基板處理裝置、沉積裝置、基板處理方法及沉積方法
【專利摘要】本發(fā)明為了實(shí)現(xiàn)在將掩膜安置于基板上而處理基板時(shí)能夠抑制因雜質(zhì)而在基板處理中發(fā)生不良的基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法以及沉積方法，提供一種具備在一側(cè)具有可投入基板的入口的腔體、沿上下延伸并在內(nèi)部具有吸嘴且能夠支撐掩膜的多個(gè)掩膜銷的基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法及沉積方法。
【專利說(shuō)明】基板處理裝置、沉積裝置、基板處理方法及沉積方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法及沉積方法，更具體地講，涉及一種將掩膜安置在基板上而處理基板時(shí)抑制因雜質(zhì)而在基板處理中發(fā)生不良的基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法以及沉積方法。

【背景技術(shù)】
[0002]通常，為了處理基板會(huì)經(jīng)過(guò)將基板和掩膜置于相互間事先設(shè)定的位置而整齊排列基板及/或掩膜的過(guò)程。為此，將基板安置在基座(SUSC印tor)上，將基板和掩膜對(duì)齊，并將掩膜置于基板上之后處理基板。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]技術(shù)問(wèn)題
[0004]但是，在以往的基板處理裝置中存在對(duì)基板進(jìn)行處理時(shí)，不必要的雜質(zhì)將存在于基板等上，從而不能正常實(shí)現(xiàn)對(duì)基板的處理的問(wèn)題。即，在基座安置有基板的狀態(tài)下將掩膜對(duì)齊于基板等的過(guò)程中，雜質(zhì)從掩膜等落到基板上而殘存于基板上，從而在處理基板時(shí)存在可能引起處理不良的問(wèn)題。
[0005]本發(fā)明是為了解決包括如上所述的問(wèn)題的諸多問(wèn)題而提出的，目的在于提供一種將掩膜安置在基板上處理基板時(shí)抑制因雜質(zhì)而在基板處理中發(fā)生不良的基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法以及沉積方法。然而這些問(wèn)題是示例性的，本發(fā)明的范圍不限于此。
[0006]技術(shù)方案
[0007]根據(jù)本發(fā)明的觀點(diǎn)，提供一種具備在一側(cè)具有可投入基板的入口的腔體、沿上下延伸并在內(nèi)部具有吸嘴且能夠支撐掩膜的多個(gè)掩膜銷的基板處理裝置。
[0008]還可具備通過(guò)移動(dòng)所述多個(gè)掩膜銷來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于通過(guò)所述入口投入的基板的位置的平臺(tái)。此時(shí)，所述平臺(tái)移動(dòng)所述多個(gè)掩膜銷時(shí)，可通過(guò)所述吸嘴進(jìn)行吸入抽吸?；蛘?，所述多個(gè)掩膜銷通過(guò)向上運(yùn)動(dòng)支撐掩膜時(shí)，可通過(guò)所述吸嘴進(jìn)行抽吸。
[0009]所述多個(gè)掩膜銷能夠進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，并可通過(guò)向下運(yùn)動(dòng)將掩膜安置在通過(guò)所述入口投入的基板上。
[0010]所述多個(gè)掩膜銷可分別具備位于上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球(ball)。
[0011]還可具備連接于所述腔體的主配管、連接于所述主配管而能夠?qū)⑺銮惑w內(nèi)的氣體向外部抽出的泵部、從所述主配管分支而連接到所述吸嘴以通過(guò)所述泵部向外部抽出所述吸嘴內(nèi)的氣體的吸入配管。
[0012]此時(shí)，還可以具備安裝在所述吸入配管的節(jié)流閥和開(kāi)關(guān)閥?；蛘撸€可以具備安裝在所述主配管的所述主配管和所述吸入配管的分支點(diǎn)與所述腔體之間的部分的閘門閥。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種沉積裝置，具備:如上所述的基板處理裝置中至少任何一個(gè)和能夠釋放用于沉積在基板上的物質(zhì)的沉積源。
[0014]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種基板處理方法，包括如下步驟:利用在內(nèi)部具有吸嘴的多個(gè)掩膜銷來(lái)支撐掩膜；在基座上安置基板；通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)通過(guò)用于調(diào)整多個(gè)掩膜銷的位置的平臺(tái)來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于基板的位置；使多個(gè)掩膜銷下降而將掩膜安置到安置在基座上的基板上。
