銅鋅錫硫吸收層薄膜及銅鋅錫硫太陽能電池的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法，采用電化學(xué)共沉積CZTS前驅(qū)體后硫化得到CZTS太陽能電池吸收層。本發(fā)明進(jìn)一步公開了銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的制備方法。本發(fā)明可在常溫常壓下操作，易調(diào)控，避免H2S污染，設(shè)備簡單，成本節(jié)約，制得的銅鋅錫硫吸收層薄膜表面光滑且非常致密，制得的電池效率高，本發(fā)明可廣泛用于大規(guī)模工業(yè)生產(chǎn)。
【專利說明】銅鋅錫硫吸收層薄膜及銅鋅錫硫太陽能電池的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域，涉及一種銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法及銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著人類社會的不斷進(jìn)步，能源和環(huán)境成為人類社會面臨的兩大重要課題。隨著化石能源日益匱乏及使用化石能源造成的環(huán)境污染，各國政府紛紛出臺了相應(yīng)的政策，開發(fā)和利用可再生新能源。太陽能發(fā)電無論從可再生、總量大、分布廣等優(yōu)點(diǎn)，還是從技術(shù)的安全性和可靠性來看，都比其它能源更具有優(yōu)越性。今后，隨著光伏發(fā)電技術(shù)的發(fā)展，太陽能光伏發(fā)電將會成為全球新能源領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
[0003]到目前為止，廣泛研究的太陽電池主要包括:硅半導(dǎo)體太陽電池(單晶硅太陽電池、多晶硅太陽電池、硅薄膜太陽電池)、化合物半導(dǎo)體(砷化鎵(GaAs)、銅銦鎵硒(CIGS)薄膜太陽電池和碲化鎘(CdTe)薄膜太陽電池)。在所有太陽能電池中，晶硅太陽電池技術(shù)最成熟，但制造過程會消耗較多能量，硅片切割過程會消耗大量硅料。非晶硅薄膜太陽電池消耗硅材料少，存在光致衰退效應(yīng)。GaAs、CIGS和CdTe薄膜太陽能電池雖然具有高轉(zhuǎn)換效率，但是采用了對環(huán)境不友好的元素或稀缺元素，大規(guī)模推廣有可能會受到環(huán)保和資源短缺的雙重制約。近幾年時間里，一種銅基化合物銅鋅錫硫薄膜太陽能電池引起了人們的極大的關(guān)注。相比于CIGS，銅鋅錫硫中各組分在地殼中儲量豐富并且安全無毒無污染，禁帶寬度可以在1.0?1.5eV之間可調(diào)及在可見光內(nèi)吸收系數(shù)在IO4CnT1以上，所以被認(rèn)為是最有前景的光伏材料。
[0004]目前，制備銅鋅錫硫薄膜的制備方法有磁控濺射、熱蒸發(fā)、脈沖激光沉積、分子外延生長、電沉積、噴霧熱分解、溶膠凝膠及涂布法等。濺射法、熱蒸發(fā)、脈沖激光沉積及分子外延生長等方法需要昂貴的大型設(shè)備，并且對要求非常高的真空條件；用非真空法特別是電化學(xué)沉積法相對于真空法制備銅鋅錫硫薄膜具有設(shè)備廉價而且過程容易控制，并且生產(chǎn)過程中能量消耗少，原材料利用率高優(yōu)點(diǎn)。1997年Katagiri等人第一次采用電子束蒸發(fā)后硫化制備出Cu2ZnSnS4薄膜，獲得轉(zhuǎn)化效率為0.66%的CZTS太陽能電池。2003年他們通過改進(jìn)硫化設(shè)備得到了轉(zhuǎn)化效率為5.45%的CZTS薄膜電池。2010年，Schubert等人采用四元共蒸發(fā)技術(shù)，獲得的CZTS的轉(zhuǎn)換效率為4.1 %。2010年IBM通過共蒸發(fā)方法獲得了 CZTS的最高轉(zhuǎn)化效率達(dá)到6.8%。盡管該方法是共蒸發(fā)制備出轉(zhuǎn)化效率最高，但是該工藝對設(shè)備要求較高，各個元素蒸發(fā)速率較難控制，且在生產(chǎn)制備過程中重復(fù)性較差，不利于連續(xù)生產(chǎn)。同年IBM通過混合溶液反應(yīng)制備了轉(zhuǎn)化效率高達(dá)9.7%的CZTSSe薄膜電池。2011年，IBM公司將Cu2ZnSn (S，Se) 4薄膜電池的轉(zhuǎn)換效率提高到了 10.1 %，然而水合肼具有劇毒而且不穩(wěn)定，并且非常難處理。2010年，Scragg等人使用電沉積金屬疊層Zn/Sn/Cu，并將金屬預(yù)制層置于裝有S粉的石英管式爐中進(jìn)行硫化退火，再在含有10% H2與N2氣中575°C退火2小時，得到轉(zhuǎn)化效率為3.2%的CZTS薄膜太陽電池。2009年Ennaoui等人通過共沉積金屬預(yù)制層Cu-Zn-Sn制備CZTS前驅(qū)體，并將金屬預(yù)制層置于石英管式爐中進(jìn)行硫化退火，再在含有5% H2S的Ar氣中550°C退火2小時，制備出了轉(zhuǎn)化效率達(dá)3.4%的CZTS薄膜太陽電池，是目前采用電沉積制備出CZTS薄膜電池的最高轉(zhuǎn)化效率。