發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括：包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下的有源層、以及布置在有源層之下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極；以及布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)并且包括電連接到第一電極的第一區(qū)域和與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面接觸的第二區(qū)域的第一接觸部分。
【專利說明】發(fā)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明實(shí)施方案涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)廣泛用作發(fā)光器件之一。LED通過利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成例如紅外光、可見光以及紫外光的光的形式。
[0003]隨著發(fā)光器件的發(fā)光效率增加，發(fā)光器件已經(jīng)用在例如顯示裝置和照明設(shè)備的各種領(lǐng)域中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明實(shí)施方案提供了能夠提高光提取效率和產(chǎn)品產(chǎn)率的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元。
[0005]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件包括:包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下的有源層、以及布置在有源層之下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的發(fā)光結(jié)構(gòu)；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第一電極；布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的第二電極；以及布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)并且包括電連接到第一電極的第一區(qū)域和與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面接觸的第二區(qū)域的第一接觸部分。
[0006]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件以及發(fā)光單元可以提高光提取效率和產(chǎn)品產(chǎn)率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的圖。
[0008]圖2為示出形成在圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的通孔的實(shí)施例的圖。
[0009]圖3至圖6為示出根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。
[0010]圖7為示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0011]圖8為示出根據(jù)又一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0012]圖9為示出圖8所示的發(fā)光器件的第一接觸部分的布置的圖。
[0013]圖10至圖13為示出根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法的截面圖。
[0014]圖14為示出根據(jù)另一實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖。
[0015]圖15為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0016]圖16為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的分解透視圖。
[0017]圖17為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的另一實(shí)施例的截面圖。
[0018]圖18為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光單元的分解透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]在實(shí)施方案的描述中，應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)層(或膜)、區(qū)域、圖案或結(jié)構(gòu)稱作在另一襯底、另一層(或膜)、另一區(qū)域、另一焊墊或者另一圖案“上”或“下”時，其可以“直接地”或“間接地”在其他襯底、層(或膜)、區(qū)域、焊墊或者圖案之上，或者也可以存在一個或更多個插入層。參照附圖來描述層的這樣的位置。
[0020]在下文中，將參照附圖來詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝件、發(fā)光單元以及用于制造發(fā)光器件的方法。
[0021]圖1為示出根據(jù)一個實(shí)施方案的發(fā)光器件的圖，并且圖2為示出形成在圖1中所示的發(fā)光器件的發(fā)光結(jié)構(gòu)中的通孔的實(shí)施例的圖。
[0022]如圖1和圖2所示，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、第一電極81、第二電極82以及第一接觸部分91。
[0023]發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。有源層12可以置于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11之下，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在有源層12之下。
[0024]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0025]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用第I1-VI族化合物半導(dǎo)體、或者第II1-V族化合 物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。
[0026]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，O≤y≤1,0≤x+y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括選自摻雜有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型摻雜劑的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。
[0027]有源層12通過穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)與穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合而發(fā)射具有與根據(jù)構(gòu)成有源層12的材料的能帶隙差對應(yīng)的波長的光。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)之一，但實(shí)施方案不限于此。
[0028]有源層12可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。有源層12可以通過使用具有InxAlyGa1^yN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時，有源層12可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層的循環(huán)。
[0029]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用第I1-VI族化合物半導(dǎo)體、或第πι-v族化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。
[0030]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，O ^ I, O ^ x+y ^ I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括選自摻雜有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型摻雜劑的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。[0031]同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下附加地設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中可以以均勻或非均勻摻雜濃度摻雜有雜質(zhì)。換句話說，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，并且實(shí)施方案不限于此。
[0032]另外，可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0033]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括反射層17。反射層可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。反射層可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。反射層可以布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下。反射層17可以反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光來增加提取到外界的光的量。
[0034]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括置于反射層17與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間的歐姆接觸層15。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。歐姆接觸層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸的區(qū)域。歐姆接觸層15可以包括與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸的區(qū)域。
[0035]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包括選自以下中的至少一種:ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋁鋅)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、IZON(氮化 ΙΖ0)、Zn。、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及Ti。
[0036]反射層17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包括含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，所述透射導(dǎo)電材料例如ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)或ATO(氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
[0037]例如，反射層17可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti層，以及Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17之下，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。
[0038]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在反射層17之下的第一金屬層35。第一金屬層35可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0039]根據(jù)實(shí)施方案，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少一個。例如，第二電極82可以包括反射層17、第一金屬層35以及歐姆接觸層15的全部，或者可以包括選自反射層17、第一金屬層35以及歐姆接觸層15中的一個或兩個。
[0040]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0041]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方的區(qū)域周圍的溝道層30。溝道層30的一端可以設(shè)置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下。溝道層30的一端可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。溝道層30的一端可以置于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與反射層17之間。溝道層30的一端可以置于第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與歐姆接觸層15之間。
