材料中，其如所期望的通過模塑化合物向下通過互連層64，以形成預(yù)計(jì)連接。在圖10的示例中，在封裝之上暴露出天線78，而管芯66和無源件68在模塑化合物70內(nèi)被保護(hù)。
[0048]圖11至圖15是制造的漸進(jìn)階段中的封裝(諸如圖10的封裝)的橫截面視圖。圖11是用于形成圖10中所示封裝的初始起始結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。根據(jù)圖11，管芯66 (諸如芯片上系統(tǒng)(SOC)管芯)以類似于圖3至圖6中示出和描述的方式嵌入在模塑化合物70中，并且然后附連到襯底60和布線層62。
[0049]在圖12中，承載管芯和布線層的晶圓被翻轉(zhuǎn)回來，使得模塑化合物70的頂面被暴露，而布線層不暴露。通過模塑化合物鉆出通孔80，并且施加金屬層74以電鍍、涂敷或填充通孔，從而提供通過模塑化合物到無源件68的導(dǎo)電路徑或者到布線層62的導(dǎo)電路徑，以進(jìn)行與管芯或外部組件(未示出)的連接。
[0050]圖13示出了在模塑化合物70和金屬化層74上面形成的納米粒子復(fù)合材料76。在圖14中，在納米粒子復(fù)合材料上面形成天線結(jié)構(gòu)78。這些天線結(jié)構(gòu)可通過鍍銅來形成，以形成任何期望的形狀和尺寸。
[0051 ] 在圖15中，在布線層62上形成球柵陣列或其它附連機(jī)構(gòu)84，以允許該封裝附連到更大裝置，諸如母板或邏輯板。襯底和布線層可由各種不同材料中的任一種材料制成。FR4襯底可用于包含LTE頻帶(大約700MHz)的許多應(yīng)用。
[0052]可調(diào)整并制作磁性納米復(fù)合分子式22、76，以創(chuàng)建具有對準(zhǔn)磁疇的高性能無機(jī)/有機(jī)納米復(fù)合物。這個(gè)對準(zhǔn)的磁性納米復(fù)合材料非常適合于RF天線和電感器。該制作可包含表面處理和化學(xué)功能鈍化的、單疇的磁性納米粒子。
[0053]復(fù)合材料可使用有機(jī)熱固性樹脂(類似于CUF環(huán)氧樹脂)來形成，該有機(jī)熱固性樹脂在低溫到中溫具有低粘性，或者是可流動(dòng)的。在暴露于交聯(lián)活化溫度以上的更高溫度時(shí)，該樹脂可借助表面處理以化學(xué)方式接合到納米粒子。在施加具體溫度分布期間施加磁場，使得磁性粒子可自由旋轉(zhuǎn)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)磁疇對準(zhǔn)，并且然后對該對準(zhǔn)進(jìn)行隨后的玻璃化或硬化。溫度分布可用于使樹脂流動(dòng)或者促進(jìn)磁疇旋轉(zhuǎn)，并以化學(xué)方式將有機(jī)樹脂耦合(即交聯(lián)或共價(jià)接合)到磁性納米粒子。
[0054]可使用單疇磁疇納米粒子。這些納米粒子可包含鈍化層，例如Si02。該鈍化趨向于使磁性納米粒子的分散保持穩(wěn)定且不聚集。存在各種不同的方式來使粒子鈍化。在一個(gè)實(shí)施例中，用溶膠-凝膠工藝使粒子鈍化。使用溶膠-凝膠超聲空化，粒子聚集被分裂，并促進(jìn)了反應(yīng)性。結(jié)合溶膠-凝膠處理，可獲得涂二氧化硅的粒子。涂二氧化硅的粒子可能比沒有鈍化層的芯粒子更容易分散在有機(jī)溶劑或樹脂中。
[0055]二氧化硅納米粒子可經(jīng)過表面處理以修改粒子的粘性和表面能，并促進(jìn)粒子與基體之間的共價(jià)接合。二氧化硅納米粒子可用各種不同表面處理中的任何表面處理來涂敷，其包含氨基硅烷，諸如圖16A中所示的N-氨基乙基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷(AEAPS)。在此情況下，該處理的硅烷部分粘附到二氧化硅粒子表面，而氨基部分自由懸掛并且可與環(huán)氧樹脂反應(yīng)。根據(jù)對用于納米復(fù)合物的有機(jī)樹脂的選擇，可使用其它表面處理、硅烷或者其它方式。替換地，可采用如圖16B中所示的氨基硅烷和3縮水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷(GPTS)的組合，使得環(huán)氧環(huán)和氨端基可共價(jià)聯(lián)接，并在使用最少附加有機(jī)接合劑的情況下緊緊地耦合這些粒子，。