但是，Scragg組采用在N2/H2+S氣氛中進(jìn)行硫化CZTS前驅(qū)體，該工藝過程會發(fā)生H2爆炸以及產(chǎn)生有毒的H2S造成了極大的危險和環(huán)境污染；盡管Ennaoui組通過共沉積金屬預(yù)制層Cu-Zn-Sn后硫化CZTS工藝優(yōu)化于Scragg組，但是不能避免采用H2S氣體，并且總退火時間大于8小時遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足工業(yè)化生產(chǎn)所需。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺點(diǎn)，提出銅鋅錫硫(CZTS)吸收層薄膜及銅鋅錫硫(CZTS)太陽能電池的制備方法。
[0006]本發(fā)明提供一種銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法，包括以下步驟:
[0007](I)清洗襯底；所述襯底依次使用堿性溶液、丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，在放入真空干燥箱中干燥備用。所述襯底包括玻璃襯底。
[0008](2)利用磁控濺射技術(shù)在所述襯底上沉積銅鋅錫硫薄膜太陽能電池用的金屬M(fèi)o背電極薄膜或ITO導(dǎo)電薄膜；
[0009](3)按摩爾比為I?4: 0.5?2: 0.5?2: I?10: 5?50稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀，溶解于溶劑中，超聲得到待鍍電解液，接著進(jìn)行電沉積鍍膜，得到致密的銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜；
[0010](4)將前述銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜和足夠量的硫粉置于真空條件下進(jìn)行硫化退火處理，得到所述銅鋅錫硫吸收層薄膜。
[0011]本發(fā)明銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法中，所述步驟(3)中，硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉、酒石酸鉀的用量的摩爾比為:1?4: 0.5?2: 0.5?2: I?
10: 5?50。優(yōu)選地，硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉、酒石酸鉀的用量的摩爾比為:
2:1:1: 4: 10。
[0012]本發(fā)明銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法中，硫化退火處理步驟包括以下方式I或方式II:
[0013]方式1.將銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與足夠量的硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，進(jìn)行抽真空，接著通入N2,以0.5?1°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到450?600°C，保溫5?120分鐘，然后自然降溫至室溫。
[0014]方式I1.將銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與足夠量的硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，進(jìn)行抽真空，接著通入N2,以I?80°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到450?600°C，保溫5?120分鐘，然后自然降溫至室溫。
[0015]本發(fā)明銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法中，硫化退火處理可不同的升溫速率，例如，0.5?1°C /S升溫速率、或I?80°C /S升溫速率。不同的硫化退火升溫速率對銅鋅錫硫吸收層薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌以及電學(xué)性質(zhì)會產(chǎn)生一定影響，例如，升溫速度在0.5?1°C /S內(nèi)生長的銅鋅錫硫吸收層薄膜的XRD半高寬小，具有較高的結(jié)晶度，薄膜的SEM形貌非常致密，并且銅鋅錫硫電池效率更高。例如，升溫速度在I?80°C /S內(nèi)生長的銅鋅錫硫薄膜的XRD半高寬較大，薄膜的晶粒尺寸相對較小。本發(fā)明研究表明，銅元素在低溫200°C以下就開始與硫粉發(fā)生反應(yīng)生成硫化銅，在升溫初期，薄膜表面很快就被一層致密的硫化銅所覆蓋，從而硫粉只能緩慢地擴(kuò)散到前驅(qū)體底層，導(dǎo)致薄膜硫化不完全徹底。
