陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其中，所述制造方法包括：S1、形成包括所述薄膜晶體管的柵極和所述連接?xùn)啪€的圖形；S2、形成柵絕緣層；S3、形成包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述連接?xùn)啪€上方；S4、形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。本發(fā)明還提供一種利用上述制造方法制得的陣列基板和一種顯示裝置。在利用所述制造方法制造的陣列基板中，連接?xùn)啪€具有較好的完整性。
【專利說明】陣列基板及其制造方法、顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及陣列基板的制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板的制造方法、一種利用該制造方法制得的陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板通常可以包括陣列基板、對(duì)盒基板和柵極驅(qū)動(dòng)電路。柵極驅(qū)動(dòng)電路為陣列基板上的薄膜晶體管提供掃描信號(hào)。為了提高顯示面板的高集成化程度，可以將柵極驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板上。
[0003]集成在所述陣列基板上的柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管和連接在相鄰兩個(gè)薄膜晶體管之間的連接?xùn)啪€，如圖1所示(圖1中示出了柵極驅(qū)動(dòng)電路中的薄膜晶體管Tl、T2、T3、T4)，圖2中所示的是相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接關(guān)系圖，如圖中所示，相鄰兩個(gè)薄膜晶體管10之間連接有連接?xùn)啪€12。
[0004]圖3中所示的是現(xiàn)有技術(shù)中制造陣列基板時(shí)，形成柵極驅(qū)動(dòng)電路的薄膜晶體管的有源層的圖形以及形成所述柵極驅(qū)動(dòng)單元的薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的工藝流程。在形成薄膜晶體管的柵極11、連接?xùn)啪€12、柵絕緣層20以及半導(dǎo)體層30之后，所述陣列基板的制造方法還包括以下步驟:形成光刻膠層40 (圖3a)—曝光、顯影(圖3b)—刻蝕半導(dǎo)體層，以使相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層隔開，再刻蝕柵絕緣層(3c)—對(duì)剩余半導(dǎo)體層上方的光刻膠層進(jìn)行灰化(3d)—刻蝕形成有源層31，剝離剩余的光刻膠層(3e)—形成源漏金屬層50，在其上形成一層光刻膠層，曝光、顯影(3f)—刻蝕形成源極51和漏極52，并剝離剩余的光刻膠(3g)。
[0005]從圖3a中可以看出，在連接?xùn)啪€12上方的光刻膠層薄于其他區(qū)域光刻膠層。因此，在圖3b中，經(jīng)過曝光后，連接?xùn)啪€12上方區(qū)域已經(jīng)幾乎沒有光刻膠層存在。因此，在圖3g中，利用刻蝕液刻蝕源漏金屬層以形成源極和漏極時(shí)，容易將連接?xùn)啪€刻斷。
[0006]因此，如何防止在刻蝕源漏金屬層時(shí)損傷連接兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制造方法、一種利用該制造方法制得的陣列基板、一種包括該陣列基板的顯示面板和一種包括該顯示面板的顯示裝置。所述制造方法可以防止在刻蝕源漏金屬層時(shí)蝕除連接?xùn)啪€。
[0008]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的第一個(gè)方面，提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其中，所述制造方法包括:
[0009]S1、形成包括所述薄膜晶體管的柵極和所述連接?xùn)啪€的圖形；
[0010]S2、形成柵絕緣層；
[0011]S3、形成包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述連接?xùn)啪€上方；[0012]S4、形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。
[0013]優(yōu)選地，所述柵線保護(hù)層與所述薄膜晶體管的有源層材料相同，在所述步驟S3中同時(shí)形成所述柵線保護(hù)層和所述薄膜晶體管的有源層。
[0014]優(yōu)選地，所述步驟S3包括:
[0015]S31、形成半導(dǎo)體層；
[0016]S32、在所述半導(dǎo)體層上涂敷光刻膠層；
[0017]S33、通過光刻形成包括所述有源層和所述柵線保護(hù)層的圖形。
[0018]優(yōu)選地，在所述步驟S32中，所述光刻膠層包括對(duì)應(yīng)于所述柵極驅(qū)動(dòng)單元的薄膜晶體管部和對(duì)應(yīng)于所述柵線保護(hù)層的柵線保護(hù)部，所述柵線保護(hù)部的厚度和所述薄膜晶體管部的厚度均大于所述光刻膠層上除所述柵線保護(hù)部和所述薄膜晶體管部之外的部分的厚度。
[0019]優(yōu)選地，所述光刻膠層還包括間隔部，該間隔部設(shè)置在所述柵線保護(hù)部的至少一個(gè)端部，且所述間隔部的厚度小于所述柵線保護(hù)部的厚度。
