發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了發(fā)光器件、制造所述發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。所述發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的AlxInyGa1-x-yN層(0<x≤1且0<y≤1)、在所述AlxInyGa1-x-yN層上的有源層和在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
【專利說(shuō)明】發(fā)光器件

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)施方式涉及發(fā)光器件、制造所述發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。

【背景技術(shù)】
[0002] 本實(shí)施方式涉及發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。
[0003] 發(fā)光器件（LED)包括具有將電能轉(zhuǎn)換成光能的特性的p-n結(jié)二極管。該p-n結(jié)二 極管可通過(guò)組合周期表的III?V族元素形成。LED可通過(guò)調(diào)節(jié)化合物半導(dǎo)體的組成比率 而呈現(xiàn)各種顏色。
[0004] 當(dāng)將正向電壓施加到LED時(shí)，η層的電子與P層的空穴組合，從而可產(chǎn)生對(duì)應(yīng)于在 傳導(dǎo)帶和價(jià)電帶之間的能隙的能量。該能量作為熱或光獲得，且LED以光的形式發(fā)射所述 能量。
[0005] 氮化物半導(dǎo)體表現(xiàn)優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和寬帶隙能量，因此氮化物半導(dǎo)體在光學(xué)器件 和高功率電子器件領(lǐng)域已經(jīng)引起了人們的注意。特別地，已經(jīng)研發(fā)并廣泛地使用了采用氮 化物半導(dǎo)體的藍(lán)光、綠光和紫外光發(fā)射器件。
[0006] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的氮化物半導(dǎo)體LED，具有InGaN/GaN層結(jié)構(gòu)或InGaN單層結(jié)構(gòu)的應(yīng) 變消除層提供在有源層之下以消除在有源層中的應(yīng)變。
[0007] 然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，如果在應(yīng)用具有InGaN/GaN層結(jié)構(gòu)或InGaN單層結(jié)構(gòu)的應(yīng) 變消除層時(shí)晶格匹配作用增加，則應(yīng)變消除層的晶格常數(shù)與有源層的晶格常數(shù)近似，甚至 應(yīng)變消除層的帶隙能量與有源層的帶隙能量近似，因此應(yīng)變消除層可吸收從有源層發(fā)射的 光。
[0008] 另外，雖然可增加應(yīng)變消除層的厚度以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)充分地消除在有限范圍內(nèi)的 應(yīng)變，但是發(fā)光器件的操作電壓Vf可能由于在應(yīng)變消除層中的電壓損失而增加。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009] 技術(shù)問(wèn)題
[0010] 本實(shí)施方式提供能夠增加發(fā)光效率的發(fā)光器件、制造所述發(fā)光器件的方法、發(fā)光 器件封裝及照明系統(tǒng)。
[0011] 另外，本實(shí)施方式提供能夠通過(guò)使在應(yīng)變消除層中的電壓損失最小化而降低操作 電壓的發(fā)光器件、制造所述發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。
[0012] 技術(shù)方案
[0013] 根據(jù)本實(shí)施方式，所述發(fā)光器件可包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo) 體層上的AlxInyGa1TyN層（0〈x< 1且0〈y< 1)、在所述AlxInyGahyN層上的有源層和在所 述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
[0014] 有益效果
[0015] 如上所述，該實(shí)施方式可提供能夠通過(guò)使在應(yīng)變消除層中對(duì)發(fā)射光的吸收最少化 而增加發(fā)光效率的發(fā)光器件、制造所述發(fā)光器件的方法、發(fā)光器件封裝及照明系統(tǒng)。
[0016] 另外，該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其能夠在應(yīng)變消除層提供在有源層之下時(shí)通 過(guò)降低在所述應(yīng)變消除層和所述有源層之間的能帶不連續(xù)性而使在所述應(yīng)變消除層中的 電壓損失最小化，因此可降低操作電壓；制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照 明系統(tǒng)。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0017] 圖1為說(shuō)明根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的截面圖；
[0018] 圖2為說(shuō)明根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的帶隙能量作為晶格常數(shù)的函數(shù)的圖；
[0019] 圖3說(shuō)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的帶隙能量圖；
