天線匹配方法、電路及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種天線匹配方法、電路及電子設(shè)備，所述方法包括：在第一頻段控制開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通第二容性單元、或?qū)ǜ行詥卧?；控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，以使所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第一頻段為偏離天線單元的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元切換所導(dǎo)通的單元；控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第二頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值。通過(guò)本發(fā)明，在天線單元工作于寬頻帶時(shí)，保證了天線單元的性能。
【專利說(shuō)明】天線匹配方法、電路及電子設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及通信技術(shù)，尤其涉及一種天線匹配方法、電路及電子設(shè)備。 【背景技術(shù)】
[0002]目前，手機(jī)等移動(dòng)終端的結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，留給天線的空間越來(lái)越小。天線的空間小了意味著天線的帶寬會(huì)變窄。同時(shí)，在實(shí)際使用中，由于要覆蓋多種不同的通信制式，天線經(jīng)常需要覆蓋多個(gè)頻段。目前天線一般低頻段需要覆蓋824~960兆赫(MHz)，高頻段需要覆蓋1710~2170MHz。而隨著長(zhǎng)期演進(jìn)(LTE, Long Term Evolution)快速進(jìn)入市場(chǎng),天線也需要覆蓋LTE頻段。在LTE頻段，頻帶最低到698MHz。這就意味著天線低頻段需要覆蓋698~960MHz頻段，在目前天線所能利用的空間條件下，相關(guān)技術(shù)難以覆蓋這樣的寬頻段。目前普遍采用的解決方案是采用開(kāi)關(guān)器件或可調(diào)器件(如可調(diào)電容)對(duì)天線進(jìn)行調(diào)節(jié)，利用天線多個(gè)狀態(tài)去實(shí)現(xiàn)對(duì)一個(gè)寬頻帶的覆蓋。
[0003]由于非開(kāi)關(guān)類型的可調(diào)電容的可調(diào)范圍通常都非常有限，如果增加可調(diào)電容的電容可調(diào)比或者采用開(kāi)關(guān)進(jìn)行調(diào)節(jié)，在頻率偏離初始諧振頻率較大的情況下，天線的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)會(huì)明顯減小，影響了天線的性能。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施例提供一種天線匹配方法、電路及電子設(shè)備，在天線單元工作于寬頻帶時(shí)，保證天線單元的性能。
[0005]本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的:
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供一種天線匹配方法，應(yīng)用于具有天線單元和射頻單元的電子設(shè)備中，所述電子設(shè)備還包括天線匹配單元，所述天線匹配單元包括:第一容性單元、開(kāi)關(guān)單元、第二容性單元和感性單元；
[0007]所述第一容性單元的第一端子與所述天線單元連接，所述第一容性單元的第二端子與所述射頻單元、以及所述開(kāi)關(guān)單元的第一端子連接；
[0008]所述開(kāi)關(guān)單元的第二端子分別與所述第二容性單元的第一端子、所述感性單元的第一端子連接，且所述第二容性單元的第二端子、所述感性單元的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元支持導(dǎo)通所述第二容性單元和所述感性單元中的一個(gè)單元；
[0009]所述方法包括:
[0010]在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元、或?qū)ㄋ龈行詥卧?br> [0011]在所述第一頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第一頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；
[0012]在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元切換所導(dǎo)通的單元；
[0013]在所述第二頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，[0014]所述第二頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值。
[0015]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種天線匹配電路，應(yīng)用于具有天線單元和射頻單元的電子設(shè)備中，所述天線匹配電路包括:第一容性單元、開(kāi)關(guān)單元、第二容性單元和感性單元；
[0016]所述第一容性單元的第一端子與所述天線單元連接，所述第一容性單元的第二端子與所述射頻單元、以及所述開(kāi)關(guān)單元的第一端子連接；
[0017]所述開(kāi)關(guān)單元的第二端子分別與所述第二容性單元的第一端子、所述感性單元的第一端子連接，且所述第二容性單元的第二端子、所述感性單元的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元支持導(dǎo)通所述第二容性單元和所述感性單元中的一個(gè)單元；
[0018]所述天線匹配電路還包括:
[0019]控制單元，用于在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元、或?qū)ㄋ龈行詥卧?br> [0020]在所述第一頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第一頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；
[0021]所述控制單元，還用于在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元切換所導(dǎo)通的單元；
[0022]在所述第二頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，
[0023]所述第二頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值。
