硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置。一種硅氧化膜的形成方法，在該形成方法中進(jìn)行一次以上組合工序，該組合工序包括如下工序：待機(jī)工序，將被處理體收納／回收到舟皿內(nèi)；裝載工序，將收納在上述舟皿內(nèi)的被處理體收納到反應(yīng)室內(nèi)；硅氧化膜形成工序，在收納于上述反應(yīng)室內(nèi)的被處理體形成硅氧化膜；卸載工序，將形成有上述硅氧化膜的被處理體輸送到上述反應(yīng)室外，其中，在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序的至少1個(gè)工序中，在對(duì)上述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱的同時(shí)，向該反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
【專利說明】硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]作為硅氧化膜的形成方法，提出了能夠在低溫下在被處理體例如半導(dǎo)體晶圓上形成優(yōu)質(zhì)的娃氧化膜的ALD (Atomic Layer Deposit1n)法。例如，以往公開有在300°C?600°C的低溫下形成薄膜的方法。
[0003]但是，存在如下問題:所形成的硅氧化膜不僅堆積(附著)在半導(dǎo)體晶圓的表面，也堆積(附著)在例如反應(yīng)管的內(nèi)壁、各種夾具等的熱處理裝置的內(nèi)部。當(dāng)在該附著物附著于熱處理裝置內(nèi)的狀態(tài)下進(jìn)行薄膜的形成時(shí)，由于構(gòu)成反應(yīng)管的石英與附著物的熱膨脹率不同而產(chǎn)生應(yīng)力，由于該應(yīng)力而導(dǎo)致附著物裂開。這樣一來，附著物裂開而產(chǎn)生顆粒，成為使生產(chǎn)率降低的原因。尤其是，從將形成有硅氧化膜的半導(dǎo)體晶圓向反應(yīng)管外輸送的卸載工序到將新的半導(dǎo)體晶圓收納于反應(yīng)管內(nèi)的裝載工序容易產(chǎn)生顆粒。因此，需要一種能夠抑制顆粒產(chǎn)生的硅氧化膜的形成方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種能夠抑制顆粒產(chǎn)生的硅氧化膜的形成方法和硅氧化膜的形成裝置。
[0005]為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的第I技術(shù)方案的硅氧化膜的形成方法進(jìn)行一次以上組合工序，該組合工序包括如下工序:待機(jī)工序,將被處理體收納/回收到舟皿內(nèi)；裝載工序，將收納在上述舟皿內(nèi)的被處理體收納于反應(yīng)室內(nèi)；硅氧化膜形成工序，在收納于上述反應(yīng)室內(nèi)的被處理體上形成硅氧化膜；卸載工序，將形成有上述硅氧化膜的被處理體輸送到上述反應(yīng)室外，其中，在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序的至少I個(gè)工序中，在對(duì)上述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱的同時(shí)，向該反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
[0006]本發(fā)明的第2技術(shù)方案是一種硅氧化膜的形成裝置，其具有:反應(yīng)室，其用于收納被收納在舟皿內(nèi)的被處理體；加熱部件，其用于將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到規(guī)定的溫度；成膜用氣體供給部件，其用于向上述反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體；氣體供給部件，其用于向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體；以及控制部件，其用于控制裝置的各部分，上述控制部件進(jìn)行一次以上組合工序，該組合工序包括如下工序:待機(jī)工序,在上述舟皿內(nèi)收納/回收被處理體；裝載工序，將收納于上述舟皿內(nèi)的被處理體收納于反應(yīng)室內(nèi)；硅氧化膜形成工序，通過控制上述成膜用氣體供給部件，而在收納于上述反應(yīng)室內(nèi)的被處理體上形成硅氧化膜；卸載工序，將形成有上述硅氧化膜的被處理體輸送到上述反應(yīng)室外，在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序的至少I個(gè)工序中，在控制上述加熱部件將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱了的狀態(tài)下，控制上述氣體供給部件向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]附圖作為本說明書的一部分而被編入本說明書并用于表示本發(fā)明的實(shí)施方式，與上述的一般性說明以及后述的實(shí)施方式的詳細(xì)描述一起說明本發(fā)明的概念。
[0008]圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式的處理裝置的圖。
[0009]圖2是表示圖1的控制部的結(jié)構(gòu)的圖。
[0010]圖3是說明硅氧化膜的形成方法的圖。
[0011]圖4是表示更換了退火用氣體的情況下的硅氧化膜的膜應(yīng)力的圖。
[0012]圖5是表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的處理裝置的圖。
[0013]圖6是表示待機(jī)工序中的處理裝置的概要圖。
[0014]圖7是表示退火用氣體供給時(shí)間以及N2置換壓力與加載區(qū)域內(nèi)的02MAX濃度之間的關(guān)系的圖。