[0020] 圖4為根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的帶隙能量圖；
[0021] 圖5為說(shuō)明在根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件中的電流-電壓（I-V)特性的圖；
[0022] 圖6?8為說(shuō)明制造根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的方法的截面圖；
[0023] 圖9為根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光封裝的截面圖；
[0024] 圖10?12為顯示包括根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)的實(shí)施例的分解透 視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025] 現(xiàn)在將詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式，其實(shí)例在附圖中進(jìn)行了說(shuō)明。
[0026] 在實(shí)施方式的描述中，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層（或膜）被稱為在另一層或基板上時(shí)， 其可直接在另一層或基板上或者也可存在插入層。此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)層被稱為在另一 層之下時(shí)，其可直接在另一層下面，且也可存在一個(gè)或多個(gè)插入層。另外，還應(yīng)當(dāng)理解的是， 當(dāng)層被稱為在兩層之間時(shí)，其可為在這兩層之間的唯一層，或者也可存在一個(gè)或多個(gè)插入 層。
[0027](實(shí)施方案）
[0028] 圖1為說(shuō)明根據(jù)實(shí)施方式的發(fā)光器件100的截面圖。在下文中，雖然該實(shí)施方式 參考涉及側(cè)向型發(fā)光器件的圖描述，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0029] 發(fā)光器件100可包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112、在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112上的 AlxInyGanyN層 122(0 <X彡 1 且0 <y彡 1)、在AlxInyGanyN層 122 上的有源層 114 和 在有源層114上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116。
[0030] 圖2為說(shuō)明根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的帶隙能量作為晶格常數(shù)的函數(shù)的圖。
[0031] 圖3說(shuō)明根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的帶隙能量圖，且圖4為根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的 帶隙能量。在圖3中，X軸代表從應(yīng)變消除層到有源層的距離。在圖4中，X軸代表從 AlxInyGa1TyN層到有源層的距尚。
[0032] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的氮化物半導(dǎo)體LED，具有InGaN/GaN單層結(jié)構(gòu)或InGaN單層結(jié)構(gòu)的 應(yīng)變消除層提供在有源層之下以降低在該有源層中的應(yīng)變。
[0033] 然而，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，當(dāng)應(yīng)用具有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)或InGaN單層結(jié)構(gòu)的應(yīng)變消除層 時(shí)，如果使該應(yīng)變消除層的晶格常數(shù)接近有源層的晶格常數(shù)以增加晶格匹配作用，則該應(yīng) 變消除層的帶隙能量可接近該有源層的帶隙能量。因此，該應(yīng)變消除層可吸收從該有源層 發(fā)射的光。
[0034] 例如，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，因?yàn)樵谟性磳拥膸赌芰浚‥gm)和應(yīng)變消除層的帶隙能量 (Egsl)之間的差值（Agl=Egsl-Egm)小，隨著應(yīng)變消除層的晶格常數(shù)接近有源層的晶格 常數(shù)，應(yīng)變消除層的帶隙能量接近有源層的帶隙能量，因此應(yīng)變消除層吸收從有源層發(fā)射 的光。
[0035] 同時(shí)，根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGai_x_yN層122可具有多層結(jié)構(gòu)。例如，AlxInyGanyN 層122可包含多對(duì)AlxInyGa^yN和GaN，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0036] 另外，AlxInyGai_x_ yN層122可以以約700nm以下的厚度形成，但該實(shí)施方式不受此 限制。
[0037]AlxInyGa1^N層122可具有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112大的晶格常數(shù)，且可具有比 有源層114小的晶格常數(shù)。
[0038] 因此，AlxInyGai_x_yN層122可具有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112大、但比有源層114小 的晶格常數(shù)，以使由在有源層114和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112之間的晶格常數(shù)差引起的應(yīng)力 最小化。