[0024]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種電子設(shè)備，所述電子設(shè)備包括以上所述的天線匹配電路。
[0025]本實(shí)施例中，在偏離天線單元諧振頻率較大(在第一閾值和第二閾值之間)的頻段，通過(guò)切換在第一頻段所使用的不同性質(zhì)阻抗的單元(第二容性單元或感性單元)，對(duì)天線單元的輸入阻抗進(jìn)行匹配，確保天線單元的回波損耗數(shù)值(絕對(duì)值)不會(huì)明顯減小，保證了天線單元的性能。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0026]圖1a為本發(fā)明實(shí)施例一中電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖1b為本發(fā)明實(shí)施例一中天線匹配方法的流程示意圖；
[0028]圖1c為相關(guān)技術(shù)中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖；
[0029]圖1d為本發(fā)明實(shí)施例一中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖；
[0030]圖2a為本發(fā)明實(shí)施例二中天線匹配電路的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖2b為相關(guān)技術(shù)中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖；
[0032]圖2c為本發(fā)明實(shí)施例二中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖；
[0033]圖3a為本發(fā)明實(shí)施例三中電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3b為相關(guān)技術(shù)中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖；[0035]圖3c為本發(fā)明實(shí)施例三中天線單元工作頻率與天線單元回波損耗的關(guān)系示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。
[0037]實(shí)施例一
[0038]本實(shí)施例記載一種天線匹配方法，應(yīng)用于如圖1a所示的電子設(shè)備中，所述電子設(shè)備包括天線單元11和射頻單元12，所述電子設(shè)備還包括天線匹配單元13和控制單元14，所述天線匹配單元13包括:第一容性單元131、開(kāi)關(guān)單元132、第二容性單元133和感性單元 134 ；
[0039]所述第一容性單元131的第一端子與所述天線單元11連接，所述第一容性單元131的第二端子與所述射頻單元12、以及所述開(kāi)關(guān)單元132的第一端子連接；
[0040]所述開(kāi)關(guān)單元132的第二端子分別與所述第二容性單元133的第一端子、所述感性單元134的第一端子連接，且所述第二容性單元133的第二端子、所述感性單元134的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元132支持導(dǎo)通所述第二容性單元133和所述感性單元134中的一個(gè)單元；
[0041]實(shí)際應(yīng)用中，所述控制單元14可由電子設(shè)備中的基帶芯片實(shí)現(xiàn)；所述開(kāi)關(guān)單元132可由電子設(shè)備中具有選通功能的電子元器件如三極管實(shí)現(xiàn)，由控制單元14在開(kāi)關(guān)單元132施加不同的電壓控制信號(hào)，以導(dǎo)通第二容性單元133或感性單元134 ;所述第一容性單元131可由電子設(shè)備中的可調(diào)電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和可調(diào)電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于第一頻段，所述第一頻段為偏離所述天線單元11的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于第二頻段，所述第二頻段為偏離所述天線單元11的諧振頻率在第一閾值和第二閾值之間的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值；
[0042]所述第二容性單元133可由電子設(shè)備中的電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第二頻段。
[0043]所述感性單元134可由電子設(shè)備中的電感實(shí)現(xiàn)，或電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第二頻段。
[0044]發(fā)明人在實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，相關(guān)技術(shù)中，在實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備對(duì)寬頻帶的支持時(shí)，在偏離天線單元11諧振頻率超過(guò)第一閾值的頻段，天線單元11的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)并未明顯減小，表明對(duì)天線單元11的阻抗匹配較好，但在偏離天線單元11諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段(所述第二閾值大于所述第一閾值)，天線單元11的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)明顯減小，表明對(duì)天線單元11的阻抗匹配較差，以下以天線單元11工作在偏離天線單元11諧振頻率未超過(guò)第一閾值時(shí)，如何使天線單元11的回波損耗數(shù)值維持較高值，即在天線單元11的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配(使輸入阻抗的虛部接近零或?yàn)榱?，以及天線單元11工作在偏離天線單元11諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值時(shí)，如何使天線單元14的回波損耗數(shù)值維持較高值，即對(duì)天線單元11的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配進(jìn)行說(shuō)明。
[0045]如圖1b所示，本實(shí)施例記載的天線匹配方法包括以下步驟:
[0046]步驟101，在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元132導(dǎo)通所述第二容性單元133、或?qū)ㄋ龈行詥卧?34。
