一種改善管式pecvd系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，在鍍膜工序制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，所述分段的次數(shù)為2～10次。本發(fā)明通過改變?cè)阱兡すば蛑谱鳒p反射膜過程中通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣方式，使太陽能電池表面成膜均勻，且與傳統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線兼容，適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
【專利說明】—種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種管式PECVD系統(tǒng)鍍膜的方法，具體涉及一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的晶體硅太陽能電池片的鍍膜技術(shù)即在晶體硅電池表面鍍上一層SiNx(氮化硅)減反射膜，增加光的投射，提高太陽能電池的光利用率。用來制備SiNx膜的方法有很多種，包括:化學(xué)氣相沉積法(CVD法)、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD法)、低壓化學(xué)氣相沉積法(LPCVD法)。在目前產(chǎn)業(yè)上常用的是PECVD法。
[0003]目前國(guó)內(nèi)PECVD鍍膜的主流為管式PECVD鍍膜法，即使用像擴(kuò)散爐管一樣的石英管作為沉積腔室，使用電阻爐作為加熱體，將一個(gè)可以放置多片硅片的石墨舟插進(jìn)石英管中進(jìn)行沉積。沉積的均勻性與電極和腔室的設(shè)計(jì)很有關(guān)系，另外管式PECVD的氣流是從石英管一端引入，這樣也會(huì)造成工藝氣體分布的不均勻，從而也會(huì)導(dǎo)致太陽能電池表面成膜的不均勻。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，通過改變?cè)阱兡すば蛑谱鳒p反射膜過程中通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣方式，使太陽能電池表面成膜均勻，且與傳統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線兼容，適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
[0005]本發(fā)明解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:在鍍膜工序制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，所述分段的次數(shù)為2?10次。
[0006]作為一種優(yōu)選，所述的減反射膜為單層膜或多層膜。
[0007]作為一種優(yōu)選，所述的減反射膜為氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化鈦薄膜和三氧化二鋁膜中的一種或幾種。
[0008]作為一種優(yōu)選，所述制作的減反射膜為氮化硅膜時(shí)，通入的反應(yīng)氣體NH3和SiH4,所述MV流量為6000?9000sccm，SiH4流量為600?900sccm ;所述氮化硅膜的厚度為60?lOOnm，折射率為1.9?2.3。
[0009]作為一種優(yōu)選，所述制作的減反射膜為二氧化硅膜時(shí)，通入的反應(yīng)氣體為N2O和SiH4，所述N2O流量為5000?8000sccm，SiH4流量為600?900sccm，所述二氧化硅膜的厚度為50?90nm，折射率為1.3?1.8。
[0010]本發(fā)明將P型單晶硅片完成堿制絨、磷擴(kuò)散、刻蝕清洗工序后置于鍍膜機(jī)臺(tái)中，改變?cè)阱兡すば蛑谱鳒p反射膜過程中通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣方式，采用分段式通入反應(yīng)氣體，分段的次數(shù)為2?10次。
[0011]本發(fā)明的有益效果是:采用本發(fā)明能使太陽能電池的膜層均勻性提升，電池外觀顏色集中統(tǒng)一，降低了返工率，降低分檢工序的工作量。且與傳統(tǒng)太陽能電池生產(chǎn)線兼容， 適合于大規(guī)模生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為本發(fā)明管式PECVD系統(tǒng)鍍膜設(shè)備示意圖。
[0013]【專利附圖】

【附圖說明】:1、加熱電阻；2、硅片；3、石墨舟載體；4、工藝氣體；5、爐門；6、射頻電
源；7、工藝氣體進(jìn)氣口 ；8、工藝氣體出氣口。
【具體實(shí)施方式】
[0014]實(shí)施例1:第一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，鍍膜工序在圖1所示設(shè)備上完成，制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，減反射膜為單層氮化硅膜，分段的次數(shù)為3次，輝光反應(yīng)后在硅片表面沉積一層均勻的氮化硅膜。通入的反應(yīng)氣體為NH3和SiH4，其中NH3的流量為7800sccm，SiH4的流量為800sccm，氮化硅膜厚為85nm，折射率為
2.06 ;最后將印刷好電極的硅片通過燒結(jié)最終作成太陽能電池。
[0015]實(shí)施例2:第二種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，鍍膜工序在圖1所示設(shè)備上完成，制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，減反射膜為二氧化硅膜，分段的次數(shù)為5次，輝光反應(yīng)后在硅片表面沉積上均勻的二氧化硅膜。通入的反應(yīng)氣體為N2O和SiH4，其中N2O的流量為6000sccm，SiH4的流量為750sccm，二氧化硅膜的厚度為78nm，折射率為1.45。
[0016]實(shí)施例3:第三種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，鍍膜工序在圖1所示設(shè)備上完成，制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，減反射膜為雙層氮化硅膜，分段的次數(shù)均為3次，輝光反應(yīng)后在硅片表面沉積兩層均勻的氮化硅膜。制作第一層氮化硅膜時(shí)通入的反應(yīng)氣體為NH3和SiH4, MV流量為4000sccm，量為850sccm，氮化硅膜厚為20nm,折射率為2.2 ;制作第二層氮化硅膜時(shí)通入的反應(yīng)氣體為NH3和SiH4，其中NH3的流量為7000sccm，SiH4的流量為730sccm，氮化硅膜厚為65nm，折射率為2.04。
[0017]實(shí)施例4:第四種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，鍍膜工序在圖1所示設(shè)備上完成，制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，第一層減反射膜為氮化硅膜，分段的次數(shù)為3次，第二層減反射膜為二氧化硅膜，分段的次數(shù)為2次。制作第一層氮化硅膜時(shí)通入的反應(yīng)氣體為NH3和SiH4, MV流量為3500sccm，量為750sccm，氮化硅膜厚為70nm，折射率為2.08 ;制作第二層二氧化硅膜時(shí)通入的反應(yīng)氣體為N2O和SiH4，其中N2O的流量為6000sccm，SiH4的流量為200sccm，氮化硅膜厚為15nm，折射率為L(zhǎng) 45。
【權(quán)利要求】
1.一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:在鍍膜工序制作減反射膜過程中采用分段式通入反應(yīng)氣體，所述分段的次數(shù)為2~10次。
2.如權(quán)利要求1所述的一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:所述的減反射膜為單層膜或多層膜。
3.如權(quán)利要求1或2所述的一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:所述的減反射膜為氮化硅膜、二氧化硅膜、二氧化鈦薄膜和三氧化二鋁膜中的一種或幾種。
4.如權(quán)利要求3所述的一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:所述制作的減反射膜為氮化硅膜時(shí)，通入的反應(yīng)氣體NH3和SiH4,所述NH3流量為6000~9000sccm,量為600~900sccm ;所述氮化硅膜的厚度為60~lOOnm，折射率為1.9~2.3。
5.如權(quán)利要求3所述的一種改善管式PECVD系統(tǒng)鍍膜均勻性的方法，其特征在于:所述制作的減反射膜為二氧化硅膜時(shí)，通入的反應(yīng)氣體為N2O和SiH4，所述N2O流量為5000~8000sccm, SiH4流量為600~900sccm,所述二氧化娃膜的厚度為50~90nm,折射率為1.3 ~1.8。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK103904158SQ201410011375
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月10日
【發(fā)明者】黃紀(jì)德 申請(qǐng)人:浙江晶科能源有限公司, 晶科能源有限公司