半導(dǎo)體發(fā)光器件的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本公開(kāi)涉及一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括：支撐基板，該支撐基板具有第一側(cè)和與所述第一側(cè)相反的第二側(cè)；形成在所述第一側(cè)上的具有多個(gè)半導(dǎo)體層的至少一個(gè)半導(dǎo)體疊層；結(jié)合層，其用于將該多個(gè)半導(dǎo)體層中的第二半導(dǎo)體層結(jié)合到支撐基板的第一側(cè)；以及結(jié)合層去除面，其形成在該第一側(cè)上，并且朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口，并且被布置成向該多個(gè)半導(dǎo)體層提供電流。
【專(zhuān)利說(shuō)明】半導(dǎo)體發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)(Disclosure)總體涉及半導(dǎo)體發(fā)光器件，更具體地，涉及具有在支撐基板上的結(jié)合層去除面和/或電傳遞通道的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0002]在這里的背景下，術(shù)語(yǔ)“半導(dǎo)體發(fā)光器件”指一種通過(guò)電子-空穴復(fù)合而產(chǎn)生光的半導(dǎo)體光學(xué)器件，并且其典型示例是III族氮化物半導(dǎo)體發(fā)光器件。III族氮化物半導(dǎo)體由Al (X) Ca(y) In(l_x-y)N(0 = x = I, O = y = I, O = x+y = I)組成。其另一個(gè)示例是用于發(fā)紅光的基于GaAs的半導(dǎo)體發(fā)光器件。

【背景技術(shù)】
[0003]該部分提供與不必是現(xiàn)有技術(shù)的本公開(kāi)有關(guān)的背景信息。
[0004]圖1是例示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體發(fā)光器件(橫向芯片(Lateral Chip))的一個(gè)示例的圖，其中，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括基板100，并且緩沖層200、具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層300、用于通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層400、和具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層500，緩沖層200、第一半導(dǎo)體層300、有源層400和第二半導(dǎo)體層500按照上述順序沉積在基板100上，以及另外，用于電流散布的光透射導(dǎo)電膜600并且在光透射導(dǎo)電膜600上形成有充當(dāng)焊盤(pán)的電極700，并且在第一半導(dǎo)體層300的蝕刻露出部上有形成充當(dāng)焊盤(pán)的電極800。
[0005]圖2是例示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體發(fā)光器件(倒裝芯片)的另一個(gè)示例的圖，其中，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括基板100，并且具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層300、用于通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層400、和具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層500，第一半導(dǎo)體層300、有源層400和第二半導(dǎo)體層500按照上述順序沉積在基板100上，以及另外，在第二半導(dǎo)體層500上形成有用于朝向基板100反射光的三層電極膜，即，電極膜901、電極膜902和電極膜903，并且在第一半導(dǎo)體層300的蝕刻露出部上形成有充當(dāng)焊盤(pán)的電極800。
[0006]圖3是例示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體發(fā)光器件(垂直芯片)的又一個(gè)示例的圖，其中，半導(dǎo)體發(fā)光器件包括具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層300、用于通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層400、和第二半導(dǎo)體層500(該第二半導(dǎo)體層500具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性，第一半導(dǎo)體層300、有源層400和第二半導(dǎo)體層500按照上述順序沉積)，并且另外，在第二半導(dǎo)體層500上形成有用于朝向第一半導(dǎo)體層300反射光的金屬反射膜910，并且在支撐基板930側(cè)上形成有電極940。金屬反射膜910和支撐基板930經(jīng)由晶片結(jié)合層920接合到一起。在第一半導(dǎo)體層300上形成有充當(dāng)焊盤(pán)的電極800。
[0007]圖4和圖5例示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的進(jìn)一步的示例。如圖4所例示，圖2所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件(倒裝芯片)安裝在布線板(1000)上，然后，如圖5所示去除基板100，從而獲得半導(dǎo)體發(fā)光器件(垂直芯片；其這樣命名，以指示已經(jīng)去除了基板100)。具體地，該半導(dǎo)體發(fā)光器件可以通過(guò)對(duì)電極膜901、902和903和電極圖案1010進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，隨后對(duì)電極800與電極圖案1020進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)而獲得。然后，該半導(dǎo)體發(fā)光器件使用凸塊、糊狀物或易熔金屬950和960安裝在布線板1000上，并且借助激光來(lái)去除基板100。
[0008]然而，因?yàn)樯鲜鎏幚硇枰栽谛酒?jí)別執(zhí)行，所以處理變長(zhǎng)且變得復(fù)雜，并且電極膜901、902和903、電極800和電極圖案1010和1020的對(duì)準(zhǔn)也帶來(lái)困難。除此之外，與以芯片級(jí)別進(jìn)行磷光劑涂布關(guān)聯(lián)的成本增加造成另一問(wèn)題。
[0009]因此，雖然芯片級(jí)別的TFFC(薄膜倒裝芯片)技術(shù)的商業(yè)化代表半導(dǎo)體發(fā)光器件的高水平制造技術(shù)，但是另一方面，其也公開(kāi)地表明尚未容易地進(jìn)行這種技術(shù)以晶片級(jí)別的應(yīng)用。為了以晶片級(jí)別應(yīng)用該概念，已經(jīng)提出許多建議。然而，未提出這樣半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法:其可以大致克服電極膜901、902和903、電極800與電極圖案1010和1020的對(duì)準(zhǔn)困難，以及在晶片級(jí)別結(jié)合操作之后，在去除基板100期間和后續(xù)處理中的半導(dǎo)體層200、300和400中出現(xiàn)的破裂。
[0010]圖22是例示本領(lǐng)域中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖，其中，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括形成在單個(gè)生長(zhǎng)基板100上的半導(dǎo)體堆A和B，各個(gè)半導(dǎo)體堆A和B都包括具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層300、用于通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的有源層400和具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層500，第一半導(dǎo)體層300、有源層400和第二半導(dǎo)體層500按照上述順序沉積。此外，形成有充當(dāng)焊盤(pán)或反射膜的電極700，并且在第一半導(dǎo)體層300的蝕刻露出部上形成有充當(dāng)焊盤(pán)的電極800。半導(dǎo)體堆A的電極700和半導(dǎo)體堆B的電極800通過(guò)電連接件780相連接，使得半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B也被電連接。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]技術(shù)問(wèn)題
[0012]本公開(kāi)所解決的問(wèn)題將在之后【具體實(shí)施方式】部分中描述。
[0013]技術(shù)方案
[0014]該部分提供本公開(kāi)的總體總結(jié)并且不是其全部范圍或所有其特征的綜合公開(kāi)。
[0015]根據(jù)本公開(kāi)的一個(gè)方面，提供了一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括支撐基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面；形成在所述第一面上的至少一個(gè)半導(dǎo)體堆，其中，各個(gè)堆都包括利用生長(zhǎng)基板依次生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層以及插入所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴的復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的有源層組成，并且其中，在所述第一半導(dǎo)體層側(cè)上形成有生長(zhǎng)基板去除面；結(jié)合層，其將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)結(jié)合到所述支撐基板的所述第一面?zhèn)龋灰约安⑶以谒龅谝幻嫔闲纬傻慕Y(jié)合層去除面，該結(jié)合層去除面朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口以向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電流。結(jié)合層去除面與擴(kuò)展到所述多個(gè)半導(dǎo)體層、引線和穿透所述支撐基板的電傳遞通道組合起來(lái)可以允許制造多種半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0016]有益效果