[0039] 根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGa1^N層122的帶隙能級(jí)和晶格常數(shù)可彼此獨(dú)立地變化。
[0040] 例如，AlxInyGa^N層122維持預(yù)定的帶隙能級(jí)以上且其晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
[0041] 具體地,AlxInyGa1TyN層122的帶隙能量（Egs2)可比有源層114的帶隙能量（Egm) 高約120meV以上。
[0042] 因此，將在有源層的帶隙能量（Egm)和AlxInyGa^N層的帶隙能量（Egs2)之間的 差值（ΛEg2 =Egs2-Egm)維持到預(yù)定帶隙能級(jí)以上，且晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
[0043] 因此，即使AlxInyGa^N層122的晶格常數(shù)接近有源層的晶格常數(shù)，也可將在有源 層和AlxInyGa1^N層122之間的帶隙能量差維持到約120meV以上的預(yù)定帶隙能級(jí)且晶格 常數(shù)可獨(dú)立地變化。
[0044] 該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件100,其中將在有源層114和AlxInyGamN層122之 間的帶隙能量差維持到預(yù)定水平以上以使在AlxInyGa1^N層122中對(duì)發(fā)射的光的吸收最少 化，由此增強(qiáng)發(fā)光效率，且有源層114和AlxInyGa^N層122的晶格常數(shù)彼此接近以根據(jù)在 其間的晶格匹配使應(yīng)變消除最大化，由此增強(qiáng)發(fā)光效率的增加；和制造發(fā)光器件100的方 法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0045] 另外，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，如在圖3中所示，當(dāng)應(yīng)變消除層具有InGaN/GaN結(jié)構(gòu)時(shí)，在 InGaN和GaN之間的帶隙能量差大大表現(xiàn)在應(yīng)變消除層中，使得在應(yīng)變消除層中的帶隙能 量難以維持與有源層114的帶隙能量的差值到預(yù)定水平以上。
[0046] 同時(shí)，根據(jù)該實(shí)施方式，如在圖4中所示，當(dāng)AlxInyGai_x_yN層122包含 AlxInyGa1^yNAiaN時(shí)，在AlxInyGa1^yN層 122 中AlxInyGamN和GaN之間的帶隙能量差 較小，使得可將AlxInyGa1^N層122的帶隙能量維持到大值。因此，可將在有源層114和 AlxInyGa1^N層122之間的帶隙能量差維持到預(yù)定水平以上。
[0047] 圖5為說(shuō)明在根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件100中的電流-電壓（I-V)特性的圖形。
[0048] 雖然可增加應(yīng)變消除層的厚度以根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)充分地消除在有限范圍內(nèi)的應(yīng)變， 但是發(fā)光器件的操作電壓Vf可能由于在應(yīng)變消除層中的電壓損失而增加。
[0049]該實(shí)施方式提供包括AlxInyGanyN層122的發(fā)光器件，其能夠在獨(dú)立變化 的晶格常數(shù)下將與有源層的帶隙能量差維持到預(yù)定水平以上，由此降低在該有源層與 AlxInyGa^N層122之間的能帶不連續(xù)性，以使在AlxInyGanyN層122中的電壓損失和電 流損失最小化，從而在與現(xiàn)有技術(shù)的（R)相比較時(shí)，可更大程度地降低該實(shí)施方式的操作 電壓Vf(R);制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0050] 該實(shí)施方式可提供能夠使在AlxInyGa^N層122中發(fā)射的光的吸收最少化以增強(qiáng) 發(fā)光效率的發(fā)光器件；制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0051] 另外，該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其能夠在AlxInyGanyN層提供在有源層之下 時(shí)降低在該有源層和該AlxInyGa1IyN層之間的能帶不連續(xù)性，使得在該AlxInyGa1IyN層中 的電壓損失最小化，從而降低操作電壓Vf;制造該發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照 明系統(tǒng)。
[0052] 在下文中，制造根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的方法將參考圖6?8進(jìn)行描述。
[0053] 首先，如在圖6中所示，可準(zhǔn)備基板105,基板105可包含表現(xiàn)優(yōu)異導(dǎo)熱性的材料。 基板105可包括導(dǎo)電基板或絕緣基板。例如，基板105可包含藍(lán)寶石（Al2O3)、SiC、Si、GaAs、 GaN、ZnO、GaP、InP、Ge和Ga2O3中的至少一種?；?05可在其上提供有凹凸結(jié)構(gòu)，但該實(shí) 施方式不受此限制。
[0054] 外來(lái)物質(zhì)可通過(guò)對(duì)第一基板105進(jìn)行濕式清潔而從第一基板105的表面上除去。
[0055] 此后，第一基板105可在其上提供有發(fā)光結(jié)構(gòu)110,所述發(fā)光結(jié)構(gòu)110包括第一導(dǎo) 電半導(dǎo)體層112、有源層114和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116。