[0042]溝道層30可以包括絕緣材料。例如，溝道層30可以通過使用氧化物或氮化物來實(shí)現(xiàn)。例如，溝道層 30 可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN中的至少一種。溝道層30可以稱作隔離層。溝道層30可以在稍后進(jìn)行關(guān)于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的隔離工藝時用作蝕刻阻擋物。另外，溝道層30可以防止由隔離工藝引起的發(fā)光器件的電特性劣化。
[0043]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一絕緣層33。例如，第一絕緣層33可以通過使用氧化物或氮化物來實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層33可以包含選自Si02、SixOy, Si3N4, Si具、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN中的至少一種。第一絕緣層33可以通過使用構(gòu)成溝道層30的材料形成。另外，第一絕緣層33和溝道層30可以通過相互不同的材料形成。
[0044]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一絕緣層33之下的第二金屬層37。第二金屬層37可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少之一。第二金屬層37可以通過使用構(gòu)成第一金屬層35的材料形成。另外，第一金屬層35和第二金屬層37可以通過使用相互不同的材料形成。
[0045]在第一金屬層35與第二金屬層37之間可以布置有第二絕緣層40。第二絕緣層40可以通過使用氧化物或氮化物形成。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02以及AlN中的至少一種。第二絕緣層40可以布置在第一金屬層35之下。第二絕緣層40可以布置在第一絕緣層33之下。
[0046]可以在第二金屬層37之下布置第三金屬層50。第三金屬層50可以電連接到第二金屬層37。第三金屬層50的頂表面可以與第二金屬層37的底表面接觸。第三金屬層50可以布置在第二絕緣層40之下。
[0047]第三金屬層50可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
第三金屬層50可以用作擴(kuò)散阻擋層。在第三金屬層50之下可以設(shè)置接合層60和導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0048]第三金屬層50可以防止在設(shè)置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴(kuò)散到反射層17。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料(例如Sn)對反射層17施加影響。
[0049]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以在執(zhí)行散熱功能的同時支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。接合層60可以以籽層的形式來實(shí)現(xiàn)。
[0050]導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以包括被注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種襯底。
[0051]根據(jù)實(shí)施方案，第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的至少一個。第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70的全部。另外，第一電極81可以選擇性地包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的兩個或三個。[0052]第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。
[0053]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一接觸部分91。第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0054]例如，如圖2所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個通孔20。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。
[0055]例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。例如，當(dāng)發(fā)光結(jié)構(gòu)10生長為GaN半導(dǎo)體層時，第一接觸部分91可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的η面接觸。
[0056]盡管在圖1所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成有如圖2所示的多個通孔20，并且第一接觸部分91可以形成在每個通孔20中。同時，通孔20可以具有在5 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度或直徑D。如果通孔20具有小于5μπι的寬度或直徑，則用于形成第一接觸部分91的過程可能是困難的。另夕卜，如果通孔20具有大于200 μ m的寬度或直徑，則發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光面積減少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接觸部分91也可以具有在5 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度或直徑。
[0057]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0058]例如，布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上的第一接觸部分91可以從通孔20的外圍(外周)部分延伸5 μ m至50 μ m。布置在通孔20之下的第一絕緣層33可以從通孔20的外圍部分延伸5 μ m至70 μ m。
[0059]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一種。
[0060]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中，第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。例如，第一絕緣層33的一部分包圍第一接觸部分91使得由第一絕緣層33包圍的內(nèi)部區(qū)域可以與外部區(qū)域絕緣。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過有源層12以使得該部分沿著深度方向具有等于或小于IOOOnm的長度。
[0061]第一絕緣層33的布置為穿過有源層12的部分可以具有足以使形成在第一絕緣層33的內(nèi)側(cè)的有源層12與形成在第一絕緣層33的外側(cè)的有源層12絕緣的深度。
[0062]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以通過穿過溝道層30而電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以定位成高于第二接觸部分92的頂表面。
[0063]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)，因此，可以增加在形成粗糙結(jié)構(gòu)的區(qū)域處向上提取的光的量。
[0064]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括置于第一金屬層35與第三金屬層50之間的第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一金屬層35與第三金屬層50絕緣。第二絕緣層40可以使第一金屬層35與導(dǎo)電支承構(gòu)件70絕緣。例如，第二絕緣層40可以通過使用氧化物或氮化物來實(shí)現(xiàn)。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、Si具、SiO具、A1203、TiO2以及AlN的至少一種。
[0065]第二絕緣層40的一部分可以包圍第二金屬層37的外圍部分。第二絕緣層40的上部可以與第一絕緣層33的底表面接觸。
[0066]第二絕緣層40可以布置在第一電極81與第二電極82之間。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0067]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率(電力)施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0068]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0069]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0070]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0071]在下文中，將參照圖3至圖6描述根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法。
[0072]根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法，如圖3所示，可以在襯底5上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13?？梢詫⒌谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層U、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0073]例如，襯底5可以包括藍(lán)寶石襯底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP以及Ge中的至少一種,但實(shí)施方案不限于此?？梢栽诘谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11與襯底5之間插入緩沖層。
[0074]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0075]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括具有InxAlyGanyN(O≤x≤1，O≤y≤1，O≤x+y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型摻雜劑。
[0076]有源層12通過穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)與穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合而發(fā)射具有與根據(jù)構(gòu)成有源層12的材料的能帶隙差對應(yīng)的波長的光。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中之一，但是實(shí)施方案不限于此。
[0077]有源層12 可以通過使用具有 ΙηχΑΙ^^Ν^ ^ x ^ I,O ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時，有源層12可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層的循環(huán)。
[0078]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用P型半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用具有InxAlyGa1IyN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含選自InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN,Al InN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型摻雜劑。
[0079]同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上附加地設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或者PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中可以以均勻或非均勻摻雜濃度摻雜有雜質(zhì)。換句話說，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，并且實(shí)施方案不限于此。
[0080]另外，可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0081]接下來，如圖4所示，可以通過進(jìn)行用于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的蝕刻方案來使第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的一部分露出。在該情況下，蝕刻可以包括濕法蝕刻方案或干蝕刻方案。蝕刻的區(qū)域可以布置為穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12。
[0082]另外，如圖4所示，在露出的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11上形成第一絕緣層33。此外，在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上形成溝道層30?？梢酝ㄟ^使用相同的材料或相互不同的材料來形成第一絕緣層33和溝道層30。
