半導(dǎo)體構(gòu)造、存儲器單元、存儲器陣列及形成存儲器單元的方法
【專利摘要】一些實施例包含一種直接在間隔開的節(jié)點上方具有氧敏感結(jié)構(gòu)的構(gòu)造。每一氧敏感結(jié)構(gòu)包含成角度板，所述成角度板具有沿著節(jié)點的頂部表面的水平部分及從所述水平部分向上延伸的非水平部分。每一成角度板具有：內(nèi)部側(cè)壁，其中內(nèi)側(cè)拐角形成于所述非水平部分與所述水平部分之間；外部側(cè)壁，其與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系；及若干橫向邊緣。位線是在所述氧敏感結(jié)構(gòu)上方，且具有從所述氧敏感結(jié)構(gòu)的所述橫向邊緣向上延伸的側(cè)壁。不含氧結(jié)構(gòu)是沿著所述內(nèi)部側(cè)壁、沿著所述外部側(cè)壁、沿著所述橫向邊緣、在所述位線上方且沿著所述位線的所述側(cè)壁。一些實施例包含存儲器陣列及形成存儲器單元的方法。
【專利說明】半導(dǎo)體構(gòu)造、存儲器單元、存儲器陣列及形成存儲器單元的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]半導(dǎo)體構(gòu)造、存儲器單元、存儲器陣列及形成存儲器單元的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]存儲器是一種類型的集成電路，且在電子系統(tǒng)中用于存儲數(shù)據(jù)。通常在個別存儲器單元的一或多個陣列中制作集成式存儲器。所述存儲器單元經(jīng)配置而以至少兩種不同可選擇狀態(tài)存留或存儲存儲器。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，所述狀態(tài)視為“O”或“I”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個別存儲器單元可經(jīng)配置以存儲兩個以上電平或狀態(tài)的信息。
[0003]一種類型的存儲器是相變存儲器(PCM) ο此存儲器利用相變材料作為可編程材料?？捎糜赑CM中的實例相變材料是硫?qū)倩锊牧稀?br> [0004]所述相變材料經(jīng)由適當(dāng)激勵的施加而可逆地從一個相位轉(zhuǎn)變到另一相位。每一相位可用作一存儲器狀態(tài)，且因此個別PCM單元可具有對應(yīng)于所述相變材料的兩個可誘發(fā)相位的兩種可選擇存儲器狀態(tài)。
[0005]如果所述相變材料暴露于氧，那么其可受不利影響(即，“中毒”)，且因此期望研發(fā)減輕或防止此氧暴露的新架構(gòu)及制作方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1-3是處于實例實施例方法的處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖2及3的橫截面圖分別沿著圖1的線A-A及B-B。
[0007]圖4-6是處于繼圖1-3的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖5及6的橫截面圖分別沿著圖4的線A-A及B-B。
[0008]圖7-9是處于繼圖4-6的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖8及9的橫截面圖分別沿著圖7的線A-A及B-B。
[0009]圖10-12是處于繼圖7-9的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖11及12的橫截面圖分別沿著圖10的線A-A及B-B。
[0010]圖13-15是處于繼圖10-12的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖14及15的橫截面圖分別沿著圖13的線A-A及B-B。
[0011]圖16-18是處于繼圖13-15的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖17及18的橫截面圖分別沿著圖16的線A-A及B-B。
[0012]圖19-21是處于繼圖16-18的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖20及21的橫截面圖分別沿著圖19的線A-A及B-B。
[0013]圖22-24是處于繼圖19-21的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖23及24的橫截面圖分別沿著圖22的線A-A及B-B。
[0014]圖25-27是處于繼圖22-24的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖26及27的橫截面圖分別沿著圖25的線A-A及B-B。
[0015]圖28-30是處于繼圖25-27的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖29及30的橫截面圖分別沿著圖28的線A-A及B-B。
[0016]圖31-33是處于繼圖28-30的處理階段之后的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖32及33的橫截面圖分別沿著圖31的線A-A及B-B。
[0017]圖34是圖32的區(qū)域的放大視圖。
[0018]圖35-37是根據(jù)另一實例實施例的處于類似于圖31-33的處理階段的實例處理階段的構(gòu)造的俯視圖及橫截面?zhèn)纫晥D。圖36及37的橫截面圖分別沿著圖35的線A-A及B-B0

【具體實施方式】
[0019]一些實施例包含鄰近氧敏感材料制作不含氧的防護(hù)結(jié)構(gòu)以減輕或防止氧敏感材料的氧中毒的方法，且一些實施例包含包括此些防護(hù)結(jié)構(gòu)的新架構(gòu)。在一些實施例中，所述氧敏感材料是PCM的相變材料(例如，舉例來說，硫?qū)倩?。參考圖1-37描述實例實施例。
[0020]圖1-3概略地圖解說明半導(dǎo)體構(gòu)造10的一部分。圖1展示所述構(gòu)造的俯視圖，且圖2及3展示分別沿著圖1的線A-A及B-B的橫截面。
