光照射裝置制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種光照射裝置，防止因在一對(duì)外部電極間形成的電場(chǎng)的影響而在被處理體上的布線(xiàn)圖案處發(fā)生異常放電而受損傷。該光照射裝置具備在發(fā)光管的上下外表面上配置一對(duì)外部電極而成的準(zhǔn)分子燈、及收容該準(zhǔn)分子燈并且在下方設(shè)置有光取出開(kāi)口的外殼，所述一對(duì)外部電極中的、與被處理體對(duì)置的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓，其特征在于，在所述外殼的光取出開(kāi)口上，在所述高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長(zhǎng)度方向的位置，具備電場(chǎng)遮蔽部件，該電場(chǎng)遮蔽部件對(duì)在所述高壓側(cè)的外部電極與所述低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場(chǎng)進(jìn)行遮蔽。
【專(zhuān)利說(shuō)明】光照射裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具備具有外部電極的準(zhǔn)分子燈的光照射裝置，尤其涉及用于對(duì)表面形成有微細(xì)的布線(xiàn)圖案的玻璃基板等被處理體照射紫外線(xiàn)來(lái)進(jìn)行處理的光照射裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體基板、液晶基板等的制造工序中，作為除去在半導(dǎo)體基板即晶片、液晶基板即玻璃基板等被處理體的表面上附著的有機(jī)化合物等污垢的方法，廣泛利用使用了紫外線(xiàn)的干式洗凈方法。尤其在使用了真空紫外線(xiàn)的基于臭氧、活性氧的洗浄方法中，使用了更高效地以短時(shí)間進(jìn)行洗浄的光照射裝置，例如，已知有日本特開(kāi)2010 - 125368號(hào)公報(bào)(專(zhuān)利文獻(xiàn)I)。
[0003]圖3、4是專(zhuān)利文獻(xiàn)I中公開(kāi)的光照射裝置的概略構(gòu)成圖。
[0004]在光照射裝置21中，在鉛垂方向的下方側(cè)具有光取出開(kāi)口的金屬制的燈罩22的內(nèi)部，作為光源而配置有封入了氙等發(fā)光氣體的準(zhǔn)分子燈23。在燈罩22的頂面附近，設(shè)置有用于供給惰性氣體的惰性氣體供給管24、24。
[0005]所述準(zhǔn)分子燈23配置在該氣體供給管24、24所夾的空間的鉛垂下方，作為被處理體(工件)的玻璃基板W在準(zhǔn)分子燈23的更下方通過(guò)。
[0006]所述準(zhǔn)分子燈23在放電容器25的上下外表面上具備一對(duì)外部電極26、27，該一對(duì)外部電極26、27夾著放電容器25內(nèi)的放電空間而對(duì)置配置，上方的外部電極26被施加高電壓從而作為高壓電極發(fā)揮功能，與被處理體W對(duì)置的下方的外部電極27被施加低電壓從而作為低壓電極發(fā)揮功能。而且，至少下方的外部電極27由于網(wǎng)眼構(gòu)造等而被設(shè)為光透射性。
[0007]在對(duì)上述外部電極26、27施加高頻高電壓時(shí)，在放電容器25內(nèi)發(fā)生氙氣體的準(zhǔn)分子發(fā)光，產(chǎn)生波長(zhǎng)172nm的紫外線(xiàn),從放電容器25的下方照射位于外殼21的下方的被處理體W。
[0008]被處理體W例如是液晶面板用的玻璃基板，當(dāng)通過(guò)輸送輥等輸送的被處理體W到達(dá)準(zhǔn)分子燈23的正下方時(shí)，被照射來(lái)自該準(zhǔn)分子燈23的真空紫外線(xiàn)。在被處理體W的表面上，紫外線(xiàn)以及在周?chē)傻幕钚匝醯绕鹱饔?，從而有機(jī)物被分解除去，洗浄后的被處理體W被搬出到外殼22的外部。
[0009]此外，出于極力抑制從燈放射的紫外線(xiàn)的衰減的目的，經(jīng)由氣體供給管24、24向收容準(zhǔn)分子燈23的外殼22的內(nèi)部導(dǎo)入并填充氮?dú)獾榷栊詺怏w。
[0010]但是，在液晶面板用玻璃基板等作為所述被處理體W的情況下，光照射處理在被加工成液晶面板用之前的狀態(tài)下進(jìn)行，因此，如圖4所示，基板(被處理體)W上，有在表面上露出了以導(dǎo)電性物質(zhì)形成的布線(xiàn)圖案30的情況。這種情況下，在用上述光照射裝置21通過(guò)光照射來(lái)處理基板W時(shí)，有時(shí)會(huì)發(fā)生該導(dǎo)電性物質(zhì)破損等事故。