[0083]可以通過使用絕緣材料來形成溝道層30和第一絕緣層33。例如，可以通過使用氧化物或氮化物來形成溝道層30和第一絕緣層33。例如，可以通過使用選自Si02、SixOy,Si3N4, SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN中的至少一種來形成溝道層30和第一絕緣層33。
[0084]然后，如圖4所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置歐姆接觸層15和反射層17。
[0085]歐姆接觸層15可以置于反射層17與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。
[0086]歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。反射層17可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。歐姆接觸層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸的歐姆接觸區(qū)域。
[0087]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包括選自以下中的至少一種:ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋁鋅)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、IZON(氮化 ΙΖ0)、ZnO、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及Ti。
[0088]反射層17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包括含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，所述透射導(dǎo)電材料例如ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)或ATO(氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中至少一種。
[0089]例如，反射層17可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti層，以及Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17之下，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。
[0090]此后，如圖5所示，可以在反射層17上形成第一金屬層35、第二金屬層37、第二絕緣層40、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70。[0091]第一金屬層35可以包含選自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。根據(jù)實(shí)施方案，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少之一。例如，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35的全部，或者可以選擇性地包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的一種或兩種。
[0092]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括形成在第一絕緣層33上的第二金屬層37。第二金屬層37可以包含么11、01、附、11、11-1、0、1、？扒￥、？6以及Mo中至少之一。可以通過使用構(gòu)成第一金屬層35的材料來形成第二金屬層37。另外，可以通過使用相互不同的材料來形成第一金屬層35和第二金屬層37。
[0093]可以在第一金屬層35與第二金屬層37之間布置第二絕緣層40?？梢酝ㄟ^使用氧化物或氮化物來形成第二絕緣層40。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN的至少一種。第二絕緣層40可以布置在第一金屬層35上。第二絕緣層40可以布置在第一絕緣層33上。第二絕緣層40的一部分可以包圍第二金屬層37。
[0094]可以在第二金屬層37上布置第三金屬層50。第三金屬層50可以電連接到第二金屬層37。第三金屬層50的底表面可以與第二金屬層37的頂表面接觸。第三金屬層50可以布置在第二絕緣層40上。
[0095]第三金屬層50可以包含Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之一。第
三金屬層50可以用作擴(kuò)散阻擋層?？梢栽诘谌饘賹?0上設(shè)置接合層60和導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0096]第三金屬層50可以防止在設(shè)置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴(kuò)散到反射層17。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料(例如Sn)對反射層17施加影響。
[0097]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以在執(zhí)行散熱功能的同時支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。接合層60可以以籽層的形式來實(shí)現(xiàn)。
[0098]導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種襯底。
[0099]根據(jù)實(shí)施方案，第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的至少之一。第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70的全部。另外，第一電極81可以選擇性地包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的兩種或三種。
[0100]接下來，將襯底5從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11移除。根據(jù)一個實(shí)施例，可以通過激光剝離(LLO)工藝移除襯底5。LLO工藝為通過向襯底5的底表面輻照激光來使襯底5從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11剝離的工藝。
[0101]另外，如圖6所示，通過隔離蝕刻工藝對發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面進(jìn)行蝕刻以使溝道層30的一部分露出。在該情況下，可以使絕緣層40的一部分露出?？梢酝ㄟ^干蝕刻工藝?yán)珉姼旭詈系入x子體(ICP)來進(jìn)行隔離蝕刻工藝，但實(shí)施方案不限于此。
[0102]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)。因此，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置光提取圖案?？梢栽诎l(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置凸凹圖案。例如，可以通過PEC(光電化學(xué))蝕刻工藝來布置設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上的光提取圖案。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以增加外部光提取效果。
[0103]接下來，如圖6所示，可以形成第一接觸部分91和第二接觸部分92。
[0104]第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0105]例如，如圖2所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個通孔20。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。
[0106]盡管在圖6所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成為具有如圖2所示的多個通孔20，并且可以在每個通孔20中形成第一接觸部分91。同時，通孔20可以具有在5 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度或直徑D。如果通孔20具有小于5 μ m的寬度或直徑，則用于形成第一接觸部分91的過程可能是困難的。另外，如果通孔20具有大于200 μ m的寬度或直徑，則發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光面積減少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接觸部分91也可以具有在5μπι至200μπι的范圍內(nèi)的寬度或直徑。
[0107]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0108]例如，布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上的第一接觸部分91可以從通孔20的外圍部分延伸5μπι至50μπι。布置在通孔20之下的第一絕緣層33可以從通孔20的外圍部分延伸5 μ m至70 μ m。
[0109]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一種。
[0110]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中。第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。例如，第一絕緣層33的一部分包圍第一接觸部分91，使得由第一絕緣層33包圍的內(nèi)部區(qū)域可以與外部區(qū)域絕緣。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過有源層12，以使得該部分沿著深度方向具有等于或小于IOOOnm的長度。
[0111]第一絕緣層33的布置為穿過有源層12的部分可以具有足以使形成在第一絕緣層33的內(nèi)側(cè)的有源層12與形成在第一絕緣層33的外側(cè)的有源層12絕緣的深度。
[0112]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以通過穿過溝道層30電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以定位成高于第二接觸部分92的頂表面。
[0113]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。
[0114]可以在第一電極81與第二電極82之間布置第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0115]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率(電力)施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0116]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0117]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0118]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0119]圖7為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)施例的截面圖。在關(guān)于圖7中所示的發(fā)光器件的以下描述中，為了避免贅述將不再描述那些與參照圖1和圖2所描述的相同的部件和結(jié)構(gòu)。
[0120]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下設(shè)置歐姆反射層19?？梢詫?shí)現(xiàn)歐姆反射層19，使得歐姆反射層19既用作反射層17又用作歐姆接觸層15。因此，歐姆反射層19可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到歐姆反射層19的光。
[0121]在該情況下，歐姆反射層19可以包括多個層。例如，歐姆反射層19可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，或者可以包括Ni/Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0122]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，設(shè)置在歐姆反射層19之下的導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以電連接到設(shè)置在歐姆反射層19上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層U。
[0123]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以包括歐姆反射層19和第一金屬層35中的至少一個。在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，設(shè)置在第二電極82之下的導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以通過第一接觸部分91電連接到設(shè)置在第二電極82上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0124]第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0125]例如，如圖2所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個通孔20。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。