[0021]構(gòu)造10包括P型摻雜區(qū)域12 (其在一些實施例中可稱為襯底12，且在其中其是雙極結(jié)型晶體管的一部分的特定實施例中稱為集電極區(qū)域12)及在區(qū)域12上方的各種經(jīng)摻雜區(qū)域14、16、18及20。區(qū)域12、14、16及18經(jīng)圖案化成多個基座21 (僅標(biāo)記其中的一些)，其中此些基座通過介入介電材料22彼此分離。或者，材料22可稱為電絕緣材料；其中術(shù)語“電絕緣材料”及“介電材料”是彼此同義的。材料22可包括任何適合組合物或組合物的組合，且在一些實施例中可包括含氧材料；例如，舉例來說，二氧化硅、硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)、磷硅酸鹽玻璃(PSG)等。經(jīng)摻雜區(qū)域14、16、18及20對應(yīng)于經(jīng)摻雜半導(dǎo)體材料，例如經(jīng)摻雜硅。
[0022]區(qū)域16及20是重?fù)诫s的，且因此分別指示為η+摻雜及ρ+摻雜。在一些實施例中，P型摻雜區(qū)域12、η型摻雜區(qū)域16及P型摻雜區(qū)域20 —起形成ρη 二極管。區(qū)域14及18是輕摻雜的，且用作漸變結(jié)以改進(jìn)此些二極管的性能。在一些實施例中，區(qū)域12、16及20可為雙極結(jié)晶體管的區(qū)域。
[0023]導(dǎo)電材料24是跨越所述二極管的頂部而形成。此導(dǎo)電材料可包括任何適合組合物或組合物的組合；且在一些實施例中可包括金屬硅化物(例如，舉例來說，硅化鈷、硅化鈦、硅化鎳等)。在一些實施例中，可通過經(jīng)摻雜區(qū)域20的上部表面的硅化而形成此導(dǎo)電材料。盡管導(dǎo)電材料24展示為具有與絕緣材料22的上部表面實質(zhì)上共面的上部表面，但在其它實施例中，導(dǎo)電材料24可具有高于或低于絕緣材料22的上部表面的上部表面。
[0024]在所展示實施例中，基座21的頂部是方形的(如在圖1的俯視圖中由材料24的方形形狀所指示)，但在其它實施例中，所述基座的頂部可具有其它形狀；例如，舉例來說，多邊形形狀、圓形形狀、橢圓形形狀、圓角形狀等。
[0025]基座21布置成柵格(如由在圖1的俯視圖中材料24布置成柵格所指示)。此柵格具有沿著軸5的第一方向及沿著軸7的第二方向(其中軸5及7是鄰近圖1的俯視圖而圖解說明)。在所展示實施例中，所述第二方向?qū)嵸|(zhì)上正交于所述第一方向；其中術(shù)語“實質(zhì)上正交”意指所述方向是在合理制作及測量公差內(nèi)正交。圖2的橫截面沿著軸7，且圖3的橫截面沿著軸5。
[0026]圖2及3的橫截面展示基座21沿著圖2的橫截面比沿著圖3的橫截面延伸的深。具體來說，沿著圖2的橫截面，所述基座延伸穿過區(qū)域14及16并延伸到區(qū)域12中；且沿著圖3的橫截面，所述基座僅部分地延伸到區(qū)域16中。在一些實施例中，重?fù)诫s區(qū)域16可視為形成沿著軸5的方向互連多個二極管的字線；其中在圖3中圖解說明實例字線28。如本文中及貫穿說明所使用，“字線”是存取線的同義字且“位線”是數(shù)據(jù)線的同義字。
[0027]所圖解說明的ρη 二極管是可并入到存儲器陣列中的存取裝置的實例。在其它實施例中，代替所圖解說明的二極管或除所圖解說明的二極管以外，可利用其它存取裝置。舉例來說，此些其它存取裝置可包含場效應(yīng)晶體管、雙極結(jié)晶體管、PIN 二極管等。
[0028]在一些實施例中，構(gòu)造10可視為包括半導(dǎo)體襯底。術(shù)語“半導(dǎo)體襯底”意指包括半導(dǎo)電材料的任何構(gòu)造，包含但不限于:塊狀半導(dǎo)電材料，例如，半導(dǎo)電晶片(單獨地或在包括其它材料的組合件中)；及半導(dǎo)電材料層(單獨地或在包括其它材料的組合件中)。術(shù)語“襯底”是指任何支撐結(jié)構(gòu)，包含但不限于上文所描述的半導(dǎo)體襯底。在一些實施例中，構(gòu)造10可對應(yīng)于含有與集成電路制作相關(guān)聯(lián)的一或多種材料的半導(dǎo)體襯底。所述材料中的一些材料可在所展示區(qū)域12下方及/或可橫向鄰近所展示區(qū)域12 ;且可對應(yīng)于(舉例來說)難熔金屬材料、勢皇材料、擴(kuò)散材料、絕緣體材料等中的一或多者。
[0029]參考圖4-6，電絕緣材料26是跨越構(gòu)造10而形成，且隨后開口經(jīng)形成而穿過材料26到導(dǎo)電材料24且填充有導(dǎo)電材料30。
[0030]導(dǎo)電材料30可包括任何適合組合物或組合物的組合；且在一些實施例中可包括以下各項中的一或多者、基本上由以下各項中的一或多者組成或由以下各項中的一或多者組成:各種金屬(舉例來說，鎢、鈦等)、含金屬組合物(例如，金屬氮化物、金屬碳化物、金屬硅化物等)及經(jīng)導(dǎo)電摻雜的半導(dǎo)體材料(例如，經(jīng)導(dǎo)電摻雜的硅、經(jīng)導(dǎo)電摻雜的鍺等)。在實例實施例中，材料30可包括圍繞鎢填充物的氮化鈦襯里。
[0031]絕緣材料26可包括任何適合組合物或組合物的組合。在一些實施例中，材料26可包括與材料22相同的組合物，且因此材料26可包括含氧組合物，例如，舉例來說，二氧化硅、BPSG、PSG等中的一或多者。在一些實施例中，材料26可包括不同于材料22的組合物；且可(舉例來說)包括不含氧組合物，例如，舉例來說，氮化硅。盡管材料26展示為均質(zhì)的，但在其它實施例中，材料26可包括多種離散組合物。例如，在一些實施例中，材料26的下部部分可為含氧組合物，且材料26的上部部分可為不含氧組合物，如下文參考圖35-37更詳細(xì)地描述。
[0032]展示延伸跨越材料30及26的平面化表面31。此表面可因化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)而產(chǎn)生。例如，最初可提供材料30以填滿材料26中的開口，且隨后可利用CMP來移除過量材料30并形成所展示的平面化表面31。
[0033]材料30可視為形成多個導(dǎo)電插塞，其中所述導(dǎo)電插塞的上部區(qū)域?qū)?yīng)于跨越構(gòu)造10的頂部的多個間隔開的電節(jié)點32(僅標(biāo)記其中的一些)。在所展示實施例中，絕緣材料26完全地橫向環(huán)繞節(jié)點32。在一些實施例中，節(jié)點32可視為由包括區(qū)域12的半導(dǎo)體襯底支撐。
