晶片封裝體及其形成方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種晶片封裝體及其形成方法，該晶片封裝體包括：一半導(dǎo)體基底；一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一表面上；一保護(hù)基板，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上；以及一間隔層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面與該保護(hù)基板之間，其中該保護(hù)基板及該間隔層于該元件區(qū)之上圍繞出一空腔，且該間隔層具有遠(yuǎn)離該空腔的一外側(cè)表面，該間隔層的該外側(cè)面為一未經(jīng)切割面。本發(fā)明可在切割保護(hù)基板的過程中可有效避免或減少因保護(hù)基板受破壞而產(chǎn)生碎片，以使導(dǎo)電墊等元件免于受到破壞。
【專利說明】晶片封裝體及其形成方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有關(guān)于采用晶圓級(jí)封裝制程制作的晶片封裝體。
【背景技術(shù)】
[0002]晶片封裝制程是形成電子產(chǎn)品過程中的一重要步驟。晶片封裝體除了將晶片保護(hù)于其中，使免受外界環(huán)境污染外，還提供晶片內(nèi)部電子元件與外界的電性連接通路。
[0003]如何縮減晶片封裝體的尺寸、大量生產(chǎn)晶片封裝體、確保晶片封裝體的品質(zhì)、避免元件于封裝制程其間受損、及降低制程成本與時(shí)間已成為重要課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體，包括:一半導(dǎo)體基底；一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中；至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一表面上；一保護(hù)基板，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上；以及一間隔層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面與該保護(hù)基板之間，其中該保護(hù)基板及該間隔層于該元件區(qū)之上圍繞出一空腔，且該間隔層具有遠(yuǎn)離該空腔的一外側(cè)表面，該間隔層的該外側(cè)面為一未經(jīng)切割面。
[0005]本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶片封裝體的形成方法，包括:提供一半導(dǎo)體基底，其中至少一元件區(qū)形成于該半導(dǎo)體基底之中，及至少一導(dǎo)電墊設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一表面上；提供一保護(hù)基板；于該半導(dǎo)體基底的該表面上或該保護(hù)基板上設(shè)置一間隔層；于該半導(dǎo)體基底的該表面上或該保護(hù)基板上設(shè)置一犧牲支撐層；將該保護(hù)基板設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上，使得該保護(hù)基板與該間隔層于該至少一元件區(qū)之上圍繞出一空腔；以及切割移除部分的該保護(hù)基板及部分的該犧牲支撐層而露出該至少一導(dǎo)電墊。
[0006]本發(fā)明可在切割保護(hù)基板的過程中可有效避免或減少因保護(hù)基板受破壞而產(chǎn)生碎片，以使導(dǎo)電墊等元件免于受到破壞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1A-1D顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0008]圖2A-2C顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0009]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。
[0010]圖4A-4C顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。
[0011]圖5顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖。
[0012]圖6顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖。
[0013]圖7顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖。
[0014]圖8顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖。
[0015]附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說明如下:
[0016]100?基底；100a、10b?表面；102?介電層；104?導(dǎo)電墊；106?間隔層；106a、106b、106b’?表面；108?粘著層；112?空腔；114?保護(hù)基板；114a?表面；116?切割刀；118a、118b?溝槽；120?碎片；200?半導(dǎo)體基底；200a、200b?表面；202?介電層；204?導(dǎo)電墊；206?間隔層；206a、206b?表面；207?犧牲支撐層；208?粘著層；210?元件區(qū)；212?空腔；214?保護(hù)基板；214a?表面；216?切割刀；218a、218b?溝槽；sc?切割道。
【具體實(shí)施方式】
[0017]以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，說明書提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，本發(fā)明可能于許多實(shí)施例重復(fù)使用標(biāo)號(hào)及/或文字。此重復(fù)僅為了簡(jiǎn)化與清楚化，不代表所討論的不同實(shí)施例之間必然有關(guān)聯(lián)。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時(shí)，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。為了簡(jiǎn)單與清楚化，許多結(jié)構(gòu)可能會(huì)繪成不同的尺寸。