[0126]盡管在圖7所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成為具有如圖2所示的多個通孔20，并且第一接觸部分91可以形成在每個通孔20中。同時，通孔20可以具有在5 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)的寬度或直徑D。如果通孔20具有小于5 μ m的寬度或直徑，則用于形成第一接觸部分91的過程可能是困難的。另外，如果通孔20具有大于200 μ m的寬度或直徑，則發(fā)光結(jié)構(gòu)10的發(fā)光面積減少使得光提取效率可能劣化。布置在通孔20中的第一接觸部分91也可以具有在5μπι至200μπι的范圍內(nèi)的寬度或直徑。
[0127]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0128]例如，布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上的第一接觸部分91可以從通孔20的外圍部分延伸5μπι至50μπι。布置在通孔20之下的第一絕緣層33可以從通孔20的外圍部分延伸5 μ m至70 μ m。
[0129]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一種。
[0130]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中。第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。例如，第一絕緣層33的一部分包圍第一接觸部分91，使得由第一絕緣層33包圍的內(nèi)部區(qū)域可以與外部區(qū)域絕緣。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13和有源層12。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過有源層12，以使得該部分沿著深度方向具有等于或小于IOOOnm的長度。
[0131]第一絕緣層33的布置為穿過有源層12的部分可以具有足以使形成在第一絕緣層33的內(nèi)側(cè)的有源層12與形成在第一絕緣層33的外側(cè)的有源層12絕緣的深度。
[0132]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以通過穿過溝道層30而電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以定位成高于第二接觸部分92的頂表面。
[0133]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下，第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。
[0134]在第一電極81與第二電極82之間可以布置有第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0135]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0136]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0137]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0138]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0139]圖8為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的截面圖并且圖9為示出在圖8中所示的發(fā)光器件的第一接觸部分的布置的圖。
[0140]如圖8和圖9所示，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括發(fā)光結(jié)構(gòu)10、第一絕緣層33、第一電極81、第二電極82以及第一接觸部分91。
[0141]發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層
13。有源層12可以置于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。有源層12可以設(shè)置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11之下，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以設(shè)置在有源層12之下。
[0142]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0143]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用第I1-VI族化合物半導(dǎo)體、或者第πι-v族化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。
[0144]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以通過使用具有InxAlyGa1IyN (O≤x≤1,O ≤ y ≤1,0 ≤x+y ≤ 1)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包含選自摻雜有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型摻雜劑的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。
[0145]有源層12通過穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)與穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合而發(fā)射具有與根據(jù)構(gòu)成有源層12的材料的能帶隙差對應(yīng)的波長的光。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中之一，但是實(shí)施方案不限于此。
[0146]有源層12可以通過使用化合物半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)。有源層12可以通過使用具有InxAlyGa1^yN (Ox+y ( 1)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時，有源層12可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層的循環(huán)。 [0147]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括P型半導(dǎo)體層。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用第II-VI族化合物半導(dǎo)體、或第πι-v族化合物半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。
[0148]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用具有InxAlyGanyN (O≤x≤1，O ≤ 1, O ≤ x+y ≤1)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含選自摻雜有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型摻雜劑的GaN、AIN、AlGaN, InGaN, InN、InAlGaN, Al InN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP 以及 AlGaInP 中的一種。
[0149]同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下附加地設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或者PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中可以以均勻或非均勻摻雜濃度摻雜有雜質(zhì)。換句話說，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，并且實(shí)施方案不限于此。
[0150]另外，可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0151]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括反射層17。反射層可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。反射層可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。反射層可以布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下。反射層17可以反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到其上的光來增加提取到外界的光的量。
[0152]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括置于反射層17與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間的歐姆接觸層15。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。歐姆接觸層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸的區(qū)域。歐姆接觸層15可以包括與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸的區(qū)域。
[0153]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包括選自以下中的至少一種:ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋁鋅)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、IZON(氮化 ΙΖ0)、ZnO、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及Ti。
[0154]反射層17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包括含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，所述透射導(dǎo)電材料例如ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)或ATO(氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中的至少一種。
[0155]例如，反射層17可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti層，以及Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17之下，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。
[0156]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在反射層17之下的第一金屬層35。第一金屬層35可以包含Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中的至少一種。
[0157]根據(jù)實(shí)施方案，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的至少之一。例如，第二電極82可以包括反射層17、第一金屬層35以及歐姆接觸層15的全部，或者可以包括選自反射層17、第一金屬層35以及歐姆接觸層15中的一種或兩種。
[0158]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第二電極82可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下外圍部分處露出。第二電極82的頂表面可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。
[0159]如上所述，根據(jù)實(shí)施方案，除絕緣層之外，可以將金屬層可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍。也就是說，可以將第二電極82或第一金屬層35布置在在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍。因此，金屬層可以直接包圍發(fā)光結(jié)構(gòu)10，所以可以提高粘附強(qiáng)度。因此，可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)10破裂，使得產(chǎn)品產(chǎn)率可以提高。另外，因為金屬層布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10下方的區(qū)域周圍，所以可以確保在高電流條件下的穩(wěn)定性。
[0160]第二電極82的第一金屬層35可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10的底表面接觸。第二電極82的第一金屬層35可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的下外圍部分處露出。第一金屬層35的一端可以布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之下。金屬層35的一端可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13的底表面接觸。