[0017]本公開(kāi)的有益效果將在后面【具體實(shí)施方式】部分中描述。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]圖1是例示現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體發(fā)光器件(橫向芯片)的一個(gè)示例的圖。
[0019]圖2是例示現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體發(fā)光器件(倒裝芯片)的另一個(gè)示例的圖。
[0020]圖3是例示現(xiàn)有技術(shù)中半導(dǎo)體發(fā)光器件(垂直芯片)的又一個(gè)示例的圖。
[0021]圖4和圖5是例示現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的進(jìn)一步的示例的圖。
[0022]圖6是描述根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的技術(shù)概念的圖。
[0023]圖7至圖11是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法的一個(gè)示例的圖。
[0024]圖12是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的一個(gè)示例的圖。
[0025]圖13是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的另一個(gè)示例的圖。
[0026]圖14是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的又一個(gè)示例的圖。
[0027]圖15是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的又一個(gè)示例的圖。
[0028]圖16是例示圖12所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的生長(zhǎng)基板去除面的形式的示例的圖。
[0029]圖17是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形式的示例的圖。
[0030]圖18至圖20是例示本公開(kāi)中磷光劑的涂覆的示例的圖。
[0031]圖21是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0032]圖22是例示本領(lǐng)域中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的另一個(gè)示例的圖。
[0033]圖23是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0034]圖24例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電耦接關(guān)系的示例。
[0035]圖25是例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電連接件的實(shí)例的圖。
[0036]圖26是例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電連接件的另一個(gè)實(shí)例的圖。
[0037]圖27到圖31例示圖23中示出的半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電耦接關(guān)系的示例。
[0038]圖32是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的示例的圖。
[0039]圖33是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖26中示出的電連接件的示例的圖。
[0040]圖34是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的另一個(gè)示例的圖。
[0041]圖35是例示其中圖14的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的示例。
[0042]圖36是例示在US專(zhuān)利N0.6，911，676中提出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖。
[0043]圖37是例示本領(lǐng)域中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的另一個(gè)示例的圖。
[0044]圖38是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0045]圖39是例示圖38中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電耦接關(guān)系的圖。
[0046]圖40是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0047]圖41是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0048]圖42是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0049]圖43是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0050]圖44是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0051]圖45是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。
[0052]圖46是例示其中圖44的半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念被應(yīng)用于圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖。
[0053]圖47是例示其中圖45的半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念被應(yīng)用于圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖。
[0054]圖48和圖49是例示圖43中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的電耦接的各種方法的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0055]下文中，將參照附圖詳細(xì)地描述本公開(kāi)。
[0056]圖6是描述根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的技術(shù)概念的圖，其中，半導(dǎo)體發(fā)光器件具有多個(gè)半導(dǎo)體層，該多個(gè)半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層30 (例如，η型GaN);具有與第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層50(例如，P型GaN);以及插入在第一半導(dǎo)體層30與第二半導(dǎo)體層50之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層40 (例如，InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu))?？梢愿淖兊谝话雽?dǎo)體層30的導(dǎo)電性和第二半導(dǎo)體層50的導(dǎo)電性。多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50具有由于生長(zhǎng)基板10的去除而露出的生長(zhǎng)基板去除面31 (參見(jiàn)圖7)。依賴于去除生長(zhǎng)基板和犧牲層的條件，生長(zhǎng)基板去除面31可以包括摻雜η層、未摻雜η層或如圖1中的緩沖層200。生長(zhǎng)基板去除面31也可以是粗糙面，以提高光提取效率。進(jìn)一步地，半導(dǎo)體發(fā)光器件具有帶有第一面1la和與第一面1la相對(duì)的第二面1lb的支撐基板101。支撐基板101具有第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92。在圖6中，第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92從第二面1la持續(xù)到第一面101b。多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50以及支撐基板101經(jīng)由結(jié)合層90接合或結(jié)合。結(jié)合層90可以經(jīng)由制造如圖3中的半導(dǎo)體發(fā)光器件時(shí)所采用的常規(guī)晶片結(jié)合法來(lái)形成。第一電傳遞通道91經(jīng)由結(jié)合層90將電子或空穴轉(zhuǎn)移到多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50。通過(guò)去除結(jié)合層90，第二電傳遞通道92露出在第一面1la上。借助于去除結(jié)合層90，第二電傳遞通道92朝向多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50開(kāi)口。第一面1la的該開(kāi)口、露出區(qū)域被定義為結(jié)合層去除面102。電連接件93可以將第二電傳遞通道92電連接到第一半導(dǎo)體層30或電連接到第二半導(dǎo)體層50。
