一種無引線封裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的soi絕壓敏感器件的制作方法
【專利摘要】一種無引線封裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，本發(fā)明涉及無引線封裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的壓力敏感器件。本發(fā)明要解決現(xiàn)有技術(shù)或者存在高溫和高壓使用硅油易泄露，金屬引線易斷裂，電極系統(tǒng)脫鍵失效，受熱應(yīng)力影響的問題。一種無引線封裝結(jié)構(gòu)：在固體絕緣材料表面燒結(jié)金屬化層，通過焊料與金屬管殼燒結(jié)成密封結(jié)構(gòu)。一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件：固體絕緣材料通過金屬化層和焊料固定在管座上，引線向下穿出管座方向的固體絕緣材料外表面處設(shè)置有密封環(huán)，向上穿出管座方向的固體絕緣材料外表面處設(shè)置有多層復(fù)合材料、玻璃-金屬復(fù)合材料和硼硅玻璃基座，引線頂端設(shè)置有金屬電極，金屬電極另一端為芯片。
【專利說明】一種無引線封裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及無引線封裝結(jié)構(gòu)，本發(fā)明還涉及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的壓力敏感器件。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的SOI絕壓敏感器件主要有兩種封裝方式，一種是采用SOI硅敏感芯片正面作為感壓面，對其內(nèi)外腔形成的高、低壓力信號敏感，輸出與壓力差成比例的應(yīng)變，形成正、負(fù)兩個(gè)應(yīng)變區(qū)；同時(shí)材料由于壓阻效應(yīng)，其電阻率就要發(fā)生相應(yīng)的變化，敏感芯片就會輸出一個(gè)與被測壓力成正比的電壓信號，通過測量該電壓信號的大小，即可實(shí)現(xiàn)壓力的測量；這種封裝方式需要引線(金絲、硅鋁絲)將SOI硅敏感芯片正面的電極與支撐結(jié)構(gòu)(管殼)電極通過超聲波壓焊等方法形成電氣連接，同時(shí)需要(硅油)與被測介質(zhì)隔離，以保證絕緣性能及避免電極腐蝕、氧化。這種方式的內(nèi)部參考腔通過SOI硅敏感芯片背面的單晶硅與7740玻璃靜電封裝形成；通過粘接、燒結(jié)等方式與管座實(shí)現(xiàn)支撐結(jié)構(gòu)。這種玻封外殼充油型壓力敏感器件在高壓、高溫下硅油易泄露、金屬引線強(qiáng)振動(dòng)條件下易斷裂和高溫使用存在Au-Al電極系統(tǒng)脫鍵失效等問題。
[0003]一種是采用SOI硅敏感芯片背面作為感壓面，工作原理與前述相同；芯片背面感壓形式，一方面芯片背面可以直接接觸被測介質(zhì)，不需要其他的隔離封裝，提高了傳感器的動(dòng)態(tài)指標(biāo)；另一方面避免芯片圖形接觸被測介質(zhì)，造成污染，同時(shí)滿足耐高溫的要求；采用芯片正面與玻璃基座靜電封接，并在玻璃基座上利用微加工的方法制作外引線封裝孔和參考壓力腔結(jié)構(gòu)；敏感芯片的玻璃基座與玻璃封裝的管殼燒接在一起，同時(shí)玻璃封裝管殼上的外引線與芯片的電極也用金屬玻璃漿料燒結(jié)在一起，形成敏感元件。這種壓力敏感器件在工作溫度范圍、抗過載能力、抗振動(dòng)沖擊能力等技術(shù)上具有優(yōu)勢，解決了前一種封裝方式的缺點(diǎn)，但是SOI芯片對作用在薄膜上的外力非常敏感。器件主要受熱機(jī)械應(yīng)力的影響，由芯片粘合結(jié)構(gòu)中的材料(SiO2)、襯底材料與粘合材料的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配而引起，熱應(yīng)力可能會導(dǎo)致器件在熱環(huán)境下做出異常的反應(yīng)，在極端情況下，還會對芯片粘合結(jié)構(gòu)造成永久的機(jī)械損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種無引線封裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件；以解決現(xiàn)有技術(shù)或者存在高溫和高壓使用硅油易泄露，金屬引線強(qiáng)振動(dòng)條件下易斷裂，電極系統(tǒng)脫鍵失效，或者存在絕壓敏感器件受熱應(yīng)力影響的問題。