[0034]所述電節(jié)點布置成包括沿著軸5的第一方向及沿著軸7的第二方向的柵格。在以下論述中，節(jié)點32中的一者稱為第一節(jié)點32a，且所述節(jié)點中的另一者稱為第二節(jié)點32b。節(jié)點32a及32b實質(zhì)上彼此相同，且實質(zhì)上相同于所有其它節(jié)點32 ;但特定地稱作第一節(jié)點及第二節(jié)點以幫助闡釋實例實施例中的一些實例實施例。
[0035]參考圖7-9，間隔開的圖案化結(jié)構(gòu)34到36形成于平面化表面31上方。在所展示實施例中，所述圖案化結(jié)構(gòu)是沿著軸5的方向延伸(即，沿著與字線28相同的方向延伸)的線。每一圖案化結(jié)構(gòu)包括一頂部(例如，結(jié)構(gòu)35的頂部37)及一對相對側(cè)壁(例如，結(jié)構(gòu)35的側(cè)壁39及41)。在一些實施例中，圖案化結(jié)構(gòu)的側(cè)壁中的一者可稱為第一側(cè)壁且另一者可稱為第二側(cè)壁。因此，在一些實施例中，側(cè)壁39及41可分別稱為第一側(cè)壁及第二側(cè)壁。第一側(cè)壁39跨越一組節(jié)點且直接在所述組節(jié)點上方通過，且第二側(cè)壁41跨越一不同組節(jié)點且直接在所述組節(jié)點上方通過。在一些實施例中，所述第一側(cè)壁下方的節(jié)點可稱為第一組節(jié)點，且所述第二側(cè)壁下方的節(jié)點可稱為第二組節(jié)點。因此，節(jié)點32a可視為是第一組節(jié)點的一部分，且節(jié)點32b可視為是第二組節(jié)點的一部分。
[0036]所述圖案化結(jié)構(gòu)橫跨節(jié)點32之間的空間且與所述節(jié)點部分地重疊。在圖7的俯視圖中以虛線展示所述節(jié)點的部分以指示此些部分在圖案化結(jié)構(gòu)34到36下方。
[0037]所述圖案化結(jié)構(gòu)包括材料38。此材料不包括氧，且因此可稱為不含氧材料。在一些實施例中，材料38可包括氮化硅、基本上由氮化硅組成或由氮化硅組成。
[0038]圖案化結(jié)構(gòu)34到36可包括任何適合尺寸。在一些實施例中，節(jié)點32可形成于間距P上，且所述圖案化結(jié)構(gòu)可彼此間隔達(dá)與此間距相當(dāng)?shù)木嚯xD。例如，在一些實施例中，所述間距可為在從約40納米到約60納米的范圍內(nèi)的尺寸，且D可為實質(zhì)上相同尺寸。所述圖案化結(jié)構(gòu)具有厚度T。在一些實施例中，此厚度可在從約等于所述間距到為所述間距的約三倍的范圍內(nèi)；且在一些實例實施例中，此厚度可在從約60納米到約100納米的范圍內(nèi)。
[0039]所述圖案化結(jié)構(gòu)可借助任何適合處理形成；舉例來說，包含:跨越平面化表面31形成材料38的層，接著為利用經(jīng)圖案化掩模(未展示)及一或多個蝕刻以形成材料38的所圖解說明的線。經(jīng)圖案化掩?？砂ㄈ魏芜m合掩模，舉例來說，包含:以光學(xué)光刻方式圖案化的光致抗蝕劑掩模及/或利用間距修改方法形成的掩模。
[0040]參考圖10-12，相變材料40是跨越圖案化結(jié)構(gòu)34到36且在所述圖案化結(jié)構(gòu)之間的間隙內(nèi)形成。所述相變材料可包括硫?qū)倩?、基本上由硫?qū)倩锝M成或由硫?qū)倩锝M成；例如，舉例來說，鍺、銻及碲的混合物(即，通常稱為GST的混合物)。所述相變材料是氧敏感材料的實例；其中術(shù)語“氧敏感材料”意指在暴露于氧時以非所要方式更改的材料。在一些實施例中，本文中所描述的處理直接抵靠氧敏感材料提供不含氧材料以保護(hù)所述氧敏感材料免于暴露于氧。此情況可減輕或防止可能在缺乏此保護(hù)材料的處理中發(fā)生而成問題的氧敏感材料的降解(此可稱為氧中毒)。盡管本文中所描述的實例氧敏感材料是相變材料，但在其它實施例中，類似于本文中所描述的處理的處理可用于其它氧敏感材料。
[0041]材料40展示為沿著圖案化結(jié)構(gòu)34到36的外部表面延伸，且具體來說沿著此些圖案化結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面及頂部表面(例如，結(jié)構(gòu)35的表面37、39及41)延伸。在一些實施例中，材料40可視為經(jīng)配置為從第一節(jié)點的上部表面延伸到第二節(jié)點的上部表面的橋接器。例如，實例橋接器44展示為從第一節(jié)點32a的上部表面延伸到第二節(jié)點32b的上部表面；其中此橋接器延伸跨越圖案化結(jié)構(gòu)35。所述橋接器可視為具有沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的第一側(cè)壁39的第一區(qū)段45、沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的第二側(cè)壁41的第二區(qū)段46及跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)的頂部的第三區(qū)段47。
[0042]材料40可具有任何適合厚度，且在一些實施例中可具有在從約5納米到約10納米的范圍內(nèi)的厚度。材料40可借助任何適合處理而形成；舉例來說，包含:原子層沉積(ALD)、化學(xué)汽相沉積(CVD)及物理汽相沉積(PVD)中的一或多者。在一些實施例中，材料40可稱為跨越圖案化結(jié)構(gòu)34到36且跨越此些圖案化結(jié)構(gòu)之間的空間而形成的薄片或膜。
[0043]不含氧材料42是在氧敏感材料40上方且直接抵靠氧敏感材料40而形成。所述不含氧材料可包括與圖案化結(jié)構(gòu)34到36的不含氧材料38相同的組合物，或可包括相對于材料38不同的組合物。在一些實施例中，材料38及42兩者均可包括氮化硅、基本上由氮化硅組成或由氮化硅組成。在一些實施例中，材料38及42可分別稱為第一不含氧材料及第二不含氧材料。
[0044]材料42可借助任何適合處理而形成，舉例來說，包含ALD、CVD及PVD中的一或多者。