[0057]圖7至圖11是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法的一個(gè)示例的圖?，F(xiàn)在參照?qǐng)D7，首先經(jīng)由已經(jīng)形成的結(jié)合層90將按順序生長(zhǎng)在生長(zhǎng)基板10 (例如，藍(lán)寶石基板)上的第一半導(dǎo)體層30、有源層40和第二半導(dǎo)體層40結(jié)合到設(shè)置有第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92的支撐基板101。生長(zhǎng)基板10的示例性材料可以包括S1、A1N、AlGaN,SiC等，但不限于此。對(duì)于支撐基板101，防止多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50在去除生長(zhǎng)基板期間破裂并且呈現(xiàn)優(yōu)異的散熱性能的任何材料都是合適的，并且其示例可以包括SiC、AlSiC、AlN、AlGaN、GaN、藍(lán)寶石、LTCC(低溫共燒陶瓷)、HTCC(高溫共燒陶瓷)等。優(yōu)選地，在生長(zhǎng)多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50期間，具有如圖1中的緩沖層200。接著，參照?qǐng)D8，生長(zhǎng)基板10與多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50分開(kāi)并從生長(zhǎng)基板10去除。可以經(jīng)由激光剝離、使用犧牲層的濕法蝕刻、研磨、CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)等，來(lái)實(shí)現(xiàn)生長(zhǎng)基板10的去除。接著，參照?qǐng)D9，在晶片級(jí)別狀態(tài)下，該晶片級(jí)別應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于芯片級(jí)別的相對(duì)概念。正常地，晶片級(jí)別指示多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50疊置在生長(zhǎng)基板10上的狀態(tài)。然而，人們應(yīng)當(dāng)理解其還包括在芯片級(jí)別之前，多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50在被切割為比芯片級(jí)別大的塊的生長(zhǎng)基板10上的狀態(tài)(即，在變?yōu)楸磺懈畛蓪?shí)際使用的形狀的芯片之前，在被劃分成各個(gè)芯片之前，部分地去除和隔離多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50)。此后，如圖10所示，去除結(jié)合層90，以形成結(jié)合層去除面102，然后使第二電傳遞通道92露出。結(jié)合層90的去除可以經(jīng)由已知的干法蝕刻或濕法蝕刻處理來(lái)實(shí)現(xiàn)。不總是要求結(jié)合層90的去除應(yīng)當(dāng)在將多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50隔離成單個(gè)芯片之后。例如，為了形成結(jié)合層90，首先，可以去除多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50以及結(jié)合層90，使得形成結(jié)合層去除面102，并且此后，多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50可以針對(duì)各個(gè)芯片而隔離。下面，參照?qǐng)D11，如果需要，則設(shè)置絕緣層110 (例如，S12),并且形成電連接件93。該電連接件93可以通過(guò)沉積各種半導(dǎo)體處理中所使用的任何金屬形成。結(jié)合層90可以通過(guò)將結(jié)合材料設(shè)置到多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50以及設(shè)置到支撐基板101，或通過(guò)將結(jié)合材料設(shè)置到任意一側(cè)，而形成。支撐基板101被穿孔，并且將導(dǎo)電材料插入在孔中，使得形成第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92。這可以通過(guò)電鍍來(lái)完成。第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92可以從第一面持續(xù)到第二面1lb (參見(jiàn)圖6)，或者可以隨著研磨第二面1lb露出。
[0058]圖12是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的一個(gè)示例的圖。這里，第一電連接件91經(jīng)由結(jié)合層90電連接到第一半導(dǎo)體層30，使得電子經(jīng)由第一半導(dǎo)體層30轉(zhuǎn)移到有源層40。第二電連接件92通過(guò)電連接件93經(jīng)由第一導(dǎo)電層94電連接到第二半導(dǎo)體層50，使得空穴經(jīng)由第二半導(dǎo)體層50轉(zhuǎn)移到有源層40。
[0059]由于去除了多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50，所以使第一導(dǎo)電層94露出并且與電連接件93電連接。第一導(dǎo)電層94優(yōu)選地由不僅將電流分散到第二半導(dǎo)體層50中還將有源層40中產(chǎn)生的光朝向第一半導(dǎo)體層30反射的材料組成。第一導(dǎo)電層94可以由Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cr、Cu、Ta、N1、Pd、Mg、Ru、Ir、T1、V、Mo、W、Tiff, Cuff, ITO、ZnO, SnO2, In2O3或其合金以多層(例如，至少兩層)構(gòu)造形成。
[0060]電連接件93 可以由 Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cr、Cu、Ta、N1、PcUMg、Ru、Ir、T1、V、Mo、W、TiW、CuW或其合金以多層(例如，至少兩層)構(gòu)造形成。
[0061]結(jié)合層90包括設(shè)置到支撐基板101上的導(dǎo)電結(jié)合層96 ;和設(shè)置在多個(gè)半導(dǎo)體層30,40和50的一側(cè)上并穿過(guò)第二半導(dǎo)體層50和有源層40持續(xù)到第一半導(dǎo)體層30的第二導(dǎo)電層95。第二導(dǎo)電層95可以由單種材料組成，或者具有用于結(jié)合在與導(dǎo)電結(jié)合層96鄰接的一側(cè)上的另一種合適材料。
[0062]第二導(dǎo)電層95可以由與GaN材料形成歐姆接觸的任何材料、和充當(dāng)結(jié)合物的任何材料組成，并且可以由 Au、Pt、Ag、Al、Rh、Cu、Ta、N1、Pd、T1、V、Mo、W、Tiff, Cuff, Sn、In、Bi或其合金以多層(例如，至少兩層)構(gòu)造形成。
[0063]導(dǎo)電結(jié)合層96可以由與支撐基板優(yōu)異粘合的任何材料、和充當(dāng)結(jié)合物的任何材料組成，并且可以由T1、N1、W、Cu、Ta、V、TiW、CuW、Au、Pd、Sn、In、Bi或其合金以多層(例如，至少兩層)構(gòu)造形成。
[0064]附圖標(biāo)記110和111表示絕緣層。
[0065]利用上述構(gòu)造，多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50的整個(gè)表面和支撐基板101的整個(gè)表面用于結(jié)合，并且這些整個(gè)表面即使在去除生長(zhǎng)基板10期間也保持在結(jié)合狀態(tài)(參見(jiàn)圖7)，使得可以防止多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50破裂。而且，第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92與多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50之間的對(duì)準(zhǔn)可以無(wú)困難地執(zhí)行。然而，在去除生長(zhǎng)基板10之后，需要第二電傳遞通道92與多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50之間的電連接件。為此，已經(jīng)結(jié)合的結(jié)合層90被去除，以形成結(jié)合層去除面102，并且使用電連接件93來(lái)將第二電傳遞通道92和第二半導(dǎo)體層50電連接。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)認(rèn)識(shí)到除了本公開(kāi)之外，還可以在形成結(jié)合層90之前，在第二導(dǎo)電層95中或?qū)щ娊Y(jié)合層96中形成小孔。優(yōu)選地，將后電極120和后電極121設(shè)置到支撐基板101的第二面1lb上并且與第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92連接，使得它們可以充當(dāng)引線框。
[0066]圖13是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的另一個(gè)示例的圖。這里，將第一導(dǎo)電層94和導(dǎo)電結(jié)合層96結(jié)合，以形成結(jié)合層90，并且將第二導(dǎo)電層95和電連接件93連接，借此從第二電傳遞通道92向第一半導(dǎo)體層30供給電流。
[0067]圖14是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的又一個(gè)示例的圖。這里，將導(dǎo)電結(jié)合層96和第二導(dǎo)電層95結(jié)合，以形成結(jié)合層90。然而，僅第二導(dǎo)電層95涉及結(jié)合，并且不向第一半導(dǎo)體層30供給電流。第一電傳遞通道91經(jīng)由結(jié)合層90和第一導(dǎo)電層94與第二半導(dǎo)體層50電連接。這里，第一導(dǎo)電層94可以充當(dāng)反射膜和/或電流分散層。向第一半導(dǎo)體層30的電流供給可以由從第二電傳遞通道92持續(xù)到生長(zhǎng)基板去除面31的電連接件93來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0068]圖15是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形成處理的又一個(gè)示例的圖。這里，在結(jié)合之前，去除第二半導(dǎo)體層50和有源層40，由此，在多個(gè)半導(dǎo)體層30、40、50中的第一半導(dǎo)體層30上形成凸形面(mesa surface) 32。在形成了凸形面32時(shí)，還可以提前對(duì)多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50進(jìn)行隔離處理。憑借該構(gòu)造，在形成凸形面32之后，有源層40可以具有保護(hù)層(例如，S12;其變?yōu)榻^緣層110的一部分)，這轉(zhuǎn)而會(huì)提高后續(xù)處理中器件的可靠性。