[0056]在上面描述的示例制作工藝中，納米復(fù)合材料可借助剪切擴(kuò)散到模子或腔中，類似于焊膏或其它粒狀有機(jī)/無機(jī)混合物。如果使用優(yōu)化的雙分散系統(tǒng)來擴(kuò)散樹脂，則可使用二氧化硅納米粒子與樹脂的超過80個(gè)體積百分比的體積分?jǐn)?shù)。在此類情況下，大粒子與小粒子的比率盡可能高，并且大粒子的體積分?jǐn)?shù)除以大粒子與小粒子的體積分?jǐn)?shù)的比率范圍從0.7到0.8。因此，對于后者所需的所有的(大于配方的20個(gè)體積百分比)是聚合物接合劑，其允許粒子容易地?cái)U(kuò)散，并且一旦實(shí)現(xiàn)了磁疇對準(zhǔn)并且達(dá)到了活化溫度，就能使用熱分布來共價(jià)交聯(lián)這些粒子。
[0057]通過調(diào)節(jié)已鈍化磁性納米粒子和對應(yīng)樹脂的表面處理，有機(jī)材料的介電性質(zhì)和機(jī)械性質(zhì)以及甚至在交聯(lián)時(shí)的收縮量都可被優(yōu)化，以便用作電感器或與RF封裝和天線一起使用。
[0058]在上面提到的制作工藝中，樹脂和已鈍化納米粒子的溶液可膏印、縫隙涂敷、絲網(wǎng)印刷或通過任何可行的手段施加到封裝腔或模子中。溫度然后被升高到樹脂交聯(lián)的活化溫度以下的水平(Talign)。這降低了溶液的粘性，并使得球形磁性納米粒子容易旋轉(zhuǎn)。在此溫度，磁場被施加在粒子上以對準(zhǔn)粒子的磁疇。一旦實(shí)現(xiàn)了對準(zhǔn)，溫度就升高到活化溫度以上。更高的溫度引起交聯(lián)。交聯(lián)將對準(zhǔn)的粒子鎖定到某一位置。替換地，代替熱式加熱，或除了熱式加熱之外，可使用其它交聯(lián)刺激，即UV輻射。如上面示出和描述的，所得到的磁性納米復(fù)合材料可施加在封裝腔中并在其中固化，或者當(dāng)在模子中形成時(shí)被釋放，并且然后嵌入在微電子封裝中或被表面安裝。
[0059]圖17A示出了由填充有納米磁性粒子114的樹脂112形成的納米復(fù)合材料110。納米粒子114隨機(jī)定向，如箭頭所指示的。有機(jī)接合劑用于填充通用立方形腔(genericcubicle cavity)，并且因此具有這種形狀。材料的具體形狀和填充量可修改成適合任何具體實(shí)現(xiàn)或復(fù)雜形狀。
[0060]圖17B示出了相同材料110或填充了粒子114的樹脂112，其中納米粒子114的磁場被對準(zhǔn)鎖定。這些粒子通過施加磁場116來對準(zhǔn)，而樹脂在升高的溫度Talign (其在周圍溫度Tamb以上并在樹脂的活化溫度Tart以下)。一旦這些粒子如所示對準(zhǔn)了，溫度就升高到活化溫度以上到鎖定溫度?\。。,，其將磁性納米粒子鎖定到對準(zhǔn)位置。
[0061]為了進(jìn)一步改進(jìn)納米復(fù)合物的裝填密度，對準(zhǔn)鎖住工藝可在施加的壓力下進(jìn)行。替換地，可使用在交聯(lián)時(shí)經(jīng)歷顯著收縮的樹脂。
[0062]可使用各種不同的樹脂配方，諸如用于毛細(xì)管底部填充應(yīng)用的樹脂。樹脂可被設(shè)計(jì)成在從90° C到110° C的溫度是低粘性，并且然后在超過125° C的溫度交聯(lián)。這允許粒狀混合物在共價(jià)接合之前容易流動(dòng)。粒子尺寸分布可被調(diào)整成最大化環(huán)氧樹脂中粒子的體積分?jǐn)?shù)。例如，大球形粒子與小球形粒子的尺寸比率以及對應(yīng)的濃度可被優(yōu)化成將最大裝填分?jǐn)?shù)增加到88個(gè)體積百分比。