[0056] 基板105可在其上提供有緩沖層（未示出）。該緩沖層可降低在構(gòu)成發(fā)光結(jié)構(gòu)110 和基板105的材料之間的晶格失配。該緩沖層可包括III?V族化合物半導(dǎo)體。例如，該 緩沖層可包含GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN和AlInN中的至少一種。
[0057] 根據(jù)該實(shí)施方式，該緩沖層可包括形成在基板105上的第一緩沖層和第二緩沖 層。
[0058] 例如，第一緩沖層可包括無(wú)摻雜的氮化鎵層。第二緩沖層可包括包含AlxGa(1_x) N(0彡X彡l)/GaN的超晶格層。充當(dāng)?shù)诙彌_層的AlxGa(1_x)N(0彡X彡l)/GaN超晶格層 可更有效地防止由構(gòu)成該發(fā)光結(jié)構(gòu)和基板105的材料之間的晶格失配引起的移位。
[0059] 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可包含半導(dǎo)體化合物。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可通過(guò)使用 III?V族化合物半導(dǎo)體或II?IV族化合物半導(dǎo)體獲得。第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可摻雜 有第一導(dǎo)電型摻雜劑。如果第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112為N型半導(dǎo)體層，則第一導(dǎo)電摻雜劑包 含N型摻雜劑，諸如Si、Ge、Sn、Se和Te,但該實(shí)施方式不受此限制。
[0060] 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可包含具有InxAlyGa1TyN(0<x<l，0<y<1且 0 <x+y< 1)的組成式的半導(dǎo)體材料。
[0061]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 112 可包含GaN、InN、AIN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、 AlGaAs、InGaAs、AlInGaAs、GaP、AlGaP、InGaP、AlInGaP和InP中的至少一種。
[0062] 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可包括通過(guò)化學(xué)氣相沉積（CVD)方案、分子束外延（MBE) 方案、濺射方案或氫化物氣相處延（HVPE)方案形成的N型GaN層。另外，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體 層112可通過(guò)將包含諸如硅（Si)的N型摻雜劑的三甲基鎵氣體（TMGa)、氨氣（NH3)、氮?dú)?(N2)和硅烷氣體（SiH4)引入腔室中而形成。
[0063] 緊接著，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112在其上提供有電流散布層（未示出），從而可增強(qiáng) 發(fā)光效率。該電流散布層可包括無(wú)摻雜的GaN層，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0064] 隨后，根據(jù)該實(shí)施方式，該電流散布層在其上提供有電子注入層（未示出），從而 可增強(qiáng)發(fā)光效率。該電子注入層可包括第一導(dǎo)電氮化鎵層。例如，該電子注入層摻雜有濃 度為6.OXIO18原子/cm3?8.OXIO18原子/cm3的N型摻雜劑，從而可有效地注入電子。
[0065] 另外，根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGai_x_ yN層122(0 <X彡1且0 <y彡1)可在第一 導(dǎo)電半導(dǎo)體層112上形成。
[0066] 根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGa1TyN層122可具有多層結(jié)構(gòu)。例如，AlxInyGa1TyN層122 可包含多對(duì)AlxInyGa^yN和GaN，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0067] 另外，根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGai_x_ yN層122可包含AlxInyGai_x_yN(0 <X彡1且0 <y彡I)/AlpInfabiN^ 彡p彡 1 且OSq彡 1)。
[0068] AlxInyGamN層122可具有比第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112大且比有源層114小的晶格 常數(shù)。因此，可使由有源層114和第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112之間的晶格常數(shù)差引起的應(yīng)力最 小化。
[0069] 根據(jù)該實(shí)施方式，AlxInyGa1^N層122的帶隙能級(jí)和晶格常數(shù)可彼此獨(dú)立地變化。
[0070] 例如，AlxInyGa^N層122維持預(yù)定的帶隙能級(jí)以上且其晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
[0071] 具體地,AlxInyGa1TyN層122的帶隙能量（Egs2)可比有源層114的帶隙能量（Egm) 高約120meV以上。因此，有源層的帶隙能量（Egm)和AlxInyGanyN層的帶隙能量（Egs2) 之間的差值（ΛEg2 =Egs2-Egm)維持在預(yù)定帶隙能級(jí)以上且AlxInyGa1^N層的晶格常數(shù) 獨(dú)立地變化。
[0072] 因此，即使AlxInyGa^N層122的晶格常數(shù)接近有源層的晶格常數(shù)，也可將在有源 層和AlxInyGa^yN層122之間的帶隙能量差維持到預(yù)定帶隙能級(jí)以上且AlxInyGa^yN層 122的晶格常數(shù)可獨(dú)立地變化。