[0069]圖16是例示圖12所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件中的生長(zhǎng)基板去除面的形式的示例的圖。生長(zhǎng)基板去除面102可以形成在半導(dǎo)體發(fā)光器件的一側(cè)、兩側(cè)(未示出)、三側(cè)或四側(cè)上，或可以簡(jiǎn)單地是開(kāi)口形式。為了避免解釋冗余，將不對(duì)由相同附圖標(biāo)記指定的相同或類(lèi)似的元件進(jìn)行說(shuō)明。電連接件93可以位于生長(zhǎng)基板去除面102中，或在將芯片彼此分開(kāi)的接口上。
[0070]圖17是例示根據(jù)本公開(kāi)的電連接件的形式的示例的圖，其中，(a)示出形成兩個(gè)電連接件93，并且(b)和⑷示出手指電極93a設(shè)置到電連接件93。該構(gòu)造應(yīng)用于圖14中所示的半導(dǎo)體發(fā)光器件。在(c)中，通過(guò)去除絕緣層111以露出結(jié)合層90，設(shè)置電接觸件81。通過(guò)采用電接觸件81和電連接件93，可以在器件的制造過(guò)程中促進(jìn)探測(cè)和分選。
[0071]圖18至圖20是例示本公開(kāi)中磷光劑的涂覆的示例的圖。如圖18中所示，可以直接涂覆含有磷光劑的密封劑I ;或者，如圖19所示，可以使用無(wú)磷光劑的密封劑2，并且密封劑I僅設(shè)置到半導(dǎo)體發(fā)光器件的上部；或者，如圖20所示，可以使用無(wú)磷光劑的密封劑2，并且密封劑I在距半導(dǎo)體發(fā)光器件特定距離處涂覆。
[0072]圖21是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖?？梢钥吹?，在單個(gè)支撐基板101上，去除了第二電傳遞通道92，并且半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆B通過(guò)結(jié)合層去除面102上的電連接件93連接。
[0073]圖23是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖，其中，一個(gè)支撐基板101設(shè)置有兩個(gè)半導(dǎo)體堆A和B。半導(dǎo)體堆A和B中的每個(gè)都具有第一半導(dǎo)體層30、有源層40和第二半導(dǎo)體層50，第二半導(dǎo)體層50通過(guò)結(jié)合層90結(jié)合到支撐基板101。半導(dǎo)體堆A的第一電傳遞通道91a以及半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道91b與結(jié)合層90電連接；半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a和半導(dǎo)體堆B的第二電傳遞通道92b通過(guò)電連接件92和電連接件93分別與半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B電連接。
[0074]圖24例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電耦接關(guān)系的示例。更具體地，在(a)中，半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B串聯(lián)連接；在(b)中，半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B并聯(lián)連接，并且在(c)中，半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B反向并聯(lián)連接。例如，通過(guò)將第二電傳遞通道92a與第一電傳遞通道91b連接，可以實(shí)現(xiàn)串聯(lián)連接。例如，通過(guò)將第一電傳遞通道91a與第一電傳遞通道91b連接，并且通過(guò)將第二電傳遞通道92a與第二電傳遞通道92b連接，可以實(shí)現(xiàn)并聯(lián)連接。通過(guò)將第一電傳遞通道91a與第二電傳遞通道92b連接，并且通過(guò)將第二電傳遞通道92a與第一電傳遞通道91b連接，可以實(shí)現(xiàn)反向并聯(lián)連接。
[0075]圖25是例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電連接件的實(shí)例的圖，其中半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a與半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道91b通過(guò)電連接件122串聯(lián)連接。優(yōu)選地，分別地，半導(dǎo)體堆A的第一電傳遞通道91a設(shè)置有后電極120，并且半導(dǎo)體堆B的第二電傳遞通道92b設(shè)置有后電極121。為了形成電連接件122，可以應(yīng)用例如物理氣相沉積(包括蒸發(fā)器沉積、濺射沉積和脈沖激光沉積(PLD))或電化學(xué)沉積。
[0076]圖26是例示半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電連接件的另一個(gè)實(shí)例的圖，其中半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a和半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道91b被集成，并且提供了電連接件122。這個(gè)電連接件122可以省略。電連接件122被絕緣層111覆蓋，并且后電極120形成絕緣層111上。絕緣層111被后電極121全覆蓋也是可接受的。后電極120具有較大寬度可以有助于半導(dǎo)體發(fā)光器件的散熱。后電極120和后電極121被設(shè)計(jì)成具有相同的高度。但是，應(yīng)當(dāng)注意，未對(duì)后電極120和后電極121所在的位置以及它們的形狀進(jìn)行具體限制，但是它們的形狀可以按照需要針對(duì)給定設(shè)計(jì)進(jìn)行改變。
[0077]圖27到圖31例示圖23中示出的半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B之間的電耦接關(guān)系的示例。參照?qǐng)D27，六個(gè)半導(dǎo)體堆A至F在單個(gè)支撐基板101上串聯(lián)連接。通過(guò)電連接件122將各個(gè)半導(dǎo)體堆的第二電傳遞通道92a和第一電傳遞通道91b連接，使得該結(jié)構(gòu)成為可能。參照?qǐng)D28，半導(dǎo)體堆A、半導(dǎo)體堆B和半導(dǎo)體堆C串聯(lián)連接，并且半導(dǎo)體堆D、半導(dǎo)體堆E和半導(dǎo)體堆F串聯(lián)連接，半導(dǎo)體堆A、B、C與半導(dǎo)體堆D、E、F并聯(lián)連接。參照?qǐng)D29，半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆D并聯(lián)連接，半導(dǎo)體堆B和半導(dǎo)體堆E并聯(lián)連接，并且半導(dǎo)體堆C和半導(dǎo)體堆F并聯(lián)連接，半導(dǎo)體堆A、B、C與半導(dǎo)體堆D、E、F串聯(lián)連接。除了半導(dǎo)體堆B與半導(dǎo)體堆E集成以外，圖30示出了與圖29相同的電連接。參照?qǐng)D31，半導(dǎo)體堆A、B、C與半導(dǎo)體堆D、E、F反向并聯(lián)連接。此外，由于第一電傳遞通道91a和第二電傳遞通道92b在支撐基板101的第二面1lb上電連接，可以利用PN節(jié)二極管形成不同的電構(gòu)造(例如，整流器電路-惠斯通電橋、肖特基型AC LED陣列)。
[0078]圖32是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的示例的圖，其中半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a通過(guò)電連接件122與半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道91b相連接。電連接件93與第二電傳遞通道92a連接。在圖中，附圖標(biāo)記110表示絕緣層。
[0079]圖33是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖26中示出的電連接件的示例的圖，其中半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a與半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道9Ib集成。
[0080]圖34是例示其中圖12的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的另一個(gè)示例的圖，其中電連接件93、第二電傳遞通道92a和第一電傳遞通道9 Ib與半導(dǎo)體堆B的結(jié)合層90連接。
[0081]圖35是例示其中圖14的半導(dǎo)體發(fā)光器件被應(yīng)用于圖25中示出的電連接件的示例，其中除了電連接件93持續(xù)到生長(zhǎng)基板去除層31以外，電連接件93與圖32的相同。此夕卜，本公開(kāi)的電連接件可以應(yīng)用于圖13的半導(dǎo)體發(fā)光器件以及各種類(lèi)型的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0082]圖36是例示在US專(zhuān)利N0.6，911，676中提出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖，其中兩個(gè)PN結(jié)二極管A和B形成在基板100上。根據(jù)這里提出的結(jié)構(gòu)，PN結(jié)二極管A的第二半導(dǎo)體層500與PN結(jié)二極管B的第一半導(dǎo)體層300應(yīng)通過(guò)電連接件780連接，并且PN結(jié)二極管B的第一半導(dǎo)體層300和PN結(jié)二極管A的第二半導(dǎo)體層500還應(yīng)被電連接(未示出)，由此允許PN結(jié)二極管A充當(dāng)半導(dǎo)體發(fā)光器件，同時(shí)允許PN結(jié)二極管B充當(dāng)靜電保護(hù)元件。
[0083]圖37是例示本領(lǐng)域中的半導(dǎo)體發(fā)光器件的另一個(gè)示例的圖。根據(jù)這里提出的結(jié)構(gòu)，半導(dǎo)體發(fā)光器件100-1、100-2、…、100-n-l和100-n串聯(lián)連接以形成發(fā)光部2000，并且發(fā)光部2000被引線連接到四個(gè)PN結(jié)D10、D20、D30和D40。