[0016]本發(fā)明還提供了一種銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的制備方法，包括以下步驟:
[0017](I)清洗襯底；所述襯底依次使用堿性溶液、丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，在放入真空干燥箱中干燥備用。所述襯底包括玻璃襯底。
[0018](2)利用磁控濺射技術(shù)在所述襯底上沉積銅鋅錫硫薄膜太陽能電池用的金屬M(fèi)o背電極薄膜或ITO導(dǎo)電薄膜；
[0019](3)按摩爾比為I?4: 0.5?2: 0.5?2: I?10: 5?5稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀，溶解于溶劑中，超聲得到待鍍電解液，接著進(jìn)行電沉積鍍膜，得到致密的銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜；優(yōu)選地，稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉、酒石酸鉀的用量在摩爾比為02: I: I: 4: 10 ；
[0020](4)將前述銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜和足夠量的硫粉置于真空條件下進(jìn)行硫化退火處理，得到所述銅鋅錫硫吸收層薄膜；其中，足夠量的硫粉為100?2000mg硫粉。
[0021](5)采用化學(xué)水浴法在所述銅鋅錫硫吸收層薄膜上沉積CdS緩沖層；
[0022](6)在前述所述CdS緩沖層繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO和ΑΖ0,得到銅鋅錫硫薄膜太陽能電池。
[0023]其中，所述CdS緩沖層的厚度為40?140納米。優(yōu)選地，CdS緩沖層的厚度包括40納米、60納米、80納米、140納米等。較優(yōu)選地，CdS緩沖層的厚度為40納米、60納米。
[0024]其中，所述透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO的沉積厚度為50?150納米。優(yōu)選地，i_ZnO的沉積厚度為50納米、80納米、150納米等。較優(yōu)選地，1-ZnO的沉積厚度為50納米、80納米。
[0025]其中，所述AZO的沉積厚度為400?900納米。優(yōu)選地，AZO的沉積厚度為500、600納米、900納米。較優(yōu)選地，AZO的沉積厚度為500、600納米。
[0026]采用本發(fā)明制備方法能夠低成本地制備得到0.1?3.0%轉(zhuǎn)化效率的銅鋅錫硫太陽能電池，該銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的結(jié)構(gòu):
[0027]SLG/Mo or IT0/CZTS/CdS/1-Zn0/AZ0
[0028]本發(fā)明銅鋅錫硫吸收層薄膜及銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的制備方法，采用電化學(xué)共沉積CZTS前驅(qū)體后硫化工藝，即先在常溫常壓下電沉積CZTS前驅(qū)體薄膜，然后將銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與足夠量的硫粉放在石墨舟中，并將石墨舟置于RTP快速退火爐硫化，得到銅鋅錫硫吸收層薄膜，進(jìn)一步制備得到較高轉(zhuǎn)化效率的CZTS太陽能電池。與現(xiàn)有其他工藝(例如磁控濺射法、真空蒸發(fā)法及脈沖激光沉積等需要在真空體系下生長薄膜的方法)比較，本發(fā)明的CZTS前驅(qū)體在硫粉中快速退火工藝過程，即，在常溫常壓下操作，可以通過改變電化學(xué)參數(shù)及電解液組成很方便地獲得不同厚度、化學(xué)性能穩(wěn)定及成分易調(diào)控的CZTS前驅(qū)體薄膜；然后采用預(yù)熱時間更短、工藝控制精確、升溫時間更短、快速熱退火爐(RTP)硫化前驅(qū)體。本發(fā)明采用電沉積CZTS薄膜所需要的設(shè)備簡單，易調(diào)控，成本低廉，易于大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。而且，本發(fā)明中用硫粉替代現(xiàn)有技術(shù)H2S硫化，避免了 H2S對人和環(huán)境造成危害以及后續(xù)廢氣的處理。
[0029]本發(fā)明有益效果還包括，采用快速退火爐，升溫速度極快，控溫精度，確保了在高溫硫化銅鋅錫硫前驅(qū)體過程中制備出單一相的銅鋅錫硫薄膜，且薄膜表面光滑，致密高高質(zhì)量吸收層，保證銅鋅錫硫薄膜太陽能電池器件較高的轉(zhuǎn)化效率。本發(fā)明制備方法具有重復(fù)性好，有益于環(huán)境，電池效率較高，節(jié)約成本，有利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)等有益效果，具有廣泛研究及應(yīng)用前景。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1制備的銅鋅錫硫吸收層薄膜的XRD圖；