[0047]實(shí)際應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)單元132導(dǎo)通第二容性單元133還是導(dǎo)通感性單元134，可以根據(jù)在第一頻段，第一容性單元131與第二容性單元133對(duì)天線單元11進(jìn)行阻抗匹配(使天線單元11的阻抗的接近零或?yàn)榱?時(shí)天線單元11的回波損耗(設(shè)為第一回波損耗)，以及第一容性單元131與感性單元134對(duì)天線單元11進(jìn)行阻抗匹配時(shí)天線單元11的回波損耗(設(shè)為第二回波損耗)確定；例如，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)大于第二回波損耗的數(shù)值時(shí)，由于天線單元11的回波損耗數(shù)值越大，說(shuō)明駐波越小，信號(hào)傳送的效率越高，因此，步驟101中控制開(kāi)關(guān)單元132導(dǎo)通第一容性單元131 ；
[0048]相應(yīng)地，在第一頻段，若第一回波損耗的數(shù)值小于第二回波損耗的數(shù)值，步驟101中控制開(kāi)關(guān)單元132導(dǎo)通第二容性單元133。
[0049]步驟102，控制所述第一容性單元131改變自身所呈現(xiàn)的電容值，以使所述第一容性單元131與所述開(kāi)關(guān)單元132所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元11進(jìn)行阻抗匹配。
[0050]實(shí)際應(yīng)用中，第一容性單元131的電容值由控制單元14在第一容性單元131施加不同的電壓控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
[0051]步驟103，在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元132切換所導(dǎo)通的單元。
[0052]步驟104，控制所述第一容性單元131與所述開(kāi)關(guān)單元132所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元11進(jìn)行阻抗匹配。
[0053]其中，所述第二頻段為偏離所述天線單元11的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段。
[0054]以步驟101中導(dǎo)通第二容性單元133為例，發(fā)明人實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值高于第二回波損耗數(shù)值時(shí)，相應(yīng)地在第二頻段，第一回波損耗的數(shù)值，將低于第二回波損耗的數(shù)值；也就是說(shuō)，控制單元14控制開(kāi)關(guān)單元132切換在步驟101所導(dǎo)通的單元，將使天線單元11在第二頻段具有較大的回波損耗，即對(duì)天線單元11在第二頻段的輸入實(shí)現(xiàn)最佳匹配。
[0055]由于第一容性單元131采用可調(diào)電容的形式，因此，本實(shí)施例中，控制單元14可以通過(guò)在所述第一容性單元131施加不同的電壓控制信號(hào)，以改變第一容性單元131自身所呈現(xiàn)的電容值，從而能夠與控制單元14所述開(kāi)關(guān)單元132所切換導(dǎo)通的單元，共同對(duì)所述天線單元11在第二頻段進(jìn)行阻抗匹配。
[0056]為了說(shuō)明本實(shí)施例所帶來(lái)的有益效果，發(fā)明人對(duì)相關(guān)技術(shù)中支持698-960MHZ頻段的電子設(shè)備，以及實(shí)施本發(fā)明技術(shù)方案的電子設(shè)備進(jìn)行了測(cè)試，圖1c為相關(guān)技術(shù)中實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備支持698-960MHz頻段時(shí),天線單元的工作頻率與天線回波損耗的示意圖,從圖1c中可以看出，在偏離電子設(shè)備天線單元諧振頻率未超出第一閾值的頻段fl?f2，天線單元的回波損耗為明顯減小，但在偏離天線單元11諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元11的回波損耗發(fā)生明顯降低，嚴(yán)重影響了天線單元的性能；
[0057]圖1d為本實(shí)施例記載的電子設(shè)備支持698-960MHZ頻段時(shí)，天線單元11的工作頻率與天線回波損耗的示意圖，如圖1d所示，在偏離電子設(shè)備天線單元11諧振頻率未超出第一閾值的頻段fl?f2，以及偏離天線單元11諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元11的回波損耗(對(duì)應(yīng)縱坐標(biāo))未發(fā)生明顯減小，證明了本實(shí)施例技術(shù)方案的可行性和有效性；本實(shí)施例中所述的第一閾值和第二閾值根據(jù)相關(guān)技術(shù)中天線單元11的回波損耗的變化情況確定，例如，可以將天線單元11的回波損耗降低相對(duì)較小(如降低不超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元11諧振頻率未超出第一閾值的頻段；將天線單元11的回波損耗降低相對(duì)較大(如降低超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元11諧振頻率在第一閾值與第二閾值之間的頻段。
[0058]本實(shí)施例中，在偏離天線單元諧振頻率較大(在第一閾值和第二閾值之間)的頻段，通過(guò)切換在第一頻段所使用的不同性質(zhì)阻抗的單元(第二容性單元131或感性單元134)，對(duì)天線單元11的輸入阻抗進(jìn)行匹配，確保天線單元11的回波損耗數(shù)值(絕對(duì)值)不會(huì)明顯減小，保證了天線單元11的性能。
[0059]實(shí)施例二
[0060]本實(shí)施例記載一種天線匹配電路，應(yīng)用于如圖2a所示的電子設(shè)備中，所述電子設(shè)備包括天線單元21和射頻單元22，所述電子設(shè)備還包括天線匹配電路23和控制單元24，所述天線匹配電路23包括:第一容性單元231、開(kāi)關(guān)單元232、第二容性單元233和感性單元 234 ；
[0061]所述第一容性單元231的第一端子與所述天線單元21連接，所述第一容性單元
231的第二端子與所述射頻單元22、以及所述開(kāi)關(guān)單元232的第一端子連接；
[0062]所述開(kāi)關(guān)單元232的第二端子分別與所述第二容性單元233的第一端子、所述感性單元234的第一端子連接，且所述第二容性單元233的第二端子、所述感性單元234的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元232支持導(dǎo)通所述第二容性單元233和所述感性單元234中的一個(gè)單元；