[0018]本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝影像感測(cè)器晶片。然其應(yīng)用不限于此，例如在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passive elements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components),例如是有關(guān)于光電元件(optoelectronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems)、或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測(cè)量的物理感測(cè)器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級(jí)封裝(wafer scale package;WSP)制程對(duì)影像感測(cè)元件、發(fā)光二極管(light-emitting d1des; LEDs)、太陽能電池(solar cells)、射頻元件(RF circuits)、加速計(jì)(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動(dòng)器(microactuators)、表面聲波兀件(surface acoustic wave devices)、壓力感測(cè)器(processsensors)噴墨頭(ink printer heads)、或功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效電晶體模塊(powerMOSFET modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。
[0019]其中上述晶圓級(jí)封裝制程主要是指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級(jí)封裝制程。另外，上述晶圓級(jí)封裝制程亦適用于通過堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(mult1-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。在一實(shí)施中，上述切割后的封裝體為一晶片尺寸封裝體(CSP;chip scale package)。晶片尺寸封裝體(CSP)的尺寸可僅略大于所封裝的晶片。例如，晶片尺寸封裝體的尺寸不大于所封裝晶片的尺寸的120%。
[0020]圖1A-1D顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。如圖1A所示，可提供半導(dǎo)體基底100，其具有表面10a及表面100b。表面10a上可設(shè)置有介電層102及至少一導(dǎo)電墊104。接著，可提供保護(hù)基板114，并將保護(hù)基板114設(shè)置于半導(dǎo)體基底100的表面10a之上。在一實(shí)施例中，可于半導(dǎo)體基底100與保護(hù)基板114之間設(shè)置間隔層106。間隔層106及保護(hù)基板114可共同于半導(dǎo)體基底100之上圍繞出至少一空腔112。間隔層106具有遠(yuǎn)離空腔112的外側(cè)表面106b及鄰近空腔112的內(nèi)側(cè)表面106a?？赏ㄟ^粘著層108而將間隔層106接合于半導(dǎo)體基底100上的介電層102之上。如圖1A所示，在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底100中定義有至少一預(yù)定切割道SC，其將半導(dǎo)體基底分成多個(gè)晶粒區(qū)。后續(xù)沿預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程之后，將形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體。
[0021]如圖1B所示，在沿預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程之前，可以切割刀116對(duì)準(zhǔn)間隔層106而切割移除部分的保護(hù)基板114以于預(yù)定切割道SC的兩側(cè)形成溝槽，例如是溝槽118a及溝槽118b。在一實(shí)施例中，于形成溝槽118a之后，以切割刀116切割移除部分的保護(hù)基板114及部分的間隔層116而形成溝槽118b。由于部分的保護(hù)基板114已移除以形成溝槽118a，切割保護(hù)基板114以形成溝槽118b的過程中，保護(hù)基板114由于缺乏支撐而易導(dǎo)致震動(dòng)或產(chǎn)生碎片120。在一實(shí)施例中，溝槽118a的側(cè)壁的表面粗糙度低于溝槽118b的側(cè)壁的表面粗糙度。碎片120可能會(huì)刮傷導(dǎo)電墊104而使晶片封裝體的品質(zhì)下降。
[0022]如圖1C所示，在切割移除部分的保護(hù)基板114及部分的間隔層106之后，可移除溝槽之間保護(hù)基板114而使預(yù)定切割道SC兩旁的導(dǎo)電墊104露出。露出的導(dǎo)電墊104可用于與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，焊線或?qū)щ妷K)電性連接。此外，間隔層106被部分切割，因此外側(cè)表面106b’包含切割表面，其具有切割刮痕。例如，可以光學(xué)顯微鏡或電子顯微鏡觀察出外側(cè)表面106b’上的切割刮痕。接著，可沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體，其中圖1D顯示其中一晶片封裝體。