[0045]參考圖13-15，材料40及42暴露于各向異性蝕刻，此從圖案化結(jié)構(gòu)34到36的上部表面上方及從所述圖案化結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域移除材料同時留下沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的側(cè)壁的材料40及42。在一些實施例中，圖13-15的處理可視為移除由氧敏感材料40界定的橋接器44(圖11)的第三區(qū)段47(圖11)的至少一些部分以使第一區(qū)段45與第二區(qū)段46彼此分離。在所展示實施例中已移除此第三區(qū)段的全部，但在其它實施例中(未展示)，可僅移除所述第三區(qū)段中一些部分。在圖13-15的處理階段處，區(qū)段45及46具有經(jīng)暴露上部區(qū)域65。
[0046]在圖13-15的處理階段處保留的氧敏感材料40呈沿著圖案化結(jié)構(gòu)34到36的側(cè)壁延伸的線50到55的形式。每一線經(jīng)配置為具有水平部分56 (在圖14中標(biāo)記其中的一者)及非水平部分58 (在圖14中標(biāo)記其中的一者)的成角度板。所述水平部分在下伏節(jié)點32上方且直接抵靠下伏節(jié)點32，且所述非水平部分在拐角59(在圖14中標(biāo)記其中的一者)處從所述水平部分向上延伸。在所展示實施例中，非水平部分實質(zhì)上正交于水平部分，且因此拐角為約90°。在其它實施例中，拐角可具有其它角度。
[0047]在一些實施例中，拐角59可稱為內(nèi)側(cè)拐角，且成角度板50到55可視為包括沿著所述內(nèi)側(cè)拐角的內(nèi)部側(cè)壁60(在圖14中僅標(biāo)記其中的一者)，且包括與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系的外部側(cè)壁61 (在圖14中僅標(biāo)記其中的一者)。
[0048]在圖13-15的處理階段處，板50到55的水平部分56具有經(jīng)暴露橫向邊緣63 (僅標(biāo)記其中的一些)。
[0049]參考圖16-18，第三不含氧材料64是跨越氧敏感材料40而形成。材料64沿著區(qū)段45及46的上部區(qū)域65覆蓋經(jīng)暴露材料40。材料64還沿著水平突出部56的橫向邊緣63覆蓋經(jīng)暴露材料40。
[0050]材料64可包括任何適合組合物或組合物的組合。在一些實施例中，不含氧材料64可包括與第一不含氧材料38及第二不含氧材料42中的一者或兩者相同的組合物；且在一些實施例中，材料64可包括不同于材料38及42中的一者或兩者的組合物。在一些實施例中，材料64可包括氮化硅、基本上由氮化硅組成或由氮化硅組成。
[0051]材料64可借助任何適合處理而形成，舉例來說，包含ALD、CVD及PVD中的一或多者。在一些實施例中，材料64可具有在從約5納米到約10納米的范圍內(nèi)的厚度。
[0052]介電材料66是在材料64上方且跨越圖案化結(jié)構(gòu)34到36而形成。材料66可包括任何適合組合物或組合物的組合；且在一些實施例中可包括氧。例如，材料66可包括二氧化硅、BPSG、PSG、氧化鋁等中的一或多者。介電材料66可借助任何適合處理而形成，舉例來說，包含ALD、CVD及PVD中的一或多者。
[0053]參考圖19-21，CMP或其它適合平面化用于從材料64上方移除材料66并形成所展示的平面化表面67。
[0054]參考圖22-24，CMP或其它適合平面化用于形成所展示的平面化表面69。在一些實施例中，所述平面化可視為使區(qū)段45及46 (圖14)的上部區(qū)域65 (圖14)暴露。
[0055]參考圖25-27，導(dǎo)電材料68是跨越平面化表面69而形成。在一些實施例中，材料68可用于形成位線，且因此可稱為位線材料。材料68可包括任何適合組合物或組合物的組合；舉例來說，包含各種金屬、含金屬組合物及經(jīng)導(dǎo)電摻雜的半導(dǎo)體材料中的一或多者。在一些實施例中，材料68可包括氮化鈦上方的鎢。
[0056]參考圖28-30，材料68經(jīng)圖案化成沿著軸7的方向(即，其實質(zhì)上正交于字線28的方向)延伸的多個位線70到73。所述位線的圖案還轉(zhuǎn)印到材料38、40、42、64及66中。此將氧敏感材料40的線50到55 (圖13-15)蝕刻成與節(jié)點32呈——對應(yīng)性的結(jié)構(gòu)74?？衫萌魏芜m合處理將材料68圖案化成位線；舉例來說，包含:利用經(jīng)圖案化掩模(未展示)來界定所述位線的所要圖案，且借助一或多個適合蝕刻將此圖案轉(zhuǎn)印到位線材料中。
[0057]圖30展示位線70到73具有從結(jié)構(gòu)74的橫向邊緣77 (僅標(biāo)記其中的一些)向上延伸的側(cè)壁75 (僅標(biāo)記其中的一些)。
[0058]結(jié)構(gòu)74中的每一者可并入到單獨存儲器單元中。例如，在一些實施例中，材料40是相變材料，且因此結(jié)構(gòu)74是相變材料結(jié)構(gòu)(例如，硫?qū)倩锝Y(jié)構(gòu))。直接在位線與下伏節(jié)點之間的相變材料結(jié)構(gòu)可變?yōu)榇鎯ζ鲉卧目删幊滩牧?。在所展示實施例中，在不具有加熱元件的情況下利用相變材料(即，在自加熱存儲器單元中利用其)。在其它實施例中，類似于本文中所描述的處理的處理可用于形成將加熱元件并入到存儲器單元中的相變存儲器。
[0059]上文參考圖14所描述的材料40的區(qū)段45及46最終并入到位線71下方的一對鄰近存儲器單元中，其中此些存儲器單元由標(biāo)記76及78概略地指示。
[0060]參考圖31-33，第四不含氧材料80是在位線70到73上方且在其之間形成。材料80直接抵靠相變材料結(jié)構(gòu)74，如圖33中所展示。
[0061]材料80可包括任何適合組合物或組合物的組合。在一些實施例中，不含氧材料80可包括與第一不含氧材料38、第二不含氧材料42及第三不含氧材料64中的一或多者相同的組合物；且在一些實施例中，材料80可包括不同于材料38、42及64中的一或多者的組合物。在一些實施例中，材料80可包括氮化硅、基本上由氮化硅組成或由氮化硅組成。
[0062]材料80可借助任何適合處理而形成，舉例來說，包含ALD、CVD及PVD中的一或多者。在一些實施例中，材料80可具有在從約5納米到約10納米的范圍內(nèi)的厚度。
[0063]介電材料82形成于材料80上方。介電材料82可包括任何適合組合物或組合物的組合，且在一些實施例中可為含氧材料。例如，在一些實施例中，材料82可包括二氧化硅、BPSG、PSG、氧化鋁等中的一或多者。