[0063]實(shí)際應(yīng)用中，所述控制單元24可由電子設(shè)備中的基帶芯片實(shí)現(xiàn)；所述開(kāi)關(guān)單元232可由電子設(shè)備中具有選通功能的電子元器件如三極管實(shí)現(xiàn)，由控制單元24在開(kāi)關(guān)單元232施加不同的電壓控制信號(hào)，以導(dǎo)通第二容性單元233或感性單元234 ;所述第一容性單元231可由電子設(shè)備中的可調(diào)電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和可調(diào)電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于第一頻段，所述第一頻段為偏離所述天線單元21的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于第二頻段，所述第二頻段為偏離所述天線單元21的諧振頻率在第一閾值和第二閾值之間的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值；
[0064]所述第二容性單元233可由電子設(shè)備中的電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第二頻段。
[0065]所述感性單元234可由電子設(shè)備中的電感實(shí)現(xiàn)，或電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第二頻段。
[0066]發(fā)明人在實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，相關(guān)技術(shù)中，在實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備對(duì)寬頻帶的支持時(shí)，在偏離天線單元21諧振頻率超過(guò)第一閾值的頻段，天線單元21的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)并未明顯減小，表明對(duì)天線單元21的阻抗匹配較好，但在偏離天線單元21諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段(所述第二閾值大于所述第一閾值)，天線單元21的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)明顯減小，表明對(duì)天線單元21的阻抗匹配較差，以下以天線單元21工作在偏離天線單元21諧振頻率未超過(guò)第一閾值時(shí)，如何使天線單元21的回波損耗數(shù)值維持較高值，即在天線單元21的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配(使輸入阻抗的虛部接近零或?yàn)榱?，以及天線單元21工作在偏離天線單元21諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值時(shí)，如何使天線單元24的回波損耗數(shù)值維持較高值，即對(duì)天線單元21的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配進(jìn)行說(shuō)明。
[0067]如圖2a所示的天線匹配電路，其中，
[0068]所述控制單元24，用于在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通所述第二容性單元233、或?qū)ㄋ龈行詥卧?34。
[0069]實(shí)際應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通第二容性單元233還是導(dǎo)通感性單元234，可以根據(jù)在第一頻段，第一容性單元231與第二容性單元233對(duì)天線單元21進(jìn)行阻抗匹配(使天線單元21的阻抗的接近零或?yàn)榱?時(shí)天線單元21的回波損耗(設(shè)為第一回波損耗)，以及第一容性單元231與感性單元234對(duì)天線單元21進(jìn)行阻抗匹配時(shí)天線單元21的回波損耗(設(shè)為第二回波損耗)確定；例如，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)大于第二回波損耗的數(shù)值時(shí)，由于天線單元21的回波損耗數(shù)值越大，說(shuō)明駐波越小，信號(hào)傳送的效率越高，因此，控制單元24控制開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通第一容性單元231 ；
[0070]相應(yīng)地，在第一頻段，若第一回波損耗的數(shù)值小于第二回波損耗的數(shù)值，控制單元24控制開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通第二容性單元233。
[0071]所述控制單元24，還用于在所述第一頻段控制所述第一容性單元231與所述開(kāi)關(guān)單元232所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配。
[0072]所述控制單元24，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通所述第二容性單元233時(shí)，控制所述第一容性單元231改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元231和所述第二容性單元233在所述第一頻段對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配，以使第一回波損耗大于第二回波損耗；
[0073]所述控制單元24，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元232導(dǎo)通所述感性單元234時(shí)，控制所述第一容性單元231改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元231和所述感性單元234在所述第一頻段對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配，以使所述第二回波損耗大于所述第一回波損耗；其中，
[0074]所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元231和所述第二容性單元233在所述第一頻段對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元21的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元231和所述感性單元234在所述第一頻段對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元21的回波損耗。
[0075]實(shí)際應(yīng)用中，第一容性單元231的電容值由控制單元24在第一容性單元231施加不同的電壓控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
[0076]所述控制單元24，還用于在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元232切換所導(dǎo)通的單元。
[0077]所述控制單元24，還用于在所述第二頻段控制所述第一容性單元231與所述開(kāi)關(guān)單元232所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配。