[0161]可以在第二電極82的側(cè)面處布置第三絕緣層45。第三絕緣層45可以布置在第一金屬層35的側(cè)面處。第三絕緣層45可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍。第三絕緣層45可以包括絕緣材料。例如，第三絕緣層45可以通過使用氧化物或氮化物形成。例如，第三絕緣層45可以通過使用選自Si02、SixOy, Si3N4, SixNy、SiOxNy、A1203、TiO2以及AlN的至少一種來形成。第三絕緣層45可以在稍后進(jìn)行關(guān)于發(fā)光結(jié)構(gòu)10的劃片工藝時防止第一電極81與第二電極82之間的電短路。
[0162]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第一接觸部分91。第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0163]例如，如圖9所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個接觸部分91。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81，并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。例如，當(dāng)發(fā)光結(jié)構(gòu)10生長為GaN半導(dǎo)體層時，第一接觸部分91可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的η面接觸。
[0164]盡管在圖8所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成有設(shè)置在每個通孔20中的多個第一接觸部分91。
[0165]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0166]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一種。
[0167]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第一接觸部分91之間。第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的內(nèi)側(cè)。第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。第一絕緣層33可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0168]例如，第一絕緣層33可以通過使用氧化物或氮化物來實(shí)現(xiàn)。例如，第一絕緣層33可以包含選自 Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、Si0xNy、Al203、Ti02 以及 AlN 中的至少一種。
[0169]例如，第一絕緣層33可以形成在垂直于發(fā)光結(jié)構(gòu)10形成的通孔20的整個側(cè)壁上。第一接觸部分91可以形成在第一絕緣層33的整個區(qū)域上。另外，第一接觸部分91可以形成在第一絕緣層33的部分區(qū)域上。例如，第一接觸部分91可以形成在第一絕緣層33的第一區(qū)域中并且第一絕緣層33的第二區(qū)域可以在通孔20的內(nèi)部露出。在該方式中，如果第一接觸部分91布置在第一絕緣層33的部分區(qū)域上，則從發(fā)光結(jié)構(gòu)發(fā)射的光可以沿著通孔20的橫向發(fā)射。
[0170]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括設(shè)置在第一絕緣層33之下的第二金屬層37。第二金屬層37可以包含Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之一。第二金屬層37可以通過使用構(gòu)成第一金屬層35的材料來形成。另外，第一金屬層35和第二金屬層37可以通過使用相互不同的材料來形成。
[0171]在第一金屬層35與第二金屬層37之間可以布置有第二絕緣層40。第二絕緣層40可以通過使用氧化物或氮化物形成。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN的至少一種。第二絕緣層40可以布置在第一金屬層35之下。第二絕緣層40可以布置在第一絕緣層33之下。
[0172]可以在第二金屬層37之下布置第三金屬層50。第三金屬層50可以電連接到第二金屬層37。第三金屬層50的頂表面可以與第二金屬層37的底表面接觸。第三金屬層50可以布置在第二絕緣層40之下。
[0173]第三金屬層50可以包含&1、祖、11、11-1、0、1、？扒￥、？6以及Mo中的至少之一。
第三金屬層50可以用作擴(kuò)散阻擋層。可以在第三金屬層50之下設(shè)置接合層60和導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0174]第三金屬層50可以防止在設(shè)置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴(kuò)散到反射層17。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料(例如Sn)對反射層17施加影響。
[0175]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一種。導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以在執(zhí)行散熱功能的同時支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。接合層60可以以籽層的形式來實(shí)現(xiàn)。
[0176]導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種襯底。
[0177]根據(jù)實(shí)施方案，第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的至少之一。第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70的全部。另外，第一電極81可以選擇性地包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的兩種或三種。
[0178]第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。第一電極81的頂表面可以與第一接觸部分91和第一絕緣層33接觸。
[0179]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中的至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以定位成高于第二接觸部分92的頂表面。
[0180]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)，因此，可以增加在形成粗糙結(jié)構(gòu)的區(qū)域處向上提取的光的量。
[0181]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括置于第一金屬層35與第三金屬層50之間的第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一金屬層35與第三金屬層50絕緣。第二絕緣層40可以使第一金屬層35與導(dǎo)電支承構(gòu)件70絕緣。例如，第二絕緣層40可以通過使用氧化物或氮化物來實(shí)現(xiàn)。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、Si具、SiO具、A1203、TiO2以及AlN中的至少一種。
[0182]第二絕緣層40的一部分可以包圍第二金屬層37的外圍部分。第二絕緣層40的上部可以與第一絕緣層33的底表面接觸。[0183]可以在第一電極81與第二電極82之間布置第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0184]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0185]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0186]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0187]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0188]在下文中，將參照圖10至圖13描述根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法。
[0189]根據(jù)實(shí)施方案的制造發(fā)光器件的方法，如圖10所示，可以在襯底5上形成第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。可以將第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13定義為發(fā)光結(jié)構(gòu)10。 [0190]例如，襯底5可以包括藍(lán)寶石襯底(Al2O3)、SiC、GaAs、GaN、ZnO、S1、GaP、InP以及Ge中的至少之一,但實(shí)施方案不限于此?？梢栽诘谝粚?dǎo)電半導(dǎo)體層11與襯底5之間插入緩沖層。
[0191]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括摻雜有用作第一導(dǎo)電摻雜劑的N型摻雜劑的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括摻雜有用作第二導(dǎo)電摻雜劑的P型摻雜劑的P型半導(dǎo)體層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。
[0192]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括N型半導(dǎo)體。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括具有InxAlyGanyN(O≤x≤1，O≤y≤1，O≤x+y≤I)的組成式的半導(dǎo)體材料。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括選自InAlGaN、GaN、AlGaN、AlInN、InGaN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有例如S1、Ge、Sn、Se以及Te的N型摻雜劑。
[0193]有源層12通過穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11注入的電子(或空穴)與穿過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13注入的空穴(或電子)的復(fù)合而發(fā)射具有與根據(jù)構(gòu)成有源層12的材料的能帶隙差對應(yīng)的波長的光。有源層12可以具有單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)、多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)以及量子線結(jié)構(gòu)中之一，但是實(shí)施方案不限于此。
[0194]有源層12 可以通過使用具有 InxAlyGa1^yN(O ^ x ^ I,O ^ y ^ I,O ^ x+y ^ I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)有源層12具有MQW結(jié)構(gòu)時，有源層12可以通過堆疊多個阱層和多個勢壘層來形成。例如，有源層12可以具有InGaN阱層/GaN勢壘層的循環(huán)。
[0195]例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用P型半導(dǎo)體來實(shí)現(xiàn)。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以通過使用具有InxAlyGa1IyN (Ox+y ( I)的組成式的半導(dǎo)體材料來實(shí)現(xiàn)。例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包含選自InAlGaN、GaN, AlGaN, InGaN,Al InN、AlN以及InN中的一種，并且可以摻雜有例如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的P型摻雜劑。
[0196]同時，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11可以包括P型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13可以包括N型半導(dǎo)體層。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13上附加地設(shè)置包括N型或P型半導(dǎo)體層的半導(dǎo)體層。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有NP結(jié)結(jié)構(gòu)、PN結(jié)結(jié)構(gòu)、NPN結(jié)結(jié)構(gòu)或者PNP結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少一種結(jié)構(gòu)。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13中可以以均勻或非均勻摻雜濃度摻雜有雜質(zhì)。換句話說，發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以具有各種結(jié)構(gòu)，并且實(shí)施方案不限于此。
[0197]另外，可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11與有源層12之間形成第一導(dǎo)電InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)或InGaN/InGaN超晶格結(jié)構(gòu)。另外，可以在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13與有源層12之間形成第二導(dǎo)電AlGaN層。