[0064]圖31-33的構(gòu)造有利地具有環(huán)繞氧敏感材料40的不含氧防護(hù)材料。此構(gòu)造是可利用上文所描述的處理而形成的經(jīng)改進(jìn)架構(gòu)的實例。圖34展示圖32的區(qū)域100的放大視圖。
[0065]圖34的放大視圖展示相變材料40(在其它實施例中，或其它氧敏感材料)經(jīng)配置為直接抵靠下伏節(jié)點32的結(jié)構(gòu)74。結(jié)構(gòu)74中的每一者經(jīng)配置為成角度板，所述成角度板具有在拐角59(僅標(biāo)記其中的一些)處接合到非水平部分58(僅標(biāo)記其中的一些)的水平部分56 (僅標(biāo)記其中的一些)。每一成角度板結(jié)構(gòu)74包括內(nèi)部側(cè)壁60及外部側(cè)壁61 (上文參考圖13-15描述術(shù)語“外部側(cè)壁”及“內(nèi)部側(cè)壁”)。內(nèi)部側(cè)壁及外部側(cè)壁經(jīng)由圖33中所展示的橫向邊緣77彼此連接。
[0066]圖34的水平部分56沿著對應(yīng)于圖31的軸7的方向的第一方向突出，且在圖32及34中提供此軸以幫助讀者理解本文中所描述的一些實施例。在圖34的實施例中，相變結(jié)構(gòu)74沿著軸7的第一方向布置成內(nèi)部側(cè)壁/內(nèi)部側(cè)壁/外部側(cè)壁/外部側(cè)壁的重復(fù)圖案。鄰近內(nèi)部側(cè)壁60通過材料42、64及66而彼此間隔開。鄰近外部側(cè)壁61僅通過材料38而彼此間隔開。
[0067]圖34展示沿著軸7的方向的構(gòu)造10。圖33展示沿著軸5 (其正交于軸7)的方向的構(gòu)造。在所展示實施例中，圖33展示鄰近相變材料結(jié)構(gòu)74是沿著軸5邊緣到邊緣地定向；且通過含有材料80及82的間隙而彼此間隔開。
[0068]不含氧材料38、42及64可一起視為形成沿著相變材料結(jié)構(gòu)74的內(nèi)部側(cè)壁60及外部側(cè)壁61的不含氧結(jié)構(gòu)。此外，圖31-33的不含氧材料80可視為是此不含氧結(jié)構(gòu)的一部分。在一些實施例中，不含氧材料中的兩者或兩者以上可彼此不同，且在此些實施例中，不含氧結(jié)構(gòu)可視為是兩種或兩種以上不同組合物的壓層。在其它實施例中，所有不含氧材料可為共同組合物，且因此所述不含氧結(jié)構(gòu)可為單個組合物。例如，所述不含氧結(jié)構(gòu)可包括氮化娃、基本上由氮化娃組成或由氮化娃組成。
[0069]不含氧材料38、42、64及80保護(hù)氧敏感材料40免于暴露于氧，此可減輕或防止此材料的氧誘發(fā)的降解。在一些實施例中，利用不含氧材料直接抵靠氧敏感材料40的各種表面可在接近氧敏感材料利用含氧介電材料時排除氧敏感材料的氧誘發(fā)的降解。與其它介電材料相比，含氧介電材料可為相當(dāng)便宜的。一些實施例有利地提供使得能夠利用含氧介電材料同時排除氧敏感材料的氧誘發(fā)的降解的結(jié)構(gòu)及方法。
[0070]圖34的構(gòu)造具有其中氧敏感材料40的邊緣63接近下伏節(jié)點32的邊緣的區(qū)域89 (僅標(biāo)記其中的一些)。在所展示實施例中，材料40的此些邊緣63不延伸到介電材料26上方。然而，如果在材料40的圖案化期間存在一些未對準(zhǔn)，那么邊緣63可延伸到材料26上方，此在其中材料26包括氧的應(yīng)用中可導(dǎo)致包括材料40的結(jié)構(gòu)74的至少一些區(qū)域的氧誘發(fā)的中毒。因此，可期望至少材料26的上部表面包括不含氧組合物，例如氮化硅。根據(jù)其中支撐材料26包括兩種不同組合物90及92的實施例，圖35-37展示處于類似于圖31-33的處理階段的處理階段的構(gòu)造110。下部組合物90可含有氧，且上部組合物92可為不含氧組合物，例如氮化硅。上部組合物92相對于下部組合物90可具有任何適合厚度。此外，盡管展示僅包括由不含氧組合物形成的上部區(qū)域的材料26，但在其它實施例中，材料26的整體可為不含氧組合物。
[0071]所展示實施例具有完全由不含氧材料92橫向環(huán)繞的導(dǎo)電材料30的上部區(qū)域，且因此具有完全由不含氧材料92橫向環(huán)繞的節(jié)點32。在一些實施例中，節(jié)點32可視為延伸到不含氧材料92中，且在所展示實施例中，此些節(jié)點具有與不含氧材料92的上部表面約共面的頂部表面。在其它實施例中，材料92的上部表面可高于節(jié)點的頂部表面，或低于節(jié)點的頂部表面。
[0072]在一些實施例中，存儲器單元(例如，圖29的單元76及78中的一者)可視為包括在一對電節(jié)點(其中所述節(jié)點中的一者對應(yīng)于在相變材料結(jié)構(gòu)下面且直接抵靠相變材料結(jié)構(gòu)的節(jié)點30，且所述節(jié)點中的另一者對應(yīng)于在相變材料結(jié)構(gòu)上方且直接抵靠相變材料結(jié)構(gòu)的位線(例如，位線70到73中的一者)的區(qū)域)之間的相變材料結(jié)構(gòu)74。不含氧結(jié)構(gòu)(即，包括不含氧材料38、42及64的結(jié)構(gòu))完全包封相變材料結(jié)構(gòu)，只有所述相變材料結(jié)構(gòu)的接觸電極的區(qū)域除外。
[0073]上文所描述的結(jié)構(gòu)可并入到眾多集成電路配置中的任一者中，且此些配置可用于電子系統(tǒng)中。所述電子系統(tǒng)可用于眾多應(yīng)用(例如，舉例來說，存儲器模塊、裝置驅(qū)動器、電力模塊、通信調(diào)制解調(diào)器、處理器模塊及專用模塊)中的任一者中，且可包含多層多芯片模塊。所述電子系統(tǒng)可為寬廣范圍的系統(tǒng)(例如，舉例來說，時鐘、電視、移動電話、個人計算機(jī)、汽車、工業(yè)控制系統(tǒng)、飛機(jī)等)中的任一者。
[0074]圖式中的各種實施例的特定定向僅是出于說明性目的，且在一些應(yīng)用中，所述實施例可相對于所展示的定向旋轉(zhuǎn)。本文中所提供的說明及所附權(quán)利要求書與在各種特征之間具有所描述關(guān)系的任何結(jié)構(gòu)有關(guān)，而不管所述結(jié)構(gòu)是沿圖式的特定定向還是相對于此定向旋轉(zhuǎn)。
[0075]隨附圖解的橫截面圖僅展示在所述橫截面的平面內(nèi)的特征，且不展示在所述橫截面的平面后面的材料以便簡化圖式。