[0015]所述支撐掩膜的步驟可以是將位于多個(gè)掩膜銷的各自的上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球接觸到掩膜以支撐掩膜的步驟。
[0016]還包括如下步驟:通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)使掩膜銷上升，以使掩膜從安裝在基座上的基板分離。
[0017]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)觀點(diǎn)，提供一種沉積方法，包括如下步驟:利用在內(nèi)部具有吸嘴的多個(gè)掩膜銷來(lái)支撐掩膜；在基座上安置基板；通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)通過(guò)用于調(diào)整多個(gè)掩膜銷的位置的平臺(tái)來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于基板的位置；使多個(gè)掩膜銷下降而將掩膜安置到安置在基座上的基板上；通過(guò)掩膜的開(kāi)口將物質(zhì)沉積到基板上。
[0018]所述支撐掩膜的步驟可以是將位于多個(gè)掩膜銷的各自的上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球接觸到掩膜以支撐掩膜的步驟。
[0019]還包括如下步驟:通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)使多個(gè)掩膜銷上升而將掩膜從安裝在基座上的基板分離。
[0020]有益效果
[0021]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可實(shí)現(xiàn)將掩膜安置在基板上而處理基板時(shí)能夠抑制因雜質(zhì)而在基板處理中發(fā)生不良的基板處理裝置、具備該裝置的沉積裝置、基板處理方法及沉積方法。當(dāng)然，本發(fā)明的范圍不限定在這些效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為概略示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置的一部分配置在軌道上的情形的立體圖；
[0023]圖2為沿著圖1的I1-1I線得到的剖面圖；
[0024]圖3及圖4為概略示出圖2的基板處理裝置的動(dòng)作的剖面圖；
[0025]圖5為概略示出圖2的基板處理裝置的一部分(即，掩膜銷)的剖面圖；
[0026]圖6為概略示出根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的基板處理裝置的概念圖。
[0027]符號(hào)說(shuō)明:
[0028]1:腔體 2:主配管
[0029]3:泵部 4:吸入配管
[0030]5:吸入模塊6:開(kāi)關(guān)閥
[0031]7:節(jié)流閥 8:閘門閥
[0032]9:其他閥 100:基座
[0033]210:基板銷220:掩膜銷
[0034]222:吸嘴 224:球
[0035]226:軸承 228:吸入管
[0036]300:平臺(tái) 400:掩膜
[0037]500:基板

【具體實(shí)施方式】
[0038]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行如下詳細(xì)說(shuō)明。然而，本發(fā)明不局限于以下所公開(kāi)的實(shí)施例，而是可以以互不相同的多樣的形來(lái)體現(xiàn)，提供以下實(shí)施例的目的在于使得本發(fā)明的公開(kāi)變得徹底和完整，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。此外，為了便于說(shuō)明，可能會(huì)夸大或縮小附圖的構(gòu)成要素。例如，為了便于說(shuō)明，任意地示出了附圖中出現(xiàn)的各個(gè)構(gòu)成的大小及厚度，因此本發(fā)明必定不限于圖示情形。
[0039]以下實(shí)施例中，X軸、y軸及z軸不限于直角坐標(biāo)系上的三個(gè)軸，其可以解釋為更廣的含義。例如，X軸、y軸及Z軸既可以相互垂直相交，又可指相互不垂直相交的互不相同的方向。
[0040]此外，當(dāng)記載為層、膜、區(qū)域、板等的各種構(gòu)成要素位于另一構(gòu)成要素“上”時(shí)，這不僅包括位于另一構(gòu)成要素的“緊上方”的情況，而且還包括有其他構(gòu)成要素介于其間的情況。
[0041]圖1為概略示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板裝置的一部分配置在軌道上的情形的立體圖，圖2為沿著圖1的I1-1I線得到的剖面圖。