[0073] 該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其中有源層114和AlxInyGa^yN層122之間的帶隙 能量差維持在預(yù)定水平以上以使在AlxInyGa1^N層122中發(fā)射的光的吸收最少化，由此增 強(qiáng)發(fā)光效率，且有源層114和AlxInyGa1^N層122的晶格常數(shù)彼此接近以根據(jù)在其間的晶 格匹配使應(yīng)變消除最大化，由此使該發(fā)光效率的增強(qiáng)最大化；和制造發(fā)光器件100的方法； 發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0074] 另外，該實(shí)施方式可提供包括AlxInyGamN層122的發(fā)光器件，其能夠在獨(dú)立變 化的晶格常數(shù)下維持與有源層114的帶隙能量差到預(yù)定水平以上，以降低在有源層114和 AlxInyGa^N層122之間的能帶不連續(xù)性，由此使在AlxInyGanyN層122中的電壓損失和 電流損失最小化，從而在與現(xiàn)有技術(shù)相比較時(shí)可更大程度地降低操作電壓Vf;制造所述發(fā) 光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0075] 此后，AlxInyGa1TyN層122在其上提供有有源層114。
[0076] 由第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112注入的電子與經(jīng)由第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116注入的空穴在 有源層114處組合，從而有源層114發(fā)射具有預(yù)定能量的光，該預(yù)定能量根據(jù)構(gòu)成有源層 114(發(fā)光層）的材料的能帶確定。
[0077] 有源層114可包含以下結(jié)構(gòu)中的至少一種：?jiǎn)瘟孔于褰Y(jié)構(gòu)、多量子阱（MQW)結(jié)構(gòu)、 量子-線結(jié)構(gòu)和量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)。例如，有源層114可具有通過(guò)注入TMGa氣體、NH3氣體、N2氣 體和三甲基銦（TMIn)氣體形成的MQW結(jié)構(gòu)，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0078] 有源層114的阱層/勢(shì)壘層可具有包含InGaN/GaN、InGaN/InGaN、GaN/AlGaN、 InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs和GaP(InGaP)/AlGaP中的至少一種的配對(duì)結(jié)構(gòu)，但該 實(shí)施方式不受此限制。所述阱層可包含具有比所述勢(shì)壘層的帶隙低的帶隙的材料。
[0079] 緊接著，有源層114可在其上提供有電子阻擋層124。
[0080] 根據(jù)該實(shí)施方式，電子阻擋層124在有源層114上形成以發(fā)揮有源層114的電 子阻擋功能和MQW覆蓋功能，從而可改善發(fā)光效率。例如，電子阻擋層124可包含基于 AlxInyGa(1_x_y)N(0彡X彡1，0彡y彡1)的半導(dǎo)體，且可具有比有源層114的能量帶隙高的 能量帶隙。電子阻擋層124可具有約丨〇〇A?約600A的厚度，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0081] 另外，電子阻擋層124可包括AlzGa(1_z)N/GaN(0彡Z彡1)超晶格層，但該實(shí)施方式 不受此限制。
[0082] 將P-型離子植入電子阻擋層124中以有效阻擋溢流的電子且增強(qiáng)空穴的注入效 率。Mg離子以在約IO1Vcm3?約102°/cm3范圍內(nèi)的濃度植入電子阻擋層124中，以有效阻 擋溢流的電子并增強(qiáng)空穴的注入效率。
[0083] 電子阻擋層124可有效地阻擋電子溢流到P型半導(dǎo)體層中，而不是使其與空穴在 有源層114中重組，且增強(qiáng)空穴的注入效率。另外，電子阻擋層124可摻雜有P型摻雜劑或 N型摻雜劑。例如，電子阻擋層124。Mg離子以在約IO1Vcm3?約102°/cm3范圍內(nèi)的濃度植 入電子阻擋層124中，以有效地阻擋溢流的電子并增強(qiáng)空穴的注入效率。
[0084] 緊接著，電子阻擋層124在其上提供有第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116。
[0085] 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116可包含半導(dǎo)體化合物。第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116可通過(guò)使用 III?V族化合物半導(dǎo)體或II?IV族化合物半導(dǎo)體獲得，且可摻雜有第二導(dǎo)電型摻雜劑。
[0086] 例如，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116可包含具有ΙηχΑ?ρ^Ν^彡X彡1，0彡y彡1且 0彡x+y彡1)的組成式的半導(dǎo)體材料。如果第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116為P型半導(dǎo)體層，則所 述第二導(dǎo)電摻雜劑可包括P型摻雜劑，諸如Mg、Zn、Ca、Sr和Ba。
[0087] 第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116可包括通過(guò)將包含諸如鎂（Mg)的P型摻雜劑的三甲基鎵 氣體（TMGa)、氨氣（NH3)、氮?dú)猓∟2)和雙乙基環(huán)戊二烯鎂（EtCp2Mg) {Mg(C2H5C5H4)2$入腔室 中形成的P型GaN層。