[0076]當(dāng)結(jié)構(gòu)在上文稱為“在”另一結(jié)構(gòu)“上”或“抵靠”另一結(jié)構(gòu)時，其可直接在另一結(jié)構(gòu)上或還可存在介入結(jié)構(gòu)。相比之下，當(dāng)結(jié)構(gòu)稱為“直接在”另一結(jié)構(gòu)“上”或“直接抵靠”另一結(jié)構(gòu)時，不存在介入結(jié)構(gòu)。當(dāng)結(jié)構(gòu)稱為“連接”或“耦合”到另一結(jié)構(gòu)時，其可直接連接或耦合到另一結(jié)構(gòu)，或可存在介入結(jié)構(gòu)。相比之下，當(dāng)結(jié)構(gòu)稱為“直接連接”或“直接耦合”到另一結(jié)構(gòu)時，不存在介入結(jié)構(gòu)。
[0077]一些實施例包含形成存儲器單元的方法。形成由半導(dǎo)體襯底支撐的一對間隔開的電節(jié)點。所述節(jié)點是第一節(jié)點及第二節(jié)點。在所述節(jié)點上方形成圖案化結(jié)構(gòu)。所述圖案化結(jié)構(gòu)橫跨所述節(jié)點之間的空間且具有與第二側(cè)壁呈相對關(guān)系的第一側(cè)壁。所述第一側(cè)壁直接在所述第一節(jié)點上方且所述第二側(cè)壁直接在所述第二節(jié)點上方。所述圖案化結(jié)構(gòu)包括第一不含氧材料。沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的外部表面形成氧敏感材料。所述氧敏感材料經(jīng)配置為從所述第一節(jié)點的上部表面延伸到所述第二節(jié)點的上部表面的橋接器。所述橋接器具有沿著所述第一側(cè)壁的第一區(qū)段、沿著所述第二側(cè)壁的第二區(qū)段及跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)的頂部的第三區(qū)段。沿著氧敏感材料橋接器的第一區(qū)段、第二區(qū)段及第三區(qū)段形成第二不含氧材料。移除相變材料橋接器的所述第三區(qū)段的至少一些部分以使所述第一區(qū)段與所述第二區(qū)段分離。將所述第一區(qū)段及第一節(jié)點并入到第一存儲器單元中。將所述第二區(qū)段及第二節(jié)點并入到鄰近于所述第一存儲器單元的第二存儲器單元中。
[0078]一些實施例包含形成存儲器單元的方法。形成由半導(dǎo)體襯底支撐的多個間隔開的電節(jié)點。在所述節(jié)點上方形成多個間隔開的圖案化結(jié)構(gòu)。所述圖案化結(jié)構(gòu)橫跨所述節(jié)點之間的空間且具有與第二側(cè)壁呈相對關(guān)系的第一側(cè)壁。所述圖案化結(jié)構(gòu)沿著第一方向延伸。所述第一側(cè)壁直接在第一組節(jié)點上方且所述第二側(cè)壁直接在第二組節(jié)點上方。所述圖案化結(jié)構(gòu)包括第一不含氧材料?？缭剿鰣D案化結(jié)構(gòu)及跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)之間的空間形成相變材料膜。跨越所述相變材料膜形成第二不含氧材料。從所述圖案化結(jié)構(gòu)上方及從所述圖案化結(jié)構(gòu)之間移除所述相變材料以留下沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁的所述相變材料的線。所述相變材料線是具有直接抵靠所述節(jié)點的水平部分且具有從所述水平部分向上延伸的非水平部分的成角度板。跨越所述相變材料線形成第三不含氧材料。從所述相變材料線的上部區(qū)域上方移除所述第三不含氧材料同時留下沿著所述相變材料線的橫向邊緣保留的所述第三不含氧材料?？缭剿鱿嘧儾牧暇€的所述上部區(qū)域形成導(dǎo)電位線材料。將所述位線材料圖案化成沿著實質(zhì)上正交于所述第一方向的第二方向延伸的位線。穿過所述相變材料線而轉(zhuǎn)印所述位線的圖案以將所述相變材料線切割成與所述節(jié)點呈一一對應(yīng)性的相變材料結(jié)構(gòu)。個別存儲器單元包括直接在節(jié)點與位線之間的相變材料結(jié)構(gòu)。
[0079]一些實施例包含具有由半導(dǎo)體襯底支撐的間隔開的電節(jié)點的半導(dǎo)體構(gòu)造。氧敏感材料結(jié)構(gòu)直接在所述節(jié)點上方。每一氧敏感材料結(jié)構(gòu)包括成角度板，其中所述成角度板具有沿著節(jié)點的頂部表面的水平部分及從所述水平部分向上延伸的非水平部分。每一成角度板具有內(nèi)部側(cè)壁、與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系的外部側(cè)壁及若干橫向邊緣。位線是在所述氧敏感材料結(jié)構(gòu)上方。所述位線具有從所述氧敏感材料結(jié)構(gòu)的所述橫向邊緣向上延伸的側(cè)壁。不含氧結(jié)構(gòu)是沿著所述內(nèi)部側(cè)壁、沿著所述外部側(cè)壁、沿著所述橫向邊緣、在所述位線上方且沿著所述位線的所述側(cè)壁。
[0080]一些實施例包含存儲器單元，所述存儲器單元包括在一對電節(jié)點之間的相變材料結(jié)構(gòu)，且包括完全包封所述相變材料結(jié)構(gòu)(只有所述相變材料結(jié)構(gòu)的接觸電極的區(qū)域除外)的不含氧結(jié)構(gòu)。
[0081]一些實施例包含具有由半導(dǎo)體襯底支撐的間隔開的電節(jié)點的存儲器陣列。所述節(jié)點是沿著包括第一方向及第二方向的柵格而布置，其中所述第二方向?qū)嵸|(zhì)上正交于所述第一方向。相變材料結(jié)構(gòu)直接在所述節(jié)點上方。每一相變材料結(jié)構(gòu)包括成角度板，其中所述成角度板具有沿著節(jié)點的頂部表面的水平部分及從所述水平部分向上延伸的非水平部分。每一成角度板具有內(nèi)部側(cè)壁、與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系的外部側(cè)壁及若干橫向邊緣。所述水平部分沿著所述第一方向突出。所述相變結(jié)構(gòu)是沿著所述第二方向邊緣到邊緣地定向，且通過間隙而彼此間隔開。所述相變結(jié)構(gòu)沿著所述第一方向布置成內(nèi)部側(cè)壁/內(nèi)部側(cè)壁/外部側(cè)壁/外部側(cè)壁的重復(fù)圖案。鄰近內(nèi)部側(cè)壁通過不含氧結(jié)構(gòu)及含氧材料而彼此間隔開，其中僅所述不含氧結(jié)構(gòu)直接抵靠所述相變材料結(jié)構(gòu)。鄰近內(nèi)部側(cè)壁僅通過不含氧結(jié)構(gòu)而彼此間隔開。位線是在所述相變材料結(jié)構(gòu)上方。所述位線具有從所述相變材料結(jié)構(gòu)的所述橫向邊緣向上延伸的側(cè)壁。所述不含氧結(jié)構(gòu)在所述位線上方且沿著所述位線的所述側(cè)壁延伸。