[0042]根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置具備:在一側(cè)具有可投入基板的入口的腔體(未示出)和多個(gè)掩膜銷220。當(dāng)然，如圖所示，根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置除此之外還具備:基座100、多個(gè)基板銷210及平臺(tái)300。為方便起見(jiàn)，圖1未示出多個(gè)基板銷210或多個(gè)掩膜銷 220。
[0043]基座100可在至少一對(duì)軌道上移動(dòng)。圖中所示的是基座100可以向+y方向或-y方向移動(dòng)。當(dāng)然，雖然圖中示出基座100在一對(duì)軌道上移動(dòng)，但本發(fā)明不限于此。并且，基座100移動(dòng)的位置可具有多種變形，例如可以是如圖所示的軌道，也可以是具有如滾輪和可基于滾輪移動(dòng)的傳送帶一樣的構(gòu)造的裝置等。
[0044]基座100具有可安置平板形狀的基板500的安置面110。當(dāng)然，基座100除安置面110外還可以具有突出面120以及內(nèi)側(cè)面130?；?00安置在安置面110時(shí)，可根據(jù)需要使基板500的上面不向外部，即突出面120的上部突出。
[0045]平板形狀的基板500可安置在安置面110。這里，所謂基板500是指將被沉積物質(zhì)沉積的對(duì)象物，可以是玻璃材料、陶瓷材料、塑性材料或金屬材料。
[0046]在安置面110安置基板500之后,掩膜400可安置在基板500上。在這種情況下，安置面110可具有基板安置面IlOa和圍繞基板安置面IlOa的掩膜安置面110b?；灏仓妹鍵lOa是可安置基板500的地方，掩膜安置面IlOb是可安置掩膜400的至少一部分的地方。
[0047]掩膜400可包括:具有開(kāi)口部的框架410和，與框架410結(jié)合而遮蓋框架410的開(kāi)口部并具有一個(gè)或多個(gè)圖案化的開(kāi)口的薄片420。即，掩膜400是指框架410和薄片420的結(jié)合體。薄片420相比于框架410可具有相對(duì)很薄的厚度。
[0048]掩膜安置面IlOb可具有比基板安置面IlOa更向下方(-Z方向)凹陷的形狀，SP，以基板安置面IlOa為基準(zhǔn)時(shí)，可具有向后述的多個(gè)基板銷210的向下運(yùn)動(dòng)方向(-Z方向)凹陷的形狀。由此，框架410比基板500厚的掩膜400的至少一部分(如圖4所示)可安置在掩膜安置面110b。結(jié)果，可使比掩膜400的框架410的厚度薄的基板500與掩膜400的薄片420緊貼地配置。
[0049]突出面120在安置面110的周圍比安置面110更向第I方向(+z方向)突出。即，突出面120圍繞安置面110，并向后述的多個(gè)基板銷210的向上運(yùn)動(dòng)方向(+z方向)突出。當(dāng)然，這可以理解為在基座100形成凹槽(recess)并且該凹槽的底面是安置面110。內(nèi)側(cè)面130連接安置面110和突出面120。
[0050]多個(gè)基板銷210具有沿上下(z軸方向)延伸的形狀，并且可沿著與安置面110交叉的方向(z軸方向)上下運(yùn)動(dòng)，在向上運(yùn)動(dòng)的狀態(tài)下將基板500安置在多個(gè)基板銷210上之后，可通過(guò)向下運(yùn)動(dòng)將基板500安置在安置面110。多個(gè)掩膜銷220也具有沿上下(z軸方向)延伸的形狀，并且可沿著與安置面110交叉的方向(z軸方向)上下運(yùn)動(dòng)，通過(guò)向下運(yùn)動(dòng)可將掩膜400安置在安置面110或安置在安置面110上的基板500上。
[0051]基板銷210及掩膜銷220可通過(guò)在基座100形成的孔，例如基板銷210在向上運(yùn)動(dòng)時(shí)可通過(guò)在基座100的基板安置面IlOa形成的基板孔110a’向基板安置面IlOa上部移動(dòng)，掩膜銷220可通過(guò)在基座100的掩膜安置面IlOb形成的掩膜孔110b’向掩膜安置面IlOb上部移動(dòng)。
[0052]平臺(tái)300結(jié)合在多個(gè)基板銷210及多個(gè)掩膜銷220。當(dāng)然，不同于圖中所示，可以使多個(gè)基板銷210不與平臺(tái)300連接，而僅使多個(gè)掩膜銷220連接于平臺(tái)300。
[0053]如果平臺(tái)300發(fā)生移動(dòng)，則根據(jù)該移動(dòng)，多個(gè)基板銷210及/或多個(gè)掩膜銷220的位置將得到調(diào)整。如果平臺(tái)300在與安置面110平行的平面(xy平面)內(nèi)移動(dòng)，則多個(gè)基板銷210及/或多個(gè)掩膜銷220在與安置面110平行的平面(xy平面)內(nèi)的位置可得到調(diào)整。