[0005]一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，采用固體絕緣材料，在固體絕緣材料表面高溫?zé)Y(jié)金屬化層，并通過鎳或Ag-Cu焊料作為過渡材料與金屬管殼燒結(jié)形成密封結(jié)構(gòu)。
[0006]一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，它包括引線、金屬化層、密封環(huán)、焊料、固體絕緣材料、過渡層、管座、多層復(fù)合材料、玻璃-金屬復(fù)合材料、硼硅玻璃基座、金屬電極和芯片，固體絕緣材料固定在管座上，固體絕緣材料與管座的連接面設(shè)置有金屬化層，固體絕緣材料與金屬化層通過高溫?zé)Y(jié)成一體，金屬化層與管座之間通過焊料的燒結(jié)作用形成過渡層，引線貫穿固體絕緣材料，引線向下穿出管座方向的固體絕緣材料外表面處設(shè)置有密封環(huán)，密封環(huán)與固體絕緣材料之間通過焊料燒結(jié)成一體，引線與密封環(huán)的內(nèi)孔表面通過焊料燒結(jié)成一體，引線向上穿出管座方向的固體絕緣材料外表面處設(shè)置有多層復(fù)合材料、玻璃-金屬復(fù)合材料和硼硅玻璃基座，向上穿出管座方向的引線頂端設(shè)置有金屬電極，金屬電極的下表面與引線通過玻璃-金屬復(fù)合材料燒結(jié)成一體，金屬電極的上表面與芯片的下表面相貼合，玻璃-金屬復(fù)合材料的外表面設(shè)置硼娃玻璃基座，硼娃玻璃基座外表面設(shè)置多層復(fù)合材料，芯片的下表面與硼娃玻璃基座靜電封接，硼娃玻璃基座的四個(gè)外側(cè)立面與多層復(fù)合材料的四個(gè)內(nèi)側(cè)立面燒結(jié)成一體，多層復(fù)合材料的底面與固體絕緣材料的上表面燒結(jié)成一體。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:1、與采用SOI硅敏感芯片背面作為感壓面、玻璃管座封裝的敏感器件相比，無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件通過陶瓷高溫?zé)Y(jié)鎢層及鎳、Ag-Cu焊料作為過渡材料實(shí)現(xiàn)了與不同特性金屬管殼的密封結(jié)構(gòu)燒結(jié)，在硼硅玻璃與管座燒結(jié)的陶瓷之間采取了多層玻璃型材，使得各個(gè)過渡界面間的熱膨脹系數(shù)差小于(δΧΚΚ-1)，使應(yīng)力分布更加合理，提高了產(chǎn)品的抗高溫能力，并且極大地改善了整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，使產(chǎn)品得以在較惡劣的環(huán)境條件下工作；2、管座上燒結(jié)的陶瓷介電常數(shù)較小(一般ε <10)，有非常優(yōu)良的高頻特性而且具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，適合高頻設(shè)計(jì)，在航空、航天、雷達(dá)、無線通訊、光電子、MEMS等應(yīng)用領(lǐng)域具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢，提高了壓力敏感器件在高溫條件下的電絕緣、密封性和耐壓性能，封裝材料的匹配性和結(jié)構(gòu)的工藝合理性減小了殘余應(yīng)力的水平，最終提高了敏感器件的性和可靠性。3、無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件具有體積小、重量輕、抗過載能力強(qiáng)、耐高溫、抗振動(dòng)、精度高、抗惡劣環(huán)境等特點(diǎn)，具有較高的穩(wěn)定性和可靠性，并且具有易于裝配，可批量生產(chǎn)。