[0015]圖8是表示在待機(jī)工序時(shí)供給退火用氣體前后的顆粒數(shù)量的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0016]以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式的硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置。在下述詳細(xì)說明中，為了能夠充分理解本發(fā)明而給予了較多的具體的詳細(xì)描述。但是，即使沒有這樣的詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域技術(shù)人員也能夠得到本發(fā)明，這是不言而喻的。在其他的例子中，為了避免各種各樣的實(shí)施方式難以理解，未對(duì)公知的方法、順序、系統(tǒng)或組成要素進(jìn)行詳細(xì)表示。在本實(shí)施方式中，作為本發(fā)明的硅氧化膜的形成裝置，以使用分批式的立式處理裝置的情況為例來進(jìn)行說明。圖1表示本實(shí)施方式的處理裝置的結(jié)構(gòu)。
[0017]如圖1所示,處理裝置I具有長(zhǎng)度方向朝向鉛垂方向的反應(yīng)管2。反應(yīng)管2具有由內(nèi)管2a和外管2b構(gòu)成的雙重管結(jié)構(gòu),該外管2b有頂且以覆蓋內(nèi)管2a并且與內(nèi)管2a具有規(guī)定的間隔的方式形成。如圖1的箭頭所示，內(nèi)管2a和外管2b的側(cè)壁具有多個(gè)開口。內(nèi)管2a和外管2b是由耐熱及耐腐性優(yōu)異的材料、例如石英形成的。
[0018]在反應(yīng)管2的一側(cè)方配置有用于排放反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的排氣部3。排氣部3以沿著反應(yīng)管2向上方延伸的方式形成，借助設(shè)于反應(yīng)管2的側(cè)壁的開口而與反應(yīng)管2連通。排氣部3的上端連接于配置在反應(yīng)管2的上部的排氣口 4。該排氣口 4連接有未圖示的排氣管，在排氣管上設(shè)置有未圖示的閥、后述的真空泵127等壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)。利用該壓力調(diào)整機(jī)構(gòu)，將自外管2b的一側(cè)的側(cè)壁側(cè)(源氣體供給管8)供給來的氣體經(jīng)由內(nèi)管2a、外管2b的另一側(cè)的側(cè)壁側(cè)、排氣部3以及排氣口 4排入排氣管，從而將反應(yīng)管2內(nèi)控制為所希望的壓力(真空度)。
[0019]在反應(yīng)管2的下方配置有蓋體5。蓋體5是由耐熱及耐腐性優(yōu)異的材料、例如石英形成的。此外，蓋體5構(gòu)成為能夠利用后述的晶舟升降機(jī)128上下移動(dòng)。而且，當(dāng)蓋體5利用晶舟升降機(jī)128上升時(shí)，將反應(yīng)管2的下方側(cè)(爐口部分)封閉，當(dāng)蓋體5利用晶舟升降機(jī)128下降時(shí)，將反應(yīng)管2的下方側(cè)(爐口部分)敞開。
[0020]在蓋體5之上載置有晶圓舟6。晶圓舟6例如由石英形成。晶圓舟6構(gòu)成為能夠在鉛垂方向上隔開預(yù)定間隔地收納多張半導(dǎo)體晶圓W。此外，也可以是，在蓋體5的上部設(shè)置有保溫筒、旋轉(zhuǎn)臺(tái)，在這些之上載置晶圓舟6，該保溫筒用于防止從反應(yīng)管2的爐口部分到反應(yīng)管2內(nèi)的溫度降低，該旋轉(zhuǎn)臺(tái)以使晶圓舟6能夠轉(zhuǎn)動(dòng)的方式載置用于收納半導(dǎo)體晶圓W的晶圓舟6。在這些情況下，能夠易于將收納于晶圓舟6的半導(dǎo)體晶圓W控制為相同的溫度。
[0021]在反應(yīng)管2的周圍，以包圍反應(yīng)管2的方式設(shè)置有例如由電阻發(fā)熱體構(gòu)成的升溫用加熱器7。利用該升溫用加熱器7將反應(yīng)管2的內(nèi)部加熱到預(yù)定的溫度，其結(jié)果，將收納于反應(yīng)管2的內(nèi)部的半導(dǎo)體晶圓W加熱到預(yù)定的溫度。
[0022]在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面貫穿有用于向反應(yīng)管2 (外管2b)內(nèi)供給源氣體的源氣體供給管8。源氣體是用于使源(Si)吸附于被處理體的Si源，并在后述的吸附步驟中被使用。在本例中，使用二異丙基氨基硅烷(DIPAS)作為Si源。
[0023]在源氣體供給管8上，以鉛垂方向的預(yù)定間隔設(shè)置有供給孔，并從供給孔向反應(yīng)管2 (外管2b)內(nèi)供給源氣體。因此，如圖1的箭頭所示，能夠從鉛垂方向的多處位置向反應(yīng)管2內(nèi)供給源氣體。
[0024]此外，在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面貫穿有用于向反應(yīng)管2 (外管2b)內(nèi)供給氧化氣體的氧化氣體供給管9。氧化氣體是對(duì)被吸附的源(Si)進(jìn)行氧化的氣體，并在后述的氧化步驟中被使用。在本例中，使用臭氧(O3)作為氧化氣體。
[0025]而且,在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面貫穿有用于向反應(yīng)管2 (內(nèi)管2a)內(nèi)供給作為稀釋氣體和吹掃氣體的氮?dú)?N2)的氮?dú)夤┙o管10。
[0026]此外，在反應(yīng)管2的下端附近的側(cè)面貫穿有用于向反應(yīng)管2 (內(nèi)管2a)內(nèi)供給退火用氣體的退火用氣體供給管11。退火用氣體供給管11與用于產(chǎn)生水蒸氣的水蒸氣產(chǎn)生裝置12、用于供給空氣的空氣供給裝置13相連接，通過控制自水蒸氣產(chǎn)生裝置12和空氣供給裝置13供給的水蒸氣和空氣的流量，來向反應(yīng)管2內(nèi)供給所希望的!120濃度的氣體。例如，通過將自水蒸氣產(chǎn)生裝置12和空氣供給裝置13供給的水蒸氣和空氣的流量控制為水蒸氣(H2O 氣體):空氣(O2 氣和 N2 氣)=0.2slm:20.0slm (與 O2 氣體 4.0slm, N2 氣體 16.0slm 相當(dāng))，而向反應(yīng)管2內(nèi)供給H2O的濃度為1%的氣體。
[0027]源氣體供給管8、氧化氣體供給管9、氮?dú)夤┙o管10、退火用氣體供給管11經(jīng)由后述的質(zhì)量流量控制器(MFC:Mass Flow Controller) 125連接于未圖示的源氣體供給源。