[0054]如果多個(gè)基板銷210的位置因平臺(tái)300發(fā)生移動(dòng)而得到調(diào)整，則最終配置于多個(gè)基板銷210上的基板500的相對(duì)于安置面110的相對(duì)位置將得到調(diào)整。同樣地，如果多個(gè)掩膜銷220的位置因平臺(tái)300發(fā)生移動(dòng)而得到調(diào)整，則配置在多個(gè)掩膜銷220上的掩膜400的相對(duì)于安置面110的相對(duì)位置將得到調(diào)整。
[0055]如圖所示，當(dāng)平臺(tái)300在多個(gè)基板銷210及多個(gè)掩膜銷220都結(jié)合時(shí)，如果多個(gè)基板銷210的位置因平臺(tái)300發(fā)生移動(dòng)而得到調(diào)整，則多個(gè)掩膜銷220的位置也同樣地會(huì)得到調(diào)整。因此為了個(gè)別地調(diào)整配置在多個(gè)基板銷210上的基板500和配置在多個(gè)掩膜銷220上的掩膜400的位置，如后所述調(diào)整基板500的位置并將基板500安置到安置面110上之后調(diào)整掩膜400的位置那樣，需要依次整齊排列。當(dāng)然，如果平臺(tái)300僅結(jié)合于多個(gè)掩膜220且多個(gè)基板銷210在xy平面的位置不能被調(diào)整，則將基板500安置在安置面110上之后只調(diào)整掩膜400的位置。
[0056]雖然未在圖中示出，包括諸如CXD或CMOS等拍攝元件的測(cè)定單元(未示出)也可以具備在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置。這種測(cè)定單元可通過(guò)確認(rèn)形成于基板500的基板標(biāo)記及/或在掩膜400形成的掩膜標(biāo)記來(lái)確定基板500及/或掩膜400的位置。
[0057]以下，參照附圖詳細(xì)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理裝置的動(dòng)作。圖3及圖4為概略示出圖2的基板處理裝置的動(dòng)作的剖面圖。
[0058]首先，如圖2所示，將基板500配置在多個(gè)基板銷210上，并將掩膜400配置在多個(gè)掩膜銷220上。當(dāng)然，掩膜400不是每次處理每一個(gè)基板500時(shí)都會(huì)更換，而是在處理多個(gè)基板500時(shí)可以反復(fù)被使用。因此，將基板500配置在多個(gè)基板銷210上之前，可以處于掩膜400配置在多個(gè)掩膜銷220的狀態(tài)。
[0059]在通過(guò)具有末端執(zhí)行器(end effector)的移送機(jī)械手來(lái)供應(yīng)基板500而在多個(gè)基板銷210上配置基板500的狀態(tài)下，可通過(guò)預(yù)調(diào)整器(未示出)改變基板500的位置。各個(gè)預(yù)調(diào)整器可具有例如向一側(cè)延伸并能夠以轉(zhuǎn)動(dòng)軸為中心轉(zhuǎn)動(dòng)的棒和位于棒的末端而能夠與基板500接觸的接觸部。當(dāng)多個(gè)基板稍210上配置有基板500時(shí)，這種預(yù)調(diào)整器分別位于基板500的對(duì)角方向上，從而如果以轉(zhuǎn)動(dòng)軸為中心轉(zhuǎn)動(dòng)，則接觸部與基板500的邊角處接觸而使基板500的相對(duì)于基座100的位置關(guān)系成為事先設(shè)定的位置關(guān)系。當(dāng)然，之后可從基板500的拐角處分離。
[0060]當(dāng)由基板移送機(jī)械手等供應(yīng)基板500而將該基板500配置到多個(gè)基板稍210時(shí)，這種預(yù)調(diào)整器機(jī)械地大致調(diào)整基板500的相對(duì)于基座100的位置關(guān)系，使得基板500位于事先大致設(shè)定的位置。
[0061]之后，通過(guò)基板稍驅(qū)動(dòng)部210’使多個(gè)基板稍210進(jìn)行向下運(yùn)動(dòng)，從而如圖3所示將基板500安置在基座100的安置面110上。當(dāng)然，根據(jù)需要在此之前，通過(guò)移動(dòng)平臺(tái)300來(lái)調(diào)整多個(gè)基板稍210的位置，從而也可以微細(xì)調(diào)整配置在多個(gè)基板稍210的基板500的位置。
[0062]將基板500安置在基座100的安置面110上之后，通過(guò)移動(dòng)平臺(tái)300來(lái)調(diào)整多個(gè)掩膜稍220的位置,使得配置在多個(gè)掩膜稍220的掩膜400位于相對(duì)于基板500事先設(shè)定的位置。為此，也可以通過(guò)測(cè)定單元(未示出)確認(rèn)掩膜400上的掩膜標(biāo)記的相對(duì)于基板500上的基板標(biāo)記的相對(duì)位置，同時(shí)通過(guò)平臺(tái)300調(diào)整掩膜400的位置。