[0198]然后，如圖11所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置第三絕緣層45、歐姆接觸層15以及反射層17。
[0199]第三絕緣層45可以包括絕緣材料。例如，可以通過使用氧化物或氮化物來形成第三絕緣層45。例如，可以通過使用選自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3'TiO2以及AlN中的至少一個來形成第三絕緣層45。
[0200]歐姆接觸層15可以置于反射層17與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13之間。歐姆接觸層15可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13接觸。
[0201]歐姆接觸層15可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。反射層17可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。歐姆接觸層15可以包括與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸的歐姆接觸區(qū)域。
[0202]例如，歐姆接觸層15可以包括透明導(dǎo)電氧化物層。例如，歐姆接觸層15可以包括選自以下中的至少一種:ITO (氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、AZO (氧化鋁鋅)、AGZO (氧化鋁鎵鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、ATO (氧化銻錫)、GZO (氧化鎵鋅)、IZON(氮化 ΙΖ0)、ZnO、IrOx、RuOx、Ni。、Pt、Ag 以及Ti。
[0203]反射層17可以包括具有高反射率的材料。例如，反射層17可以包含含有Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au和Hf中的至少一種的金屬及其合金。另外，反射層17可以形成為金屬或其合金和透射導(dǎo)電材料的多層，所述透射導(dǎo)電材料例如ITO(氧化銦錫)、IZO (氧化銦鋅)、IZTO (氧化銦鋅錫)、IAZO (氧化銦鋁鋅)、IGZO (氧化銦鎵鋅)、IGTO (氧化銦鎵錫)、AZO(氧化鋁鋅)或ATO(氧化銻錫)。例如，根據(jù)實(shí)施方案，反射層17可以包含Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金以及Ag-Cu合金中至少一種。
[0204]例如，反射層17可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，并且可以包括Ni/Ag/Ni或Ti層，以及Pt層。另外，歐姆接觸層15可以設(shè)置在反射層17之下，并且歐姆接觸層15的至少一部分可以通過反射層17與發(fā)光結(jié)構(gòu)10歐姆接觸。
[0205]此后，如圖12所不,可以在反射層17上形成第一金屬層35、第二金屬層37、第二絕緣層40、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70。
[0206]第一金屬層35可以包含選自Au、Cu、N1、T1、T1-W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之一。根據(jù)實(shí)施方案，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中至少之一。例如，第二電極82可以包括反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35的全部，或者可以選擇性包括選自反射層17、歐姆接觸層15以及第一金屬層35中的一種或兩種。
[0207]第二金屬層37可以包含Au、Cu、N1、T1、Ti_W、Cr、W、Pt、V、Fe以及Mo中至少之
一?？梢酝ㄟ^使用構(gòu)成第一金屬層35的材料來形成第二金屬層37。另外，可以通過使用相互不同的材料來形成第一金屬層35和第二金屬層37。
[0208]可以在第一金屬層35與第二金屬層37之間布置第二絕緣層40?？梢酝ㄟ^使用氧化物或氮化物來形成第二絕緣層40。例如，第二絕緣層40可以包含選自Si02、Six0y、Si3N4、SixNy、SiOxNy> A1203、TiO2以及AlN中的至少一種。第二絕緣層40可以布置在第一金屬層35上。第二絕緣層40可以布置在第一絕緣層33上?？梢允沟诙^緣層40的一部分包圍第二金屬層37。
[0209]可以在第二金屬層37上布置第三金屬層50。第三金屬層50可以電連接到第二金屬層37。第三金屬層50的底表面可以與第二金屬層37的頂表面接觸。第三金屬層50可以布置在第二絕緣層40上。
[0210]第三金屬層50可以包含&1、祖、11、11-1、0、1、？扒￥、？6以及Mo中的至少之一。
第三金屬層50可以用作擴(kuò)散阻擋層?？梢栽诘谌饘賹?0上設(shè)置接合層60和導(dǎo)電支承構(gòu)件70。 [0211]第三金屬層50可以防止在設(shè)置接合層60的過程中包含在接合層60中的材料擴(kuò)散到反射層17。第三金屬層50可以防止包含在接合層60中的材料(例如Sn)對反射層17施加影響。
[0212]接合層60包括阻擋金屬或接合金屬。例如，接合層60可以包含T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、In、B1、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中至少之一。導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以在執(zhí)行散熱功能的同時支承根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10。接合層60可以以籽層的形式來實(shí)現(xiàn)。
[0213]導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以包括注入有T1、Cr、N1、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W或雜質(zhì)的半導(dǎo)體襯底(例如，Si襯底、Ge襯底、GaN襯底、GaAs襯底、ZnO襯底、SiC襯底以及SiGe襯底)中的至少一種襯底。
[0214]根據(jù)實(shí)施方案，第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的至少之一。第一電極81可以包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70的全部。另外，第一電極81可以選擇性地包括第二金屬層35、第三金屬層50、接合層60以及導(dǎo)電支承構(gòu)件70中的兩種或三種。
[0215]接下來，將襯底5從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11移除。根據(jù)一個實(shí)施例，可以通過激光剝離(LLO)工藝移除襯底5。LLO工藝為通過向襯底5的底表面輻照激光來使襯底5從第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11剝離的工藝。
[0216]另外，如圖13所示，通過隔離蝕刻工藝對發(fā)光結(jié)構(gòu)10的側(cè)面進(jìn)行蝕刻以使第二電極82的一部分露出。在該情況下，可以通過隔離蝕刻工藝使第一金屬層35的一部分露出。另外，可以通過隔離蝕刻工藝使第三絕緣層45露出?？梢酝ㄟ^干蝕刻工藝?yán)珉姼旭詈系入x子體(ICP)來進(jìn)行隔離蝕刻工藝，但實(shí)施方案不限于此。
[0217]可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上形成粗糙結(jié)構(gòu)。因此，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置光提取圖案?？梢栽诎l(fā)光結(jié)構(gòu)10上設(shè)置凸凹圖案。例如，可以通過PEC(光電化學(xué))蝕刻工藝來布置設(shè)置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上的光提取圖案。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以增加外部光提取效果。[0218]接下來，如圖13所示，可以形成第一絕緣層33以及第一接觸部分91和第二接觸部分92。
[0219]第一絕緣層33可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一絕緣層33可以穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第二絕緣層40接觸。第一絕緣層33可以穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第二金屬層37接觸。第一絕緣層33可以穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10與第二金屬層37的頂表面接觸。
[0220]第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一接觸部分91可以形成在第一絕緣層33上。
[0221]例如，如圖9所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個接觸部分91。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。
[0222]盡管在圖13所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成有設(shè)置在每個通孔20中的多個第一接觸部分91。
[0223]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0224]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少之一。
[0225]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中，第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0226]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10間隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al.Au以及Mo中的至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以設(shè)置為高于第二接觸部分92的頂表面。
[0227]同時，以上工藝僅為示例目的并且可以根據(jù)發(fā)光器件的設(shè)計進(jìn)行各種修改。
[0228]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。[0229]可以在第一電極81與第二電極82之間布置有第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0230]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0231]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0232]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0233]在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0234]根據(jù)實(shí)施方案，除絕緣層之外，可以將金屬層布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍。也就是說，可以將第二電極82或第一金屬層35布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍。因此，金屬層可以直接包圍發(fā)光結(jié)構(gòu)10，所以可以提高粘附強(qiáng)度。因此，可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)10破裂使得產(chǎn)品產(chǎn)率可以提高。另外，因為金屬層布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下的區(qū)域周圍，所以可以確保在高電流條件下的穩(wěn)定性。
[0235]圖14為示出根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的另一實(shí)施例的截面圖。在關(guān)于圖14中所示的發(fā)光器件的以下描述中，為了避免贅述將不再描述那些與參照圖8和圖9所描述的相同的部件和結(jié)構(gòu)。
[0236]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下設(shè)置歐姆反射層19?？梢詫?shí)現(xiàn)歐姆反射層19，使得歐姆反射層19既用作反射層17又用作歐姆接觸層15。因此，歐姆反射層19可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13歐姆接觸并且反射從發(fā)光結(jié)構(gòu)10入射到歐姆反射層19的光。
[0237]在該情況下，歐姆反射層19可以包括多個層。例如，歐姆反射層19可以具有Ag層和Ni層交替形成的結(jié)構(gòu)，或者可以包括Ni/Ag/Ni層、Ti層或Pt層。
[0238]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，設(shè)置在歐姆反射層19之下的導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以電連接到設(shè)置在歐姆反射層19上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層U。