【權(quán)利要求】
1.一種形成存儲器單元的方法，其包括: 形成由半導(dǎo)體襯底支撐的一對間隔開的電節(jié)點；所述節(jié)點是第一節(jié)點及第二節(jié)點； 在所述節(jié)點上方形成圖案化結(jié)構(gòu)，所述圖案化結(jié)構(gòu)橫跨所述節(jié)點之間的空間且具有與第二側(cè)壁呈相對關(guān)系的第一側(cè)壁；所述第一側(cè)壁直接在所述第一節(jié)點上方且所述第二側(cè)壁直接在所述第二節(jié)點上方；所述圖案化結(jié)構(gòu)包括第一不含氧材料； 沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的外部表面形成氧敏感材料；所述氧敏感材料經(jīng)配置為從所述第一節(jié)點的上部表面延伸到所述第二節(jié)點的上部表面的橋接器；所述橋接器具有沿著所述第一側(cè)壁的第一區(qū)段、沿著所述第二側(cè)壁的第二區(qū)段及跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)的頂部的第三區(qū)段; 沿著所述氧敏感材料橋接器的所述第一區(qū)段、所述第二區(qū)段及所述第三區(qū)段形成第二不含氧材料； 移除所述氧敏感材料橋接器的所述第三區(qū)段的至少一些部分以使所述第一區(qū)段與所述第二區(qū)段分離； 將所述第一區(qū)段及第一節(jié)點并入到第一存儲器單元中；及 將所述第二區(qū)段及第二節(jié)點并入到鄰近于所述第一存儲器單元的第二存儲器單元中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述氧敏感材料是相變材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一不含氧材料與所述第二不含氧材料彼此相同。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一不含氧材料與所述第二不含氧材料彼此不同。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一不含氧材料及所述第二不含氧材料兩者均包括氮化硅。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中利用移除所述第三區(qū)段的整體且使所述第一及第二區(qū)段的上部區(qū)域暴露的蝕刻來實現(xiàn)所述第三區(qū)段的至少一些部分的所述移除；所述第一及第二區(qū)段經(jīng)定形為具有直接抵靠所述節(jié)點的水平部分且具有從所述水平部分向上延伸的非水平部分的成角度板；所述蝕刻使所述水平部分的橫向邊緣暴露；所述方法進(jìn)一步包括: 跨越所述第一及第二區(qū)段的所述經(jīng)暴露上部區(qū)域及沿著所述水平部分的所述經(jīng)暴露橫向邊緣形成第三不含氧材料； 從所述第一及第二區(qū)段上方移除所述第三不含氧材料同時留下沿著所述水平部分的所述橫向邊緣保留的所述第三不含氧材料；所述第三不含氧材料的所述移除使所述第一及第二區(qū)段的所述上部區(qū)域暴露； 跨越所述第一及第二區(qū)段的所述經(jīng)暴露上部區(qū)域形成導(dǎo)電位線材料；及 將所述位線材料圖案化成延伸跨越所述第一及第二區(qū)段的位線。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述從所述第一及第二區(qū)段上方移除所述第三不含氧材料之前沿著所述第三不含氧材料形成含氧電絕緣材料；且其中所述第三不含氧材料的所述移除包括形成延伸跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)、第一及第二區(qū)段、含氧電絕緣材料、剩余第三不含氧材料以及第二不含氧材料的經(jīng)平面化表面的平面化。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述第一、第二及第三不含氧材料全部均包括氮化娃。
9.一種形成存儲器單元的方法，其包括: 形成由半導(dǎo)體襯底支撐的多個間隔開的電節(jié)點； 在所述節(jié)點上方形成多個間隔開的圖案化結(jié)構(gòu)，所述圖案化結(jié)構(gòu)橫跨所述節(jié)點之間的空間且具有與第二側(cè)壁呈相對關(guān)系的第一側(cè)壁；所述圖案化結(jié)構(gòu)沿著第一方向延伸；所述第一側(cè)壁直接在第一組節(jié)點上方且所述第二側(cè)壁直接在第二組節(jié)點上方；所述圖案化結(jié)構(gòu)包括第一不含氧材料； 跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)及跨越所述圖案化結(jié)構(gòu)之間的空間形成相變材料膜； 跨越所述相變材料膜形成第二不含氧材料； 從所述圖案化結(jié)構(gòu)上方及從所述圖案化結(jié)構(gòu)之間移除所述相變材料以留下沿著所述圖案化結(jié)構(gòu)的所述側(cè)壁的所述相變材料的線；所述相變材料線是具有直接抵靠所述節(jié)點的水平部分且具有從所述水平部分向上延伸的非水平部分的成角度板； 跨越所述相變材料線形成第三不含氧材料； 從所述相變材料線的上部區(qū)域上方移除所述第三不含氧材料同時留下沿著所述相變材料線的橫向邊緣保留的所述第三不含氧材料； 跨越所述相變材料線的所述上部區(qū)域形成導(dǎo)電位線材料；及 將所述位線材料圖案化成沿著實質(zhì)上正交于所述第一方向的第二方向延伸的位線；穿過所述相變材料線而轉(zhuǎn)印所述位線的圖案以將所述相變材料線切割成與所述節(jié)點呈一一對應(yīng)性的相變材料結(jié)構(gòu)；個別存儲器單元包括直接在節(jié)點與位線之間的相變材料結(jié)構(gòu)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其進(jìn)一步包括在所述位線上方及在所述位線之間以及直接抵靠所述相變材料結(jié)構(gòu)形成第四不含氧材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一、第二、第三及第四不含氧材料全部均包括氮化硅。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述節(jié)點的上部區(qū)域由支撐的不含氧材料完全橫向環(huán)繞。