[0084]圖38是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。與圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件相反，在作為支撐基板101的底表面的第二面1lb側(cè)形成第一導(dǎo)電部150和第二導(dǎo)電部160，第一導(dǎo)電部150具有與第一半導(dǎo)體層30的第一導(dǎo)電性(例如，η型)不同的導(dǎo)電性(例如，P型)，并且第二導(dǎo)電部160具有與第一半導(dǎo)體層30的第一導(dǎo)電性相同的導(dǎo)電性(例如，η型)。支撐基板101由例如諸如ΑΙΝ、未摻雜的Si和Sic以及通過(guò)離子注入而引入半導(dǎo)體中的雜質(zhì)組成，使得支撐基板101示出η型導(dǎo)電性、P型導(dǎo)電性或中性。導(dǎo)電性是一種相對(duì)的概念。所述雜質(zhì)可以在第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92形成在支撐基板101上之前或之后被引入。將不對(duì)由相同的附圖標(biāo)記指示的相同或相似的元件進(jìn)行說(shuō)明。為了設(shè)計(jì)的需要，在第一導(dǎo)電部150和第二導(dǎo)電部160之間，可以存在或可以不存在上摻雜層170。
[0085]圖39是例示圖38中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的電耦接關(guān)系的圖，其中由多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50形成的發(fā)光部Q與由第一導(dǎo)電部150和第二導(dǎo)電部160形成的PN結(jié)二極管S通過(guò)由第一電傳遞通道91和第二電傳遞通道92提供的引線反向并聯(lián)連接，由此允許PN結(jié)二極管S充當(dāng)靜電保護(hù)元件。在圖38示出的發(fā)光器件中，發(fā)光部Q并不必須具有圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的全部特征。這種電耦接關(guān)系可以應(yīng)用于包括圖12到圖35中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件在內(nèi)的各種半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0086]圖40是例示根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的、從支撐基板101的第二面看時(shí)的圖。與圖38中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件相反，第一導(dǎo)電部150—第二導(dǎo)電部160—第一導(dǎo)電部150—第二導(dǎo)電部160依次形成在支撐基板101上，形成了兩個(gè)PN結(jié)二極管S和S。不是使用一個(gè)PN結(jié)二極管S，而是依賴于支撐基板101的要求屬性或規(guī)格，可以采用多個(gè)PN結(jié)二極管S和S。如果適當(dāng)，則第一導(dǎo)電部150可以由金屬引線56與第二導(dǎo)電部160電連接。此外，如圖21所示，將多個(gè)半導(dǎo)體層30、40和50劃分成多個(gè)發(fā)光部(例如，半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B)并且接著利用電連接件93將所述多個(gè)發(fā)光部串聯(lián)連接也是可能的。
[0087]圖41是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖，其可以應(yīng)用于圖32中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件。半導(dǎo)體堆A的第二電傳遞通道92a通過(guò)電連接件122與半導(dǎo)體堆B的第一電傳遞通道91b電連接，使得半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B串聯(lián)連接。在設(shè)置有電連接件122的區(qū)域上不摻雜雜質(zhì)，這防止了與兩個(gè)串聯(lián)連接的PN結(jié)二極管S和S的電接觸，以形成圖中所示的電耦接關(guān)系。另外，可以按照多種構(gòu)造形成電耦接關(guān)系。
[0088]圖42是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。這里，作為磷光體的半導(dǎo)體堆A和半導(dǎo)體堆B通過(guò)電連接件93串聯(lián)連接，形成了與圖37中示出的發(fā)光部2000相對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)，以確保用于支撐基板101的足夠空間，并且利用第一導(dǎo)電部150和第二導(dǎo)電部160形成四個(gè)PN結(jié)二極管D10、D20、D30和D40，并且通過(guò)采用金屬引線56來(lái)連接四個(gè)PN結(jié)二極管D10、D20、D30和D40，以形成圖37中的整流器電路。此外，PN結(jié)二極管和/或金屬引線56也可以例如用于在支撐基板101上形成具有特定功能的不同二極管、晶體管和電路。
[0089]圖43是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。與圖6中的半導(dǎo)體發(fā)光器件相反，按照使電連接件93通過(guò)引線97從外部接收電力的方式構(gòu)造電連接件93。
[0090]圖44是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖，其中支撐基板101具有第一電傳遞通道91，并且第一電傳遞通道91連接到結(jié)合層90。
[0091]圖45是根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的又一個(gè)示例的圖。與圖44中的支撐基板不同，支撐基板101不具有第一電傳遞通道91，并且結(jié)合層90通過(guò)引線98連接。優(yōu)選地，結(jié)合層90具有便于引線結(jié)合的焊盤(pán)電極99，該焊盤(pán)電極99的最上層由Au組成。盡管焊盤(pán)電極99可以是單個(gè)Au層，但是焊盤(pán)電極99也可以具有Cr/Ni/Au構(gòu)造。
[0092]圖46是例示其中圖44的半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念被應(yīng)用于圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖，其中引線97與電連接件93相連接。將不對(duì)由相同的附圖標(biāo)記指示的相同或相似的元件進(jìn)行說(shuō)明。
[0093]圖47是例示其中圖45的半導(dǎo)體發(fā)光器件的概念被應(yīng)用于圖12中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件的示例的圖，其中不存在第一電傳遞通道91，并且結(jié)合層90通過(guò)焊盤(pán)電極99連接到引線98。將不對(duì)由相同的附圖標(biāo)記指示的相同或相似的元件進(jìn)行說(shuō)明?？梢允÷院箅姌O120。
[0094]毋庸置疑，通過(guò)使用引線來(lái)替換第二電連接件92，圖44和圖45中提出的概念可以應(yīng)用于在圖13、圖14和圖15中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0095]圖48和圖49是在圖43中示出的半導(dǎo)體發(fā)光器件中進(jìn)行電耦接的各種方法的圖。在圖48中，在單個(gè)支撐基板101上，半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆A的電連接件93通過(guò)引線98串聯(lián)連接到半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆B的焊盤(pán)電極99。在圖49中，半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆A以及半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆B被設(shè)置在分立的基板131的電氣圖案130 (諸如PCB或COB)上，并且半導(dǎo)體發(fā)光器件或半導(dǎo)體堆A的電連接件93通過(guò)電氣圖案130串聯(lián)連接到第一電傳遞通道91。包括串聯(lián)連接以及并聯(lián)連接在內(nèi)的多種電連接可以是可能的。在圖48中，支撐基板101可以被分開(kāi)。
[0096]這里，下面，將說(shuō)明本公開(kāi)的各種實(shí)施方式。
[0097](I) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:多個(gè)半導(dǎo)體層，該多個(gè)半導(dǎo)體層順序生長(zhǎng)在生長(zhǎng)基板上，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電性和形成在其一側(cè)上的生長(zhǎng)基板去除面的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、以及插入在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層；具有第一面和與該第一面相對(duì)的第二面的支撐基板，其中，第一電傳遞通道(經(jīng)由該第一電傳遞通道，電子或空穴被轉(zhuǎn)移到多個(gè)半導(dǎo)體層)和第二電傳遞通道(經(jīng)由該第二電傳遞通道，未經(jīng)由所述第一電傳遞通道轉(zhuǎn)移的任何電子或空穴被轉(zhuǎn)移到該多個(gè)半導(dǎo)體層)從所述第二面持續(xù)到所述第一面；結(jié)合層，該結(jié)合層將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)與所述支撐基板的所述第一面?zhèn)冉Y(jié)合，并且與所述第一電傳遞通道電連接；結(jié)合層去除面，該結(jié)合層去除面形成在所述第一面上，使所述第二電傳遞通道露出并且朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口 ；以及電連接件，該電連接件用于將所述多個(gè)半導(dǎo)體層與露出在所述結(jié)合層去除面上的所述第二電傳遞通道電連接，使得未經(jīng)由所述第一電傳遞通道轉(zhuǎn)移的電子或空穴轉(zhuǎn)移到所述多個(gè)半導(dǎo)體層。這里，結(jié)合層指的是在結(jié)合之后形成的層，而不是由給多個(gè)半導(dǎo)體或支撐基板形成的、在結(jié)合之前要結(jié)合的任何層。
[0098](2) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電傳遞通道經(jīng)由所述結(jié)合層電連接到所述第一半導(dǎo)體層，并且所述第二電傳遞通道經(jīng)由所述電連接件電連接到所述第二半導(dǎo)體層O