[0078]所述控制單元24，還用于在所述第二頻段控制所述第一容性單元231改變自身所呈現(xiàn)的電容值，并控制所述第一容性單元231與所述開(kāi)關(guān)單元232所切換導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元21進(jìn)行阻抗匹配。
[0079]其中，所述第二頻段為偏離所述天線單元21的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段。
[0080]以控制單元24在第一頻段導(dǎo)通第二容性單元233為例，發(fā)明人實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值高于第二回波損耗數(shù)值時(shí)，相應(yīng)地在第二頻段，第一回波損耗的數(shù)值，將低于第二回波損耗的數(shù)值；也就是說(shuō)，控制單元24控制開(kāi)關(guān)單元
232切換在第一頻段所導(dǎo)通的單元，將使天線單元21在第二頻段具有較大的回波損耗，即對(duì)天線單元21在第二頻段的輸入實(shí)現(xiàn)最佳匹配。
[0081]由于第一容性單元231采用可調(diào)電容的形式，因此，本實(shí)施例中，控制單元24可以通過(guò)在所述第一容性單元231施加不同的電壓控制信號(hào)，以改變第一容性單元231自身所呈現(xiàn)的電容值，從而能夠與控制單元24所述開(kāi)關(guān)單元232所切換導(dǎo)通的單元，共同對(duì)所述天線單元21在第二頻段進(jìn)行阻抗匹配。
[0082]為了說(shuō)明本實(shí)施例所帶來(lái)的有益效果，發(fā)明人對(duì)相關(guān)技術(shù)中支持698-960MHZ頻段的電子設(shè)備，以及實(shí)施本發(fā)明技術(shù)方案的電子設(shè)備進(jìn)行了測(cè)試，圖2b為相關(guān)技術(shù)中實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備支持698-960MHz頻段時(shí),天線單元的工作頻率與天線回波損耗的示意圖,從圖2b中可以看出，在偏離電子設(shè)備天線單元諧振頻率未超出第一閾值的頻段f I?f2，天線單元的回波損耗為明顯減小，但在偏離天線單元21諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元21的回波損耗發(fā)生明顯降低，嚴(yán)重影響了天線單元的性能；
[0083]圖2c為本實(shí)施例記載的電子設(shè)備支持698-960MHZ頻段時(shí)，天線單元21的工作頻率與天線回波損耗的示意圖，如圖2c所示，在偏離電子設(shè)備天線單元21諧振頻率未超出第一閾值的頻段fl?f2，以及偏離天線單元21諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元21的回波損耗(對(duì)應(yīng)縱坐標(biāo))未發(fā)生明顯減小，證明了本實(shí)施例技術(shù)方案的可行性和有效性；本實(shí)施例中所述的第一閾值和第二閾值根據(jù)相關(guān)技術(shù)中天線單元21的回波損耗的變化情況確定，例如，可以將天線單元21的回波損耗降低相對(duì)較小(如降低不超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元21諧振頻率未超出第一閾值的頻段；將天線單元21的回波損耗降低相對(duì)較大(如降低超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元21諧振頻率在第一閾值與第二閾值之間的頻段。
[0084]本實(shí)施例中，在偏離天線單元諧振頻率較大(在第一閾值和第二閾值之間)的頻段，通過(guò)切換在第一頻段所使用的不同性質(zhì)阻抗的單元(第二容性單元231或感性單元234)，對(duì)天線單元21的輸入阻抗進(jìn)行匹配，確保天線單元21的回波損耗數(shù)值(絕對(duì)值)不會(huì)明顯減小，保證了天線單元21的性能。
[0085]實(shí)施例三
[0086]本實(shí)施例記載一種電子設(shè)備，如圖3a所不,所述電子設(shè)備包括天線單兀31和射頻單元32，所述電子設(shè)備還包括天線匹配電路33和控制單元34，所述天線匹配電路33包括:第一容性單元331、開(kāi)關(guān)單元332、第二容性單元333和感性單元334 ；
[0087]所述第一容性單元331的第一端子與所述天線單元31連接，所述第一容性單元
331的第二端子與所述射頻單元32、以及所述開(kāi)關(guān)單元332的第一端子連接；
[0088]所述開(kāi)關(guān)單元332的第二端子分別與所述第二容性單元333的第一端子、所述感性單元334的第一端子連接，且所述第二容性單元333的第二端子、所述感性單元334的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元332支持導(dǎo)通所述第二容性單元333和所述感性單元334中的一個(gè)單元；
[0089]實(shí)際應(yīng)用中，所述控制單元34可由電子設(shè)備中的基帶芯片實(shí)現(xiàn)；所述開(kāi)關(guān)單元332可由電子設(shè)備中具有選通功能的電子元器件如三極管實(shí)現(xiàn)，由控制單元34在開(kāi)關(guān)單元332施加不同的電壓控制信號(hào)，以導(dǎo)通第二容性單元333或感性單元334 ;所述第一容性單元331可由電子設(shè)備中的可調(diào)電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和可調(diào)電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于第一頻段，所述第一頻段為偏離所述天線單元31的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于第二頻段，所述第二頻段為偏離所述天線單元31的諧振頻率在第一閾值和第二閾值之間的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值；
[0090]所述第二容性單元333可由電子設(shè)備中的電容實(shí)現(xiàn)，或由電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第二頻段。
[0091]所述感性單元334可由電子設(shè)備中的電感實(shí)現(xiàn)，或電感和電容組成的LC電路實(shí)現(xiàn)；當(dāng)采用LC并聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需高于所述第一頻段；當(dāng)采用LC串聯(lián)電路實(shí)現(xiàn)時(shí)，LC電路的諧振頻率需低于所述第二頻段。