[0063]如所描述的，強(qiáng)磁場可被施加在環(huán)氧復(fù)合物上，以將每個(gè)粒子疇與控制場(governing field)對準(zhǔn)。雖然裝填的納米粒子可能難以借助剪切來移動(dòng),但在暴露于磁場時(shí)粒子旋轉(zhuǎn)仍是容易的。旋轉(zhuǎn)容易部分是因?yàn)槊總€(gè)球形粒子直到溫度升高才聯(lián)接到其鄰居。因此最小化了局部摩擦和流體力學(xué)交互作用。通過優(yōu)化磁性粒子的鈍化厚度以確保獨(dú)立對準(zhǔn)，可改進(jìn)該對準(zhǔn)。對于任何具體樹脂和納米粒子組合的參數(shù)選擇將取決于所選擇的具體材料以及樹脂將施加到的封裝材料的特性。
[0064]利用上面描述的納米復(fù)合材料和工藝的附加應(yīng)用是有可能的，包含電感器(未耦合的和耦合的)、變壓器以及要求以具有高頻性能的小形狀因子使用磁性材料的其它應(yīng)用?？烧{(diào)整磁性復(fù)合材料的具體規(guī)范，以適合于各種不同應(yīng)用。
[0065]圖18A是未耦合的電感器的橫截面圖解，其可用在高頻調(diào)壓電路中或各種其它應(yīng)用中。電感器構(gòu)建在襯底132上，可與許多其它組件共享襯底132，或者襯底132僅用于所例證的電感器。該襯底可以是硅、BUL、玻璃或各種其它介電材料或?qū)щ姴牧现械娜魏尾牧?。在一個(gè)實(shí)施例中，可在電感器周圍形成介電保持器(dielectric retainer)134以防止材料流動(dòng)。在第二實(shí)施例中，如果樹脂的粘性足夠高以致它在隨后的處理期間不會(huì)流動(dòng)，則不需要介電保持器。圖18B是圖18A的電感器的頂部俯視圖。電介質(zhì)在電感器的四側(cè)形成壁。作為一個(gè)示例，示出了矩形形狀。電感器可以用不同的形狀形成，以滿足不同的封裝和性能要求。
[0066]納米復(fù)合磁性材料136的第一層沉積在介電邊界內(nèi)并經(jīng)過處理。在此磁性層136上形成導(dǎo)體138 (諸如銅)，并且然后第二磁性層被沉積、處理并形成圖案以形成帶狀線電感器。在此情況下，導(dǎo)體由附加磁性材料包圍?？稍趯?dǎo)體上面形成附加介電材料或磁性材料，并且可形成通孔140以向電感器提供接觸盤。圖18B示出初級(jí)銅導(dǎo)體138由納米復(fù)合磁性材料136覆蓋；然而，連接件140是可接近的，以將該電感器連接到其它組件。
[0067]使用直導(dǎo)體，形成單匝電感器，然而，該導(dǎo)體可具有各種不同形狀，以形成附加匝或?qū)傩詠砜刂圃撗b置的電氣規(guī)范。也可用此方式通過添加附加導(dǎo)體線路來制作耦合的電感器。可使用單層納米復(fù)合磁性材料來形成環(huán)形電感器(toroidal inductor)。然后可在環(huán)形配置中在磁性層周圍形成繞組。納米復(fù)合磁性材料在此情況下充當(dāng)電感器的芯。也可形成其它裝置。該電感器在具有天線或沒有天線的封裝中可以是無源件。它也可用在電源或其它微電子裝置中。
[0068]圖19是形成如上所述的納米復(fù)合材料天線結(jié)構(gòu)的工藝流程圖。在161，將納米粒子復(fù)合樹脂材料施加到襯底。這可通過膏印、絲網(wǎng)印刷、縫隙涂敷、擴(kuò)散、噴射點(diǎn)膠或其它技術(shù)施加到襯底。模子或模板可用于確定所得到的復(fù)合材料的形狀和尺寸。上面所描述的復(fù)合物是填充納米粒子的樹脂(諸如聚合物接合劑)。這些納米粒子是磁性的，并且可首先在一層或多層中涂敷有硅烷或其它材料，以改進(jìn)其內(nèi)的分散能力或與樹脂的相容性。表面處理也可選擇成提高與樹脂的接合或交聯(lián)能力。