[0011]對(duì)于這種損傷，本發(fā)明的各發(fā)明人進(jìn)行了仔細(xì)研究，結(jié)果查清了這種損傷的原因是:通過(guò)對(duì)準(zhǔn)分子燈23的外部電極26、27施加的高電壓，在燈的周?chē)纬呻妶?chǎng)，并且該電場(chǎng)波及到被處理體W。
[0012]參照?qǐng)D5、圖6對(duì)該現(xiàn)象進(jìn)行說(shuō)明。
[0013]圖5是表示外殼22內(nèi)配設(shè)有準(zhǔn)分子燈23的光照射裝置21的作用的示意圖，外殼22以SUS板、鋁板構(gòu)成，在其內(nèi)部的下方收容有準(zhǔn)分子燈23。
[0014]在準(zhǔn)分子燈23的上下外表面上設(shè)置的一對(duì)外部電極26、27間，施加高頻高電壓，但通常在準(zhǔn)分子燈23的上方外部電極26施加高電壓，在與被處理體W對(duì)置的下方外部電極27施加低電壓。因此，在準(zhǔn)分子燈23的上表面?zhèn)刃纬奢^強(qiáng)的電場(chǎng)X。
[0015]也有準(zhǔn)分子燈23和被處理體W配置在接近的位置的情況，該電場(chǎng)X的一部分如圖5所示那樣，形成為其等電位線(xiàn)達(dá)到準(zhǔn)分子燈23的下方的被處理體W的位置。
[0016]圖6是將圖5所示的光照射裝置的準(zhǔn)分子燈23以及工件W沿著工件W的輸送方向切斷的局部放大剖視圖。
[0017]在玻璃基板等被處理體W上形成的導(dǎo)電性物質(zhì)的布線(xiàn)圖案30是各種各樣的，近來(lái)形成微細(xì)的布線(xiàn)圖案的情況很多，根據(jù)基板上的導(dǎo)電性物質(zhì)的配置狀態(tài)，如圖所示那樣接受由施加到準(zhǔn)分子燈23的高電壓所引起的電場(chǎng)，通過(guò)布線(xiàn)圖案30而在鄰接的導(dǎo)電性物質(zhì)之間產(chǎn)生電位差，這期間有時(shí)發(fā)生異常放電Y。
[0018]其結(jié)果是，可以推測(cè)到導(dǎo)電性物質(zhì)產(chǎn)生電火花而飛散并破損。
[0019]專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2010 - 125368號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本發(fā)明鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)，提供一種光照射裝置的構(gòu)造，該光照射裝置在下方設(shè)置有光取出開(kāi)口的外殼內(nèi)收容在放電容器的上下外表面上具備一對(duì)外部電極的準(zhǔn)分子燈而成，不會(huì)使在上下外部電極間產(chǎn)生的電場(chǎng)的影響波及到被處理體，能夠防止被處理體上的布線(xiàn)圖案發(fā)生異常放電，能夠防止布線(xiàn)圖案破損，可靠性高。
[0021]為了解決上述課題，本發(fā)明的光照射裝置，其特征在于，在所述外殼的光取出開(kāi)口上，在高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長(zhǎng)度方向的位置，具備電場(chǎng)遮蔽部件，該電場(chǎng)遮蔽部件對(duì)在高壓側(cè)的外部電極與低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場(chǎng)進(jìn)行遮蔽。
[0022]另外，特征在于，所述電場(chǎng)遮蔽部件與所述外殼電連接，并經(jīng)由該外殼接地。
[0023]另外，特征在于，在所述外殼內(nèi)，具備供給惰性氣體的氣體供給單元，所述電場(chǎng)遮蔽部件具備通風(fēng)孔，該通風(fēng)孔使所述惰性氣體朝向所述被處理體流出。
[0024]通過(guò)本發(fā)明的光照射裝置，起到如下效果:不會(huì)出現(xiàn)因施加至準(zhǔn)分子燈的高頻高電壓而在一對(duì)外部電極間形成的電場(chǎng)的影響波及到被處理體的情況，所以在對(duì)表面上形成有由導(dǎo)電性物質(zhì)構(gòu)成的布線(xiàn)圖案的被處理體進(jìn)行處理時(shí)，也不會(huì)在布線(xiàn)圖案間發(fā)生不期望的異常放電，能夠?qū)?gòu)成布線(xiàn)圖案的導(dǎo)電性物質(zhì)的損傷防患于未然。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1是本發(fā)明的光照射裝置的剖視圖。