[0031]圖2為本發(fā)明實(shí)施例1制備的銅鋅錫硫吸收層薄膜的SEM圖；
[0032]圖3為本發(fā)明實(shí)施例1制備的銅鋅錫太陽能電池的J-V圖；
[0033]圖4為本發(fā)明實(shí)施例2制備的銅鋅錫硫吸收層薄膜的XRD圖；
[0034]圖5為本發(fā)明實(shí)施例2制備的銅鋅錫硫吸收層薄膜的SEM圖；
[0035]圖6為本發(fā)明實(shí)施例2制備的銅鋅錫太陽能電池的J-V圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]結(jié)合以下具體實(shí)施例和附圖，對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明，本發(fā)明的保護(hù)內(nèi)容不局限于以下實(shí)施例。在不背離發(fā)明構(gòu)思的精神和范圍下，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠想到的變化和優(yōu)點(diǎn)都被包括在本發(fā)明中，并且以所附的權(quán)利要求書為保護(hù)范圍。實(shí)施本發(fā)明的過程、條件、試劑、實(shí)驗(yàn)方法等，除以下專門提及的內(nèi)容之外，均為本領(lǐng)域的普遍知識和公知常識，本發(fā)明沒有特別限制內(nèi)容。
[0037]實(shí)施例1
[0038]I)清洗玻璃襯底:襯底依次使用堿性溶液、丙酮、乙醇及去離子水超聲清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，在放入真空干燥箱中干燥備用?br> [0039]2)利用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上沉積銅鋅錫硫薄膜太陽能電池用的金屬鑰背電極薄膜；該金屬鑰背電極薄膜的厚度為600納米；
[0040]3)按摩爾比2:1:1:4: 10稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀溶解于溶劑中超聲5分鐘后得到待鍍電解液；接著在步驟2制備的鑰背電極進(jìn)行電沉積鍍膜，得到致密的納米銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜；
[0041 ] 4)硫化退火處理:將銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與0.5g的硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，進(jìn)行抽真空，接著通入N2,以0.5°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到550°C，保溫30分鐘，然后自然降溫至室溫；得到產(chǎn)品銅鋅錫硫吸收層薄膜，其XRD圖如圖1所示，表明制備得到的產(chǎn)品為銅鋅錫硫吸收層薄膜，該薄膜中不存在其它雜相。其SEM圖如圖2所示，表明制備得到的銅鋅錫硫吸收層薄膜產(chǎn)品表面光滑、表面致密、結(jié)晶完好。
[0042]另一實(shí)施例中，按1°C /S升溫速率加熱退火爐，其他操作與本實(shí)施例1相同，得到的產(chǎn)品銅鋅錫硫吸收層薄膜與本實(shí)施例1的產(chǎn)物相同。
[0043]進(jìn)一步地繼續(xù)以下步驟，以制備銅鋅錫硫薄膜太陽能電池:
[0044]5)將在銅鋅錫硫吸收層上采用化學(xué)水浴方法沉積CdS緩沖層，厚度為40納米；
[0045]6)將在CdS緩沖層上繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO和ΑΖ0，厚度分別為50納米、500納米；制備得到銅鋅錫硫薄膜太陽能電池，其J-V圖如圖3所示，可見該銅鋅錫硫薄膜太陽能電池具有2.63%的轉(zhuǎn)化效率，轉(zhuǎn)化效率高。
[0046]本發(fā)明實(shí)施中采用的磁控濺射技術(shù)、化學(xué)水浴法等均為現(xiàn)有技術(shù)。
[0047]實(shí)施例2[0048]I)清洗襯底:襯底依次使用堿性溶液、丙酮、乙醇和去離子水超聲清洗，然后用氮?dú)獯蹈?，在放入真空干燥箱中干燥備用?br> [0049]2)利用磁控濺射技術(shù)在玻璃襯底上沉積銅鋅錫硫薄膜太陽能電池用的金屬M(fèi)o背電極薄膜，其厚度為900納米；
[0050]3)按摩爾比2:1:1:4: 10稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀溶解于溶劑中超聲10分鐘后得到待鍍電解液；接著在步驟2制備的鑰背電極進(jìn)行電沉積鍍膜，得到致密的納米銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜；在其他實(shí)施例子中，按摩爾比為I?