[0069]襯底可包含附加電路或到其它電路的導(dǎo)電通道，或可包含二者。襯底也可承載其它RF裝置，諸如電容器、電阻器以及其它無源裝置。替換地，襯底可以是臨時(shí)載體，其隨后被移除并用其它裝置、組件或襯底來替代。如上面所示的，襯底可在與納米粒子復(fù)合樹脂相同的表面上或在相對側(cè)的表面上承載一個(gè)或多個(gè)管芯。
[0070]在162，復(fù)合物和襯底被加熱到對準(zhǔn)溫度，即，樹脂具有低粘性的溫度。這個(gè)溫度足夠高以允許磁性納米粒子旋轉(zhuǎn)地到處移動(dòng)，并且也許還處于剪切移動(dòng)。在一些實(shí)施例中，這個(gè)溫度在90° C-110° C之間，然而，具體溫度取決于樹脂和納米粒子填充物的成分。
[0071]在163，磁場被施加到復(fù)合物以對準(zhǔn)這些納米粒子。在對準(zhǔn)溫度施加磁場，使得納米粒子能夠旋轉(zhuǎn)成與所施加的磁場對準(zhǔn)。備選地，可首先施加磁場，并且然后加熱復(fù)合物，以允許納米粒子隨著溫度增加而對準(zhǔn)。在164對準(zhǔn)納米粒子之后，將樹脂加熱到接合溫度。這個(gè)溫度足以將納米粒子鎖定到某一位置，例如通過引起納米粒子與樹脂之間的共價(jià)鍵。在一些實(shí)施例中，這是在125° C以上的溫度，然而，該溫度取決于樹脂的特性。在165，允許樹脂固化并冷卻。
[0072]在166，通過樹脂鉆出通孔，并且根據(jù)具體配置，通過襯底鉆出通孔。這些通孔要允許所施加的天線與襯底中的電路或通道或樹脂相對側(cè)上某一其它裝置中的電路或通道連接。
[0073]在167，導(dǎo)電路徑被施加到所鉆的通孔中，并且根據(jù)具體配置，施加在復(fù)合物的頂面上。這些路徑允許在復(fù)合物上并通過復(fù)合物進(jìn)行RF和電氣連接，以將天線結(jié)構(gòu)彼此連接，并將天線結(jié)構(gòu)連接到最終封裝中的其它裝置。導(dǎo)電路徑可由銅、鋁、銀或任何其它適合的導(dǎo)電材料制成，并且可通過汽相沉積、噴墨沉積、光刻、金屬電鍍或各種其它方式中的任何方式施加。
[0074]在168，形成天線結(jié)構(gòu)，并將天線結(jié)構(gòu)連接到在167創(chuàng)建的導(dǎo)電路徑以允許到電路的RF連接?？烧{(diào)整每個(gè)天線的形狀和配置以適合于要通過天線接收或傳送的具體頻率和調(diào)制。這些天線可用各種不同方式中的任何方式形成，包含印刷、金屬電鍍和沉積。
[0075]最后，在169，完成封裝處理。用于完成該封裝的操作可根據(jù)具體封裝設(shè)計(jì)而變化。如上面示例中所示的，這些完成操作可包含覆蓋模塑化合物中的樹脂和天線，附連半導(dǎo)體管芯，附連襯底，以及附連焊球或焊球柵陣列。也可通過附連蓋或各種其它結(jié)構(gòu)、襯底或組件中的任一個(gè)來完成封裝。
[0076]圖20例證了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)現(xiàn)的計(jì)算裝置500。計(jì)算裝置500容納系統(tǒng)板502。板502可包含若干組件，其包含但不限于處理器504和至少一個(gè)通信封裝506。所述通信封裝耦合到一個(gè)或多個(gè)天線516。處理器504在物理上和電氣上耦合到板502。在本發(fā)明的一些實(shí)現(xiàn)中，至少一個(gè)天線516與通信封裝506集成，并且通過所述封裝在物理上和電氣上耦合到板502。
[0077]本文描述的基于納米磁性材料的天線由于其較小的覆蓋區(qū)(footprint)而允許其集成到通信封裝506，由此減小了板502和計(jì)算裝置500的覆蓋區(qū)。該計(jì)算裝置也可具有未集成到芯片集封裝上的其它天線。在另外實(shí)現(xiàn)中，通信封裝506是處理器504的一部分。這些通信芯片中的任一個(gè)或多個(gè)可包含本文所描述的天線。其它組件中的任何一個(gè)或多個(gè)可使用本文所描述的納米磁性復(fù)合材料來形成。