[0020]優(yōu)選地，所述柵線保護(hù)部的兩個(gè)端部均設(shè)置有所述間隔部。
[0021]優(yōu)選地，在所述間隔部的長(zhǎng)度在3.0 μ m至5.5 μ m之間。
[0022]優(yōu)選地，所述間隔部的長(zhǎng)度在4.0 μ m至5.0 μ m之間。
[0023]優(yōu)選地，所述間隔部的厚度在所述柵線保護(hù)部的厚度的1/4至所述柵線保護(hù)部的厚度的1/2之間。
[0024]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其中，所述陣列基板還包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述薄膜晶體管的柵絕緣層上，并與所述連接?xùn)啪€相對(duì)應(yīng)。
[0025]優(yōu)選地，所述柵線保護(hù)層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層，且由同種材料制成。
[0026]作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0027]在本發(fā)明所提供的制造方法中，在所述步驟S3中形成的柵線保護(hù)層位于柵線的上方，并且位于柵絕緣層上，在通過刻蝕工藝形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形時(shí)，柵線保護(hù)層可以防止刻蝕液將柵線上方的柵絕緣層蝕除，從而保證了柵線的完整性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]附圖是用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0029]圖1是柵極驅(qū)動(dòng)電路的電路圖；
[0030]圖2是相鄰兩個(gè)薄I吳晶體管的連接不意圖；
[0031]圖3是包括圖1中所示的柵極驅(qū)動(dòng)電路的陣列基板的制造流程圖；
[0032]圖4是本發(fā)明所提供的制造方法的流程圖；
[0033]圖5是利用本發(fā)明所提供的制造方法制造陣列基板時(shí)，經(jīng)過步驟S33a后，基板的俯視圖；[0034]圖6是圖5中所示的基板的A-A剖視圖；
[0035]圖7是圖5中所示的基板的B-B剖視圖；
[0036]圖8是利用本發(fā)明所提供的制造方法制造陣列基板時(shí)，經(jīng)過步驟S3之后，基板的俯視圖；
[0037]圖9是圖8中所示的基板的C-C剖視圖；
[0038]圖10是圖8中所示的基板的D-D剖視圖。
[0039]附圖標(biāo)記說明
[0040]10:薄膜晶體管11:柵極
[0041]12:連接?xùn)啪€ 20:柵絕緣層
[0042]30:半導(dǎo)體層 31:有源層
[0043]40:光刻膠層 41:薄膜晶體管部
[0044]42:柵線保護(hù)部43:間隔部 [0045]50:源漏金屬層51:源極
[0046]52:漏極60:柵線保護(hù)層
【具體實(shí)施方式】
[0047]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0048]如圖4至圖10中所示，本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其中，所述制造方法包括:
[0049]S1、形成包括所述薄膜晶體管的柵極11和連接?xùn)啪€12的圖形；
[0050]S2、形成柵絕緣層20;
[0051]S3、形成包括柵線保護(hù)層60的圖形，該柵線保護(hù)層60位于連接?xùn)啪€12上方；
[0052]S4、形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。
[0053]如圖8和圖9中所示，所示，在所述步驟S3中形成的柵線保護(hù)層60位于連接?xùn)啪€12的上方，并且位于柵絕緣層20上，在通過刻蝕工藝形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形時(shí)，柵線保護(hù)層60可以防止刻蝕液將連接?xùn)啪€12上方的柵絕緣層20蝕除，從而保證了連接?xùn)啪€12的完整性。
[0054]柵極驅(qū)動(dòng)電路中各薄膜晶體管的具體設(shè)置方式是本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，這里不再贅述。并且，陣列基板上除了包括所述柵極驅(qū)動(dòng)電路之外，還包括像素電路。
[0055]在本發(fā)明中，對(duì)柵線保護(hù)層60的材料并沒有特殊的規(guī)定，只要該柵線保護(hù)層60位于連接?xùn)啪€12的上方，并可以在進(jìn)行步驟S4時(shí)防止連接?xùn)啪€12因柵絕緣層20被蝕除而遭到侵蝕即可。
[0056]例如，步驟S3可以為一步獨(dú)立的構(gòu)圖步驟，在步驟S3中形成柵線保護(hù)層，在步驟S3與步驟S4之間形成薄膜晶體管的有源層，或者在步驟S2和步驟S3之間形成薄膜晶體管的有源層。
[0057]為了簡(jiǎn)化制造方法的步驟，優(yōu)選地，如圖8和圖9所示，可以在步驟S3中同時(shí)形成所述薄膜晶體管的有源層31和柵線保護(hù)層60?？梢酝ㄟ^構(gòu)圖工藝形成包括所述薄膜晶體管的有源層31和柵線保護(hù)層60的圖形。本發(fā)明中對(duì)構(gòu)圖工藝并沒有特殊的限制，例如，可以通過打印、轉(zhuǎn)印、噴涂等工藝形成所述薄膜晶體管的有源層和柵線保護(hù)層。
[0058]或者，可以通過傳統(tǒng)的光刻工藝獲得所述薄膜晶體管的有源層31和柵線保護(hù)層60。即，如圖5至圖7所示，所述步驟S3可以包括:
[0059]S31、形成半導(dǎo)體層30 ；
[0060]S32、在半導(dǎo)體層30上涂敷光刻膠層；
[0061]S33、通過光刻形成包括有源層31和柵線保護(hù)層60的圖形(見圖9)。
[0062]在步驟S31中，可以通過沉積、蒸鍍等多種方式在基板上形成半導(dǎo)體層30。
[0063]步驟S33中，光刻包括曝光、顯影、刻蝕和剝離光刻膠等步驟。
[0064]為了防止在光刻的過程中，連接?xùn)啪€12上方的光刻膠被完全蝕除，優(yōu)選地，在所述步驟S33可以包括以下步驟:
[0065]S33a、對(duì)所述光刻膠層上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管和所述柵線保護(hù)層之外的部分進(jìn)行曝光，使得曝光顯影后的光刻膠層上形成對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管的薄膜晶體管部41和對(duì)應(yīng)于所述柵線保護(hù)層的柵線保護(hù)部42，所述柵線保護(hù)部42的厚度和所述薄膜晶體管部41的厚度均大于所述光刻膠層上除所述柵線保護(hù)部和所述薄膜晶體管部之外的部分的厚度(如圖6和圖7所示)；
[0066]S33b、利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕，以形成包括所述有源層和所述柵線保護(hù)層的圖形。所述步驟S33a中為曝光顯影的步驟，曝光顯影之后，光刻膠層的柵線保護(hù)部42的厚度和薄膜晶體管部41的厚度均大于所述光刻膠層上除柵線保護(hù)部42和所述薄膜晶體管部41之外的部分的厚度。通常，光刻膠層上除柵線保護(hù)部42和所述薄膜晶體管部41之外的部分的厚度可以為柵線保護(hù)部42和/或薄膜晶體管部41厚度的1/4至1/2。
[0067]由于柵線保護(hù)部42的厚度和薄膜晶體管部41的厚度均大于所述光刻膠層上除柵線保護(hù)部42和薄膜晶體管部41之外的部分的厚度，因此，在利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕時(shí)，可以將光刻膠層中曝過光的部分蝕除，并且不會(huì)腐蝕到柵線保護(hù)部42和薄膜晶體管部41。
[0068]具體的，所述光刻膠的所述薄膜晶體管部是指對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管的有源層圖形的區(qū)域，所述光刻膠的所述柵線保護(hù)部是指對(duì)應(yīng)所述保護(hù)柵線的區(qū)域，在上述兩個(gè)區(qū)域使得光刻膠厚度大于其他區(qū)域，可以保證在該區(qū)域的半導(dǎo)體層不會(huì)被刻蝕，進(jìn)而形成包括所述薄膜晶體管的有源層31和柵線保護(hù)層60的圖形。
[0069]為了確保相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層可以分離，優(yōu)選地，如圖7所示，在所述步驟S33a中還包括對(duì)所述光刻膠層中與所述柵線保護(hù)部的至少一個(gè)端部對(duì)應(yīng)的一部分進(jìn)行曝光，使得曝光顯影后在所述柵線保護(hù)部的至少一個(gè)端部形成間隔部43。容易理解的是，隔部43的厚度小于柵線保護(hù)部42的厚度。
[0070]經(jīng)過曝光后，間隔部43剩余的厚度較小，因此，在通過刻蝕液形成包括有源層和柵線保護(hù)層的圖形時(shí)，可以將柵線上方的半導(dǎo)體層至少部分刻斷，從而將相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層分開。
[0071]進(jìn)一步優(yōu)選地，如圖5所示，柵線保護(hù)部42的兩個(gè)端部均設(shè)置有間隔部43，從而可以確?？梢岳每涛g液將將相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層刻斷。如圖8和圖10中所示，經(jīng)過刻蝕液的刻蝕之后，半導(dǎo)體層上與間隔部對(duì)應(yīng)的部分被蝕除，從而將相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層分開。[0072]如圖中所示，間隔部43與柵線保護(hù)部42形成為一體，因此，間隔部43的寬度可以與柵線保護(hù)部相同。間隔部43的長(zhǎng)度LI應(yīng)當(dāng)滿足如下條件:既可以使得相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的有源層隔開，又可以防止所述連接?xùn)啪€上方的半導(dǎo)體被刻蝕，因此，優(yōu)選地，間隔部43的可以長(zhǎng)度在3.0 μ m至5.5 μ m之間，所述間隔部的寬度與所述柵線保護(hù)層的寬度一致。由于間隔部43的長(zhǎng)度較小，因此，在利用刻蝕液刻蝕半導(dǎo)體層時(shí)，進(jìn)入間隔部43的刻蝕液的量較少，既可以將此處對(duì)應(yīng)的半導(dǎo)體層蝕除，又不會(huì)進(jìn)一步向下滲透腐蝕連接?xùn)啪€。
[0073]進(jìn)一步優(yōu)選地，所述間隔部的可以長(zhǎng)度在4.0 μ m至5.0 μ m之間。
[0074]間隔部43的厚度應(yīng)滿足如下條件:間隔部43經(jīng)曝光后，殘留在半導(dǎo)體層上的光刻膠厚度較小，因此，間隔部43的厚度可以在柵線保護(hù)部42的厚度的1/4至該柵線保護(hù)部42的厚度的1/2之間。