[0026]圖2是說(shuō)明本發(fā)明的作用的剖視圖。
[0027]圖3是以往的光照射裝置的剖視圖。[0028]圖4是其一部分的放大立體圖。
[0029]圖5是說(shuō)明以往的光照射裝置的作用的剖視圖。
[0030]圖6是其一部分的放大剖視圖。
[0031]附圖標(biāo)記說(shuō)明
[0032]I光照射裝置
[0033]2 外殼
[0034]2a光取出開(kāi)口
[0035]3準(zhǔn)分子燈
[0036]4惰性氣體供給管
[0037]5放電容器
[0038]6高壓側(cè)外部電極
[0039]7低壓側(cè)外部電極
[0040]9外部電源
[0041]10電場(chǎng)遮蔽部件
[0042]11光取出窗
[0043]12通風(fēng)孔
[0044]W 工件
[0045]X 電場(chǎng)
[0046]Y異常放電
【具體實(shí)施方式】
[0047]圖1是表示本發(fā)明的光照射裝置的構(gòu)成的剖視圖。光照射裝置I在外殼2的內(nèi)部配設(shè)有準(zhǔn)分子燈3，被處理體W通過(guò)輸送機(jī)構(gòu)在準(zhǔn)分子燈3的下方進(jìn)行輸送，在通過(guò)準(zhǔn)分子燈3的正下方時(shí)，從該準(zhǔn)分子燈3放射出的紫外線(xiàn)例如波長(zhǎng)172nm的真空紫外線(xiàn)照射到該被處理體W上，進(jìn)行表面的干式洗凈。
[0048]在所述外殼2內(nèi)的上方的頂面部附近，設(shè)置有惰性氣體供給管4、4，氮?dú)獾榷栊詺怏w被導(dǎo)入并填充到外殼2內(nèi)，抑制來(lái)自燈2的真空紫外線(xiàn)的衰減。
[0049]另外，所述外殼2的下端形成有來(lái)自準(zhǔn)分子燈3的光取出開(kāi)口 2a。
[0050]準(zhǔn)分子燈3具備剖面呈扁平矩形形狀的放電容器5，在放電容器5的內(nèi)部，以規(guī)定的封入量封入了準(zhǔn)分子放電用的氣體作為發(fā)光氣體。在使用氙氣作為發(fā)光氣體的情況下，通常封入10?70kPa。
[0051]在該準(zhǔn)分子燈3的放電容器5的上下外表面上,設(shè)置有一對(duì)外部電極6、7，至少與被處理體W對(duì)置的下方的外部電極7由于網(wǎng)眼構(gòu)造等而被設(shè)為透光性。
[0052]所述外部電極6、7與外部電源9連接，以準(zhǔn)分子燈3的上側(cè)的外部電極6為高壓側(cè)且與被處理體W對(duì)置的下側(cè)的外部電極7為低壓側(cè)的方式被施加高頻高電壓。
[0053]在外殼2的下端的光取出開(kāi)口 2a上，設(shè)置有電場(chǎng)遮蔽部件10。該電場(chǎng)遮蔽部件10由板狀部件構(gòu)成，在準(zhǔn)分子燈3的高壓側(cè)的外部電極6與被處理體W之間沿著所述準(zhǔn)分子燈3的長(zhǎng)度方向設(shè)置，設(shè)置該電場(chǎng)遮蔽部件10，以遮蔽在所述高壓側(cè)的外部電極6與所述低壓側(cè)的外部電極7之間形成的電場(chǎng)。[0054]在該實(shí)施例中，所述電場(chǎng)遮蔽部件10在準(zhǔn)分子燈3的放電容器5的下表面?zhèn)?、與放電容器5的側(cè)面接近地、沿著放電容器5的長(zhǎng)度方向設(shè)置。在該電場(chǎng)遮蔽部件10上，與準(zhǔn)分子燈3對(duì)應(yīng)地形成有光取出窗11，來(lái)自所述準(zhǔn)分子燈3的出射光從該光取出窗11向被處理體W照射。
[0055]該電場(chǎng)遮斷部件10與外殼2為電連接，經(jīng)由該外殼3被接地到地，始終處于GND電位。
[0056]另外，如圖1所示，在外殼2上設(shè)置有惰性氣體供給管4、4的情況下，也可以在所述電場(chǎng)遮蔽部件10上設(shè)置通風(fēng)孔12并向被處理體W吹送惰性氣體。此時(shí)，需要根據(jù)準(zhǔn)分子燈3的輸入電力等，以由該準(zhǔn)分子燈3所引起的電場(chǎng)不經(jīng)由通風(fēng)孔12漏出的程度設(shè)定通風(fēng)孔12的大小、間距。
[0057]基于圖2說(shuō)明本發(fā)明的作用。在對(duì)準(zhǔn)分子燈3的外部電極6、7間施加高電壓時(shí)，在上述電極6、7間形成電場(chǎng)X，但電場(chǎng)X的一部分被所述電場(chǎng)遮蔽部件10遮蔽而止于外殼2內(nèi)，不會(huì)波及到被處理體W側(cè)。因此，即使在該被處理體W的表面上形成有布線(xiàn)圖案等導(dǎo)電性物質(zhì)，也不會(huì)在布線(xiàn)圖案間產(chǎn)生電位差，不會(huì)發(fā)生異常的放電，所以能夠?qū)?gòu)成布線(xiàn)圖案的導(dǎo)電性物質(zhì)的損傷防患于未然，能夠?qū)Ρ惶幚眢wW照射規(guī)定的紫外線(xiàn)并安全地進(jìn)行期望的處理。