[0028]此外，在反應(yīng)管2內(nèi)配設(shè)有多個(gè)用于測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)的溫度的、例如由熱電偶組成的溫度傳感器122、以及用于測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)的壓力的壓力計(jì)123。
[0029]此外，處理裝置I具有用于執(zhí)行裝置各部分的控制的控制部100。圖2表示控制部100的結(jié)構(gòu)。如圖2所示，控制部100與操作面板121、溫度傳感器122、壓力計(jì)123、加熱器控制器124、MFC125、閥控制部126、真空泵127、晶舟升降機(jī)128等連接。
[0030]操作面板121具有顯示畫面和操作按鈕，將操作員的操作指示傳遞到控制部100，還有，在顯示畫面上顯示來自控制部100的各種各樣的信息。
[0031]溫度傳感器122用于測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)和排氣管內(nèi)等的各部分的溫度，并將該測(cè)量值通知給控制部100。壓力計(jì)123用于測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)以及排氣管內(nèi)等的各部分的壓力，并將該測(cè)量值通知給控制部100。
[0032]加熱器控制器124作為用于單獨(dú)控制升溫用加熱器7的構(gòu)件，對(duì)來自控制部100的指示做出響應(yīng)，對(duì)升溫用加熱器7通電并使其加熱，此外，單獨(dú)測(cè)量升溫用加熱器7的功耗并通知給控制部100。
[0033]MFC125配置于源氣體供給管8、氧化氣體供給管9、氮?dú)夤┙o管10、退火用氣體供給管11等各配管，在將流經(jīng)各配管的氣體的流量控制為控制部100所指示的量的同時(shí)，測(cè)量實(shí)際流經(jīng)的氣體的流量，并通知給控制部100。
[0034]閥控制部126配置于各配管，用于將配置于各配管的閥的開度控制為控制部100所指示的值。真空泵127與排氣管連接，并將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出。
[0035]晶舟升降機(jī)128通過使蓋體5上升，而將晶圓舟6 (半導(dǎo)體晶圓W)裝載到反應(yīng)管2內(nèi)，通過使蓋體5下降，而從反應(yīng)管2內(nèi)卸載晶圓舟6 (半導(dǎo)體晶圓W)。
[0036]控制部100由制程程序儲(chǔ)存部111、R0M (Read Only Memory,只讀內(nèi)存)112、RAM(Random Access Memory,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)113、I / O 端口(Input / Output Port,輸入 /輸出端口)114、CPU (Central Processing Unit,中央處理單元)115以及將這些彼此相連的總線116構(gòu)成。
[0037]在制程程序儲(chǔ)存部111中存儲(chǔ)有安裝用制程程序和多個(gè)工藝用制程程序。處理裝置I的制造初期只存儲(chǔ)有安裝用制程程序。安裝用制程程序是在生成與各處理裝置相對(duì)應(yīng)的熱模型時(shí)被執(zhí)行的制程程序。工藝用制程程序?yàn)獒槍?duì)使用者實(shí)際上執(zhí)行的每個(gè)熱處理(工藝)所準(zhǔn)備的制程程序，對(duì)從向反應(yīng)管2裝載半導(dǎo)體晶圓W到卸載處理完畢的半導(dǎo)體晶圓W為止的各部分的溫度的變化、反應(yīng)管2內(nèi)的壓力變化、各種氣體的供給的開始以及停止的時(shí)間點(diǎn)還有供給量等進(jìn)行限制。
[0038]ROMl12 由 EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory,電可擦可編程只讀存儲(chǔ)器)、閃存以及硬盤等構(gòu)成，是用于存儲(chǔ)CPU115的工作程序等的記錄介質(zhì)。RAM113作為CPU115的工作區(qū)域等發(fā)揮作用。
[0039]I / O端口 114與操作面板121、溫度傳感器122、壓力計(jì)123、加熱器控制器124、MFC125、閥控制部126、真空泵127、晶舟升降機(jī)128等相連接，用于控制數(shù)據(jù)、信號(hào)的輸入輸出。
[0040]CPUl 15構(gòu)成控制部100的中樞，用于執(zhí)行存儲(chǔ)在ROMl 12的控制程序。此外，CPUl 15根據(jù)來自操作面板121的指示，按照存儲(chǔ)于制程程序儲(chǔ)存部111的制程程序(工藝用制程程序)來控制處理裝置I的工作。即，CPUl 15使溫度傳感器122、壓力計(jì)123、MFC125等測(cè)量反應(yīng)管2內(nèi)和排氣管內(nèi)等的各部分的溫度、壓力、流量等，并基于該測(cè)量的數(shù)據(jù)將控制信號(hào)等向加熱器控制器124、MFC125、閥控制部126、真空泵127等輸出，從而按照工藝用制程程序來控制上述各部分?？偩€116用于在各部分之間傳遞信息。
[0041]接著，參照?qǐng)D3所示的制程程序(時(shí)序)說明采用上述那樣構(gòu)成的處理裝置I的、硅氧化膜的形成方法。在本實(shí)施方式的硅氧化膜的形成方法中，利用ALD法或者CVD(Chemical Vapor Deposit1n,化學(xué)氣相沉積)法在半導(dǎo)體晶圓W上形成娃氧化膜。
[0042]以下，在使用ALD法的情況下，如圖3所示，在本實(shí)施方式中，具有將硅(Si)吸附在半導(dǎo)體晶圓W的表面的吸附步驟和將所吸附的Si氧化的氧化步驟，這些步驟表示ALD法的I次循環(huán)。此外，如圖3所示，在本實(shí)施方式中，使用二異丙基氨基硅烷(DIPAS)作為Si源氣體、使用臭氧(O3)作為氧化氣體、使用氮?dú)?N2)作為稀釋氣體、使用水蒸氣(H2O)作為退火氣體。通過多次執(zhí)行該圖3的制程程序所示的循環(huán)，例如執(zhí)行100次循環(huán)(反復(fù))，而在半導(dǎo)體晶圓W上形成所希望的硅氧化膜。
