電能存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及金屬-空氣電能存儲(chǔ)單元(4)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其包括活性存儲(chǔ)材料(6)，其特征在于，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有芯區(qū)域和至少一個(gè)外殼區(qū)域，其中在芯區(qū)域內(nèi)的材料比外殼區(qū)域的材料具有更高的孔隙度。
【專利說(shuō)明】電能存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種根據(jù)權(quán)利要求1的前序部分的電能存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]例如由可再生能源得到的剩余的電能可僅在一定的情況中存儲(chǔ)在電網(wǎng)中。這也適用于在化石燃料發(fā)電廠中當(dāng)所述發(fā)電廠在經(jīng)濟(jì)上最優(yōu)的負(fù)載范圍內(nèi)運(yùn)行時(shí)出現(xiàn)的但耗電器不從網(wǎng)絡(luò)中調(diào)用的剩余能量。為大量地中間存儲(chǔ)將所述剩余能量，存在不同的大型存儲(chǔ)器設(shè)備。其中一個(gè)示例是抽水蓄能電廠。在電池領(lǐng)域中對(duì)于電能存儲(chǔ)器開(kāi)始使用所謂的可充電氧化物電池(ROB)，即高溫金屬-空氣電池。在此電池的情況中，基于金屬的存儲(chǔ)介質(zhì)根據(jù)電池狀態(tài)(充電或放電)被還原或氧化。在多個(gè)此周期性充放電的情況下，即存儲(chǔ)介質(zhì)的還原和氧化過(guò)程的情況下，在存在此電池的相對(duì)高的通常在600°C至900°C的運(yùn)行溫度時(shí)，此介質(zhì)傾向于通過(guò)燒結(jié)過(guò)程而破壞所要求的微結(jié)構(gòu)尤其是存儲(chǔ)介質(zhì)的多孔結(jié)構(gòu)以及破壞活性存儲(chǔ)材料的微粒大小分布。這導(dǎo)致電池的老化且然后導(dǎo)致電池的失效。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種電能存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)具有更高的長(zhǎng)期穩(wěn)定性且具有更高的充放電過(guò)程的循環(huán)次數(shù)。
[0004]此技術(shù)問(wèn)題通過(guò)一種帶有權(quán)利要求1的特征的金屬-空氣能量存儲(chǔ)單元解決。
[0005]包括根據(jù)按本發(fā)明的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的能量存儲(chǔ)單元是金屬-空氣電池的組成部分。此類金屬-空氣電池通常包括多個(gè)能量存儲(chǔ)單元，所述能量存儲(chǔ)單元通常又組合為堆。存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)自身又包括活性存儲(chǔ)材料且其特征在于存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有芯區(qū)域和至少一個(gè)外殼區(qū)域，其中芯區(qū)域內(nèi)的材料具有比外殼區(qū)域內(nèi)的材料更高的孔隙度。這導(dǎo)致外殼區(qū)域和芯區(qū)域的活性存儲(chǔ)材料具有不同的氧化速度。
[0006]劃分為芯區(qū)域和存儲(chǔ)區(qū)域的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的基本結(jié)構(gòu)在芯區(qū)域內(nèi)的材料比外殼區(qū)域內(nèi)的材料具有更高的孔隙度的情況中導(dǎo)致芯區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料首先被化學(xué)轉(zhuǎn)化，即被氧化。通過(guò)氧化導(dǎo)致體積增加，這又導(dǎo)致運(yùn)輸所謂的穿梭氣所需的孔隙縮窄或隨時(shí)間而消失。因此，更有利的是存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的芯區(qū)域比外殼區(qū)域被更快地氧化或化學(xué)轉(zhuǎn)化。外殼區(qū)域因此也在芯區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料的先行的氧化之后仍具有足夠高的孔隙度，以將與活性存儲(chǔ)材料發(fā)生反應(yīng)的氣體運(yùn)輸?shù)剿龃鎯?chǔ)材料處。在此，不需要使得外殼區(qū)域完全地包圍芯區(qū)域。層狀結(jié)構(gòu)也是適宜的，但外殼區(qū)域應(yīng)相對(duì)于反應(yīng)氣體的流動(dòng)路徑或擴(kuò)散路徑布置在存儲(chǔ)電極和芯區(qū)域之間。