[0078]根據(jù)其應(yīng)用，計(jì)算裝置500可包含可以在物理上和電氣上耦合到板502或者可以不在物理上和電氣上耦合到板502的其它組件。這些其它組件包含但不限于易失性存儲(chǔ)器(例如DRAM) 508、非易失性存儲(chǔ)器(例如ROM) 509、閃存(未示出)、圖形處理器512、數(shù)字信號(hào)處理器(未示出)、加密處理器(未示出)、芯片集514、天線516、顯示器518 (諸如觸摸屏顯示器)、觸摸屏控制器520、電池522、音頻編碼解碼器(未示出)、視頻編碼解碼器(未示出)、功率放大器524、全球定位系統(tǒng)(GPS)裝置526、羅盤528、加速計(jì)(未示出)、陀螺儀(未示出)、揚(yáng)聲器530、攝像機(jī)532和大容量存儲(chǔ)裝置(諸如硬盤驅(qū)動(dòng)器)510、壓縮盤(⑶)(未示出)、數(shù)字多功能盤(DVD)(未示出))等等。這些組件可連接到系統(tǒng)板502，安裝到系統(tǒng)板，或者與任何其它組件組合。
[0079]通信封裝506使有線通信和/或無線通信能夠?qū)崿F(xiàn)，以便向計(jì)算裝置500傳遞數(shù)據(jù)以及從計(jì)算裝置500傳遞數(shù)據(jù)。術(shù)語“無線”及其派生詞可用于描述可通過非固態(tài)介質(zhì)通過使用調(diào)制的電磁輻射來傳遞數(shù)據(jù)的電路、裝置、系統(tǒng)、方法、技術(shù)、通信信道等。該術(shù)語并不暗示所關(guān)聯(lián)的裝置不含有任何導(dǎo)線，不過在一些實(shí)施例中它們可能不含有任何導(dǎo)線。通信封裝506可實(shí)現(xiàn)若干無線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議或有線標(biāo)準(zhǔn)或協(xié)議中的任一個(gè)，其包含但不限于 W1-Fi (IEEE 802.11 系列)、WiMAX (IEEE 802.16 系列)、IEEE 802.20、長期演進(jìn)(LTE)、Ev-DO, HSPA+, HSDPA+, HSUPA+, EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA, DECT、藍(lán)牙、以太網(wǎng)及其衍生，以及被指定為3G、4G、5G以及以后的任何其它無線和有線協(xié)議。計(jì)算裝置500可包含多個(gè)通信封裝506。例如，第一通信封裝506可專用于較短距離無線通信(諸如W1-Fi和藍(lán)牙)，并且第二通信封裝506可專用于較長距離無線通信(諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO 及其它)。
[0080]計(jì)算裝置500的處理器504包含封裝在處理器504內(nèi)的集成電路管芯。術(shù)語“處理器”可以指處理來自寄存器和/或存儲(chǔ)器的電子數(shù)據(jù)以將該電子數(shù)據(jù)變換成可存儲(chǔ)在寄存器和/或存儲(chǔ)器中的其它電子數(shù)據(jù)的任何裝置或部分裝置。
[0081 ] 在各種實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算裝置500可以是膝上型計(jì)算機(jī)、上網(wǎng)本、筆記本計(jì)算機(jī)、超級(jí)本計(jì)算機(jī)、智能電話、平板計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、超級(jí)移動(dòng)PC、移動(dòng)電話、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、打印機(jī)、掃描儀、監(jiān)視器、機(jī)頂盒、娛樂控制單元、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、便攜式音樂播放器或數(shù)字視頻記錄器。在另外的實(shí)現(xiàn)中，計(jì)算裝置500可以是處理數(shù)據(jù)的任何其它電子裝置。