[0099](3) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:第一導(dǎo)電層，該第一導(dǎo)電層在去除所述多個(gè)半導(dǎo)體層時(shí)露出，用于與所述電連接件連接，并且電連接到所述第二半導(dǎo)體層。這里，第一導(dǎo)電層可以僅是金屬(例如:Ag、N1、Ag/Ni)或金屬與任意金屬氧化物(例如:ITO)。其通常具有反射功能，并且可以與非導(dǎo)電結(jié)構(gòu)(諸如，ODR和/或DBR)組合使用。
[0100](4) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電傳遞通道經(jīng)由所述結(jié)合層電連接到所述第二半導(dǎo)體層，并且所述第二電傳遞通道經(jīng)由所述電連接件電連接到所述第一半導(dǎo)體層O
[0101](5) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:第二導(dǎo)電層，該第二導(dǎo)電層在去除所述多個(gè)半導(dǎo)體層時(shí)露出，用于與所述電連接件連接，并且電連接到所述第一半導(dǎo)體層。這里，所述第二導(dǎo)電層用于向所述第一半導(dǎo)體層供電，并且可以用作所述結(jié)合層的一部分。
[0102](6) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層當(dāng)沿從所述多個(gè)半導(dǎo)體層到所述支撐基板的方向突出時(shí)，都被所述結(jié)合層覆蓋。
[0103](7) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:電接觸件，該電接觸件露出在所述支撐基板的相對(duì)于所述結(jié)合層的相對(duì)側(cè)上，并且與所述電連接件互相作用，用于探測(cè)所述半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0104](8) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件的制造方法，該方法包括以下步驟:制備多個(gè)半導(dǎo)體層，該多個(gè)半導(dǎo)體層順序生長(zhǎng)在生長(zhǎng)基板上，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括具有第一導(dǎo)電性和形成在其一側(cè)上的生長(zhǎng)基板去除面的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、以及插入在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合產(chǎn)生光的有源層；制備支撐基板，該支撐基板具有第一面和與所述第一面相對(duì)的第二面，其中，設(shè)置第一電傳遞通道(經(jīng)由該第一電傳遞通道，電子或空穴被轉(zhuǎn)移到所述多個(gè)半導(dǎo)體層)和第二電傳遞通道(經(jīng)由該第二電傳遞通道，未經(jīng)由所述第一電傳遞通道轉(zhuǎn)移的任何電子或空穴被轉(zhuǎn)移到所述多個(gè)半導(dǎo)體層)；將所述生長(zhǎng)基板的相對(duì)側(cè)上的所述多個(gè)半導(dǎo)體層與所述支撐基板的所述第一面?zhèn)冉Y(jié)合，使得結(jié)合層形成在所述結(jié)合區(qū)域上，并且所述第一電傳遞通道經(jīng)由所述結(jié)合層連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體層；去除所述基板；去除所述結(jié)合層，以使所述第二電傳遞通道露出；將所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接，使得未經(jīng)由所述第一電傳遞通道轉(zhuǎn)移的任何電子或空穴轉(zhuǎn)移到所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
[0105](9) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，結(jié)合層去除步驟包括去除所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
[0106](10) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，去除所述結(jié)合層的步驟包括隔離用于制造各個(gè)芯片的所述多個(gè)半導(dǎo)體層，并且去除所述結(jié)合層，以使所述第二電傳遞通道露出。
[0107](11) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層具有電連接到所述第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層中的一個(gè)半導(dǎo)體層的導(dǎo)電層，并且所述方法還包括在電連接步驟之前，去除所述多個(gè)半導(dǎo)體層以使所述導(dǎo)電層露出的步驟。
[0108](12) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，所述導(dǎo)電層電連接到所述第二半導(dǎo)體層。
[0109](13) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，所述導(dǎo)電層電連接到所述第一半導(dǎo)體層。
[0110](14) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，在電連接步驟中，所述第二電傳遞通道持續(xù)到去除了所述生長(zhǎng)基板的所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
[0111](15) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，在結(jié)合步驟之前，去除所述多個(gè)半導(dǎo)體層的一部分。
[0112](16) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，在結(jié)合步驟中，將所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道這兩者結(jié)合到所述結(jié)合層。
[0113](17) 一種制造半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法，其中，在結(jié)合步驟中，在所述支撐基板的整個(gè)所述第一面上形成所述結(jié)合層。
[0114](18) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:支撐基板，該支撐基板具有第一面、與所述第一面相反的第二面以及從所述第一面持續(xù)到所述第二面的第一電傳遞通道和第二電傳遞通道；形成在所述第一面上的至少兩個(gè)半導(dǎo)體堆(表示為第一半導(dǎo)體堆和第二半導(dǎo)體堆)，其中，各個(gè)堆都包括利用生長(zhǎng)基板依次生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層以及插入所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間的有源層組成并且通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的所述有源層，在第一半導(dǎo)體層側(cè)上形成生長(zhǎng)基板去除面；結(jié)合層，該結(jié)合層將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)結(jié)合到所述支撐基板的所述第一面?zhèn)蒱以及電連接件，該電連接件在第二側(cè)上將所述第一半導(dǎo)體堆連接到所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道中的至少一方。
[0115](19) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電連接件將所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道連接。
[0116](20) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道和所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道合并。
[0117](21) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電連接件被絕緣層覆蓋，在所述絕緣層上形成與所述第一半導(dǎo)體堆和所述第二半導(dǎo)體堆中的一方電連接的后電極。
[0118](22) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道相連接，并且其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道相連接。在圖28中，為了說(shuō)明的目的例示了六個(gè)半導(dǎo)體堆，但是兩個(gè)并聯(lián)連接的半導(dǎo)體堆更容易被理解。
[0119](23) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道相連接，并且其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道相連接。這意味著反向并聯(lián)的電連接。在圖31中，為了說(shuō)明的目的例示了六個(gè)半導(dǎo)體堆，但是兩個(gè)反向并聯(lián)連接的半導(dǎo)體堆更容易被理解。
[0120](24) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:形成在所述第一面上的結(jié)合層去除面，其朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口。從圖23說(shuō)明的本公開(kāi)的技術(shù)概念可以容易地與圖6中說(shuō)明的技術(shù)概念結(jié)合。然而，圖33和圖34中的示例與圖32中的不同之處在于在結(jié)合層去除面第二電傳遞通道92a不被被露出(或者其被結(jié)合層90覆蓋)。
[0121](25) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:附加電連接件，該附加電連接件從所述第二電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的另一方。