[0007]已證明特別適宜的是外殼區(qū)域內(nèi)以及芯區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料基于鐵和/或氧化鐵形成。氧化鐵通常在存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)制造時(shí)以Fe2O3的形式(鐵(III)氧化物)存在，在存儲(chǔ)單元的運(yùn)行期間通常，鐵的氧化態(tài)通常改變，因此存儲(chǔ)單元的運(yùn)行隨著化合物FeO(鐵(II)氧化物)和/或Fe3O4(鐵(II，III)氧化物)進(jìn)行。活性存儲(chǔ)材料尤其以由鐵和氧化鐵組成的氧化還原對(duì)的形式存在，其中各成分的份額取決于電存儲(chǔ)單元的充電狀態(tài)。
[0008]在本發(fā)明的另外的有利的實(shí)施形式中，在外殼區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料具有摻雜物，所述摻雜物包括鉻、鈷、鋁、硅、鈦或錳的組中的一個(gè)或多個(gè)元素。通過(guò)此類的摻雜物，可影響存儲(chǔ)材料的氧化速度。已表明，來(lái)自所述組中的元素使存儲(chǔ)材料的氧化速度減緩。因此，適宜地向外殼區(qū)域提供以導(dǎo)致氧化速度降低的摻雜的物質(zhì)。
[0009]與此相對(duì)，已表明適宜的是向芯區(qū)域提供以包括鉬、釩、硼、鉍的組中的一個(gè)或多個(gè)元素的摻雜物。以所述物質(zhì)的摻雜導(dǎo)致氧化的加速。這些元素作為摻雜物與芯區(qū)域的更高的孔隙度組合地有助于芯區(qū)域的優(yōu)選的氧化。
[0010]為此，已表明適宜的是外殼區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料具有低于40%的孔隙度。也可適宜的是存在更高的孔隙度的芯區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料具有低于50%的孔隙度。
[0011]已表明適宜的是在外殼區(qū)域內(nèi)和芯區(qū)域內(nèi)的活性存儲(chǔ)材料的顆粒大小分布為d50值小于5 μ m且d90值小于10 μ mo所謂的微粒大小分布是用于存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的活性存儲(chǔ)材料的原料的微粒分布。在制成的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)中，活性存儲(chǔ)材料的單獨(dú)的顆粒以壓縮或預(yù)燒結(jié)的形式存在，使得在也稱為燒結(jié)頸的接觸區(qū)域內(nèi)微觀地出現(xiàn)聚集物或材料決定的化合物。單獨(dú)的顆粒因此可通過(guò)在接觸區(qū)域上的熱處理通過(guò)擴(kuò)散過(guò)程而連接，這導(dǎo)致所述單獨(dú)的顆粒作為更大的顆粒變得微觀上可見(jiàn)。因此，為材料上表征活性存儲(chǔ)材料，使用原材料的顆粒大小分布，其中此顆粒大小分布也反應(yīng)了制成的存儲(chǔ)材料或制成的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的微結(jié)構(gòu)內(nèi)的材料決定的接觸面積。
[0012]此外，已表明適宜的是在外殼區(qū)域內(nèi)和芯區(qū)域內(nèi)的存儲(chǔ)材料具有在此處嵌入的惰性材料。在此，惰性的概念理解為在惰性材料和可能的反應(yīng)物之間緩慢地形成化學(xué)平衡，使得在所存在的運(yùn)行溫度下不出現(xiàn)持久地影響存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的功能性的反應(yīng)。在此，尤其理解為相對(duì)于又與存儲(chǔ)材料發(fā)生反應(yīng)的氣態(tài)或液態(tài)的反應(yīng)物的惰性性能。此外，惰性性能自身相對(duì)于存儲(chǔ)材料理解。尤其，作為惰性材料除另外的陶瓷材料之外包括氧化鋯、釔強(qiáng)化的氧化鋯、氧化鋁、氧化釔、氧化鈣、氧化鈰或氧化鎂以及前述物質(zhì)的組合。
[0013]在本發(fā)明的另外的構(gòu)造形式中，惰性材料的顆粒尺寸分布為d50值在30nm至500nm之間以及d90值小于2 μ m。
[0014]此外，已表明適宜的是在外殼區(qū)域和芯區(qū)域之間設(shè)有多孔的屏障層。此屏障層用于相互界定芯區(qū)域和外殼區(qū)域且尤其防止芯區(qū)域和外殼區(qū)域的不同的摻雜材料的擴(kuò)散。
[0015]屏障層優(yōu)選地包括已陳述的基于氧化鋯、釔強(qiáng)化的氧化鋯、氧化鋁、氧化釔、氧化鈣、氧化鈰或氧化鎂的惰性陶瓷材料，其中所述屏障層優(yōu)選地具有超過(guò)40%體積百分比的孔隙度和小于1mm、優(yōu)選地小于500 μπι的層厚度。