4: 0.5?2: 0.5?2: I?10: 5?50范圍之內(nèi)的任何具體數(shù)值，稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉、酒石酸鉀，均可得到銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜；
[0051]4)硫化退火處理:將銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與0.5g的硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，進(jìn)行抽真空，接著通入N2,以30°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到580°C，保溫15分鐘，然后自然降溫至室溫；得到產(chǎn)品銅鋅錫硫吸收層薄膜，其XRD圖如圖4所示，表明制備得到的產(chǎn)品為銅鋅錫硫吸收層薄膜，該薄膜中不存在其它雜相。其SEM圖如圖5所示，表明制備得到的銅鋅錫硫吸收層薄膜產(chǎn)品表面光滑、表面致密、結(jié)晶完好。
[0052]其他實(shí)施例中，分別按10°C /S、60°C /S或80°C /S升溫速率加熱退火爐，其他操作與本實(shí)施例2相同，得到的產(chǎn)品銅鋅錫硫吸收層薄膜與本實(shí)施例2的產(chǎn)物相同。
[0053]進(jìn)一步地繼續(xù)以下步驟，以制備銅鋅錫硫薄膜太陽能電池:
[0054]5)將在銅鋅錫硫吸收層上采用化學(xué)水浴方法沉積CdS緩沖層，厚度為60納米；
[0055]6)將在CdS緩沖層上繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO和ΑΖ0，厚度分別為80納米、600納米，銅鋅錫硫薄膜太陽能電池完成，制備得到的銅鋅錫硫薄膜太陽能電池，其J-V圖如圖6所示，可見該銅鋅錫硫薄膜太陽能電池具有1.65%的轉(zhuǎn)化效率，轉(zhuǎn)化效率高。
[0056]從實(shí)施例1、2可見，升溫速度在0.5?1°C /S內(nèi)生長的銅鋅錫硫吸收層薄膜的XRD半高寬小，其結(jié)晶度較高，該銅鋅錫硫吸收層薄膜的SEM形貌非常致密，進(jìn)一步制得的銅鋅錫硫電池具更高效率。升溫速度在I?80°C /S內(nèi)生長的銅鋅錫硫吸收層薄膜的XRD半高寬較大，銅鋅錫硫吸收層薄膜的晶粒尺寸相對較小。
【權(quán)利要求】
1.一種銅鋅錫硫吸收層薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)清洗襯底； (2)利用磁控濺射技術(shù)在所述襯底上沉積鑰背電極薄膜或ITO導(dǎo)電薄膜； (3)按摩爾比為I?4: 0.5?2: 0.5?2: I?10: 5?50稱取硫酸銅、硫酸鋅、硫酸錫、硫代硫酸鈉和酒石酸鉀，溶解于溶劑中，超聲得到待鍍電解液，接著進(jìn)行電沉積鍍膜，得到致密的銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜； (4)將前述銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜和100?2000mg硫粉置于真空條件下進(jìn)行硫化退火處理，得到所述銅鋅錫硫吸收層薄膜。
2.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中的硫化退火處理，是將所述銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，抽真空，接著通入N2,以0.5?1°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到450?600°C，保溫5?120分鐘，然后自然降溫至室溫。
3.如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述步驟(4)中的硫化退火處理，是將所述銅鋅錫硫前驅(qū)體薄膜與硫粉放在石墨舟中，然后將石墨舟置于退火爐中，抽真空，接著通入N2，以I?80°C /S升溫速率加熱退火爐，從室溫升到450?600°C，保溫5?120分鐘，然后自然降溫至室溫。
4.一種銅鋅錫硫薄膜太陽能電池的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括:進(jìn)行所述步驟⑴至⑷之后，繼續(xù)以下步驟: (5)采用化學(xué)水浴法在所述銅鋅錫硫吸收層薄膜上沉積CdS緩沖層； (6)在前述所述CdS緩沖層繼續(xù)沉積透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO和ΑΖ0，得到銅鋅錫硫薄膜太陽能電池。
5.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述CdS緩沖層的厚度為40?140納米。
6.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電氧化物1-ZnO的沉積厚度為50?150納米。
7.如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述AZO的沉積厚度為400?900納米。
【文檔編號】H01L31/032GK103762257SQ201410021101
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2014年1月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月17日
【發(fā)明者】陶加華, 孫琳, 楊平雄, 褚君浩 申請人:華東師范大學(xué)