[0239]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以包括歐姆反射層19和第一金屬層35中的至少之一。在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，設(shè)置在第二電極82之下的導(dǎo)電支承構(gòu)件70可以通過第一接觸部分91電連接到設(shè)置在第二電極82上的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。
[0240]第一接觸部分91可以布置為穿過發(fā)光結(jié)構(gòu)10。第一接觸部分91可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0241]例如，如圖9所示，可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中形成多個第一接觸部分91。第一接觸部分91可以沿發(fā)光結(jié)構(gòu)10的通孔20布置。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以電連接到第一電極81并且第一接觸部分91的第二區(qū)域可以與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面接觸。例如，第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37接觸。第一接觸部分91的第一區(qū)域可以與第二金屬層37的頂表面接觸。
[0242]盡管在圖14所示的發(fā)光器件中示出了僅一個第一接觸部分91，但是根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光結(jié)構(gòu)10可以形成為具有如圖9所示的多個通孔，并且第一接觸部分91可以形成在每個通孔20中。
[0243]第一接觸部分91可以在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的頂表面上彼此隔開。因為第一接觸部分91分布在發(fā)光結(jié)構(gòu)10上,所以可以使施加到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的電流分散。因而，可以防止第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11的劣化并且可以提高有源層12中的電子和空穴的復(fù)合效率。
[0244]根據(jù)實(shí)施方案，第一接觸部分91可以包括歐姆層、中間層以及上部層。歐姆層可以包括選自Cr、V、W、Ti以及Zn的材料，并且可以產(chǎn)生歐姆接觸。中間層可以通過使用選自N1、Cu以及Al的材料來實(shí)現(xiàn)。例如，上部層可以包含Au。第一接觸部分91可以包含選自 Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au 以及 Mo 中的至少一種。
[0245]第一絕緣層33的一部分可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10中，第一絕緣層33的一部分可以布置在第一接觸部分91周圍。第一絕緣層33的一部分可以布置為穿過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層
11、有源層12以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0246]另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件可以包括第二接觸部分92。第二接觸部分92可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)10隔開。第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以通過穿過溝道層30而電連接到第二電極82。第二接觸部分92可以電連接到第一金屬層35。第二接觸部分92可以與第一金屬層35的頂表面接觸。第二接觸部分92可以包含Cr、V、W、T1、Zn、N1、Cu、Al、Au以及Mo中至少一種。第二接觸部分92可以通過使用構(gòu)成第一接觸部分91的材料形成。另外，第一接觸部分91和第二接觸部分92可以通過使用相互不同的材料形成。第一接觸部分91的頂表面可以定位成高于第二接觸部分92的頂表面。
[0247]根據(jù)實(shí)施方案的第二電極82可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下，第二電極82可以電連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。第一電極81可以布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10之下。第一電極81可以電連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。第一電極81的底表面可以定位成低于第二電極82的底表面。
[0248]可以在第一電極81與第二電極82之間布置有第二絕緣層40。第二絕緣層40可以使第一電極81與第二電極82電絕緣。
[0249]根據(jù)實(shí)施方案，可以通過第一電極81和第二電極82將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。例如，在根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件中，可以通過第一電極81的導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率施加到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。
[0250]因此，可以通過將導(dǎo)電支承構(gòu)件70附接到結(jié)合墊的方案來將功率供應(yīng)到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層11。根據(jù)實(shí)施方案，第二接觸部分92可以電連接到第二電極82。因此，通過引線接合方案將第二接觸部分92連接到電源墊，由此將功率供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層13。
[0251]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以通過導(dǎo)電支承構(gòu)件70和第二接觸部分92將功率供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)10。因此，根據(jù)實(shí)施方案，可以防止電流集中，并且可以提高電可靠性。
[0252]根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，通孔20從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面形成。因而，可以簡化制造工藝并且可以提高產(chǎn)品產(chǎn)率。另外，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件，可以減小布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面上的電極的面積，使得可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)10的頂表面和側(cè)面省略保護(hù)層。因此，可以提高從發(fā)光結(jié)構(gòu)10發(fā)射到外界的光的提取效率。
[0253]圖15為示出應(yīng)用根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的截面圖。
[0254]參照圖15，根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件可以包括本體120、形成在本體120上的第一引線電極131和第二引線電極132、設(shè)置在本體120上并且電連接到第一引線電極131和第二引線電極132的發(fā)光器件100以及包圍發(fā)光器件100的模制構(gòu)件140。
[0255]本體120可以包括硅、合成樹脂或金屬材料，并且在發(fā)光器件100附近可以形成傾斜表面。
[0256]第一引線電極131和第二引線電極132可以彼此電絕緣以將功率供應(yīng)到發(fā)光器件100。第一引線電極131和第二引線電極132可以通過反射從發(fā)光器件100發(fā)射的光來提高發(fā)光效率。此外，第一引線電極131和第二引線電極132可以使從發(fā)光器件100生成的熱消散到外界。
[0257]可以將發(fā)光器件100安裝在本體120或者第一引線電極131或第二引線電極132上。
[0258]可以通過引線方案、倒裝芯片方案以及芯片接合方案中的一種方案將發(fā)光器件100電連接到第一引線電極131和第二引線電極132。
[0259]模制構(gòu)件140可以包圍發(fā)光器件100以保護(hù)發(fā)光器件100。另外，模制構(gòu)件140可以包括磷光體以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長。
[0260]可以將根據(jù)實(shí)施方案的多個發(fā)光器件或多個發(fā)光器件封裝件排布在板上，并且可以將包括透鏡、導(dǎo)光板、棱鏡片、或擴(kuò)散片的光學(xué)構(gòu)件設(shè)置在從發(fā)光器件封裝件發(fā)射的光的光路上。發(fā)光器件封裝件、板以及光學(xué)構(gòu)件可以用作發(fā)光單元。發(fā)光單元以頂視型或側(cè)視型實(shí)現(xiàn)并且不同地設(shè)置在便攜終端和膝上型計算機(jī)的顯示裝置或者照明設(shè)備和指示設(shè)備中。另外，根據(jù)其他實(shí)施方案的照明設(shè)備可以包括根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝件。例如，照明設(shè)備可以包括燈、信號燈、電子顯示板以及車輛的前燈。
[0261]可以將根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件應(yīng)用到發(fā)光單元。發(fā)光單元具有排布有多個發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)。發(fā)光單元可以包括如圖16和圖17中所示的顯示裝置以及如圖18中所示的照明設(shè)備。
[0262]參照圖16,根據(jù)實(shí)施方案的顯不裝置1000包括導(dǎo)光板1041、用于將光供應(yīng)到導(dǎo)光板1041的發(fā)光模塊1031、設(shè)置在導(dǎo)光板1041下方的反射構(gòu)件1022、設(shè)置在導(dǎo)光板1041上方的光學(xué)片1051、設(shè)置在光學(xué)片1051上方的顯不面板1061以及用于容納導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022的底蓋1011。然而，實(shí)施方案不限于以上結(jié)構(gòu)。
[0263]底蓋1011、反射構(gòu)件1022、導(dǎo)光板1041以及光學(xué)片1051可以構(gòu)成發(fā)光單元1050。
[0264]導(dǎo)光板1041使光擴(kuò)散以提供面光。導(dǎo)光板1041可以包括透明材料。例如，導(dǎo)光板1041可以包括丙烯酸基樹脂例如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)樹脂、PET (聚對苯二甲酸乙二醇酯)樹脂、PC(聚碳酸酯)樹脂、COC(環(huán)烯烴共聚物)樹脂以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)樹脂中之一。
[0265]發(fā)光模塊1031將光供應(yīng)到導(dǎo)光板1041的至少一側(cè)。發(fā)光模塊1031用作顯不裝置的光源。
[0266]至少一個發(fā)光模塊1031設(shè)置為從導(dǎo)光板1041的一側(cè)直接或間接地供應(yīng)光。發(fā)光模塊1031可以包括板1033以及以上所述的根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件100或發(fā)光器件封裝件200。發(fā)光器件封裝件200可以排布在板1033上，同時以預(yù)定間隔彼此隔開。
[0267]板1033可以為包括電路圖案的印刷電路板(PCB)。另外，板1033也可以包括金屬核PCB (MCPCB)或柔性PCB (FPCB)以及PCB，但實(shí)施方案不限于此。如果發(fā)光器件封裝件200安裝在底蓋1011的側(cè)面上或散熱板上，則可以省略板1033。散熱板可以與底蓋1011的頂表面部分地接觸。
[0268]另外，安裝發(fā)光器件封裝件200，使得發(fā)光器件封裝件200的光出射面以預(yù)定距離與導(dǎo)光板1041隔開，但實(shí)施方案不限于此。發(fā)光器件封裝件200可以將光直接或間接地供應(yīng)到作為導(dǎo)光板1041的一側(cè)的光入射部，但實(shí)施方案不限于此。
[0269]反射構(gòu)件1022可以布置在導(dǎo)光板1041下方。反射構(gòu)件1022將穿過導(dǎo)光板1041的底表面向下傳播的光向上反射，由此提高發(fā)光單元1050的亮度。例如，反射構(gòu)件1022可以包括PET樹脂、PC樹脂或PVC樹脂，但實(shí)施方案不限于此。反射構(gòu)件1022可以用作底蓋1011的頂表面,但實(shí)施方案不限于此。
[0270]底蓋1011可以在其中容納有導(dǎo)光板1041、發(fā)光模塊1031以及反射構(gòu)件1022。為此，底蓋1011具有容納部分1012，該容納部分1012為具有開口頂表面的盒形狀，但實(shí)施方案不限于此。底蓋1011可以與頂蓋(未示出)耦接，但實(shí)施方案不限于此。
[0271]底蓋1011可以通過使用金屬材料或樹脂材料經(jīng)由沖壓工藝或擠出工藝來制造。另外，底蓋1011可以包括具有極好熱導(dǎo)率的金屬或非金屬材料，但實(shí)施方案不限于此。