[0016]芯區(qū)域與外殼區(qū)域的體積比可根據(jù)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的大小而變化，因?yàn)橥ㄟ^(guò)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的幾何形狀和大小預(yù)先給定了必須被與存儲(chǔ)介質(zhì)反應(yīng)的反應(yīng)氣體經(jīng)過(guò)的擴(kuò)散路徑。已表明適宜的是外殼區(qū)域與芯區(qū)域的體積比在10:1至1:10之間。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017]本發(fā)明的另外的特征和另外的優(yōu)點(diǎn)根據(jù)附圖詳細(xì)解釋。在附圖描述中涉及本發(fā)明示例的不限制本發(fā)明保護(hù)范圍的實(shí)施形式。
[0018]各圖為:
[0019]圖1是電存儲(chǔ)單元的作用方式的示意圖，
[0020]圖2是帶有芯區(qū)域和外殼區(qū)域的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其中芯區(qū)域被外殼區(qū)域完全包圍，
[0021]圖3是通過(guò)層疊方法制造的帶有芯區(qū)域和外殼區(qū)域的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)。

【具體實(shí)施方式】
[0022]根據(jù)圖1，首先示意性地描述可充電氧化物電池(ROB)的工作方式，對(duì)此描述到對(duì)于本發(fā)明的此描述所需的程度。ROB的通常的結(jié)構(gòu)在于，在也稱為空氣電極的正電極16上通過(guò)氣體供給部14吹入尤其是空氣的過(guò)程氣體，其中在放電時(shí)(在此圖右側(cè)的電路)從空氣中獲取氧。氧以氧離子02_的形式通過(guò)正電極上的固體電解質(zhì)18到達(dá)也稱為存儲(chǔ)電極的負(fù)電極20。負(fù)電極通過(guò)例如氫-水蒸汽混合物的氣體氧化還原對(duì)與多孔的存儲(chǔ)介質(zhì)結(jié)合。如果在負(fù)電極20上存在活性存儲(chǔ)材料的厚層，則電池的蓄電容量迅速耗盡。
[0023]出于此原因，適宜的是在負(fù)電極20上使用由多孔材料制成的作為能量存儲(chǔ)介質(zhì)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2，該存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2包含優(yōu)選以鐵和/或氧化鐵形式的起功能作用的可氧化材料作為活性存儲(chǔ)材料6。
[0024]通過(guò)在電池運(yùn)行狀態(tài)中的氣態(tài)氧化還原對(duì)，例如Η2/Η20，通過(guò)固體電解質(zhì)18運(yùn)輸?shù)难蹼x子在其在負(fù)電極上的放電之后以水蒸汽的形式通過(guò)包括存儲(chǔ)材料6的多孔的存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)2的孔隙通道被運(yùn)輸。視放電過(guò)程還是充電過(guò)程而定，將金屬或金屬氧化物(鐵/氧化鐵)氧化或還原，且為此所需的氧通過(guò)氣態(tài)氧化還原對(duì)Η2/Η20提供或被運(yùn)輸回到固體電解質(zhì)18或負(fù)電極20。通過(guò)氧化還原對(duì)運(yùn)輸氧的此機(jī)制被稱為穿梭機(jī)制。
[0025]鐵作為可氧化材料即作為活性存儲(chǔ)材料6的優(yōu)點(diǎn)在于鐵在其氧化過(guò)程中具有大致相同的大約IV的穩(wěn)定電壓，如氧化還原對(duì)比/!120在I的分壓比的情況下，否則存在由于此氧化還原對(duì)的擴(kuò)散的成分導(dǎo)致的對(duì)于氧運(yùn)輸?shù)奶岣叩淖枇Α?br> [0026]氧離子的通過(guò)固體電解質(zhì)18的擴(kuò)散需要所述ROB的600°C至900°C的高的運(yùn)行溫度，但此溫度范圍對(duì)于氧化還原對(duì)Η2/Η20的與存儲(chǔ)材料的平衡的最優(yōu)的組成也是有利的。在此，不僅電極16和20以及電解質(zhì)18的結(jié)構(gòu)受到高的熱負(fù)荷，而且包括活性存儲(chǔ)材料6的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2也受到高的熱負(fù)荷。在持續(xù)的氧化和還原的循環(huán)中，活性存儲(chǔ)材料傾向于燒結(jié)和/或粗化。燒結(jié)意味著單獨(dú)的顆粒一直通過(guò)擴(kuò)散過(guò)程而熔融、反應(yīng)表面降低且對(duì)于氣體運(yùn)輸所要求的貫通的開(kāi)放的孔隙結(jié)構(gòu)消失。粗化意味著單獨(dú)的顆粒以另外的顆粒為代價(jià)地生長(zhǎng)，其中顆粒的數(shù)量密度和反應(yīng)表面降低。在封閉的孔隙結(jié)構(gòu)的情況中，氧化還原對(duì)H2/H2O不再到達(dá)活性存儲(chǔ)材料6的活性表面，使得在存儲(chǔ)器的部分放電之后，電池的內(nèi)部阻力已變得很高，這防止了進(jìn)一步的技術(shù)上合理的放電。