[0043]此外，在以下的說明中，構(gòu)成處理裝置I的各部分的工作由控制部100 (CPU115)來控制。此外，如上所述，通過控制部100 (CPU115)控制加熱器控制器124 (升溫用加熱器7)、MFC125 (源氣體供給管8等)、閥控制部126、真空泵127，而將在各處理中的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度、壓力以及氣體流量等設(shè)定成遵循圖3所示的制程程序的條件。
[0044]首先，利用升溫用加熱器7將反應(yīng)管2內(nèi)維持為規(guī)定的裝載溫度，例如，如圖3所示，維持為250°C。還有，如圖3所示，從退火用氣體供給管11向反應(yīng)管2內(nèi)供給退火用氣體，例如，將H2O濃度為1%的氣體供給到反應(yīng)管2內(nèi)。
[0045]在此，退火用氣體所含有的H2O的濃度優(yōu)選在1%以上，更加優(yōu)選在3%以上，最為優(yōu)選在5%以上。此外，退火用氣體所含有的H2O的濃度為1%是指，例如水蒸氣(H2O氣體):空氣(O2氣體和N2氣體)=0.2slm:20.0slm (與O2氣體4.0slnuN2氣體16.0slm相當(dāng))的情況。通過將退火用氣體所含有的H2O的濃度控制在這個(gè)范圍內(nèi)，能夠使附著于反應(yīng)管2等的處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜的膜應(yīng)力降低。這是因?yàn)椋嘶鹩脷怏w所包含的&0被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，減弱硅氧化膜的剝落的程度，從而使附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落。因此，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0046]此外，反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選為100°C?600°C，更優(yōu)選為150°C?400°C，最優(yōu)選為200°C?300°C。通過將溫度控制在這樣的范圍內(nèi)，使退火用氣體所含有的H2O容易被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，減弱硅氧化膜的剝落程度，從而使附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落。因此，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0047]接著，將收納有半導(dǎo)體晶圓W的晶圓舟6載置于蓋體5上。而且，利用晶舟升降機(jī)128使蓋體5上升，從而將半導(dǎo)體晶圓W (晶圓舟6)裝載到反應(yīng)管2內(nèi)(裝載工序)。
[0048]接著，利用升溫用加熱器7將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為預(yù)定的溫度，例如，如圖3所示，設(shè)定為350°C。此外，在從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)獾耐瑫r(shí)，將反應(yīng)管2內(nèi)的氣體排出，從而將反應(yīng)管2設(shè)定為預(yù)定的壓力，例如，如圖3所示，設(shè)定為133Pa( ITorr)(穩(wěn)定化工序)。
[0049]實(shí)施在半導(dǎo)體晶圓W上形成硅氧化膜的氧化膜形成工序。首先，執(zhí)行使Si吸附于半導(dǎo)體晶圓W的表面的吸附步驟。吸附步驟是向半導(dǎo)體晶圓W供給源氣體、并使Si吸附于半導(dǎo)體晶圓W的表面的工序。
[0050]在吸附步驟中，將來自源氣體供給管8的作為Si源的DIPAS以預(yù)定量，例如，如圖3所示的0.3slm連同預(yù)定量的氮?dú)夤┙o到反應(yīng)管2內(nèi)(吹氣工序)。
[0051]在此，反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選為室溫(RT:Room Temperature)?700°C。這是因?yàn)?，?dāng)比室溫低時(shí)，將產(chǎn)生不能形成硅氧化膜的問題，當(dāng)反應(yīng)管2內(nèi)的溫度高于700°C時(shí)，將產(chǎn)生所形成的硅氧化膜的膜質(zhì)、膜厚均勻性等變差的問題。反應(yīng)管2內(nèi)的溫度優(yōu)選為RT?7000C，更優(yōu)選為RT?500°C。這是因?yàn)?，通過將溫度控制在這樣的范圍內(nèi)，能夠使所形成的硅氧化膜的膜質(zhì)、膜厚均勻性等進(jìn)一步提高。
[0052]DIPAS的供給量?jī)?yōu)選為1sccm?1slm。這是因?yàn)?，?dāng)比1sccm少時(shí)，將產(chǎn)生無法向半導(dǎo)體晶圓W的表面供給充足的Si的問題，當(dāng)比1slm多時(shí)，將會(huì)產(chǎn)生較多未參與反應(yīng)的Si。DIPAS的供給量更加優(yōu)選為0.1slm?3slm。這是因?yàn)?，通過將供給量控制在這樣的范圍內(nèi)，能夠促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓W的表面與Si的反應(yīng)。
[0053]反應(yīng)管2內(nèi)的壓力優(yōu)選為0.133Pa (0.0OlTorr)?13.3kPa (10Torr)0這是因?yàn)?，通過將壓力控制在這樣的范圍內(nèi)，能夠促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓W的表面與Si的反應(yīng)。反應(yīng)管2內(nèi)的壓力更加優(yōu)選為40Pa (0.3Torr)?400Pa (3Torr)。這是因?yàn)?，通過將壓力控制在這樣的范圍內(nèi)，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力控制變?nèi)菀住?br> [0054]供給到反應(yīng)管2內(nèi)的DIPAS在反應(yīng)管2內(nèi)被加熱而活化。因此，當(dāng)將DIPAS供給到反應(yīng)管2內(nèi)時(shí)，活化的Si與半導(dǎo)體晶圓W的表面發(fā)生反應(yīng)，進(jìn)而使Si吸附于半導(dǎo)體晶圓W的表面。