[0272]顯示面板1061例如為包括彼此相對的第一透明襯底和第二透明襯底以及置于第一襯底與第二襯底之間的液晶層的LCD面板?？梢詫O化板附接到顯示面板1061的至少一個表面，但實(shí)施方案不限于此。顯示面板1061通過利用穿透光學(xué)片1051的光來顯示信息。顯示裝置1000可以應(yīng)用于各種便攜式終端，筆記本計算機(jī)和膝上型計算機(jī)的屏幕以及電視機(jī)。
[0273]光學(xué)片1051布置在顯示面板1061與導(dǎo)光板1041之間并且包括至少一個透射片。例如，光學(xué)片1051包括擴(kuò)散片、水平和豎直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中至少之一。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，水平和/或豎直棱鏡片將入射光會聚到顯示區(qū)域上，并且亮度增強(qiáng)片通過重新利用損失的光來提高亮度。另外，可以在顯示面板1061上設(shè)置保護(hù)片，但實(shí)施方案不限于此。
[0274]導(dǎo)光板1041和光學(xué)片1051可以設(shè)置在發(fā)光模塊1031的光路上作為光學(xué)構(gòu)件,但實(shí)施方案不限于此。
[0275]圖17為示出根據(jù)實(shí)施方案的顯示裝置的另一實(shí)施例的截面圖。
[0276]參照圖17，顯示裝置1100包括底蓋1152、在其上排布有發(fā)光器件100的板1020、光學(xué)構(gòu)件1154以及顯示面板1155。板1020和發(fā)光器件封裝件200可以構(gòu)成發(fā)光模塊1060。另外，底蓋1152、至少一個發(fā)光模塊1060以及光學(xué)構(gòu)件1154可以構(gòu)成發(fā)光單兀?？梢栽诘咨w1152中設(shè)置容納部分1153，但實(shí)施方案不限于此。
[0277]在該情況下，光學(xué)構(gòu)件1154可以包括透鏡、導(dǎo)光板、擴(kuò)散片、水平和豎直棱鏡片以及亮度增強(qiáng)片中的至少之一。導(dǎo)光板可以包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。導(dǎo)光板可以省略。擴(kuò)散片使入射光擴(kuò)散，水平和豎直棱鏡片將入射光會聚到顯示區(qū)域中，并且亮度增強(qiáng)片通過重新利用損失的光來提高亮度。
[0278]光學(xué)構(gòu)件1154布置在發(fā)光模塊1060上，以便于將從發(fā)光模塊1060發(fā)射的光轉(zhuǎn)換為面光。另外，光學(xué)構(gòu)件1154可以使光擴(kuò)散或者聚集。
[0279]圖18為示出根據(jù)實(shí)施方案的照明設(shè)備的透視圖。
[0280]參照圖18，根據(jù)實(shí)施方案的照明設(shè)備可以包括蓋2100、光源模塊2200、散熱器2400、電源部分2600、內(nèi)殼2700以及插座2800。根據(jù)實(shí)施方案的照明設(shè)備還可以包括構(gòu)件2300和保持器2500之一。光源模塊2200可以包括根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件封裝件。
[0281]例如，蓋2100可以具有燈泡狀或半球形形狀、蓋2100可以具有部分打開的中空結(jié)構(gòu)。蓋2100可以與光源模塊2200光學(xué)耦合。例如，蓋2100可以對從光源2200提供的光進(jìn)行擴(kuò)散、散射或激發(fā)。蓋2100可以為光學(xué)構(gòu)件。蓋2100可以與散熱器2400耦接。蓋2100可以包括與散熱器2400耦接的耦接部分。
[0282]蓋2100可以包括涂覆有奶白色顏料的內(nèi)表面。奶白色顏料可以包括擴(kuò)散材料以使光擴(kuò)散。蓋2100的內(nèi)表面的粗糙度可以大于蓋2100的外表面的粗糙度。設(shè)置表面粗糙度以便使來自光源模塊2200的光充分散射和擴(kuò)散。
[0283]蓋2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在以上材料中，聚碳酸酯(PC)具有優(yōu)良的耐光性、耐熱性以及強(qiáng)度。蓋2100可以為透明的，使得使用者可以從外界觀察光源模塊2200，或者可以為不透明的。蓋2100可以通過吹塑方案來處理。
[0284]光源模塊220可以布置在散熱器2400的一個表面處。因此，來自光源模塊220的熱被傳遞到散熱器2400。光源模塊2200可以包括光源2210、連接板2230以及連接器2250。
[0285]構(gòu)件2300布置在散熱器2400的頂表面，并且包括使多個光源2210和連接器2250插入的引導(dǎo)槽2310。引導(dǎo)槽2310對應(yīng)于連接器2250和光源2210的板。
[0286]構(gòu)件2300的表面可以涂覆有光反射材料。例如，構(gòu)件2300的表面可以涂覆有白色顏料。構(gòu)件2300將由蓋2100的內(nèi)表面反射并且返回到光源模塊2200的方向的光再次反射到蓋2100的方向。因此，可以提高根據(jù)實(shí)施方案的照明設(shè)備的光效率。
[0287]例如，構(gòu)件2300可以包括絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可以包括導(dǎo)電材料。因此，散熱器2400可以電連接到連接板2230。構(gòu)件2300可以通過絕緣材料形成，由此防止連接板2230與散熱器2400電短路。散熱器2400接收來自光源模塊2200和電源部分2600的熱并且將熱消散。
[0288]保持器2500覆蓋內(nèi)殼2700的絕緣部分2710的容納槽2719。因此，將容納在內(nèi)殼2700的絕緣部分2710中的電源部分2600密封。保持器2500包括引導(dǎo)凸起2510。引導(dǎo)凸起2510具有孔并且電源部分2600的凸起通過穿過該孔而延伸。
[0289]電源部分2600對從外界接收的電信號進(jìn)行處理或轉(zhuǎn)換并且將經(jīng)處理或轉(zhuǎn)換的電信號提供到光源模塊2200。電源部分2600容納在內(nèi)殼2700的容納槽2719中，并且通過保持器2500被密封在內(nèi)殼2700的內(nèi)部。
[0290]電源部分2600可以包括凸起2610、引導(dǎo)部分2630、基體2650以及延伸部分2670。
[0291]引導(dǎo)部分2630具有從基體2650的一側(cè)向外側(cè)凸出的形狀?？梢詫⒁龑?dǎo)部分2630插入到保持器2500中。在基體2650的一個表面上可以布置多個部件。例如，該部件可以包括:將從外部電源提供的AC電力轉(zhuǎn)化為DC電力的DC轉(zhuǎn)化器；控制光源模塊2200的驅(qū)動的驅(qū)動芯片；以及保護(hù)光源模塊2200的靜電放電(ESD)保護(hù)裝置，但實(shí)施方案不限于此。
[0292]延伸部分2670具有從基體2650的相反側(cè)向外突出的形狀。延伸部分2670插入到內(nèi)殼2700的連接部分2750的內(nèi)部，并且接收來自外界的電信號。例如，延伸部分2670的寬度可以小于或等于內(nèi)殼2700的連接部分2750的寬度。將“+電線”和電線”的第一端子電連接到延伸部分2670并且可以將“+電線”和電線”的第二端子電連接到插座2800。
[0293]內(nèi)殼2700可以包括在其中的模制部分和電源部分2600。模制部分通過使模制液體硬化來制備，并且可以通過模制部分將電源部分2600固定在內(nèi)殼2700的內(nèi)部。
[0294]在該說明書中對“一個實(shí)施方案”、“實(shí)施方案”、“示例性實(shí)施方案”等的任意參考是指結(jié)合實(shí)施方案所描述的具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性被包括在本發(fā)明中的至少一個實(shí)施方案中。在說明書中的各個位置中的這樣的短語的出現(xiàn)未必都指代相同的實(shí)施方案。此外，當(dāng)結(jié)合任意實(shí)施方案描述具體的特征、結(jié)構(gòu)或特性時，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施方案中的其他實(shí)施方案實(shí)現(xiàn)這樣的特征、結(jié)構(gòu)或特性在本領(lǐng)域技術(shù)人員的視野范圍之內(nèi)。
[0295]盡管已經(jīng)參照大量說明性實(shí)施方案對實(shí)施方案進(jìn)行了描述，應(yīng)該理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以作出落在本公開內(nèi)容的原則的精神和范圍之內(nèi)的大量其他修改和實(shí)施方案。更具體地，可以在公開內(nèi)容、附圖以及所附的權(quán)利要求的范圍之內(nèi)對主題組合布置的部件部分和/或布置方面進(jìn)行各種變型和修改。除部件部分和/或布置方面的變型和修改之夕卜，替代性用途對本領(lǐng)域技術(shù)人員也是明顯的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下的有源層、以及布置在所述有源層之下的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第一電極，所述第一電極布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 第二電極，所述第二電極布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之下并且電連接到所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層；以及 第一接觸部分，所述第一接觸部分布置為穿過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)并且包括電連接到所述第一電極的第一區(qū)域和與所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面接觸的第二區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括與所述發(fā)光結(jié)構(gòu)間隔開并且電連接到所述第二電極的第二接觸部分。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸部分布置為穿過所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、所述有源層以及所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極的底表面設(shè)置為低于所述第二電極的底表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括歐姆接觸層和反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括布置在所述第一接觸部分周圍的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)中的第一絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述第一絕緣層布置為穿過所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述有源層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一電極與所述第二電極之間的第二絕緣層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括布置在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之下的區(qū)域周圍的溝道層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層包括絕緣材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述溝道層包括氧化物或氮化物。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸部分包括多個接觸部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述多個接觸部分在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上彼此間隔開。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中形成為穿過所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述第一接觸部分的寬度在5 μ m至200 μ m的范圍內(nèi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極層包括金屬層以及在所述金屬層之下的導(dǎo)電支承構(gòu)件。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括從所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的頂表面到底表面所形成的通孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中所述通孔包括多個通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸部分的區(qū)域布置在所述通孔中。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的發(fā)光器件，其中形成在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上的所述第一接觸部分從所述通孔的外圍部分延伸5 μ m至200 μ m。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的頂表面上的粗糙結(jié)構(gòu)。
21.根據(jù)權(quán)利要求2所 述的發(fā)光器件，其中所述第一接觸部分的頂表面設(shè)置為高于所述第二接觸部分的頂表面。
【文檔編號】H01L33/36GK103928584SQ201410008297
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2014年1月8日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月10日
【發(fā)明者】丁煥熙 申請人:Lg伊諾特有限公司