[0027]ROB的優(yōu)點(diǎn)在于其最小的單元即存儲(chǔ)單元模塊化地幾乎不受限制地可擴(kuò)展。因此，小的電池可用于靜止的家庭使用以及用于存儲(chǔ)發(fā)電廠的能量的大型工業(yè)設(shè)備。
[0028]在圖2中示意性地圖示了帶有芯區(qū)域8和外殼區(qū)域10的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2，其中芯區(qū)域8和外殼區(qū)域10通過(guò)屏障層12分離。兩個(gè)區(qū)域，即芯區(qū)域8和外殼區(qū)域10，具有基本上基于鐵和/或氧化鐵制成的存儲(chǔ)材料6。芯區(qū)域8在此具有48%的孔隙度，其中氧化鐵即存儲(chǔ)材料6提供以包括鉬的摻雜物。通過(guò)鉬的摻雜物的總份額處于低于10%的摩爾百分比的濃度。鉬用作氧化加速劑，其中氧化鐵或鐵在穿梭氣Η2/Η20進(jìn)入時(shí)比不添加鉬的情況被更迅速地置于更高的氧化態(tài)。
[0029]圍繞芯區(qū)域8布置了屏障層12，所述屏障層12具有400 μm的厚度且由基于氧化鋯的惰性材料制成。屏障層12也具有48%的孔隙度。圍繞屏障層12布置了外殼區(qū)域10，所述外殼區(qū)域也包括在此情況中以鉻或鈷摻雜的鐵和氧化鐵的混合物。此摻雜材料用作反應(yīng)抑制劑且減緩鐵的氧化物或氧化鐵的反應(yīng)速度。以此方式和方法，芯區(qū)域8比外殼區(qū)域10更快地被完全氧化。如果通過(guò)氧化期間的體積增加使芯區(qū)域8內(nèi)的孔隙縮窄或封閉而使得穿梭氣不可再到達(dá)或僅難以到達(dá)芯區(qū)域和/或活性存儲(chǔ)材料已達(dá)到在現(xiàn)有的條件下的盡可能高的氧化態(tài)，則芯區(qū)域內(nèi)的氧化反應(yīng)基本上完成。
[0030]與芯區(qū)域8內(nèi)的反應(yīng)平行地以緩慢的方式在外殼區(qū)域10內(nèi)進(jìn)行反應(yīng)。此反應(yīng)由于抑制劑比已消耗的芯區(qū)域8內(nèi)的反應(yīng)更慢地進(jìn)行。當(dāng)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)內(nèi)的鐵或氧化鐵完全處于盡可能高的氧化態(tài)時(shí)，或當(dāng)對(duì)于穿梭氣Η2/Η20的流動(dòng)所需的所有孔隙通道都縮窄或封閉而使得氣體不再充分完成其運(yùn)輸功能時(shí)，電池被完全放電。在最優(yōu)情況中，在由于封閉的孔隙導(dǎo)致的擴(kuò)散停止的情況中，整個(gè)活性存儲(chǔ)材料6也完全被氧化。電池在此情況中被完全放電。在充電過(guò)程中，氧化鐵又被還原且氧離子通過(guò)存儲(chǔ)電極20、固體電解質(zhì)18和空氣電極16又釋放到環(huán)境。然后鐵又以元素形式或帶有更低的氧化態(tài)的氧化鐵的形式存在。
[0031]如在圖2中圖示的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)可例如通過(guò)等靜壓或單軸壓力過(guò)程制造。在此，首先壓制芯材料且將因此形成的基體如需要通過(guò)燒結(jié)過(guò)程機(jī)械地固化。然后，如需要可例如通過(guò)CVD沉積過(guò)程施加屏障層的材料?，F(xiàn)在將因此而涂覆的基體再次施加壓力，其中所述基體被待形成的外殼區(qū)域10的粉末狀存儲(chǔ)材料6包圍。粉末填料與其內(nèi)部的基體一起被再次壓制，其中在脫模之后且如需要在用于固化外殼區(qū)域10的另外的熱處理之后產(chǎn)生了在圖2中描繪的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2。在圖3中圖示了存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)2通過(guò)產(chǎn)生層的方法制造。在此，首先通過(guò)流延成型方法制造外殼區(qū)域10，在所述外殼區(qū)域10上又澆注了芯區(qū)域8的存儲(chǔ)材料6且使其硬化。在另外的方法步驟中，在芯區(qū)域上通過(guò)流延成型施加另外的外殼區(qū)域。
[0032]如在圖3中所圖示的單獨(dú)的層也可單獨(dú)地制造且然后層疊。在此，可分別選擇地將屏障層12優(yōu)選地通過(guò)沉積方法施加在芯區(qū)域8上。
【權(quán)利要求】