[0023]圖2A-2C顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。如圖2A所示，可提供半導(dǎo)體基底200，其具有表面200a及表面200b。半導(dǎo)體基底200可包括半導(dǎo)體晶圓，例如硅晶圓。半導(dǎo)體基底200中可定義有至少一預(yù)定切割道SC，其將半導(dǎo)體基底200分成多個(gè)晶粒區(qū)。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200之中可形成有至少一元件區(qū)210。例如，每一晶粒區(qū)之中可形成有一元件區(qū)210。元件區(qū)210之中可形成有各種元件，例如是(但不限于)感測(cè)元件(例如，影像感測(cè)元件)或發(fā)光元件。
[0024]半導(dǎo)體基底200的表面200a上可選擇性設(shè)置有介電層202及至少一導(dǎo)電墊204。導(dǎo)電墊204可電性連接元件區(qū)210中的元件。例如，晶粒區(qū)的周邊可設(shè)置有多個(gè)導(dǎo)電墊204，其可分別與元件區(qū)210中的相應(yīng)元件電性連接。導(dǎo)電墊204例如是通過形成于介電層202中的線路(未顯示)而電性連接元件區(qū)。介電層202的材質(zhì)例如是(但不限于)氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或前述的組合。
[0025]接著，可提供保護(hù)基板214，并將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200的表面200a之上。保護(hù)基板214可為透光基板，例如是(但不限于)玻璃基板、石英基板、透明高分子基板、藍(lán)寶石基板、或前述的組合。保護(hù)基板214可具有大抵相同于半導(dǎo)體基底200的形狀及尺寸。
[0026]在一實(shí)施例中，可于半導(dǎo)體基底200與保護(hù)基板214之間設(shè)置間隔層206。間隔層206及保護(hù)基板214可共同于半導(dǎo)體基底200的至少一元件區(qū)210上圍繞出至少一空腔212。或者，可于半導(dǎo)體基底200與保護(hù)基板214之間設(shè)置多個(gè)間隔層206，每一間隔層206分別于每一對(duì)應(yīng)的元件區(qū)210之上圍繞出空腔212。間隔層206具有遠(yuǎn)離空腔212的外側(cè)表面206b及鄰近空腔212的內(nèi)側(cè)表面206a。間隔層206的材質(zhì)可包括(但不限于)高分子材料、金屬材料、陶瓷材料、半導(dǎo)體材料、或前述的組合。在一實(shí)施例中，間隔層206由可通過曝光及顯影制程而圖案化的高分子材料構(gòu)成，其材質(zhì)例如為環(huán)氧樹脂、聚亞酰胺、或前述的組合。[0027]間隔層206可采用許多方式而設(shè)置于半導(dǎo)體基底200與保護(hù)基板214之間。例如，在一實(shí)施例中，可于保護(hù)基板214之上形成間隔材料層(未顯示)。接著，可將間隔材料層圖案化以形成間隔層206。因此，間隔層206可直接接觸保護(hù)基板214。后續(xù)，可將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200的表面200a上，使得保護(hù)基板214與間隔層206在元件區(qū)210之上圍繞出空腔212。在一實(shí)施例中，空腔212為大抵密閉的空腔。在一實(shí)施例中，可選擇性于間隔層206與半導(dǎo)體基底200之間設(shè)置粘著層208。例如，粘著層208可預(yù)先形成于半導(dǎo)體基底200上的介電層202之上。在將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200上時(shí)，間隔層206可接觸粘著層208而與半導(dǎo)體基底200接合?；蛘?，在另一實(shí)施例之中，間隔層206可先形成于半導(dǎo)體基底200之上，接著在設(shè)置保護(hù)基板214之后，間隔層206接合保護(hù)基板214，并于元件區(qū)210之上圍繞出空腔212。
[0028]如圖2A所示，間隔層206的水平位置可位于元件區(qū)210的水平位置與導(dǎo)電墊204的水平位置之間。間隔層206相較于導(dǎo)電墊204，可更接近元件區(qū)210。在一實(shí)施例中，間隔層206在半導(dǎo)體基底200的表面200a上的投影不與導(dǎo)電墊204在半導(dǎo)體基底200的表面200a上的投影重疊。
[0029]如圖2A所示，在一實(shí)施例中，可于半導(dǎo)體基底200與保護(hù)基板214之間設(shè)置犧牲支撐層207。類似于間隔層206的形成方法，犧牲支撐層207可先形成于保護(hù)基板214之上，接著將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200之上?；蛘?，在一實(shí)施例之中，犧牲支撐層207可先形成于半導(dǎo)體基底200之上，接著將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200之上。
[0030]在一實(shí)施例之中，在將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200上之前，可先于保護(hù)基板214的將朝向半導(dǎo)體基底200的表面上形成間隔層206及犧牲支撐層207。在一實(shí)施例中，間隔層206及犧牲支撐層207可同時(shí)形成于保護(hù)基板214之上。例如，間隔層206及犧牲支撐層207可圖案化自同一材料層而具有相同材質(zhì)且同時(shí)形成。接著，可將保護(hù)基板214設(shè)置于半導(dǎo)體基底200的表面200a之上。間隔層206可接觸半導(dǎo)體基底200上的粘著層208而與介電層202接合。應(yīng)注意的是，在一實(shí)施例中，粘著層208僅設(shè)置于間隔層206與半導(dǎo)體基底200之間。在犧牲支撐層207與半導(dǎo)體基底200的表面200a之間，不設(shè)置任何的粘著層。在一實(shí)施例之中，犧牲支撐層207僅接觸半導(dǎo)體基底200上的介電層202，而犧牲支撐層207與介電層202并非彼此粘著。