[0122](26) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第二半導(dǎo)體堆的所述結(jié)合層被所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道覆蓋。
[0123](27) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:利用生長(zhǎng)基板依次生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層以及插入所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的有源層組成；支撐基板，該支撐基板與所述多個(gè)半導(dǎo)體層結(jié)合以支撐所述多個(gè)半導(dǎo)體層并且由半導(dǎo)體材料制成，所述支撐基板具有第一面、與所述第一面相反的第二面以及從所述第二面持續(xù)到所述第一面的第一電傳遞通道和第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的一方，同時(shí)所述第二電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的另一方；以及至少一個(gè)PN結(jié)二極管，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管形成在所述支撐基板處并且通過(guò)所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道電連接到所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
[0124](28) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管與所述多個(gè)半導(dǎo)體層反向并聯(lián)連接。
[0125](29) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管中的每個(gè)都包括具有與所述第一導(dǎo)電性不同的導(dǎo)電性的第一導(dǎo)電部分和具有與所述第一導(dǎo)電性相同的導(dǎo)電性的第二導(dǎo)電部分，并且其中，所述第一電傳遞通道與所述第一導(dǎo)電部分電連接，并且所述第二電傳遞通道與所述第二導(dǎo)部分部電連接。
[0126](30) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由AIN制成。
[0127](31) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由Si制成。
[0128](32) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括位于所述第一半導(dǎo)體側(cè)的生長(zhǎng)基板去除面，所述器件包括結(jié)合層，所述結(jié)合層將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)結(jié)合到所述支撐基板的所述第一面?zhèn)龋⑶宜鼋Y(jié)合層與所述第一電傳遞通道電連接，以及電連接件，該電連接件將在所述結(jié)合層去除面上露出的所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接以傳遞電子或空穴。
[0129](33) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層包括多個(gè)半導(dǎo)體堆。
[0130](34) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層被在所述支撐基板的所述第二面?zhèn)入娺B接。
[0131](35) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體層被在所述支撐基板的所述第一面?zhèn)入娺B接。
[0132](36) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管與所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道電連接以形成整流電路。
[0133](37)上述示例的任意組合以及基于上述示例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的任意組合。
[0134](38) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:利用生長(zhǎng)基板依次生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層以及插入所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的有源層組成；支撐基板，該支撐基板與所述多個(gè)半導(dǎo)體層結(jié)合以支撐所述多個(gè)半導(dǎo)體層并且由半導(dǎo)體材料制成，所述支撐基板具有第一面、與所述第一面相反的第二面以及從所述第二面持續(xù)到所述第一面的第一電傳遞通道和第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的一方，并且所述第二電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電子和空穴中的另一方；以及集成到所述支撐基板中的至少一個(gè)靜電保護(hù)元件，該靜電保護(hù)元件通過(guò)所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接。
[0135](39) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:利用生長(zhǎng)基板依次生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層以及插入所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光的有源層組成，在所述第一半導(dǎo)體層側(cè)形成生長(zhǎng)基板去除面；支撐基板，該支撐基板具有第一面和與所述第一面相反的第二面；結(jié)合層，該結(jié)合層將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)結(jié)合到所述支撐基板的所述第一面?zhèn)龋唤Y(jié)合層去除面，該結(jié)合層去除面形成在所述第一面上，并且朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口 ；電連接件，該電連接件形成在所述第一面上并且從所述多個(gè)半導(dǎo)體成持續(xù)到所述結(jié)合層去除面以提供電子和空穴中的一方；以及引線，其將所述電連接連接到外部。
[0136](40) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:附加引線，該附加引線用于通過(guò)所述結(jié)合層將電子和空穴中的另一方傳遞到所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
[0137](41) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括:焊盤(pán)電極，其設(shè)置在所述附加引線與所述結(jié)合層之間。
[0138](42) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電傳遞通道穿過(guò)所述結(jié)合層與所述第一半導(dǎo)體層電連接，并且所述引線穿過(guò)所述電連接件與所述第二半導(dǎo)體層電連接。
[0139](43) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述引線穿過(guò)所述電連接件與所述第一半導(dǎo)體層電連接。
[0140](44) 一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，提供至少兩個(gè)半導(dǎo)體堆(稱為第一半導(dǎo)體堆和第二半導(dǎo)體堆)，針對(duì)每個(gè)半導(dǎo)體堆，所述支撐基板設(shè)置有從所述第二面持續(xù)以提供電子和空穴中的一方的第一電傳遞通道和用于提供電子和空穴中的另一方的第二電傳遞通道，所述結(jié)合層與所述第一電傳遞通道電連接，并且在所述第二面處設(shè)置有的電連接件，該電連接件用于將所述第一半導(dǎo)體堆與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道中的至少一方相連接。
[0141]根據(jù)本公開(kāi)的半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法使得可以獲得TFFC類(lèi)型半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0142]根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法使得可以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)率，而不會(huì)在生長(zhǎng)基板的去除處理期間以及在去除之后的處理中出現(xiàn)許多半導(dǎo)體的破裂。
[0143]根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法使得可以實(shí)現(xiàn)以電極的容易對(duì)準(zhǔn)為特征的、晶片級(jí)別的TFFC類(lèi)型半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0144]在根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法中，能夠利用結(jié)合層去除面和持續(xù)到多個(gè)半導(dǎo)體層的電連接件、引線以及穿過(guò)支撐基板的電傳遞通道來(lái)獲得各種類(lèi)型的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0145]在根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法中，能夠在支撐基板的后表面上實(shí)現(xiàn)多種類(lèi)型的電連接。
[0146]在根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法中，能夠通過(guò)在支撐基板上形成PN結(jié)二極管向支撐基板提供各種功能。