[0055]當(dāng)預(yù)定量的Si吸附于半導(dǎo)體晶圓W的表面時(shí)，就停止從源氣體供給管8供給DIPAS以及從氮?dú)夤┙o管10供給氮?dú)?。而且，在向反?yīng)管2外排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體的同時(shí)，例如，如圖3所示,從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)?吹掃、Vacuum (真空)工序)。
[0056]接著，利用升溫用加熱器7將反應(yīng)管2內(nèi)設(shè)定為預(yù)定的溫度，例如，如圖3所示，設(shè)定為350°C。此外，如圖3所示，在從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)獾耐瑫r(shí)，排出反應(yīng)管2內(nèi)的氣體，并將反應(yīng)管2設(shè)定為預(yù)定的壓力，例如，如圖3所示，設(shè)定為133Pa(ITorrX
[0057]接著，執(zhí)行使半導(dǎo)體晶圓W的表面氧化的氧化步驟。該氧化步驟是將氧化氣體供給到吸附有Si的半導(dǎo)體晶圓W上、并將所吸附的Si氧化的工序。在本實(shí)施方式中，是通過向半導(dǎo)體晶圓W上供給臭氧(O3)來將所吸附的Si氧化。
[0058]在氧化步驟中，從氧化氣體供給管9向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的臭氧，例如，如圖3所示，供給1slm臭氧。此外，如圖3所示，從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的作為稀釋氣體的氮?dú)?吹氣工序)。
[0059]在此,臭氧的供給量?jī)?yōu)選為Isccm?50slm,更優(yōu)選為0.1slm?20slm,最優(yōu)選為Islm?lOslm。這是因?yàn)?，通過將供給量控制在這樣的范圍內(nèi)，能夠進(jìn)行充分的氧化以形成硅氧化膜。
[0060]反應(yīng)管2內(nèi)的壓力優(yōu)選為0.133Pa (0.0OlTorr)?13.3kPa (10Torr)0通過將壓力控制在這樣的范圍內(nèi)，能夠促進(jìn)半導(dǎo)體晶圓W表面的Si的氧化。反應(yīng)管2內(nèi)的壓力更優(yōu)選為40Pa (0.3Torr)?400Pa (3Torr)。這是因?yàn)椋ㄟ^將壓力控制在這樣的范圍內(nèi)，反應(yīng)管2內(nèi)的壓力控制變?nèi)菀住?br> [0061]當(dāng)向反應(yīng)管2內(nèi)供給臭氧氣體時(shí)，將吸附于半導(dǎo)體晶圓W上的Si氧化，并在半導(dǎo)體晶圓W上形成硅氧化膜。當(dāng)在半導(dǎo)體晶圓W上形成所希望厚度的硅氧化膜時(shí)，停止從氧化氣體供給管9供給臭氧。此外，也停止從氮?dú)夤┙o管10供給氮?dú)狻６?，在排出反?yīng)管2內(nèi)的氣體的同時(shí)，例如，如圖3所示，從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)?吹掃、Vacuum (真空)工序)。
[0062]由此，就完成了由吸附步驟和氧化步驟組成的ALD法的I次循環(huán)。接著，再一次開始以吸附步驟開頭的、ALD法的I次循環(huán)。而且，按預(yù)定次數(shù)反復(fù)進(jìn)行該循環(huán)。由此，能夠在半導(dǎo)體晶圓W上形成所希望厚度的硅氧化膜。
[0063]當(dāng)在半導(dǎo)體晶圓W上形成所希望厚度的硅氧化膜時(shí)，反復(fù)多次進(jìn)行從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)獠⒎磻?yīng)管2內(nèi)的氣體排放到反應(yīng)管2外的操作(循環(huán)吹掃工序)。此外，利用升溫用加熱器7將反應(yīng)管2內(nèi)維持為預(yù)定的裝載溫度，例如，如圖3所示，維持為250°C。在這樣的狀態(tài)下，利用N2對(duì)爐內(nèi)進(jìn)行循環(huán)吹掃并回復(fù)到常壓(常壓復(fù)原工序)。
[0064]而且，從爐內(nèi)大致接近常壓的階段起，如圖3所示，從退火用氣體供給管11向反應(yīng)管2內(nèi)供給退火用氣體，例如，將H2O濃度為1%的氣體向爐內(nèi)(反應(yīng)管2內(nèi))供給。此外，退火用氣體所包含的H2O的濃度以及反應(yīng)管2內(nèi)的溫度的優(yōu)選范圍與在裝載工序中的退火用氣體所包含的H2O的濃度以及反應(yīng)管2內(nèi)的溫度的優(yōu)選范圍相同。
[0065]接著，通過利用晶舟升降機(jī)128使蓋體5下降，從而將半導(dǎo)體晶圓W卸載(卸載工序)。此外，卸載工序是晶圓舟6從爐內(nèi)的正常位置移動(dòng)到爐外的正常位置的工序。而且，進(jìn)行將收納有新要處理的半導(dǎo)體晶圓W的晶圓舟6載置于蓋體5上等的準(zhǔn)備(待機(jī)工序)。此外，從晶圓舟6回收半導(dǎo)體晶圓W的卸下工序和將新的半導(dǎo)體晶圓W載置于晶圓舟6的晶圓裝填工序合稱為待機(jī)工序。而且，利用晶舟升降機(jī)128使蓋體5上升并將半導(dǎo)體晶圓W (晶圓舟6)裝載到反應(yīng)管2內(nèi)(裝載工序)。由此，接著，在新的半導(dǎo)體晶圓W上形成所希望厚度的硅氧化膜。