[0075]作為本發(fā)明的第二個(gè)方面，提供一種利用上述制造方法制得的陣列基板，即，所述陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其中，所述陣列基板還包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述薄膜晶體管的柵絕緣層上，并與所述連接?xùn)啪€相對(duì)應(yīng)。
[0076]由于所述柵線保護(hù)層位于所述薄膜晶體管的柵絕緣層上，因此，在形成包括有源層的圖形時(shí)，柵線保護(hù)層下方的柵絕緣層不會(huì)輕易地被刻蝕掉，從而可以確保連接?xùn)啪€的連續(xù)性。
[0077]如上文中所述，為了簡(jiǎn)化制造工藝，可以在同一步驟中形成所述柵線保護(hù)層和所述薄膜晶體管的有源層，換言之，所述柵線保護(hù)層和所述薄膜晶體管的有源層位于同一層中，且所述柵線保護(hù)層與所述薄膜晶體管的有源層利用同種材料制成。
[0078]作為本發(fā)明的第三個(gè)方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括本發(fā)明所提供的上述陣列基板。所述顯示裝置可以為手機(jī)、平板電腦、電腦顯示器等。
[0079]可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制造方法，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其特征在于，所述制造方法包括: 51、形成包括所述薄膜晶體管的柵極和所述連接?xùn)啪€的圖形； 52、形成柵絕緣層； 53、形成包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述連接?xùn)啪€上方； 54、形成包括所述薄膜晶體管的源極和漏極的圖形。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述柵線保護(hù)層與所述薄膜晶體管的有源層材料相同，在所述步驟S3中同時(shí)形成所述柵線保護(hù)層和所述薄膜晶體管的有源層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述步驟S3包括: 531、形成半導(dǎo)體層； 532、在所述半導(dǎo)體層上涂敷光刻膠層； 533、通過光刻形成包括所述有源層和所述柵線保護(hù)層的圖形。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S33包括: S33a、對(duì)所述光刻膠層上對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管和所述柵線保護(hù)層之外的部分進(jìn)行曝光，使得曝光顯影后的光刻膠層上形成對(duì)應(yīng)于所述薄膜晶體管的薄膜晶體管部和對(duì)應(yīng)于所述柵線保護(hù)層的柵線保護(hù)部，所述柵線保護(hù)部的厚度和所述薄膜晶體管部的厚度均大于所述光刻膠層上除所述柵線保護(hù)部和所述薄膜晶體管部之外的部分的厚度； S33b、利用刻蝕液進(jìn)行刻蝕，以形成包括所述有源層和所述柵線保護(hù)層的圖形。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，在所述步驟S33a中還包括對(duì)所述光刻膠層中與所述柵線保護(hù)部的至少一個(gè)端部對(duì)應(yīng)的一部分進(jìn)行曝光，使得曝光顯影后在所述柵線保護(hù)部的至少一個(gè)端部形成間隔部。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述柵線保護(hù)部的兩個(gè)端部均形成有所述間隔部。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于，在所述間隔部的長(zhǎng)度在3.0 μ m至5.5 μ m之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述間隔部的長(zhǎng)度在4.0ym至5.0 μ m之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5至8中任意一項(xiàng)所述的制造方法，其特征在于，所述間隔部的厚度在所述柵線保護(hù)部的厚度的1/4至所述柵線保護(hù)部的厚度的1/2之間。
10.一種陣列基板，該陣列基板包括柵極驅(qū)動(dòng)電路，該柵極驅(qū)動(dòng)電路包括多個(gè)薄膜晶體管以及連接相鄰兩個(gè)薄膜晶體管的連接?xùn)啪€，其特征在于，所述陣列基板還包括柵線保護(hù)層的圖形，所述柵線保護(hù)層位于所述薄膜晶體管的柵絕緣層上，并與所述連接?xùn)啪€相對(duì)應(yīng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的陣列基板，其特征在于，所述柵線保護(hù)層與所述薄膜晶體管的有源層位于同一層，且由同種材料制成。
12.—種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求10或11所述的陣列基板。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103887236SQ201410098777
【公開日】2014年6月25日 申請(qǐng)日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】謝振宇 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司