[0031]圖7顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖，其可相應(yīng)于圖2A的半導(dǎo)體基底200的俯視圖。如圖7所示，犧牲支撐層207可圍繞間隔層206及元件區(qū)210。在一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基底200上可形成有多個(gè)犧牲支撐層207，其分別圍繞對(duì)應(yīng)的間隔層206及元件區(qū)210。圖6顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖，其可相應(yīng)于圖2A的半導(dǎo)體基底200在另一實(shí)施例中的俯視圖。如圖6所不，犧牲支撐層207可進(jìn)一步橫跨半導(dǎo)體基底200的預(yù)定切割道SC而延伸至相鄰的晶粒區(qū)之中。犧牲支撐層207的設(shè)置有助于使后續(xù)的切割制程順利進(jìn)行，并避免導(dǎo)電墊204受損。
[0032]如圖2B所示，在沿預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程之前，可以切割刀216對(duì)準(zhǔn)犧牲支撐層207而切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207以于預(yù)定切割道SC的兩側(cè)形成溝槽，例如是溝槽218a及溝槽218b。在一實(shí)施例中，于形成溝槽218a之后，以切割刀216切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207而形成溝槽218b。由于切割保護(hù)基板214以形成溝槽218b的過程中，保護(hù)基板214可受到下方的犧牲支撐層207的支持，可使保護(hù)基板214的震動(dòng)減少，可有效避免或減少保護(hù)基板214受破壞而產(chǎn)生碎片。因此，導(dǎo)電墊204可免于受到破壞。
[0033]在切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207之后，可移除溝槽之間的保護(hù)基板214而使預(yù)定切割道SC兩旁的導(dǎo)電墊204露出。露出的導(dǎo)電墊204可用于與其他導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(例如，焊線或?qū)щ妷K)電性連接。此外，由于犧牲支撐層207與介電層202并非彼此粘著，因此在切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207之后，犧牲支撐層207的剩余部分不再穩(wěn)固地固定于半導(dǎo)體基底200之表面200a之上，使得犧牲支撐層207與半導(dǎo)體基底200可彼此分離。
[0034]接著，如圖2C所示，可沿著預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成多個(gè)彼此分離的晶片封裝體，其中圖2C顯示其中一晶片封裝體。保護(hù)基板214的側(cè)表面214a可突出于間隔層206的外側(cè)表面206b。在一實(shí)施例之中，由于先前所進(jìn)行的切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207的步驟不包括切割移除間隔層206，因此間隔層206遠(yuǎn)離空腔212的外側(cè)表面206b為一未經(jīng)切割面。在一實(shí)施例中，外側(cè)表面206b上無法發(fā)現(xiàn)切割刀的刮痕。在一實(shí)施例之中，間隔層206的內(nèi)側(cè)表面206a的粗糙度大抵相同于間隔層206的外側(cè)表面206b的粗糙度。在一實(shí)施例中，間隔層206的內(nèi)側(cè)表面206a與外側(cè)表面206b彼此平行。
[0035]圖3顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。圖3實(shí)施例類似于圖2的實(shí)施例，主要區(qū)別在于保護(hù)基板214的側(cè)表面214a可不突出于間隔層206的外側(cè)表面206b而與之共平面。
[0036]圖4A-4C顯示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖，其中相同或相似的標(biāo)號(hào)用以標(biāo)示相同或相似的元件。如圖4A所示，可以類似于第2圖實(shí)施例所述的方法，形成圖4A所示的結(jié)構(gòu)，主要區(qū)別在于犧牲支撐層207可進(jìn)一步橫跨預(yù)定切割道SC，且覆蓋切割道SC兩旁的導(dǎo)電墊204。
[0037]圖8顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體制程中的半導(dǎo)體基底的俯視圖，其可相應(yīng)于圖4A的半導(dǎo)體基底200的俯視圖。如圖8所示，犧牲支撐層207可圍繞間隔層206及元件區(qū)210，并覆蓋導(dǎo)電墊204及預(yù)定切割道SC。
[0038]接著，如圖4B所示，可切割移除部分的保護(hù)基板214及部分的犧牲支撐層207以形成至少兩溝槽218a及218b。由于受到犧牲支撐層207的支撐，保護(hù)基板214于切割過程之中，可大抵不受損壞。此外，由于犧牲支撐層207覆蓋導(dǎo)電墊204，還能對(duì)導(dǎo)電墊204提供保護(hù)使之免受損壞。在一實(shí)施例之中，由于犧牲支撐層207亦不粘著介電層202及導(dǎo)電墊204，因此在形成溝槽之后，可輕易地移除部分的保護(hù)基板214及全部的犧牲支撐層207而使導(dǎo)電墊204露出。
[0039]如圖4C所示，可接著沿預(yù)定切割道SC進(jìn)行切割制程以形成至少一晶片封裝體。保護(hù)基板214的側(cè)表面214a可突出于間隔層206的外側(cè)表面206b。在另一實(shí)施例中，如圖5所示，可通過切割刀的切割位置的調(diào)整，使得保護(hù)基板214的側(cè)表面214a與間隔層206的外側(cè)表面206b大抵共平面。