[0008]本發(fā)明用于一種無引線封 裝結(jié)構(gòu)及采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1是本發(fā)明一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件的結(jié)構(gòu)示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0010]本發(fā)明技術(shù)方案不局限于以下所列舉的【具體實(shí)施方式】，還包括各【具體實(shí)施方式】之間的任意組合。
[0011]【具體實(shí)施方式】一:一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它采用固體絕緣材料，在固體絕緣材料表面高溫?zé)Y(jié)金屬化層，并通過鎳或Ag-Cu焊料作為過渡材料與金屬管殼燒結(jié)形成密封結(jié)構(gòu)。
[0012]【具體實(shí)施方式】二:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一不同的是:所述的固體絕緣材料為Al203、SiC、Be0、Ti02、Zr02、Mg0、AlN、Si3N4或BN及其上述所有材料的混合物。其它與【具體實(shí)施方式】一相同。
[0013]【具體實(shí)施方式】三:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一或二之一不同的是:所述的金屬化層的材料包括鎢或鑰及其上述所有材料的混合物。其它與【具體實(shí)施方式】一或二相同。[0014]【具體實(shí)施方式】四:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】一至三之一不同的是:選用Ag-Cu作為焊料時(shí)，燒結(jié)溫度為790°C。其它與【具體實(shí)施方式】一至三相同。
[0015]【具體實(shí)施方式】五:下面結(jié)合圖1具體說明本實(shí)施方式。本實(shí)施方式的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，它包括引線1、金屬化層2、密封環(huán)3、焊料4、固體絕緣材料5、過渡層6、管座7、多層復(fù)合材料8、玻璃-金屬復(fù)合材料9、硼硅玻璃基座10、金屬電極11和芯片12，固體絕緣材料5固定在管座7上，固體絕緣材料5與管座7的連接面設(shè)置有金屬化層2，固體絕緣材料5與金屬化層2通過高溫?zé)Y(jié)成一體，金屬化層2與管座7之間通過焊料4的燒結(jié)作用形成過渡層6，引線I貫穿固體絕緣材料5，引線I向下穿出管座7方向的固體絕緣材料5外表面處設(shè)置有密封環(huán)3，密封環(huán)3與固體絕緣材料5之間通過焊料4燒結(jié)成一體，引線I與密封環(huán)3的內(nèi)孔表面通過焊料4燒結(jié)成一體，引線I向上穿出管座7方向的固體絕緣材料5外表面處設(shè)置有多層復(fù)合材料8、玻璃-金屬復(fù)合材料9和硼娃玻璃基座10,向上穿出管座7方向的引線I頂端設(shè)置有金屬電極11，金屬電極11的下表面與引線I通過玻璃-金屬復(fù)合材料9燒結(jié)成一體,金屬電極11的上表面與芯片12的下表面相貼合，玻璃-金屬復(fù)合材料9的外表面設(shè)置硼硅玻璃基座10，硼硅玻璃基座10外表面設(shè)置多層復(fù)合材料8，芯片12的下表面與硼硅玻璃基座10靜電封接，硼硅玻璃基座10的四個(gè)外側(cè)立面與多層復(fù)合材料8的四個(gè)內(nèi)側(cè)立面燒結(jié)成一體，多層復(fù)合材料8的底面與固體絕緣材料5的上表面燒結(jié)成一體。