[0088] 根據(jù)該實(shí)施方式，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112可包括N型半導(dǎo)體層且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體 層116可包括P型半導(dǎo)體層，但該實(shí)施方式不受此限制。另外，諸如具有極性與第二導(dǎo)電半 導(dǎo)體層116的極性相反的N型半導(dǎo)體層（未示出）的半導(dǎo)體層可在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116 上形成。
[0089] 因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)110可包括N-P結(jié)結(jié)構(gòu)、P-N結(jié)結(jié)構(gòu)、N-P-N結(jié)結(jié)構(gòu)和P-N-P結(jié)結(jié)構(gòu) 中的一種。
[0090] 此后，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層116可在其上提供有透射歐姆層130。透射歐姆層130可 通過(guò)層壓?jiǎn)我唤饘倩蛲ㄟ^(guò)以多層層壓金屬合金和金屬氧化物形成，從而可有效地進(jìn)行載流 子注入。例如，透射歐姆層130可包含表現(xiàn)與半導(dǎo)體的優(yōu)異電連接的材料。
[0091]例如，透射歐姆層130可包含以下物質(zhì)中的至少一種：氧化銦錫（ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、氧化銦鋅錫（IZTO)、氧化銦鋅鋁（IAZO)、氧化銦鎵鋅（IGZO)、氧化銦鎵錫（IGTO)、氧 化鋁鋅（AZO)、氧化銻錫（ATO)、氧化鎵鋅（GZO)、氮化IZO(IZON)、Al-GaZnO(AGZO)、In-Ga ZnO(IGZO)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Ru0x/IT0、Ni/IrOx/Au、Ni/Ir0x/Au/IT0、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、 Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0092] 緊接著，如在圖7中所示，可進(jìn)行臺(tái)面蝕刻方法，從而可暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層 112的一部分。例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112的所述部分可通過(guò)除去透射歐姆層130、第二 導(dǎo)電半導(dǎo)體層116、電子阻擋層124、有源層114和AlxInyGai_x_ yN(0 <x彡1且0<y<l) 層122的部分而暴露。
[0093] 此后，如在圖8中所示，第一電極141可在暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層112上形成， 且第二電極142可在透射歐姆層130上形成。
[0094] 該實(shí)施方式可提供能夠使在AlxInyGa1^N層122中發(fā)射的光的吸收最少化以增強(qiáng) 發(fā)光效率的發(fā)光器件；制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0095] 另外，該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其能夠在AlxInyGa1^N層122提供在有源層之 下時(shí)降低在有源層114和AlxInyGa^yN層122之間的能帶不連續(xù)性，使得在AlxInyGa^yN層122中的電壓損失最小化，從而降低操作電壓Vf;制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封 裝；以及照明系統(tǒng)。
[0096]圖9為顯示發(fā)光器件封裝200的視圖，其中安裝有根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件。
[0097] 根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件封裝200包括封裝體205 ;在封裝體205上形成的第 三和第二引線電極213和214 ;根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件100,其安裝在封裝體205中且 電連接到第三和第二引線電極213和214 ;和圍繞發(fā)光器件100的成型構(gòu)件230。
[0098] 封裝體205可包含硅、合成樹(shù)脂或金屬材料。傾斜面可圍繞發(fā)光器件100形成。
[0099] 第三和第二引線電極213和214彼此電絕緣且供應(yīng)電力至發(fā)光器件100。第三和 第二引線電極213和214可反射發(fā)光器件100發(fā)射的光以增加發(fā)光效率，且可將從發(fā)光器 件100產(chǎn)生的熱消散到外部。
[0100] 發(fā)光器件100可包括在圖1中所示的側(cè)向型發(fā)光器件，但該實(shí)施方式不受此限制。 另外，發(fā)光器件100可包括垂直型發(fā)光器件。
[0101] 發(fā)光器件100可安裝在封裝體205上或安裝在第三引線電極213或第四引線電極 214 上。
[0102] 發(fā)光器件100可通過(guò)電線方案、倒裝（flipchip)方案和模片接合（diebonding) 方案之一與第三引線電極213和/或第四引線電極214電連接。雖然圖5顯示發(fā)光器件 100經(jīng)由電線與第三引線電極213和第四引線電極214電連接，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0103] 成型構(gòu)件230可通過(guò)圍繞發(fā)光器件100而保護(hù)發(fā)光器件100。另外，成型構(gòu)件230 可包含熒光粉（232)以改變從發(fā)光器件100發(fā)射的光的波長(zhǎng)。