[0092]發(fā)明人在實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，相關(guān)技術(shù)中，在實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備對(duì)寬頻帶的支持時(shí)，在偏離天線單元31諧振頻率超過(guò)第一閾值的頻段，天線單元31的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)并未明顯減小，表明對(duì)天線單元31的阻抗匹配較好，但在偏離天線單元31諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段(所述第二閾值大于所述第一閾值)，天線單元31的回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)明顯減小，表明對(duì)天線單元31的阻抗匹配較差，以下以天線單元31工作在偏離天線單元31諧振頻率未超過(guò)第一閾值時(shí)，如何使天線單元31的回波損耗數(shù)值維持較高值，即在天線單元31的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配(使輸入阻抗的虛部接近零或?yàn)榱?，以及天線單元31工作在偏離天線單元31諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值時(shí)，如何使天線單元34的回波損耗數(shù)值維持較高值，即對(duì)天線單元31的輸入阻抗進(jìn)行最佳匹配進(jìn)行說(shuō)明。
[0093]如圖3a所示的電子設(shè)備，其中，
[0094]所述控制單元34，用于在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通所述第二容性單元333、或?qū)ㄋ龈行詥卧?34。
[0095]實(shí)際應(yīng)用中，開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通第二容性單元333還是導(dǎo)通感性單元334，可以根據(jù)在第一頻段，第一容性單元331與第二容性單元333對(duì)天線單元31進(jìn)行阻抗匹配(使天線單元31的阻抗的接近零或?yàn)榱?時(shí)天線單元31的回波損耗(設(shè)為第一回波損耗)，以及第一容性單元331與感性單元334對(duì)天線單元31進(jìn)行阻抗匹配時(shí)天線單元31的回波損耗(設(shè)為第二回波損耗)確定；例如，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值(絕對(duì)值)大于第二回波損耗的數(shù)值時(shí)，由于天線單元31的回波損耗數(shù)值越大，說(shuō)明駐波越小，信號(hào)傳送的效率越高，因此，控制單元34控制開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通第一容性單元331 ；
[0096]相應(yīng)地，在第一頻段，若第一回波損耗的數(shù)值小于第二回波損耗的數(shù)值，控制單元34控制開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通第二容性單元333。[0097]所述控制單元34，還用于控制所述第一容性單元331與所述開(kāi)關(guān)單元332所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配。
[0098]所述控制單元34，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通所述第二容性單元333時(shí)，控制所述第一容性單元331改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元331和所述第二容性單元333在所述第一頻段對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配，以使第一回波損耗大于第二回波損耗；
[0099]所述控制單元34，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元332導(dǎo)通所述感性單元334時(shí)，控制所述第一容性單元331改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元331和所述感性單元334在所述第一頻段對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配，以使所述第二回波損耗大于所述第一回波損耗；其中，
[0100]所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元331和所述第二容性單元333在所述第一頻段對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元31的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元331和所述感性單元334在所述第一頻段對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元31的回波損耗。
[0101]實(shí)際應(yīng)用中，第一容性單元331的電容值由控制單元34在第一容性單元331施加不同的電壓控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)。
[0102]所述控制單元34，還用于在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元332切換所導(dǎo)通的單元。
[0103]所述控制單元34，還用于在所述第二頻段控制所述第一容性單元331與所述開(kāi)關(guān)單元332所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配。
[0104]所述控制單元34，還用于在所述第二頻段控制所述第一容性單元331改變自身所呈現(xiàn)的電容值，并控制所述第一容性單元331與所述開(kāi)關(guān)單元332所切換導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元31進(jìn)行阻抗匹配。
[0105]其中，所述第二頻段為偏離所述天線單元31的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段。
[0106]以控制單元34在第一頻段導(dǎo)通第二容性單元333為例，發(fā)明人實(shí)施本發(fā)明的過(guò)程中發(fā)現(xiàn)，在第一頻段，第一回波損耗的數(shù)值高于第二回波損耗數(shù)值時(shí)，相應(yīng)地在第二頻段，第一回波損耗的數(shù)值，將低于第二回波損耗的數(shù)值；也就是說(shuō)，控制單元34控制開(kāi)關(guān)單元
332切換在第一頻段所導(dǎo)通的單元，將使天線單元31在第二頻段具有較大的回波損耗，即對(duì)天線單元31在第二頻段的輸入實(shí)現(xiàn)最佳匹配。