[0016]本實(shí)施方式采用硅壓阻效應(yīng)原理，在SOI芯片12上制作力敏電阻并形成惠斯通電橋，芯片12背面腐蝕并形成應(yīng)力敏感薄膜；芯片12正面與硼硅玻璃基座10通過靜電封接形成參考壓力腔及應(yīng)力隔離結(jié)構(gòu)，并將硅片上的復(fù)合耐高溫電極層通過玻璃基座上的預(yù)制通孔顯現(xiàn);芯片12與硼硅玻璃基座10通過靜電封接實(shí)現(xiàn)密封結(jié)構(gòu)，再通過多層復(fù)合材料8與固體絕緣材料5燒結(jié)，形成固態(tài)密封結(jié)構(gòu)，提高了敏感器件的固有頻率和穩(wěn)定性；金屬電極11與引線I通過玻璃-金屬復(fù)合材料9燒結(jié)成一體形成電氣互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)芯片12的金屬電極11與引線I的連接，從而芯片12信號與外界的電氣連接、芯片12結(jié)構(gòu)與耐高壓、高溫氣密封裝管殼的剛性連接，從而形成敏感器件；敏感器件通過電子束、氬弧焊等焊接方法與金屬安裝結(jié)構(gòu)和電纜連接，封裝成無內(nèi)引線的壓力傳感器。它具有體積小、重量輕、抗過載能力強(qiáng)、耐高溫、抗振動(dòng)、可靠性高、精度高、抗惡劣環(huán)境等特點(diǎn)。
[0017]【具體實(shí)施方式】六:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五不同的是:所述的固體絕緣材料5為A1203、SiC、BeO、TiO2, ZrO2, MgO, AIN、Si3N4或BN及其上述所有材料的混合物。其它與【具體實(shí)施方式】五相同。
[0018]本實(shí)施方式管座7上燒結(jié)的固體絕緣材料5為陶瓷時(shí)介電常數(shù)較小(一般ε ( 10)，有非常優(yōu)良的高頻特性而且具有優(yōu)良的熱傳導(dǎo)性，適合高頻設(shè)計(jì)，在航空、航天、雷達(dá)、無線通訊、光電子、MEMS等應(yīng)用領(lǐng)域具有獨(dú)特的技術(shù)優(yōu)勢。
[0019]硼硅玻璃基座10與管座7上燒結(jié)的固體絕緣材料5陶瓷的熱膨脹系數(shù)(7.0 X KT6IT1)相差較大，為了避免溫度變化引起的熱應(yīng)力，在硼硅玻璃基座10與管座7燒結(jié)的固體絕緣材料陶瓷5之間采取了多層復(fù)合材料8，使得各個(gè)過渡界面間的熱膨脹系數(shù)差小于(5Χ KT7IT1)，使應(yīng)力分布更加合理，提高了產(chǎn)品的抗高溫能力，并且極大地改善了整體結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，使產(chǎn)品得以在較惡劣的環(huán)境條件下工作。
[0020]【具體實(shí)施方式】七:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五或六之一不同的是:所述的管座7的材質(zhì)為可伐、不銹鋼、鉭或Inconel625合金。其它與【具體實(shí)施方式】五或六相同。
[0021]【具體實(shí)施方式】八:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至七之一不同的是:所述的金屬化層2的材料包括鎢或鑰及其上述所有材料的混合物。其它與【具體實(shí)施方式】五至七相同。
[0022]本實(shí)施方式為了實(shí)現(xiàn)與管座7的密封連接，需要在高溫下燒結(jié)金屬化層2鎢層形成過渡層6。
[0023]【具體實(shí)施方式】九:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至八之一不同的是:所述的焊料4為鎳或Ag-Cu。其它與【具體實(shí)施方式】五至八相同。
[0024]本實(shí)施方式并通過鎳、Ag-Cu焊料4作為過渡材料與不同特性的金屬管座7燒結(jié)成密封結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)對敏感芯片的支撐、保護(hù)、電氣互聯(lián)功能。
[0025]【具體實(shí)施方式】十:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至九之一不同的是:所述的芯片12為SOI芯片，SOI芯片中心為硅敏感膜；所述的金屬電極11為Pt5Si2-T1-Pt-Au四層金屬結(jié)構(gòu)導(dǎo)電系統(tǒng)。其它與【具體實(shí)施方式】五至九相同。
