一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，包括正電極、鈍化層、P-N結(jié)、P型襯底、背電場(chǎng)和背電極，在所述鈍化層上設(shè)有若干開口，并在所述鈍化層上沉積一層ITO薄膜層。本發(fā)明能減小太陽電池正面接觸電阻，提高填充因子，增加短路電流并且減小正面銀漿用量的方法。
【專利說明】一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽電池，具體涉及一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，隨著光伏行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的日益激烈和市場(chǎng)對(duì)高品質(zhì)光伏產(chǎn)品的迫切要求，提高太陽能電池轉(zhuǎn)化效率，降低成本成為太陽能電池技術(shù)發(fā)展的首要任務(wù)。常規(guī)商業(yè)化電池效率的提高，一般都伴隨著漿料技術(shù)的進(jìn)步，減小接觸電阻以及線電阻等來獲得串聯(lián)減小和填充的增加從而提高效率。且銀漿在整個(gè)太陽電池制備過程中接近一半的成本，漿料技術(shù)的進(jìn)步并沒有帶來成本的降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，減小太陽電池正面接觸電阻，提高填充因子，增加短路電流并且減小正面銀漿用量的方法。
[0004]本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，包括正電極、鈍化層、P-N結(jié)、P型襯底、背電場(chǎng)和背電極，其特征在于:在所述鈍化層上設(shè)有若干開口，并在所述鈍化層上沉積一層ITO薄膜層。
[0005]作為一種優(yōu)選，所述鈍化層厚度為10nm-70nm ;所述ITO薄膜層厚度為10nm_70nm ;所述開口 寬度為 20um-200um。
[0006]本發(fā)明根據(jù)傳統(tǒng)電池工序制備，只需對(duì)鈍化層進(jìn)行開口處理，使用激光或者類似于MERCK等腐蝕性漿料進(jìn)行開口處理。然后沉積一層ITO薄膜即可，對(duì)現(xiàn)有工序改動(dòng)很小，容易集成。
[0007]本發(fā)明的有益效果是:在所述鈍化層上設(shè)有若干開口，在已經(jīng)開口處理的鈍化膜層上沉積一層透明導(dǎo)電的ITO薄膜，用于減小接觸電阻。且通過優(yōu)化ITO薄膜和鈍化層薄月吳的厚度，可以達(dá)到減小反射率提聞電池短路電流的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步說明。
【具體實(shí)施方式】
[0010]實(shí)施例1:如附圖1所示，一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，包括正電極1、鈍化層4、P-N結(jié)5、P型襯底6、背電場(chǎng)7和背電極8，在鈍化層4上設(shè)有若干開口 3，并在所述鈍化層4上沉積一層ITO薄膜層2。其中鈍化層4厚度為50nm ；ΙΤ0薄膜層2厚度為30nm ;開口 3寬度為30um。
[0011]實(shí)施例2:另一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，其中鈍化層厚度為20nm ;ITO薄膜層厚度為60nm;開口寬度為50um。其它與實(shí)施例1相同。[0012]實(shí)施例3:第三種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，其中鈍化層厚度為IOnm ；ΙΤ0薄膜層2厚度為70nm ;開口 3寬度為lOOum。其它與實(shí)施例1相同。
[0013]實(shí)施例4:第四種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，其中鈍化層厚度為60nm ；ITO薄膜層2厚度為20nm ;開口 3寬度為150um。其它與實(shí)施例1相同。
[0014]實(shí)施例5:第五種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，其中鈍化層厚度為70nm ；ITO薄膜層2厚度為IOnm ;開口 3寬度為200um。其它與實(shí)施例1相同。
【權(quán)利要求】
1.一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，包括正電極(1)、鈍化層(4)、P-N結(jié)(5)、P型襯底(6)、背電場(chǎng)(7)和背電極(8)，其特征在于:在所述鈍化層(4)上設(shè)有若干開口(3)，并在所述鈍化層(4)上沉積一層ITO薄膜層(2)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種新型正面結(jié)構(gòu)太陽電池，其特征在于:所述鈍化層(4)厚度為10nm-70nm ;所述ITO薄膜層(2)厚度為10nm-70nm ;所述開口(3)寬度為20um-200um。
【文檔編號(hào)】H01L31/0216GK103904140SQ201410011582
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月10日
【發(fā)明者】湯安民 申請(qǐng)人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司