[0107]由于第一容性單元331采用可調(diào)電容的形式，因此，本實(shí)施例中，控制單元34可以通過(guò)在所述第一容性單元331施加不同的電壓控制信號(hào)，以改變第一容性單元331自身所呈現(xiàn)的電容值，從而能夠與控制單元34所述開(kāi)關(guān)單元332所切換導(dǎo)通的單元，共同對(duì)所述天線單元31在第二頻段進(jìn)行阻抗匹配。
[0108]為了說(shuō)明本實(shí)施例所帶來(lái)的有益效果，發(fā)明人對(duì)相關(guān)技術(shù)中支持698-960MHZ頻段的電子設(shè)備，以及實(shí)施本發(fā)明技術(shù)方案的電子設(shè)備進(jìn)行了測(cè)試，圖3b為相關(guān)技術(shù)中實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備支持698-960MHz頻段時(shí),天線單元的工作頻率與天線回波損耗的示意圖,從圖3b中可以看出，在偏離電子設(shè)備天線單元諧振頻率未超出第一閾值的頻段fl?f2，天線單元的回波損耗為明顯減小，但在偏離天線單元31諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元31的回波損耗發(fā)生明顯降低，嚴(yán)重影響了天線單元的性能；[0109]圖3c為本實(shí)施例記載的電子設(shè)備支持698-960MHZ頻段時(shí)，天線單元31的工作頻率與天線回波損耗的示意圖，如圖3c所示，在偏離電子設(shè)備天線單元31諧振頻率未超出第一閾值的頻段fl?f2，以及偏離天線單元31諧振頻率超出第一閾值、未超出第二閾值的頻段f2?f3，天線單元31的回波損耗(對(duì)應(yīng)縱坐標(biāo))未發(fā)生明顯減小，證明了本實(shí)施例技術(shù)方案的可行性和有效性；本實(shí)施例中所述的第一閾值和第二閾值根據(jù)相關(guān)技術(shù)中天線單元31的回波損耗的變化情況確定，例如，可以將天線單元31的回波損耗降低相對(duì)較小(如降低不超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元31諧振頻率未超出第一閾值的頻段；將天線單元31的回波損耗降低相對(duì)較大(如降低超過(guò)2個(gè)分貝)的頻段，作為偏離天線單元31諧振頻率在第一閾值與第二閾值之間的頻段。
[0110]本實(shí)施例中，在偏離天線單元諧振頻率較大(在第一閾值和第二閾值之間)的頻段，通過(guò)切換在第一頻段所使用的不同性質(zhì)阻抗的單元(第二容性單元331或感性單元334)，對(duì)天線單元31的輸入阻抗進(jìn)行匹配，確保天線單元31的回波損耗數(shù)值(絕對(duì)值)不會(huì)明顯減小，保證了天線單元31的性能。
[0111]在本申請(qǐng)所提供的幾個(gè)實(shí)施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的設(shè)備和方法，可以通過(guò)其它的方式實(shí)現(xiàn)。以上所描述的設(shè)備實(shí)施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅僅為一種邏輯功能劃分，實(shí)際實(shí)現(xiàn)時(shí)可以有另外的劃分方式，如:多個(gè)單元或組件可以結(jié)合，或可以集成到另一個(gè)系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另外，所顯示或討論的各組成部分相互之間的耦合、或直接耦合、或通信連接可以是通過(guò)一些接口，設(shè)備或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性的、機(jī)械的或其它形式的。
[0112]上述作為分離部件說(shuō)明的單元可以是、或也可以不是物理上分開(kāi)的，作為單元顯示的部件可以是、或也可以不是物理單元，即可以位于一個(gè)地方，也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)單元上；可以根據(jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或全部單元來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。
[0113]另外，在本發(fā)明各實(shí)施例中的各功能單元可以全部集成在一個(gè)處理單元中，也可以是各單元分別單獨(dú)作為一個(gè)單元，也可以兩個(gè)或兩個(gè)以上單元集成在一個(gè)單元中；上述集成的單元既可以采用硬件的形式實(shí)現(xiàn)，也可以采用硬件加應(yīng)用功能單元的形式實(shí)現(xiàn)。
[0114]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解:實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過(guò)程序指令相關(guān)的硬件來(lái)完成，前述的程序可以存儲(chǔ)于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、只讀存儲(chǔ)器(ROM, Read-Only Memory)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM, Random Access Memory)、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0115]或者，本發(fā)明上述集成的單元如果以應(yīng)用功能模塊的形式實(shí)現(xiàn)并作為獨(dú)立的產(chǎn)品銷(xiāo)售或使用時(shí)，也可以存儲(chǔ)在一個(gè)計(jì)算機(jī)可讀取存儲(chǔ)介質(zhì)中。基于這樣的理解，本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以應(yīng)用產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)應(yīng)用產(chǎn)品存儲(chǔ)在一個(gè)存儲(chǔ)介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)、服務(wù)、或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例所述方法的全部或部分。而前述的存儲(chǔ)介質(zhì)包括:移動(dòng)存儲(chǔ)設(shè)備、ROM、RAM、磁碟或者光盤(pán)等各種可以存儲(chǔ)程序代碼的介質(zhì)。