[0082]實(shí)施例可實(shí)現(xiàn)為一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)芯片、控制器、CPU(中央處理單元)、使用母板互連的微芯片或集成電路、專用集成電路(ASIC)和/或現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)的一部分。
[0083]提到“一個(gè)實(shí)施例”、“一實(shí)施例”、“示例實(shí)施例”、“各種實(shí)施例”等指示如此描述的本發(fā)明實(shí)施例可包含具體特征、結(jié)構(gòu)或特性，但不是每個(gè)實(shí)施例都一定包含這些具體特征、結(jié)構(gòu)或特性。進(jìn)一步說，一些實(shí)施例可具有對于其它實(shí)施例描述的一些特征、所有特征，或沒有這些特征。
[0084]在如下說明書和權(quán)利要求書中，可使用術(shù)語“耦合”連同其派生詞?！榜詈稀庇糜谥甘緝蓚€(gè)或更多元件彼此協(xié)作或交互作用，但它們之間可以具有中間物理組件或電氣組件，或可以沒有中間物理組件或電氣組件。
[0085]如在權(quán)利要求書中所使用的，除非另外規(guī)定，否則使用序數(shù)形容詞“第一”、“第二”、“第三”等來描述公共元件，僅僅指示相似元件的不同實(shí)例被提到，并不打算暗示如此描述的元件必須按給定順序，或者在時(shí)間上、空間上、按等級(jí)或者以任何其它方式。
[0086]附圖和前述描述給出了實(shí)施例的示例。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，一個(gè)或多個(gè)所描述元件可很好地組合到單個(gè)功能元件中。替換地，某些元件可被分成多個(gè)功能元件。來自一個(gè)實(shí)施例的元件可被添加到另一個(gè)實(shí)施例。例如，本文描述的工藝次序可以改變，并且不限于本文描述的方式。而且，任何流程圖的動(dòng)作都無需按所示出的次序?qū)崿F(xiàn)；也不是所有動(dòng)作都一定需要執(zhí)行。還有，不依賴于其它動(dòng)作的那些動(dòng)作可與其它動(dòng)作并行執(zhí)行。實(shí)施例的范圍決不受這些特定示例的限制。無論在說明書中是否明確給出，許多變化，諸如結(jié)構(gòu)、大小和材料使用上的差異等許多變化，都是有可能的。實(shí)施例的范圍至少與如下權(quán)利要求書所給出的范圍一樣寬。
[0087]如下示例涉及另外實(shí)施例。不同實(shí)施例的各種特征可以各種方式與所包含的一些特征和所排除的其它特征組合，以適合于各種不同應(yīng)用。一些實(shí)施例涉及半導(dǎo)體封裝，所述半導(dǎo)體封裝具有配置用于電氣連接到系統(tǒng)板的襯底、連接到襯底的合成磁性層以及磁性層上面的天線。該封裝還可具有半導(dǎo)體電路管芯，并且該天線可借助延伸通過磁性層的通孔耦合到管芯。管芯可在天線的對側(cè)連接到襯底，并且天線通過在襯底中形成的通孔耦合到電路。
[0088]在實(shí)施例中，封裝可具有封裝蓋，并且磁性層被絲網(wǎng)印刷在封裝蓋上面。封裝蓋可由模塑化合物形成。封裝可具有封裝蓋，并且磁性層可在襯底上，并且封裝蓋可在襯底、磁性層和天線上面形成。天線可由鍍銅形成。磁性層可由環(huán)氧樹脂中固化的磁性納米粒子形成。這些納米粒子可在固化的同時(shí)使用磁場來對準(zhǔn)。磁性納米粒子可以是涂敷了鈍化硅烷的二氧化硅粒子，并且磁性層包含聚合物接合劑。