[0104] 圖10?12為顯示包括根據(jù)該實(shí)施方式的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)的實(shí)施例的分解透 視圖。
[0105] 如在圖10中所示，根據(jù)該實(shí)施方式的照明系統(tǒng)可包括罩2100、光源模塊2200、輻 射體2400、電源部件2600、內(nèi)盒2700和插座2800。根據(jù)該實(shí)施方式的照明系統(tǒng)還可包括構(gòu) 件2300和夾持器2500中的至少一種。光源模塊2200可包括發(fā)光器件100或根據(jù)該實(shí)施 方式的發(fā)光器件模塊200。
[0106] 例如，罩2100可具有燈泡性狀、半球形狀、部分打開(kāi)的中空性狀。罩2100可與光 源模塊2200光稱合。例如，罩2100可漫射、散射或激發(fā)源自該光源模塊的光。罩2100可 為一種光學(xué)構(gòu)件。罩2100可與輻射體2400耦合。罩2100可包括與輻射體2400耦合的耦 合部件。
[0107] 罩2100可包括用乳白色顏料涂布的內(nèi)表面。該乳白色顏料可包含漫射材料以漫 射光。罩2100可具有表面粗糙度大于其外表面的內(nèi)表面。該表面粗糙度為了充分地散射 并漫射來(lái)自光源模塊2200的光的目的而提供。
[0108] 例如，罩2100的材料可包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP)、聚乙烯（PE)和聚碳酸酯 (PC)。在上述材料之中，聚碳酸酯（PC)具有優(yōu)異的耐光性、耐熱性和強(qiáng)度。罩2100可為透 明的，以便使用者可從外部察看光源模塊2200,或?yàn)椴煌该鞯?。?100可經(jīng)由吹塑方案形 成。
[0109] 光源模塊2200可布置在輻射體2400的一個(gè)表面上。因此，來(lái)自光源模塊2200的 熱轉(zhuǎn)移到輻射體2400上。光源模塊2200可包括光源2210、連接板2230和連接器2250。
[0110] 構(gòu)件2300布置在輻射體2400的頂部表面上，且包括多個(gè)光源2210和連接器2250 插入其中的導(dǎo)向槽2310。導(dǎo)向槽2310與光源2210和連接器2250的基板相對(duì)應(yīng)。
[0111] 構(gòu)件2300的表面可用光反射材料涂布。例如，構(gòu)件2300的表面可用白色顏料涂 布。構(gòu)件2300再次反射通過(guò)罩2100的內(nèi)表面反射并返回到光源模塊2200的方向的光到 罩2100的方向。因此，可提高根據(jù)該實(shí)施方式的照明系統(tǒng)的發(fā)光效率。
[0112] 例如，構(gòu)件2300可包含絕緣材料。光源模塊2200的連接板2230可包含導(dǎo)電材料。 因此，輻射體2400可與連接板2230電連接。構(gòu)件2300可由絕緣材料構(gòu)造，由此防止連接 板2230與輻射體2400電短路。輻射體2400從光源模塊2200和電源部件2600接收熱并 且輻射熱。
[0113] 夾持器2500覆蓋內(nèi)盒2700的絕緣部件2710的接收凹槽2719。因此，封閉接收在 內(nèi)盒2700的絕緣部件2710中的電源部件2600。夾持器2500包括導(dǎo)引突出物2510。導(dǎo)引 突出物2510具有穿過(guò)電源部件2600的突出物2610的孔。
[0114] 電源部件2600加工或轉(zhuǎn)換從外部接收的電信號(hào)且將加工或轉(zhuǎn)換的電信號(hào)提供到 光源模塊2200。電源部件2600接收在內(nèi)盒2700的接收凹槽中，且通過(guò)夾持器2500封閉在 內(nèi)盒2700內(nèi)。
[0115] 電源部件2600可包括突出物2610、導(dǎo)引部件2630、基底2650和伸出部件2670。
[0116] 導(dǎo)引部件2630具有從基底2650的一側(cè)伸出到外部的形狀。導(dǎo)引部件2630可插 入夾持器2500中。多個(gè)組件可布置在基底2650的一個(gè)表面之上。例如，所述組件可包括 將從外部電源提供的交流電源轉(zhuǎn)換成直流電源的直流變換器、控制光源模塊2200的驅(qū)動(dòng) 的驅(qū)動(dòng)芯片和保護(hù)光源模塊2200的靜電放電（ESD)保護(hù)裝置，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0117] 伸出部件2670具有從基底2650的相對(duì)側(cè)伸出到外部的形狀。伸出部件2670插 入內(nèi)盒2700的連接部件2750的內(nèi)部，且從外部接收電信號(hào)。例如，伸出部件2670的寬度 可小于或等于內(nèi)盒2700的連接部件2750的寬度。+電線和一電線的第一末端與伸出部件 2670電連接且+電線和一電線的第二末端可與插座2800電連接。
[0118] 內(nèi)盒2700可包括在其中的成型部件以及電源部件2600。該成型部件通過(guò)硬化塑 化液來(lái)制備，且電源部件2600可通過(guò)該成型部件固定在內(nèi)盒2700內(nèi)。
[0119] 如在圖11中所示，根據(jù)該實(shí)施方式的照明系統(tǒng)可包括罩3100、光源部件3200、輻 射體3300、電路部件3400、內(nèi)盒3500和插座3600。光源部件3200可包括根據(jù)該實(shí)施方式 的發(fā)光器件或發(fā)光器件模塊。
[0120] 罩3100可具有燈泡性狀且為中空的。罩3100具有開(kāi)口 3110。光源部件3200和 構(gòu)件3350可經(jīng)開(kāi)口 3110插入。
[0121] 罩3100可與輻射體3300耦合，且可圍繞光源部件3200和構(gòu)件3350。光源部件 3200和構(gòu)件3350可通過(guò)在罩3100和輻射體3300之間的耦合而與外部阻斷。罩3100可通 過(guò)膠粘劑或諸如轉(zhuǎn)動(dòng)耦合方案和吊鉤耦合方案的各種方案與輻射體3300耦合。所述轉(zhuǎn)動(dòng) 耦合方案為其中罩3100的螺紋與輻射體3300的螺桿凹槽耦合，且罩3100通過(guò)轉(zhuǎn)動(dòng)罩3100 與輻射體3300耦合的方案。所述吊鉤耦合方案為其中罩3100的突出部分插入輻射體3300 的凹槽中，因此罩3100與輻射體3300耦合的方案。