[0147]在根據(jù)本公開(kāi)的又一個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件及其制造方法中，能夠利用引線來(lái)幫助單個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件或多個(gè)半導(dǎo)體發(fā)光器件的連接。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括: 支撐基板，其具有第一面和與所述第一面相反的第二面； 形成在所述第一面上的至少一個(gè)半導(dǎo)體堆，其中，各個(gè)半導(dǎo)體堆都包括利用生長(zhǎng)基板順序地生長(zhǎng)的多個(gè)半導(dǎo)體層，并且所述多個(gè)半導(dǎo)體層由具有第一導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層、具有與所述第一導(dǎo)電性不同的第二導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層、以及有源層組成，所述有源層插入在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間并且通過(guò)電子空穴復(fù)合來(lái)產(chǎn)生光，并且其中，在所述第一半導(dǎo)體層側(cè)上形成有生長(zhǎng)基板去除面； 結(jié)合層，所述結(jié)合層將所述多個(gè)半導(dǎo)體層的所述第二半導(dǎo)體層側(cè)結(jié)合到所述支撐基板的第一面?zhèn)?；以? 結(jié)合層去除面，所述結(jié)合層去除面形成在所述第一面上，并且朝向所述多個(gè)半導(dǎo)體層開(kāi)口以向所述多個(gè)半導(dǎo)體層提供電流。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中， 設(shè)置有至少兩個(gè)半導(dǎo)體堆，其稱為第一半導(dǎo)體堆和第二半導(dǎo)體堆， 針對(duì)各個(gè)半導(dǎo)體堆，所述支撐基板具有用于傳遞電子或空穴的第一電傳遞通道和用于傳遞空穴或電子的第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道從所述第二面持續(xù)到所述第一面， 所述結(jié)合層與所述第一電傳遞通道電連接，并且 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:電連接件，該電連接件在所述第二表面?zhèn)壬蠈⑺龅谝话雽?dǎo)體堆與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道中的至少一方電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電連接件將所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道集成。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電連接件由絕緣層覆蓋，并且在所述絕緣層上形成有后電極，該后電極與所述第一半導(dǎo)體堆和所述第二半導(dǎo)體堆中的至少一方電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道相連接，并且所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道相連接，并且所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道與所述第二半導(dǎo)體堆的所述第一電傳遞通道相連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括: 附加電傳遞通道，該附加電傳遞通道將電子或空穴從所述第二電傳遞通道傳遞到所述多個(gè)半導(dǎo)體層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第二半導(dǎo)體層的所述結(jié)合層覆蓋所述第一半導(dǎo)體堆的所述第二電傳遞通道。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層是III族氮化物半導(dǎo)體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由半導(dǎo)體組成，并且具有從所述第二面持續(xù)到所述第一面的第一電傳遞通道、以及第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞電子或空穴，并且所述第二電傳遞通道向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞空穴或電子，并且 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:形成在所述支撐基板上的至少一個(gè)PN結(jié)二極管，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管通過(guò)所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管和所述多個(gè)半導(dǎo)體層反向并聯(lián)連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管中的每個(gè)都具有第一導(dǎo)電部和第二導(dǎo)電部，所述第一導(dǎo)電部具有與所述第一半導(dǎo)體層的所述第一導(dǎo)電性不同的導(dǎo)電性，并且所述第二導(dǎo)電部具有與所述第一半導(dǎo)體層的所述第一導(dǎo)電性相同的導(dǎo)電性，并且 所述第一電傳遞通道與所述第一導(dǎo)電部電連接，并且所述第二電傳遞通道與所述第二導(dǎo)電部電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由AIN組成。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由未摻雜的Si組成。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述結(jié)合層與所述第一電傳遞通道電連接，并且 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:電連接件，該電連接件通過(guò)所述第二電傳遞通道露出到所述結(jié)合層去除面的電連接，并且將在所述結(jié)合層去除面上露出的所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接以傳遞電子或空穴。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體堆在所述支撐基板的所述第二面?zhèn)壬想娺B接。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少兩個(gè)半導(dǎo)體堆在所述支撐基板的所述第一面?zhèn)壬想娺B接。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述至少一個(gè)PN結(jié)二極管與所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道電連接以形成整流器電路。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述支撐基板由半導(dǎo)體組成并且具有從所述第二面持續(xù)到所述第一面的第一電傳遞通道以及第二電傳遞通道，所述第一電傳遞通道用于向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞電子或空穴，并且所述第二電傳遞通道用于向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞空穴或電子，并且 所述半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括:集成到所述支撐基板的至少一個(gè)靜電保護(hù)元件，所述靜電保護(hù)元件通過(guò)所述第一電傳遞通道和所述第二電傳遞通道與所述多個(gè)半導(dǎo)體層電連接。
21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件還包括: 電連接件，該電連接件從所述多個(gè)半導(dǎo)體層持續(xù)到所述結(jié)合層去除面以向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞電子或空穴；以及 用于將所述電連接件連接到外部的引線。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括: 第一電傳遞通道，該第一電傳遞通道從所述第二面持續(xù)到所述第一面并且通過(guò)所述結(jié)合層向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞空穴或電子。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括: 附加引線，該附加引線用于通過(guò)所述結(jié)合層向所述多個(gè)半導(dǎo)體層傳遞空穴或電子。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，該半導(dǎo)體發(fā)光器件包括: 焊盤(pán)電極，該焊盤(pán)電極設(shè)置在所述附加引線與所述結(jié)合層之間。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電傳遞通道穿過(guò)所述結(jié)合層與所述第一半導(dǎo)體層電連接，并且所述引線穿過(guò)所述電連接件與所述第二半導(dǎo)體層電連接。
26.根據(jù)權(quán)利要求22所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一電傳遞通道穿過(guò)所述結(jié)合層與所述第二半導(dǎo)體層電連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述引線穿過(guò)所述電連接與所述第一半導(dǎo)體層電連接。
28.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述電連接件持續(xù)到所述生長(zhǎng)基板去除面。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光器件，其中，所述第一半導(dǎo)體層、所述有源層和所述第二半導(dǎo)體層是III族氮化物半導(dǎo)體。
【文檔編號(hào)】H01L33/38GK104508841SQ201380039741
【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2013年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月26日
【發(fā)明者】安相貞 申請(qǐng)人:安相貞