[0089]一些實(shí)施例涉及如下電子組件:其包含具有對準(zhǔn)磁疇的合成磁性納米復(fù)合材料、嵌入在納米復(fù)合材料內(nèi)的導(dǎo)體以及延伸通過納米復(fù)合材料以連接到導(dǎo)體的接觸盤。導(dǎo)體可以是銅條，并且接觸盤各在該條的相對端以形成電感器。該銅條可以是線狀的以形成單匝電感器。襯底可承載納米復(fù)合材料，并且導(dǎo)體和介電壁可隔離并包含納米復(fù)合材料。
[0090]一些實(shí)施例涉及一種方法，所述方法包含:將磁性納米復(fù)合材料施加到具有襯底的封裝上，所述納米復(fù)合材料在環(huán)氧樹脂中具有磁性納米粒子；對準(zhǔn)磁性納米粒子的磁場；固化樹脂以保持磁性納米粒子的對準(zhǔn)；將導(dǎo)電路徑施加到納米復(fù)合材料；以及形成到導(dǎo)電路徑的連接器以使電子裝置完整。導(dǎo)電路徑可以是單匝電感器線圈。可通過加熱環(huán)氧樹脂，施加磁場，并且允許樹脂在所施加的磁場下固化，來對準(zhǔn)磁場。磁性納米粒子可以被鈍化并且涂敷二氧化硅。磁性納米粒子可以用硅烷化合物來進(jìn)行表面處理。樹脂可以是有機(jī)熱固化樹脂。
[0091]該方法可進(jìn)一步包含:在納米復(fù)合材料上形成天線，并將這些天線連接到連接器。該方法可進(jìn)一步包含:在襯底上面形成蓋，其中施加納米復(fù)合材料包括:在蓋上面施加該材料，并且其中形成天線包括:在納米復(fù)合材料上面形成天線。
[0092]一些實(shí)施例涉及包含多個(gè)磁性納米粒子的合成磁性納米復(fù)合材料以及有機(jī)熱固化樹脂。磁性納米粒子可以被鈍化并且涂敷二氧化硅。磁性納米粒子可以用硅烷化合物進(jìn)行表面處理。磁性粒子可填充樹脂超過80個(gè)體積百分比。磁性粒子可具有在50nm與20nm之間范圍內(nèi)的各種不同尺寸。磁性粒子可在固化的同時(shí)使用磁場來對準(zhǔn)。磁性粒子可包括涂敷了鈍化硅烷的二氧化硅粒子。該樹脂可包含聚合物接合劑。
[0093]一些實(shí)施例涉及具有系統(tǒng)板、封裝和天線的計(jì)算裝置，所述系統(tǒng)板具有耦合到系統(tǒng)板的主處理器，所述封裝具有耦合到系統(tǒng)板的封裝襯底，所述天線在連接到襯底的合成磁性層上面形成。該封裝可包含半導(dǎo)體電路管芯，并且天線可借助延伸通過磁性層的通孔耦合到管芯。封裝可包含封裝蓋，并且磁性層可被絲網(wǎng)印刷在封裝蓋上面。磁性層可在封裝的襯底上，所述封裝進(jìn)一步包括在襯底、磁性層和天線上面形成的封裝蓋。天線可由鍍銅形成。磁性層可由環(huán)氧樹脂中固化并在被固化的同時(shí)使用磁場來對準(zhǔn)的磁性納米粒子形成。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 襯底，所述襯底配置用于電氣連接到系統(tǒng)板； 連接到所述襯底的合成磁性層；以及 在所述磁性層上面的天線。
2.如權(quán)利要求1所述的封裝，進(jìn)一步包括半導(dǎo)體電路管芯，并且其中所述天線利用延伸通過所述磁性層的通孔耦合到所述管芯。
3.如權(quán)利要求2所述的封裝，其中所述管芯在所述天線的對側(cè)連接到所述襯底，并且其中所述天線通過在所述襯底中形成的通孔耦合到所述電路。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的封裝，進(jìn)一步包括封裝蓋，并且其中所述磁性層被絲網(wǎng)印刷在所述封裝蓋上面。
5.如權(quán)利要求4所述的封裝，其中所述封裝蓋由模塑化合物形成。
6.如權(quán)利要求1所述的封裝，進(jìn)一步包括封裝蓋，并且其中所述磁性層在所述襯底上，并且所述封裝蓋在所述襯底、所述磁性層和所述天線上面形成。