[0026]本實(shí)施方式芯片12中心的硅敏感膜作為應(yīng)力敏感部件，在受到外部壓力時(shí)會產(chǎn)生位移，并通過在內(nèi)部形成的惠斯通電橋，利用壓阻效應(yīng)將壓力信號轉(zhuǎn)化為電信號，通過芯片12內(nèi)部電極、納米銀基低溫玻璃燒結(jié)材料、陶瓷封裝管座電極輸出到后端系統(tǒng)；芯片12的硅敏感膜與硼硅玻璃基座10通過靜電封接形成密封結(jié)構(gòu)，硼硅玻璃基座10中心部位加工出凹槽，在真空環(huán)境下與SOI芯片的硅敏感膜形成參考壓力腔；硼硅玻璃基座10(Pyrex7740)的熱膨脹系數(shù)(2.85X KT6IT1)與硅(2.62X KT6IT1)相近，溫度變化引起的熱應(yīng)力小，硼硅玻璃基座10與芯片12的硅敏感膜的封接是最理想的。
[0027]【具體實(shí)施方式】^:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至十之一不同的是:所述的玻璃-金屬復(fù)合材料9為圓錐形結(jié)構(gòu)的納米貴金屬基低溫玻璃燒結(jié)材料，燒結(jié)溫度為420 V~6500C ;所述的玻璃為硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽、硼硅酸鋅、鈉鈣玻璃、硅酸鉛或硼酸鉛鋅；所述的金屬為金、銀、鈀或鉬。其它與【具體實(shí)施方式】五至十相同。
[0028]【具體實(shí)施方式】十二:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至十一之一不同的是:固體絕緣材料5與金屬化層2在真空環(huán)境下高溫?zé)Y(jié)；引線1、密封環(huán)3、管座7在連接處電鍍鎳層；引線1、密封環(huán)3、管座7與固體絕緣材料通過焊料4在保護(hù)氣氛下燒結(jié)；硼硅玻璃基座10的四個(gè)外側(cè)立面與多層復(fù)合材料8的四個(gè)內(nèi)側(cè)立面在低溫下燒結(jié)成一體，多層復(fù)合材料8的底面與固體絕緣材料5的上表面在低溫下燒結(jié)成一體；金屬電極11的下表面與引線I通過玻璃-金屬復(fù)合材料9在低溫下燒結(jié)成一體。其它與【具體實(shí)施方式】五至^ 相同。
[0029]【具體實(shí)施方式】十三:本實(shí)施方式與【具體實(shí)施方式】五至十二之一不同的是:引線1、密封環(huán)3的材料為可伐合金，其型號為4J29。其它與【具體實(shí)施方式】五至十二相同。
【權(quán)利要求】
1.一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于它采用固體絕緣材料，在固體絕緣材料表面高溫?zé)Y(jié)金屬化層，并通過鎳或Ag-Cu焊料作為過渡材料與金屬管殼燒結(jié)形成密封結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的固體絕緣材料為A1203、SiC、BeO、TiO2, ZrO2, MgO, AIN、Si3N4 或 BN 及其上述所有材料的混合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的金屬化層的材料包括鎢或鑰及其上述所有材料的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種無引線封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于選用Ag-Cu作為焊料時(shí)，燒結(jié)溫度為790°C。
5.一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于它包括引線(I)、金屬化層(2)、密封環(huán)(3)、焊料(4)、固體絕緣材料(5)、過渡層(6)、管座(7)、多層復(fù)合材料(8)、玻璃-金屬復(fù)合材料(9)、硼硅玻璃基座(10)、金屬電極(11)和芯片(12)，固體絕緣材料(5)固定在管座(7)上，固體絕緣材料(5)與管座(7)的連接面設(shè)置有金屬化層(2)，固體絕緣材料(5)與金屬化層(2)通過高溫?zé)Y(jié)成一體，金屬化層(2)與管座(7)之間通過焊料(4)的燒結(jié)作用形成過渡層(6)，引線(I)貫穿固體絕緣材料(5)，引線(I)向下穿出管座(7)方向的固體絕緣材料(5)外表面處設(shè)置有密封環(huán)(3)，密封環(huán)(3)與固體絕緣材料(5)之間通過焊料(4)燒結(jié)成一體，引線(I)與密封環(huán)(3)的內(nèi)孔表面通過焊料(4)燒結(jié)成一體，引線(I)向上穿出管座(7)方向的固體絕緣材料(5 )外表面處設(shè)置有多層復(fù)合材料(8 )、玻璃-金屬復(fù)合材料(9 )和硼硅玻璃基座(10)，向上穿出管座(7)方向的引線(I)頂端設(shè)置有金屬電極(11)，金屬電極(11)的下表面與引線(I)通過玻璃-金屬復(fù)合材料(9)燒結(jié)成一體,金屬電極(11)的上表面與芯片(12 )的下表面相貼合,玻璃-金屬復(fù)合材料(9)的外表面設(shè)置硼硅玻璃基座(10)，硼硅玻璃基座(10)外表面設(shè)置多層復(fù)合材料(8)，芯片(12)的下表面與硼硅玻璃基座(10)靜電封接，硼硅玻璃基座(10)的四個(gè)外側(cè)立面與多層復(fù)合材料(8)的四個(gè)內(nèi)側(cè)立面燒結(jié)成一體，多層復(fù)合材料(8)的底面與固體絕緣材料(5)的上表面燒結(jié)成一體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的固體絕緣材料(5)為A1203、SiC、BeO、TiO2, Zr02、MgO、AIN、Si3N4或BN及其上述所有材料的混合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的管座(7)的材質(zhì)為可伐、不銹鋼、鉭或Inconel625合金。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的金屬化層(2)的材料包括鎢或鑰及其上述所有材料的混合物。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的焊料(4)為鎳或Ag-Cu。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的芯片(12)為SOI芯片，SOI芯片中心為娃敏感I旲；所述的金屬電極(11)為Pt5Si2-T1-Pt-Au四層金屬結(jié)構(gòu)導(dǎo)電系統(tǒng)。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于所述的玻璃-金屬復(fù)合材料(9)為圓錐形結(jié)構(gòu)的納米貴金屬基低溫玻璃燒結(jié)材料，燒結(jié)溫度為420°C~650°C ;所述的玻璃為硅酸鹽、硼硅酸鹽、磷酸鹽、硼硅酸鋅、鈉鈣玻璃、硅酸鉛或硼酸鉛鋅；所述的金屬為金、銀、鈀或鉬。
12.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于固體絕緣材料(5)與金屬化層(2)在真空環(huán)境下高溫?zé)Y(jié)；引線(I)、密封環(huán)(3)、管座(7)在連接處電鍍鎳層；引線(I)、密封環(huán)(3 )、管座(7 )與固體絕緣材料通過焊料(4 )在保護(hù)氣氛下燒結(jié)；硼硅玻璃基座(10)的四個(gè)外側(cè)立面與多層復(fù)合材料(8)的四個(gè)內(nèi)側(cè)立面在低溫下燒結(jié)成一體，多層復(fù)合材料(8)的底面與固體絕緣材料(5)的上表面在低溫下燒結(jié)成一體；金屬電極(11)的下表面與引線(I)通過玻璃-金屬復(fù)合材料(9)在低溫下燒結(jié)成一體。
13.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用無引線封裝結(jié)構(gòu)的SOI絕壓敏感器件，其特征在于引線(I)、密封環(huán)( 3 )的材料為可伐合金，其型號為4J29。
【文檔編號】H01L23/29GK103759880SQ201410038350
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月27日
【發(fā)明者】苗欣, 吳亞林, 苗佳依, 張偉亮 申請人:中國電子科技集團(tuán)公司第四十九研究所