[0058]此外，為了根據(jù)準(zhǔn)分子燈3按照與用途的關(guān)系來(lái)選擇來(lái)自燈的出射光的波長(zhǎng)，也可以設(shè)為在放電容器5的內(nèi)表面涂敷有突光體的構(gòu)造。
[0059]以下，關(guān)于本發(fā)明所涉及的光照射裝置1，例示具體的數(shù)值。
[0060]準(zhǔn)分子燈3中，放電容器5的全長(zhǎng)為2100mm，寬度方向的長(zhǎng)度為42mm，高度方向的長(zhǎng)度為15mm,構(gòu)成放電容器5的石英玻璃的壁厚為2.5mm。
[0061]在此，放電容器5的四角的彎曲部具有1.5mm以上的曲率半徑R。
[0062]對(duì)準(zhǔn)分子燈3的輸入負(fù)載為2?3W/cm。
[0063]外殼2的全長(zhǎng)為2300mm、高度為50mm、寬度為150mm。
[0064]惰性氣體的流量為300L/分。在為該流量時(shí)，外殼2內(nèi)的氧濃度約為0.5?3%。
[0065]電場(chǎng)遮蔽板10是材質(zhì)由SUS構(gòu)成的板狀體，板的厚度為0.5?2mm。另外，中央的開(kāi)口(光取出窗11)的尺寸例如是2100mmX45mm。
[0066]并且，電場(chǎng)遮蔽部件10與高壓側(cè)的外部電極6的距離約為15mm，與低壓側(cè)的外部電極7的距離約為O?5mm。
[0067]該電場(chǎng)遮蔽部件10例如以沖壓金屬(punching metal)形成，并具有由交錯(cuò)狀(日語(yǔ):千鳥(niǎo)狀)地形成的圓孔構(gòu)成的通風(fēng)孔12。關(guān)于通風(fēng)孔12，若舉出一例，則孔的直徑為6mm,中心間距為8mm,開(kāi)口率為51 %,若舉出另一例，則孔的直徑為1.5mm,中心間距為2mm,開(kāi)口率同樣為51%。
[0068]如以上說(shuō)明，在本發(fā)明中，收容了準(zhǔn)分子燈的外殼的光取出開(kāi)口上，在所述準(zhǔn)分子燈的高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間，具備對(duì)在該高壓側(cè)的外部電極與低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場(chǎng)進(jìn)行遮蔽的電場(chǎng)遮蔽部件，由此對(duì)一對(duì)外部電極間施加了高頻高電壓時(shí)所形成的電場(chǎng)的一部分被所述電場(chǎng)遮蔽部件遮蔽，而不會(huì)波及被處理體側(cè)，不會(huì)在被處理體上的布線(xiàn)圖案間引起異常放電，能夠防止布線(xiàn)圖案的損傷。
【權(quán)利要求】
1.一種光照射裝置，具備: 準(zhǔn)分子燈，在封入了發(fā)光氣體的發(fā)光管的上下外表面上配置一對(duì)外部電極而成；以及 外殼，收容該準(zhǔn)分子燈并且在下方設(shè)置有光取出開(kāi)口， 所述一對(duì)外部電極中的、與被處理體對(duì)置的下方的外部電極被施加低電壓，上方的外部電極被施加高電壓， 該光照射裝置的特征在于， 在所述外殼的光取出開(kāi)口上，在所述高壓側(cè)的外部電極與被處理體之間且沿著所述準(zhǔn)分子燈的長(zhǎng)度方向的位置，具備電場(chǎng)遮蔽部件，該電場(chǎng)遮蔽部件對(duì)在所述高壓側(cè)的外部電極與所述低壓側(cè)的外部電極之間形成的電場(chǎng)進(jìn)行遮蔽。
2.如權(quán)利要求1所述的光照射裝置，其特征在于， 所述電場(chǎng)遮蔽部件與所述外殼電連接，并經(jīng)由該外殼接地。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光照射裝置，其特征在于， 在所述外殼內(nèi)，具備供給惰性氣體的氣體供給單元， 所述電場(chǎng)遮蔽部件具備通風(fēng)孔，該通風(fēng)孔使所述惰性氣體朝向所述被處理體流出。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK103943536SQ201410007906
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年1月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月21日
【發(fā)明者】千賀岳人 申請(qǐng)人:優(yōu)志旺電機(jī)株式會(huì)社