7.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述天線由鍍銅形成。
8.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述磁性層由環(huán)氧樹脂中固化的磁性納米粒子形 成。
9.如權(quán)利要求8所述的封裝，其中所述納米粒子在固化的同時(shí)使用磁場來對準(zhǔn)。
10.如權(quán)利要求8所述的封裝，其中所述磁性納米粒子包括涂敷了鈍化硅烷的二氧化娃粒子。
11.如權(quán)利要求1所述的封裝，其中所述磁性層包括聚合物接合劑。
12.一種電子組件，包括: 合成磁性納米復(fù)合材料，其具有對準(zhǔn)的磁疇； 嵌入在所述納米復(fù)合材料內(nèi)的導(dǎo)體；以及 接觸盤，所述接觸盤延伸通過所述納米復(fù)合材料以連接到所述導(dǎo)體。
13.如權(quán)利要求12所述的電子組件，其中所述導(dǎo)體是銅條，并且其中所述接觸盤各在所述條的相對端以形成電感器。
14.如權(quán)利要求13所述的電子組件，其中所述銅條是線狀的，以形成單匝電感器。
15.如權(quán)利要求12、13或14所述的電子組件，進(jìn)一步包括:襯底，所述襯底用于承載所述納米復(fù)合材料；以及所述導(dǎo)體和介電壁，所述導(dǎo)體和介電壁用于隔離并包含所述納米復(fù)合材料。
16.—種方法,包括: 將磁性納米復(fù)合材料施加到具有襯底的封裝上，所述納米復(fù)合材料在環(huán)氧樹脂中具有磁性納米粒子； 對準(zhǔn)所述磁性納米粒子的磁場； 固化所述樹脂以保持所述磁性納米粒子的對準(zhǔn)； 將導(dǎo)電路徑施加到所述納米復(fù)合材料；以及 形成到所述導(dǎo)電路徑的連接器以使電子裝置完整。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中所述導(dǎo)電路徑是單匝電感器線圈。
18.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中對準(zhǔn)所述磁場包括:加熱所述環(huán)氧樹脂，施加磁場，以及允許所述樹脂在所施加的磁場下固化。
19.如權(quán)利要求16或17所述的方法，其中所述磁性納米粒子被鈍化并且涂敷了二氧化硅。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其中所述磁性納米粒子用硅烷化合物來進(jìn)行表面處理。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中所述樹脂是有機(jī)熱固化樹脂。
22.如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括:在所述納米復(fù)合材料上形成天線，以及將所述天線連接到所述連接器。
23.如權(quán)利要求16中任一項(xiàng)或多項(xiàng)所述的方法，進(jìn)一步包括:在所述襯底上面形成蓋，其中施加所述納米復(fù)合材料包括:在所述蓋上面施加所述材料，并且其中形成所述天線包括:在所述納米復(fù)合材料上面形成所述天線。
24.一種合成磁性納米復(fù)合材料，包括: 多個(gè)磁性納米粒子；以及 有機(jī)熱固化樹脂。
25.如權(quán)利要求24所 述的材料，其中所述磁性納米粒子被鈍化，涂敷二氧化硅，用硅烷化合物來進(jìn)行表面處理，填充所述樹脂超過80個(gè)體積百分比，并且在固化的同時(shí)使用磁場來對準(zhǔn)。
【文檔編號(hào)】H01L25/00GK104078451SQ201410121564
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月29日
【發(fā)明者】V.K.奈爾, 胡川, S.M.利夫, L.E.莫斯利 申請人:英特爾公司