13.一種半導(dǎo)體構(gòu)造，其包括: 間隔開的電節(jié)點，其由半導(dǎo)體襯底支撐； 氧敏感材料結(jié)構(gòu)，其直接在所述節(jié)點上方；每一氧敏感材料結(jié)構(gòu)包括成角度板，其中所述成角度板具有沿著節(jié)點的頂部表面的水平部分及從所述水平部分向上延伸的非水平部分；每一成角度板具有內(nèi)部側(cè)壁、與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系的外部側(cè)壁及若干橫向邊緣； 位線，其在所述氧敏感材料結(jié)構(gòu)上方；所述位線具有從所述氧敏感材料結(jié)構(gòu)的所述橫向邊緣向上延伸的側(cè)壁；及 不含氧結(jié)構(gòu)，其沿著所述內(nèi)部側(cè)壁、沿著所述外部側(cè)壁、沿著所述橫向邊緣、在所述位線上方且沿著所述位線的所述側(cè)壁。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)造，其中所述氧敏感材料包括相變材料。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)造，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)包括兩種或兩種以上不同組合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)造，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)整體為單個組合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的構(gòu)造，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)包括氮化硅。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的構(gòu)造，其進(jìn)一步包括在所述不含氧結(jié)構(gòu)上方且直接抵靠所述不含氧結(jié)構(gòu)的二氧化硅；其中所述節(jié)點延伸到電絕緣含氧材料中，且其中所述不含氧結(jié)構(gòu)延伸跨越且直接抵靠所述節(jié)點之間的所述電絕緣含氧材料的表面。
19.一種存儲器單元，其包括: 相變材料結(jié)構(gòu)，其在一對電節(jié)點之間；及 不含氧結(jié)構(gòu)，其完全包封所述相變材料結(jié)構(gòu)，只有所述相變材料結(jié)構(gòu)的接觸電極的區(qū)域除外。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器單元，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)包括氮化硅。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器單元，其中所述相變材料包括硫?qū)倩铩?br> 22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的存儲器單元，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)直接抵靠含氧材料且在所述含氧材料與所述相變材料結(jié)構(gòu)之間。
23.—種存儲器陣列，其包括: 間隔開的電節(jié)點，其由半導(dǎo)體襯底支撐；所述節(jié)點沿著包括第一方向及第二方向的柵格而布置，其中所述第二方向?qū)嵸|(zhì)上正交于所述第一方向； 相變材料結(jié)構(gòu)，其直接在所述節(jié)點上方；每一相變材料結(jié)構(gòu)包括成角度板，其中所述成角度板具有沿著節(jié)點的頂部表面的水平部分及從所述水平部分向上延伸的非水平部分；每一成角度板具有內(nèi)部側(cè)壁、與所述內(nèi)部側(cè)壁呈相對關(guān)系的外部側(cè)壁及若干橫向邊緣；所述水平部分沿著所述第一方向突出；所述相變結(jié)構(gòu)沿著所述第二方向邊緣到邊緣地定向且通過間隙而彼此間隔開；所述相變結(jié)構(gòu)沿著所述第一方向布置成內(nèi)部側(cè)壁/內(nèi)部側(cè)壁/外部側(cè)壁/外部側(cè)壁的重復(fù)圖案；鄰近內(nèi)部側(cè)壁通過不含氧結(jié)構(gòu)及含氧材料而彼此間隔開，其中僅所述不含氧結(jié)構(gòu)直接抵靠所述相變材料結(jié)構(gòu)；鄰近內(nèi)部側(cè)壁僅通過所述不含氧結(jié)構(gòu)而彼此間隔開； 位線，其在所述相變材料結(jié)構(gòu)上方；所述位線具有從所述相變材料結(jié)構(gòu)的所述橫向邊緣向上延伸的側(cè)壁；及 所述不含氧結(jié)構(gòu)，其在所述位線上方且沿著所述位線的所述側(cè)壁延伸。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲器陣列，其中所述不含氧結(jié)構(gòu)包括氮化硅。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的存儲器陣列，其中所述節(jié)點延伸到含氧介電材料中，且其中所述不含氧結(jié)構(gòu)延伸跨越所述節(jié)點之間的所述介電材料的表面。
【文檔編號】H01L21/8247GK104471703SQ201380038024
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月18日
【發(fā)明者】法比歐·佩里茲, 欽奇亞·佩羅內(nèi) 申請人:美光科技公司