[0116]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種天線匹配方法，應(yīng)用于具有天線單元和射頻單元的電子設(shè)備中，其特征在于，所述電子設(shè)備還包括天線匹配單元，所述天線匹配單元包括:第一容性單元、開(kāi)關(guān)單元、第二容性單元和感性單元； 所述第一容性單元的第一端子與所述天線單元連接，所述第一容性單元的第二端子與所述射頻單元、以及所述開(kāi)關(guān)單元的第一端子連接； 所述開(kāi)關(guān)單元的第二端子分別與所述第二容性單元的第一端子、所述感性單元的第一端子連接，且所述第二容性單元的第二端子、所述感性單元的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元支持導(dǎo)通所述第二容性單元和所述感性單元中的一個(gè)單元； 所述方法包括: 在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元、或?qū)ㄋ龈行詥卧? 在所述第一頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第一頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段； 在第二頻段控制所述 開(kāi)關(guān)單元切換所導(dǎo)通的單元； 在所述第二頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中， 所述第二頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元時(shí)，所述在所述第一頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，包括: 控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，以使第一回波損耗大于第二回波損耗；其中， 所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，當(dāng)在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述感性單元時(shí)，所述在所述第一頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，包括: 控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，以使第二回波損耗大于第一回波損耗；其中， 所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第二頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，包括: 在所述第二頻段控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值； 控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于， 所述第一容性單元的類型包括:可調(diào)電容或呈現(xiàn)容性的電路； 所述第二容性單元的類型包括:電容或呈現(xiàn)容性的電路； 所述感性單元的類型包括:電感或呈現(xiàn)感性的電路。
6.一種天線匹配電路，應(yīng)用于具有天線單元和射頻單元的電子設(shè)備中，其特征在于，所述天線匹配電路包括:第一容性單元、開(kāi)關(guān)單元、第二容性單元和感性單元； 所述第一容性單元的第一端子與所述天線單元連接，所述第一容性單元的第二端子與所述射頻單元、以及所述開(kāi)關(guān)單元的第一端子連接； 所述開(kāi)關(guān)單元的第二端子分別與所述第二容性單元的第一端子、所述感性單元的第一端子連接，且所述第二容性單元的第二端子、所述感性單元的第二端子均接地，所述開(kāi)關(guān)單元支持導(dǎo)通所述第二容性單元和所述感性單元中的一個(gè)單元； 所述天線匹配電路還包括: 控制單元，用于在第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元、或?qū)ㄋ龈行詥卧? 控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中，所述第一頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率未超過(guò)第一閾值的頻段； 所述控制單元，還用于在第二頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元切換所導(dǎo)通的單元； 在所述第二頻段控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配；其中， 所述第二頻段為偏離所述天線單元的諧振頻率超過(guò)所述第一閾值、且小于第二閾值的頻段，所述第二閾值大于所述第一閾值。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線匹配電路，其特征在于， 所述控制單元，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述第二容性單元時(shí)，控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，以使第一回波損耗大于第二回波損耗；其中， 所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線匹配電路，其特征在于， 所述控制單元，還用于在所述第一頻段控制所述開(kāi)關(guān)單元導(dǎo)通所述感性單元時(shí)，控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，使所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配，以使所述第二回波損耗大于所述第一回波損耗；其中，所述第一回波損耗為利用所述第一容性單元和所述第二容性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗；所述第二回波損耗為利用所述第一容性單元和所述感性單元在所述第一頻段對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配時(shí)，所述天線單元的回波損耗。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的天線匹配電路，其特征在于， 所述控制單元，還用于在所述第二頻段控制所述第一容性單元改變自身所呈現(xiàn)的電容值，并控制所述第一容性單元與所述開(kāi)關(guān)單元所切換導(dǎo)通的單元，對(duì)所述天線單元進(jìn)行阻抗匹配。
10.根據(jù)權(quán)利要求6至9任一項(xiàng)所述的天線匹配電路，其特征在于， 所述第一容性單元的類型包括:可調(diào)電容或呈現(xiàn)容性的電路； 所述第二容性單元的類型包括:電容或呈現(xiàn)容性的電路； 所述感性單元的類型包括:電感或呈現(xiàn)感性的電路。
11.一種電子設(shè)備，包括權(quán)利要求6至10任一項(xiàng)所述的天線匹配電路。
【文檔編號(hào)】H01Q3/24GK103928769SQ201410114761
【公開(kāi)日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2014年3月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月25日
【發(fā)明者】牛家曉 申請(qǐng)人:聯(lián)想(北京)有限公司