[0066]這樣一來，在容易產(chǎn)生顆粒的、卸載工序到裝載工序之間，因?yàn)閺耐嘶鹩脷怏w供給管11向反應(yīng)管2內(nèi)供給H2O濃度為1%的氣體(退火用氣體)，氣體所包含的H2O容易被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，從而減弱硅氧化膜的剝落程度。因此，附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落，從而能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0067]接著，為了確認(rèn)本發(fā)明的效果，除了吸附步驟、氧化步驟的反應(yīng)管2內(nèi)的溫度為150°C以外，測(cè)量利用上述的硅氧化膜的形成方法在半導(dǎo)體晶圓W上形成了 50nm厚的硅氧化膜時(shí)的硅氧化膜的膜應(yīng)力(實(shí)施例1)。此外，除了退火用氣體的H2O濃度為5%以外，測(cè)量利用相同的方法在半導(dǎo)體晶圓W上形成了 50nm厚的硅氧化膜時(shí)的硅氧化膜的膜應(yīng)力(實(shí)施例2)。并且，為了進(jìn)行比較，也在使用20%的氧氣和80%的氮?dú)獾幕旌蠚怏w(比較例1)、100%氮?dú)?比較例2)作為退火用氣體的情況下，測(cè)量同樣地在半導(dǎo)體晶圓W上形成了 50nm厚的硅氧化膜時(shí)的硅氧化膜的膜應(yīng)力。結(jié)果在圖4中表示。
[0068]如圖4所示，能夠確認(rèn)出:退火用氣體使用H2O濃度為1%以上的氣體,從而使硅氧化膜的膜應(yīng)力降低。尤其是，能夠確認(rèn)出:退火用氣體使用H2O濃度為5%的氣體，從而使硅氧化膜的膜應(yīng)力大幅降低。
[0069]如以上說明的那樣，采用本實(shí)施方式，因?yàn)橥嘶鹩脷怏w使用包含水蒸氣(H2O)的氣體，氣體所含有的H2O容易被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，從而減弱硅氧化膜的剝落程度。因此，附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0070]此外，本發(fā)明并不限于上述實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形、應(yīng)用。以下，說明能夠適用于本發(fā)明的其他實(shí)施方式。
[0071]在上述實(shí)施方式中，雖然以使用DIPAS作為Si源的情況為例來說明本發(fā)明，但Si源只要是能夠形成硅氧化膜的有機(jī)源氣體即可，例如，可以使用SiH4、SiH3Cl, SiH2Cl2,SiHCl3'SiH3 (NHC (CH3)3)'SiH3 (N (CH3)2)'SiH2 (NHC (CH3) 3)2、SiH (N (CH3) 2)3 等。
[0072]在上述實(shí)施方式中，雖然以使用臭氧作為氧化氣體的情況為例來說明本發(fā)明，但氧化氣體只要是將所吸附的源(Si)氧化并且能夠形成硅氧化膜的氣體即可，例如，可以是利用等離子體、催化劑、UV、熱、磁力等使氧氣(O2)等產(chǎn)生氧自由基的情況。例如，在利用等離子體使氧化氣體活化的情況下，能夠使用圖5所示的處理裝置I。
[0073]在圖5所示的處理裝置I中，在反應(yīng)管2的一側(cè)的相反側(cè)設(shè)置有等離子體產(chǎn)生部20，該反應(yīng)管2的一側(cè)配置有反應(yīng)管2的排氣部3。等離子體產(chǎn)生部20具有電極21等，在電極21貫穿有氧化氣體供給管9。電極21與未圖示的高頻電源、匹配器等連接。而且，通過從高頻電源經(jīng)由匹配器向電極21施加高頻電力，使供給到電極21的氧化氣體(O2)發(fā)生等離子體激活(活化)，從而生成氧自由基(O2*)等。將如此生成的氧自由基(O2*)等從等離子體產(chǎn)生部20向反應(yīng)管2內(nèi)供給。
[0074]在上述實(shí)施方式中，以在從卸載工序到裝載工序之間向反應(yīng)管2內(nèi)供給了退火用氣體的情況為例來說明本發(fā)明，也可以在卸載工序、待機(jī)工序、裝載工序的至少I個(gè)工序中向反應(yīng)管2內(nèi)供給退火用氣體。在該情況下，氣體所含有的H2O也容易被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，從而減弱硅氧化膜的剝落程度。因此，附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0075]這樣的退火用氣體的供給優(yōu)選只在待機(jī)工序中執(zhí)行。這是因?yàn)?，在待機(jī)工序中，由于從晶圓舟6回收半導(dǎo)體晶圓W、并且將新半導(dǎo)體晶圓W載置于晶圓舟6需要預(yù)定的時(shí)間，不會(huì)產(chǎn)生用于供給退火用氣體的新的時(shí)間(中斷時(shí)間)。
[0076]在圖6中表示待機(jī)工序中的處理裝置I的概要。如圖6所示，在待機(jī)工序中，利用晶舟升降機(jī)128使蓋體5下降，而將收納有半導(dǎo)體晶圓W的晶圓舟6配置于反應(yīng)管2的下方(爐外)的加載區(qū)域LA內(nèi)。在該狀態(tài)下，從退火用氣體供給管11向反應(yīng)管2內(nèi)供給退火用氣體。如果退火用氣體的H2O濃度為所希望的以上的濃度，就也可以直接使用清潔室內(nèi)的大氣。這樣一來，退火氣體所含有的H2O容易被附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜吸收，從而減弱硅氧化膜的剝落程度。因此，附著于處理裝置I的內(nèi)部的硅氧化膜難以從處理裝置I的內(nèi)部剝落，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0077]在此，優(yōu)選的是，將向反應(yīng)管2內(nèi)供給的退火用氣體以使反應(yīng)管2內(nèi)達(dá)到預(yù)定的壓力例如86.45kPa (650Torr)的方式向反應(yīng)管2內(nèi)供給后，從氮?dú)夤┙o管10向反應(yīng)管2內(nèi)供給預(yù)定量的氮?dú)舛鴮?duì)反應(yīng)管2內(nèi)進(jìn)行氮?dú)庵脫Q。通過氮?dú)庵脫Q，能夠使退火用氣體(大氣成分)所包含的水分只供給到反應(yīng)管2內(nèi)，能夠在保持加載區(qū)域LA內(nèi)的氧氣濃度較低的狀態(tài)下將退火用氣體供給到反應(yīng)管2內(nèi)。其結(jié)果，能夠抑制顆粒、特別是微小的顆粒的產(chǎn)生。
[0078]圖7表示退火用氣體供給時(shí)間、氮?dú)庵脫Q壓力(N2置換壓力)以及加載區(qū)域內(nèi)LA的氧氣的最大濃度(O2MAX濃度)的關(guān)系。如圖7所示，通過將退火用氣體供給后的N2置換壓力設(shè)在200Torr (26.6kPa)以下，從而能夠降低O2MAX濃度。因此，優(yōu)選的是，將退火用氣體供給后的氮?dú)庵脫Q壓力設(shè)定為26.6kPa (200Torr)的真空度，再利用氮?dú)庵脫Q直接使壓力復(fù)原到常壓。