[0040]在本發(fā)明實(shí)施例中，犧牲支撐層的設(shè)置大抵不會(huì)增加額外的制程(其例如可選擇性于形成間隔層時(shí)同時(shí)形成)，且可輕易地移除。通過犧牲支撐層的設(shè)置，可使晶片封裝制程順利進(jìn)行，可確保晶片封裝體的品質(zhì)。[0041]以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括: 一半導(dǎo)體基底； 一元件區(qū)，形成于該半導(dǎo)體基底之中； 至少一導(dǎo)電墊，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一表面上； 一保護(hù)基板，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上；以及 一間隔層，設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面與該保護(hù)基板之間，其中該保護(hù)基板及該間隔層于該元件區(qū)之上圍繞出一空腔，且該間隔層具有遠(yuǎn)離該空腔的一外側(cè)表面，該間隔層的該外側(cè)面為一未經(jīng)切割面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層具有鄰近該空腔的一內(nèi)側(cè)表面，其中該間隔層的該內(nèi)側(cè)表面的表面粗糙度大抵相同于該間隔層的該外側(cè)表面的表面粗糙度。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層的該內(nèi)側(cè)表面與該外側(cè)表面彼此平行。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該保護(hù)基板的一側(cè)表面突出于該間隔層的該外側(cè)表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層相較于該至少一導(dǎo)電墊更接近該元件區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層在該半導(dǎo)體基底的該表面上的投影不與該導(dǎo)電墊在該半導(dǎo)體基底的該表面上的投影重疊。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該間隔層直接接觸該保護(hù)基板。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該保護(hù)基板為一透光基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，該空腔為一大抵密閉的空腔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括一粘著層，該粘著層設(shè)置于該間隔層與該半導(dǎo)體基底之間。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括: 提供一半導(dǎo)體基底，其中至少一元件區(qū)形成于該半導(dǎo)體基底之中，且至少一導(dǎo)電墊設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的一表面上； 提供一保護(hù)基板； 于該半導(dǎo)體基底的該表面上或該保護(hù)基板上設(shè)置一間隔層； 于該半導(dǎo)體基底的該表面上或該保護(hù)基板上設(shè)置一犧牲支撐層； 將該保護(hù)基板設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上，使得該保護(hù)基板與該間隔層于該至少一元件區(qū)之上圍繞出一空腔；以及 切割移除部分的該保護(hù)基板及部分的該犧牲支撐層而露出該至少一導(dǎo)電墊。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括沿著該半導(dǎo)體基底的至少一預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個(gè)晶片封裝體。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該切割制程是于切割移除部分的該保護(hù)基板及部分的該犧牲支撐層而露出該至少一導(dǎo)電墊的步驟之后進(jìn)行。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該犧牲支撐層圍繞該間隔層及該至少一元件區(qū)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該犧牲支撐層橫跨該至少一預(yù)定切割道。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該犧牲支撐層覆蓋該至少一導(dǎo)電墊。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，切割移除部分的該保護(hù)基板及部分的該犧牲支撐層而露出該至少一導(dǎo)電墊的步驟不包括切割移除部分的該間隔層。
18.根據(jù)權(quán)利要 求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在將該保護(hù)基板設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上的步驟之前，于該保護(hù)基板之上形成該間隔層，且通過一粘著層而將該間隔層接合于該半導(dǎo)體基底的該表面之上。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在將該保護(hù)基板設(shè)置于該半導(dǎo)體基底的該表面上的步驟之前，于該保護(hù)基板之上形成該犧牲支撐層，且該犧牲支撐層與該半導(dǎo)體基底的該表面之間不設(shè)置有任何的粘著層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，在切割移除部分的該保護(hù)基板及部分的該犧牲支撐層的步驟之后，該犧牲支撐層的剩余部分不再固定于該半導(dǎo)體基底的該表面上而使該犧牲支撐層與該半導(dǎo)體基底彼此分離。
21.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該間隔層及該犧牲支撐層同時(shí)形成于該保護(hù)基板之上。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK104037135SQ201410071872
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月7日
【發(fā)明者】樓百堯, 陳世光, 李勝源 申請(qǐng)人:精材科技股份有限公司