[0063]在整齊排列掩膜400之后，通過(guò)掩膜銷驅(qū)動(dòng)部220’使多個(gè)掩膜銷220向下運(yùn)動(dòng)，從而如圖4所示使掩膜400緊貼于基板500。
[0064]對(duì)于如上的根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置而言，可有效地防止或抑制在整齊排列掩膜400的過(guò)程中雜質(zhì)從掩膜400脫離而位于基板500上。例如，通過(guò)移動(dòng)平臺(tái)300來(lái)調(diào)整多個(gè)掩膜銷220的位置時(shí)，由于多個(gè)掩膜銷220和掩膜400之間的接觸或由接觸引起的掩膜400的摩擦等而產(chǎn)生顆粒。此時(shí)，這些顆?？赡鼙话仓迷谖挥谙虏康幕?00上，這在處理基板500時(shí)會(huì)引起不良。
[0065]然而，對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置而言，可以預(yù)先防止或抑制這些不良的發(fā)生。為此，根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置的多個(gè)掩膜銷220的每一個(gè)如圖5所示在內(nèi)部具有的吸嘴嘴222。在多個(gè)掩膜銷220的每一個(gè)的掩膜400方向的前端部附近產(chǎn)生顆粒等雜質(zhì)時(shí)，可通過(guò)這些吸嘴222使相關(guān)雜質(zhì)移動(dòng)到吸嘴222內(nèi)。由此，可有效地防止雜質(zhì)向基板500上移動(dòng)。
[0066]如前所述，特別是在整齊排列掩膜400的過(guò)程中可導(dǎo)致雜質(zhì)從掩膜400脫離而位于基板500上。因此，平臺(tái)300移動(dòng)多個(gè)掩膜銷220時(shí)，可通過(guò)吸嘴222進(jìn)行抽吸。
[0067]此外，如圖5所示，多個(gè)掩膜銷220分別可具備位于(+z方向)上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球(ball，224)。當(dāng)然，為了能夠使這種球224順利地旋轉(zhuǎn)，與球224接觸的軸承226可位于多個(gè)掩膜銷220各自的(+z方向)上部的前端部。
[0068]如圖4所示，在掩膜400和基板500緊貼的狀態(tài)下沉積等基板處理得以完成時(shí)，多個(gè)掩膜銷220向+z方向向上運(yùn)動(dòng),從而如圖3所示，使掩膜400向+z方向移動(dòng)而從基板500脫離。在此過(guò)程中，多個(gè)掩膜銷220的+z方向前端部與掩膜400接觸時(shí)，為了將多個(gè)掩膜銷220接觸到掩膜400的預(yù)定部分，在掩膜400的框架410的(_z方向)下面形成圓錐形狀的凹槽412，并且使多個(gè)掩膜銷220的前端部能夠接觸到其凹槽412。由此，多個(gè)掩膜銷220的+z方向前端部與掩膜400接觸時(shí)，可使多個(gè)掩膜銷220接觸到掩膜400的預(yù)定部分。
[0069]此時(shí)，多個(gè)掩膜銷220的+z方向前端部接觸到掩膜400時(shí)，多個(gè)掩膜銷220的位置有可能與掩膜400的框架410的凹槽412的位置稍微錯(cuò)開(kāi)。然而，對(duì)于根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置的情況，由于多個(gè)掩膜銷220分別具有在(+z方向)上部的上端部可旋轉(zhuǎn)的球(ball, 224)，因此多個(gè)掩膜銷220的+z方向前端部接觸到掩膜400時(shí)，通過(guò)這種球224的旋轉(zhuǎn)等運(yùn)動(dòng)可自然地將多個(gè)掩膜銷220置于掩膜400的框架410的凹槽412內(nèi)。當(dāng)然，在這種接觸過(guò)程中及/或多個(gè)掩膜銷220通過(guò)向上運(yùn)動(dòng)而支撐掩膜400時(shí)，使所產(chǎn)生的顆粒等雜質(zhì)移動(dòng)到多個(gè)掩膜銷220內(nèi)的吸嘴222，從而可有效地防止或抑制雜質(zhì)向基板500上移動(dòng)。
[0070]多個(gè)掩膜銷220各自的吸嘴222可連接到吸入管228。如作為概略示出根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的基板處理的概念圖的圖6所示，這種吸入管228可連接到設(shè)置在腔體I的吸入模塊5。該吸入模塊5可與連接于多個(gè)掩膜銷220的吸嘴222的吸入管228連接。
[0071]此外，為了調(diào)節(jié)腔體I內(nèi)部的氣壓或真空度，主配管2可連接到腔體I。在這種情況下，泵部3連接到主配管2而向外部抽出腔體I內(nèi)的氣體。此時(shí)，吸入配管4從主配管2分支出而通過(guò)吸入模塊5連接到多個(gè)掩膜銷220的吸嘴222。