[0079]為了確認(rèn)待機(jī)工序中的退火用氣體供給的效果，利用上述的硅氧化膜的形成方法，在半導(dǎo)體晶圓W上形成12.2 μ m厚的硅氧化膜，并執(zhí)行3次(RUN1、RUN2、RUN3)對(duì)在反應(yīng)管2的上部(T)、中央部(C)、下部(B)所形成的硅氧化膜上產(chǎn)生的0.05 μ m以上大小的顆粒數(shù)量進(jìn)行測(cè)量的處理。之后，在待機(jī)工序時(shí)執(zhí)行供給退火用氣體的處理，再一次利用上述硅氧化膜的形成方法，在半導(dǎo)體晶圓W上形成12.2 μ m厚的硅氧化膜，并執(zhí)行3次(RUN4、RUN5、RUN6)對(duì)在反應(yīng)管2的上部(T)、中央部(C)、下部(B)所形成的硅氧化膜上產(chǎn)生的
0.05 μ m以上大小的顆粒數(shù)量進(jìn)行測(cè)量的處理。在圖8中表示所測(cè)量的各部分的顆粒數(shù)量
[0080]如圖8所示，能夠確認(rèn)出:通過在待機(jī)工序時(shí)執(zhí)行供給退火用氣體的處理，所測(cè)量的各部分的顆粒數(shù)量大幅減少。因此，確認(rèn)出通過在待機(jī)工序時(shí)供給退火用氣體，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0081]在上述實(shí)施方式中，以在常壓復(fù)原工序中從爐內(nèi)大致接近常壓的階段起將退火用氣體供給到反應(yīng)管2內(nèi)的情況為例來說明本發(fā)明，但例如也可以是與卸載工序開始同時(shí)向反應(yīng)管2內(nèi)供給退火用氣體。這種情況也能抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0082]在上述實(shí)施方式中，以使用水蒸氣產(chǎn)生裝置12和空氣供給裝置13將含有水蒸氣的氣體供給到反應(yīng)管2內(nèi)的情況為例來說明本發(fā)明，但例如，在處理裝置I的加載區(qū)域LA具有裝載鎖定機(jī)構(gòu)的情況下，也可以不設(shè)置空氣供給裝置13，而是設(shè)置用于供給氮?dú)夂脱鯕獾难b置。在該情況下，通過控制成H2O氣體:02氣體=N2氣體=0.2slm:4.0slm:16.0slm,能夠向反應(yīng)管2內(nèi)供給H2O的濃度為1%的氣體。
[0083]此外，也可以是使處理裝置I的加載區(qū)域LA為與清潔室相同的大氣氛圍，通過在裝載、卸載時(shí)向反應(yīng)管2內(nèi)供給加載區(qū)域LA的大氣,從而將含有水蒸氣的氣體供給到反應(yīng)管2內(nèi)。
[0084]在上述實(shí)施方式中，以通過執(zhí)行100次循環(huán)而在半導(dǎo)體晶圓W上形成硅氧化膜的情況為例來說明本發(fā)明，但例如，也可以是像執(zhí)行50次循環(huán)那樣減少循環(huán)次數(shù)。此外，也可以是像執(zhí)行200次循環(huán)那樣增加循環(huán)次數(shù)。在該情況下，也能夠通過根據(jù)循環(huán)次數(shù)來調(diào)整例如Si源以及氧氣的供給量等，從而形成所希望的厚度的硅氧化膜。
[0085]在上述實(shí)施方式中，以使用ALD法在半導(dǎo)體晶圓W上形成硅氧化膜的情況為例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明并不限于使用ALD法的情況，也可以使用CVD法在半導(dǎo)體晶圓W上形成硅氧化膜。
[0086]在上述實(shí)施方式中，以在源氣體和氧化氣體供給時(shí)供給作為稀釋氣體的氮?dú)獾那闆r為例來說明本發(fā)明，但也可以是在源氣體和氧化氣體供給時(shí)不供給氮?dú)?。但是，通過將氮?dú)庾鳛橄♂寶怏w進(jìn)行供給而使處理時(shí)間的設(shè)定等變得容易，因此優(yōu)選供給稀釋氣體。作為稀釋氣體，優(yōu)選非活性性氣體，除了氮?dú)庖酝猓缒軌蜻m用氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氣(Xe)。
[0087]在上述實(shí)施方式中，以雙重管結(jié)構(gòu)的分批式處理裝置作為處理裝置I的情況為例來說明本發(fā)明，但本發(fā)明也能適用于例如單管結(jié)構(gòu)的分批式的處理裝置。此外，本發(fā)明也能應(yīng)用于分批式的臥式處理裝置、單片式處理裝置。此外，被處理體并不限于半導(dǎo)體晶圓W，例如，也可以是LCD (Liquid Crystal Display,液晶顯示器)用的玻璃基板。
[0088]本發(fā)明的實(shí)施方式的控制部100不依靠專用的系統(tǒng)，使用通常的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)即可實(shí)現(xiàn)。例如，通過從存儲(chǔ)有用于執(zhí)行上述處理的程序的記錄介質(zhì)(軟盤、⑶-ROM (CompactDisc Read Only Memory,只讀光盤)等)將該程序安裝到通用的計(jì)算機(jī)上，能夠構(gòu)成用于執(zhí)行上述處理的控制部100。
[0089]而且，用于供給這些程序的部件是任意的。除了能夠像上述那樣借助預(yù)定的記錄介質(zhì)進(jìn)行供給以外，例如，也可以借助通信線路、網(wǎng)絡(luò)通信、通信系統(tǒng)等進(jìn)行供給。在該情況下，例如，在網(wǎng)絡(luò)通信的公告板(BBS:Bulletin Board System)上將該程序進(jìn)行公告，也可以借助網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行提供。而且，通過啟動(dòng)這樣提供的程序，在OS (Operating System)的控制下，與其他的應(yīng)用程序一樣地執(zhí)行，而能夠執(zhí)行上述處理。
[0090]本發(fā)明對(duì)硅氧化膜的形成方法以及硅氧化膜的形成裝置是有用的。
[0091]采用本發(fā)明，能夠抑制顆粒的產(chǎn)生。
