邏輯門的制作方法
【專利摘要】一種邏輯門包括：可動極板；第一參考電極、第二參考電極，可動極板位于所述第一參考電極和所述第二參考電極之間，可以在第一參考電極、第二參考電極之間移動；第一連接端、第二連接端和第三連接端，當(dāng)可動極板靠近第二參考電極時，第一連接端和第二連接端通過可動極板電性導(dǎo)通；當(dāng)可動極板靠近第一參考電極時，第一連接端和第三連接端通過可動極板電性導(dǎo)通。本發(fā)明的MEMS開關(guān)器件結(jié)構(gòu)簡單，工藝流程簡單，節(jié)約成本；和MOS晶體管形成的邏輯門比較，使用的管子數(shù)少。并且此MEMS開關(guān)器件形成的電路和CMOS電路兼容。
【專利說明】邏輯門
[0001]本申請是申請日:2010年12月31日，申請?zhí)?01010618405.3，名稱為:MEMS開關(guān)器件、邏輯門以及集成電路的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及邏輯門。
【背景技術(shù)】
[0003]邏輯門主要應(yīng)用于數(shù)字【技術(shù)領(lǐng)域】以及模擬【技術(shù)領(lǐng)域】，邏輯門的種類繁多，主要包括:與門，非門，或門，與非門，或非門，與或非門，選擇器，觸發(fā)器，三態(tài)門等。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中的邏輯門通過MOS晶體管的組合實現(xiàn)一定的邏輯功能，MOS晶體管為金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管,簡稱MOS晶體管,其包括位于襯底內(nèi)的源區(qū)、漏區(qū)，位于襯底上的柵極；源區(qū)和漏區(qū)之間具有溝道，在源區(qū)、漏區(qū)和柵極上具有通孔以及互連線，通過通孔以及互連線與外部電極連接，通過控制施加在外部電極的電壓，控制施加在源區(qū)、漏區(qū)以及柵極上的電壓，可以使源區(qū)和漏區(qū)之間的溝道處于導(dǎo)通或截止，也就是說，可以使MOS晶體管處于關(guān)閉或斷開，從而利用MOS晶體管的組合可以實現(xiàn)一定的邏輯功能。
[0005]然而，通過MOS晶體管的組合實現(xiàn)一定的邏輯功能，存在以下缺點:1、MOS晶體管在截止?fàn)顟B(tài)下，存在漏電流，導(dǎo)致了邏輯門的功耗大；2、M0S晶體管的形成方法比較復(fù)雜。
[0006]2009年4月29日公開的
【發(fā)明者】張鐳, 許程凱, 唐德明 申請人:上海麗恒光微電子科技有限公司