[0072]對(duì)于諸如化學(xué)氣相沉積等實(shí)現(xiàn)沉積的基板處理裝置(B卩，沉積裝置)而言，為了將腔體I內(nèi)部變成高真空通常具備泵部3和主配管2。因此，為了通過(guò)多個(gè)掩膜銷220的吸嘴222實(shí)現(xiàn)抽吸而利用這種泵部3，從而既能利用現(xiàn)有的基板處理裝置的構(gòu)成，又能有效地實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)的清除。
[0073]當(dāng)然，通過(guò)在吸入配管4配置節(jié)流閥7和開(kāi)關(guān)閥6，控制通過(guò)掩膜銷220的吸嘴222進(jìn)行的抽吸的開(kāi)啟/關(guān)閉或控制進(jìn)行吸入動(dòng)作時(shí)的吸入的程度。當(dāng)然，也可以在主配管2配置閘門閥8或其他閥9，在這種情況下對(duì)于閘門閥8可安裝在主配管2和吸入配管4的分支點(diǎn)與腔體I之間的主配管2部分。
[0074]到目前為止說(shuō)明的基板處理裝置是例如沉積裝置的一部分。在這種情況下，沉積裝置可具備到目前為止說(shuō)明的基板處理裝置和可釋放沉積在基板500上的物質(zhì)的沉積源。
[0075]此外，雖然到現(xiàn)在只說(shuō)明了基板處理裝置或沉積裝置，但本發(fā)明不限于此。例如基板處理方法或沉積方法也屬于本發(fā)明的范圍。
[0076]對(duì)于根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的基板處理方法而言，在經(jīng)過(guò)利用內(nèi)部具備吸嘴222的多個(gè)掩膜銷220來(lái)支撐掩膜400的步驟之后，(利用多個(gè)基板銷210)經(jīng)過(guò)在基座100上安置基板500的步驟。之后，經(jīng)過(guò)通過(guò)多個(gè)掩膜銷220內(nèi)部的吸嘴222進(jìn)行吸入動(dòng)作的同時(shí)通過(guò)調(diào)整多個(gè)掩膜銷220的位置的平臺(tái)300來(lái)調(diào)整掩膜400的相對(duì)于基板500的位置的步驟。在這個(gè)過(guò)程中，可通過(guò)多個(gè)掩膜銷220內(nèi)部的吸嘴222來(lái)清除有可能產(chǎn)生的雜質(zhì)。之后，可經(jīng)過(guò)使多個(gè)掩膜銷220下降而將掩膜400安置到安置在基座100上的基板500上的步驟。
[0077]支撐所述掩膜400的步驟，可以是將位于多個(gè)掩膜銷220的各自的上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球224接觸到掩膜400的框架410而支撐掩膜400的步驟。此時(shí)，在掩膜400的框架410的接觸部可形成有圓錐形狀的凹槽412。
[0078]此外，使多個(gè)掩膜銷220上升而將掩膜400從安置在基座100上的基板500分離時(shí)，也可通過(guò)多個(gè)掩膜銷220內(nèi)部的吸嘴222進(jìn)行吸入動(dòng)作的同時(shí)進(jìn)行分離。這是為了通過(guò)吸嘴222清除當(dāng)多個(gè)掩膜銷220和掩膜400的框架410接觸時(shí)及/或掩膜400和基板500分離時(shí)可能產(chǎn)生的顆粒等雜質(zhì)。
[0079]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的沉積方法，在經(jīng)過(guò)將掩膜400安置到安置在基座100上的基板500上的步驟之后，經(jīng)過(guò)通過(guò)掩膜400的薄片420的開(kāi)口將物質(zhì)沉積到基板500上的步驟。
[0080]盡管參照附圖中示出的實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但這只是示例性的，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解由上述說(shuō)明可進(jìn)行多樣的變形和同等的其他實(shí)施例。因此，本發(fā)明真正的保護(hù)范圍應(yīng)由所附權(quán)利要求書(shū)的技術(shù)精神所限定。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理裝置，所述裝置具備: 在一側(cè)具有可投入基板的入口的腔體；及 沿上下延伸并在內(nèi)部具有吸嘴且能夠支撐掩膜的多個(gè)掩膜銷。