[0092]這次所公開的實(shí)施方式應(yīng)被認(rèn)為在所有方面都只是例示而不是進(jìn)行限定。事實(shí)上，上述的實(shí)施方式能夠以多種多樣的形式具體化。此外，上述的實(shí)施方式可以在不脫離附加的權(quán)利要求書以及其主旨的情況下，以各種各樣的形式來省略、置換以及變更。本發(fā)明的范圍是指與附加的權(quán)利要求書的范圍具有相同的意思并且包含范圍內(nèi)的所有變更。
[0093]本發(fā)明基于2013年3月27日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2013-066713號(hào)以及2014年I月29日申請(qǐng)的日本專利申請(qǐng)第2014-014262號(hào)的優(yōu)先權(quán)的利益，并包含該日本申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容以作為參考文獻(xiàn)。
【權(quán)利要求】
1.一種硅氧化膜的形成方法，在該形成方法中進(jìn)行一次以上組合工序，該組合工序包括如下工序: 待機(jī)工序,將被處理體收納/回收到舟皿內(nèi)； 裝載工序，將收納在上述舟皿內(nèi)的被處理體收納到反應(yīng)室內(nèi)； 硅氧化膜形成工序，在收納于上述反應(yīng)室內(nèi)的被處理體形成硅氧化膜； 卸載工序，將形成有上述硅氧化膜的被處理體輸送到上述反應(yīng)室外，其中， 在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序的至少I個(gè)工序中，在對(duì)上述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱的同時(shí)，向該反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 上述氣體內(nèi)的水蒸氣的濃度為1%以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序中，在對(duì)上述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱的同時(shí)，向該反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 在上述硅氧化膜形成工序中，在將上述反應(yīng)室內(nèi)的壓力減壓到了小于常壓的狀態(tài)下在上述被處理體形成硅氧化膜， 上述組合工序還具有將上述反應(yīng)室內(nèi)的壓力變?yōu)槌旱某簭?fù)原工序，該常壓復(fù)原工序在上述硅氧化膜形成工序和上述卸載工序之間進(jìn)行， 在上述常壓復(fù)原工序內(nèi)使上述反應(yīng)室內(nèi)復(fù)原到常壓的同時(shí)，向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體，或者與上述卸載工序開始同時(shí)地向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 只在上述待機(jī)工序中對(duì)上述反應(yīng)室內(nèi)進(jìn)行加熱的同時(shí)，向該反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 在上述待機(jī)工序中，在以使上述反應(yīng)室內(nèi)達(dá)到預(yù)定的壓力的方式供給了含有上述水蒸氣的氣體后，以使該反應(yīng)室內(nèi)的壓力達(dá)到26.6kPa以下的方式供給氮?dú)鈦磉M(jìn)行氮?dú)庵脫Q。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 向上述反應(yīng)室內(nèi)供給的、含有水蒸氣的氣體是水蒸氣、氮?dú)庖约把鯕獾幕旌蠚怏w，或者是空氣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 上述硅氧化膜形成工序具有: 吸附工序，向收納有上述被處理體的反應(yīng)室內(nèi)供給硅源氣體，并使硅吸附于上述被處理體； 氧化工序，向在上述吸附工序中所吸附的硅供給氧化氣體，使該硅氧化而在上述被處理體上形成硅氧化膜， 該硅氧化膜的形成方法進(jìn)行一次以上包括上述吸附工序和上述氧化工序的組合工序。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的硅氧化膜的形成方法，其中， 在上述氧化工序中，向被設(shè)定為200°C~600°C的反應(yīng)室內(nèi)供給臭氧并使臭氧活化，向上述吸附的硅供給該被活化了的臭氧而使該硅氧化，從而在上述被處理體形成硅氧化膜。
10.一種硅氧化膜的形成裝置，其具有: 反應(yīng)室，其用于收納被收納于舟皿內(nèi)的被處理體； 加熱部件，其用于將上述反應(yīng)室內(nèi)加熱到預(yù)定的溫度； 成膜用氣體供給部件，其用于向上述反應(yīng)室內(nèi)供給成膜用氣體； 氣體供給部件，其用于向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體；以及 控制部件，其用于控制裝置的各部分， 上述控制部件進(jìn)行一次以上組合工序，該組合工序包括如下工序: 待機(jī)工序,將被處理體收納/回收到上述舟皿內(nèi)； 裝載工序，將收納于上述舟皿內(nèi)的上述被處理體收納到反應(yīng)室內(nèi)； 硅氧化膜形成工序，通過控制上述成膜用氣體供給部件，而在收納于上述反應(yīng)室內(nèi)的被處理體形成硅氧化膜； 卸載工序，將形成有上述硅氧化膜的被處理體輸送到上述反應(yīng)室外， 在上述卸載工序、上述待機(jī)工序以及上述裝載工序的至少I個(gè)工序中，在控制上述加熱部件而將上述 反應(yīng)室內(nèi)加熱了的狀態(tài)下，控制上述氣體供給部件而向上述反應(yīng)室內(nèi)供給含有水蒸氣的氣體。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104078386SQ201410120634
【公開日】2014年10月1日 申請(qǐng)日期:2014年3月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月27日
【發(fā)明者】池內(nèi)俊之, 木村法史, 大部智行 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社