1.一種金屬-空氣電能存儲(chǔ)單元(4)的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)包括活性存儲(chǔ)材料(6)，其特征在于，所述存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(2)具有芯區(qū)域(8)和至少一個(gè)外殼區(qū)域(10)，其中在所述芯區(qū)域(8)內(nèi)的材料比所述外殼區(qū)域(10)的材料具有更高的孔隙度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼區(qū)域(10)內(nèi)和芯區(qū)域(8)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)包括鐵和/或氧化鐵。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼區(qū)域(10)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)具有摻雜物，所述摻雜物包括鉻、鈷、鋁、硅、鈦或錳的組中的一個(gè)或多個(gè)元素。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯區(qū)域(8)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)具有摻雜物，所述摻雜物包括鉬、|凡、硼或秘的組中的一個(gè)或多個(gè)元素。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼區(qū)域(10)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)具有低于40%的孔隙度。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述芯區(qū)域(8)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)具有低于50%的孔隙度。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼區(qū)域(10)內(nèi)和所述芯區(qū)域(8)內(nèi)的存儲(chǔ)材料(6)具有d50值小于5 μπι且d90值小于10 μm的顆粒大小分布。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述外殼區(qū)域(10)和所述芯區(qū)域(8)的存儲(chǔ)材料￠)內(nèi)嵌入有惰性材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述惰性材料基于氧化鋯、釔強(qiáng)化的氧化鋯、氧化鋁、氧化釔、氧化鈣、氧化鈰或氧化鎂或前述物質(zhì)的組合制成。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述惰性材料具有d50值在30nm至500nm之間且d90值小于2 μ m的顆粒尺寸分布。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，在所述外殼區(qū)域和芯區(qū)域之間提供有多孔的屏障層(12)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏障層(12)由惰性陶瓷材料制成，尤其基于氧化鋯、釔強(qiáng)化的氧化鋯、氧化鋁、氧化釔、氧化鈣、氧化鈰或氧化鎂或前述物質(zhì)的組合制成。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏障層(12)的厚度小于1mm,尤其小于500 μ m。
14.根據(jù)權(quán)利要求11至13中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述屏障層(12)具有超過(guò)40%的開(kāi)放的孔隙度。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中一項(xiàng)所述的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)，其特征在于，外殼區(qū)域(10)與芯區(qū)域(8)的體積比在10:1至1:10之間的范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】H01M4/36GK104471756SQ201380038342
【公開(kāi)日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2013年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月3日
【發(fā)明者】K.本克特, T.索萊爾 申請(qǐng)人:西門(mén)子公司