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中，還具備:通過(guò)移動(dòng)所述多個(gè)掩膜銷來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于通過(guò)所述入口投入的基板的位置的平臺(tái)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中，所述平臺(tái)移動(dòng)所述多個(gè)掩膜銷時(shí)，通過(guò)所述吸嘴進(jìn)行抽吸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述多個(gè)掩膜銷通過(guò)向上運(yùn)動(dòng)支撐掩膜時(shí)，通過(guò)所述吸嘴進(jìn)行抽吸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述多個(gè)掩膜銷可進(jìn)行上下運(yùn)動(dòng)，并通過(guò)向下運(yùn)動(dòng)將掩膜安置在通過(guò)所述入口投入的基板上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，所述多個(gè)掩膜銷分別具備位于上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置，其中，還具備: 主配管，連接于所述腔體； 泵部，連接于所述主配管而能夠?qū)⑺銮惑w內(nèi)的氣體向外部抽出；及吸入配管，從所述主配管分支而連接到所述吸嘴，以通過(guò)所述泵部向外部抽出所述吸嘴內(nèi)的氣體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其中，還具備:安裝在所述吸入配管的節(jié)流閥和開(kāi)關(guān)閥。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其中，還具備:安裝在所述主配管的所述主配管和所述吸入配管的分支點(diǎn)與所述腔體之間的部分的閘門閥。
10.一種沉積裝置，所述裝置具備: 權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的基板處理裝置；及 能夠釋放用于沉積在基板上的物質(zhì)的沉積源。
11.一種基板處理方法，所述方法包括如下步驟: 利用在內(nèi)部具有吸嘴的多個(gè)掩膜銷來(lái)支撐掩膜； 在基座上安置基板； 通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴來(lái)進(jìn)行抽吸的同時(shí)通過(guò)用于調(diào)整多個(gè)掩膜銷的位置的平臺(tái)來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于基板的位置；及 使多個(gè)掩膜銷下降而將掩膜安置到安置在基座上的基板上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其中，所述支撐掩膜的步驟是將位于多個(gè)掩膜銷的各自的上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球接觸到掩膜以支撐掩膜的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的基板處理方法，其中，還包括如下步驟:通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)使掩膜銷上升，以使掩膜從安裝在基座上的基板分離。
14.一種沉積方法，所述方法包括如下步驟: 利用在內(nèi)部具有吸嘴的多個(gè)掩膜銷來(lái)支撐掩膜； 在基座上安置基板； 通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)通過(guò)用于調(diào)整多個(gè)掩膜銷的位置的平臺(tái)來(lái)調(diào)整掩膜的相對(duì)于基板的位置； 使多個(gè)掩膜銷下降而將掩膜安置到安置在基座上的基板上；及 通過(guò)掩膜的開(kāi)口將物質(zhì)沉積到基板上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的沉積方法，其中，所述支撐掩膜的步驟是將位于多個(gè)掩膜銷的各自的上部的前端部而可旋轉(zhuǎn)的球接觸到掩膜以支撐掩膜的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的沉積方法，其中，還包括如下步驟: 通過(guò)多個(gè)掩膜銷內(nèi)部的吸嘴進(jìn)行抽吸的同時(shí)使多個(gè)掩膜銷上升而將掩膜從安裝在基座上的基板分離。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104253067SQ201410047349
【公開(kāi)日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年2月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月26日
【發(fā)明者】金德鎬, 許明洙, 張喆旼, 李勇錫 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司