[0122] 罩3100可與光源部件3200光學(xué)耦合。具體地，罩3100可漫射、散射或激發(fā)由光 源部件3200的發(fā)光器件3230提供的光。罩3100可為一種光學(xué)構(gòu)件。罩3100可在內(nèi)/外 表面或其內(nèi)部提供有發(fā)光材料，以激發(fā)從光源部件3200供應(yīng)的光。
[0123] 罩3100可包括用乳白色顏料涂布的內(nèi)表面。該乳白色顏料可包含漫射材料以漫 射光。罩3100可具有表面粗糙度大于其外表面的內(nèi)表面。該表面粗糙度為了充分地散射 并漫射來(lái)自光源部件3200的光的目的而提供。
[0124] 例如，罩3100的材料可包括玻璃、塑料、聚丙烯（PP)、聚乙烯（PE)和聚碳酸酯 (PC)。在上述材料之中，聚碳酸酯（PC)具有優(yōu)異的耐光性、耐熱性和強(qiáng)度。罩3100可為透 明的，因此使用者可從外部察看光源模塊2200,或?yàn)椴煌该鞯?。?100可經(jīng)由吹塑方案形 成。
[0125] 光源部件3200布置在輻射體3300的構(gòu)件3350上，且可布置多個(gè)光源部件。具體 地，光源部件3200可布置在構(gòu)件3350的多個(gè)側(cè)面中的至少一個(gè)中。光源部件3200的光源 部件3200的頂端可布置在構(gòu)件3350的側(cè)向側(cè)。
[0126] 光源部件3200可布置在構(gòu)件3350的六個(gè)側(cè)面中的至少三個(gè)上。然而，該實(shí)施方 式不受此限制，且光源部件3200可布置在構(gòu)件3350的所有側(cè)面上。光源部件3200可包括 基板3210和發(fā)光器件3230。發(fā)光器件3230可布置在基板3210的一個(gè)表面上。
[0127] 基板3210具有矩形形狀，但該實(shí)施方式不受此限制?；?210可具有各種形狀。 例如，基板3210可具有圓形形狀或多邊形狀?；?210可通過(guò)將電路圖案印刷在絕緣體 上提供。
[0128] 例如，代表性的印刷電路板（PCB)可包括金屬芯PCB、柔性PCB和陶瓷PCB。另外， 所述基板可具有COB(板上芯片）型，其中沒(méi)有封裝的LED芯片直接接合到PCB上。另外， 基板3210可包含有效地反射光的材料，或該基板的表面可具有諸如金色或銀色的顏色，以 有效地反射光。基板3210可與接收在輻射體3300中的電路部件3400電連接。
[0129] 例如，基板3210和電路部件3400可通過(guò)電線彼此連接。該電線可經(jīng)由輻射體3300 將基板3210和電路部件3400彼此連接。
[0130] 發(fā)光器件3230可包括發(fā)射紅光、綠光和藍(lán)光的發(fā)光二極管芯片或發(fā)射紫外光的 發(fā)光二極管芯片。該發(fā)光二極管可具有側(cè)向型或垂直型。該發(fā)光二極管可發(fā)射藍(lán)光、紅光、 黃光和綠光中的一種。
[0131] 發(fā)光器件3230可包含發(fā)光材料。該發(fā)光材料可包括石榴石基磷光體（YAG或TAG)、 娃酸鹽基磷光體、氮化物基磷光體和氮氧化物基磷光體中的至少一種。該發(fā)光材料可包括 紅色發(fā)光材料、黃色發(fā)光材料和綠色發(fā)光材料中的至少一種。
[0132] 輻射體3300與罩3100耦合，且可輻射來(lái)自光源部件3200的熱。輻射體3300具 有預(yù)定的體積，且包括頂部表面3310和側(cè)面3330。構(gòu)件3350可布置在輻射體3330的頂部 表面3310上。輻射體3300的頂部表面3310可與罩3100耦合。輻射體3300的頂部表面 可具有與罩3100的開(kāi)口 3110相對(duì)應(yīng)的形狀。
[0133] 多個(gè)熱福射銷(xiāo)（heatradiationpins) 3370可布置在福射體3300的側(cè)面3330處。 熱輻射銷(xiāo)3370可從輻射體3300的側(cè)面向外延伸或可連接到輻射體3300的側(cè)面。熱輻射 銷(xiāo)3370可通過(guò)增加輻射體3300的熱輻射面積而提高熱輻射效率。側(cè)面3330可不包括熱 輻射針3370。
[0134] 構(gòu)件3350可布置在輻射體3300的頂部表面上。構(gòu)件3350可與輻射體3300的頂 部表面3310集成或耦合。構(gòu)件3350可具有多邊形棱鏡的形狀。具體地，構(gòu)件3350可具有 六方棱鏡的形狀。具有六方棱鏡形狀的構(gòu)件3350包括頂部表面、底部表面和6個(gè)側(cè)面。構(gòu) 件3350可具有圓形棱鏡的形狀或橢圓形棱鏡的形狀以及六方棱鏡的形狀。當(dāng)構(gòu)件3350具 有圓形棱鏡的形狀或橢圓形棱鏡的形狀時(shí)，光源部件3200的基板3210可為柔性基板。
[0135] 光源部件3200可布置在構(gòu)件3350的六個(gè)側(cè)面上。光源部件3200可布置在構(gòu)件 3350的6個(gè)側(cè)面中的全部或一些上。在圖11中，光源部件3200布置在構(gòu)件3350的六個(gè)側(cè) 面中的三個(gè)上。
[0136] 基板3210布置在構(gòu)件3350的側(cè)面上。構(gòu)件3350的側(cè)面可與輻射體3300的頂部 表面基本垂直。因此，基板3210和輻射體3300的頂部表面可彼此基本垂直。
[0137] 構(gòu)件3350可包含表現(xiàn)導(dǎo)熱性的材料。因此，來(lái)自光源部件3200的熱可快速地轉(zhuǎn) 移到構(gòu)件3350。例如，用于構(gòu)件3350的材料可包括諸如鋁（Al)、鎳（Ni)、銅（Cu)、鎂（Mg)、 銀（Ag)或錫（Sn)的金屬的合金。構(gòu)件3350可包含具有導(dǎo)熱性的塑料材料。具有導(dǎo)熱性 的所述塑料材料比所述金屬輕且在單一方向上具有導(dǎo)熱性。
[0138] 電路部件3400從外部接收電力，且將所接收的電力轉(zhuǎn)換以適用于光源部件3200。 電路部件3400將轉(zhuǎn)換的電力提供給光源部件3200。電路部件3400可布置在輻射體3300 處。具體地，電路部件3400可接收在內(nèi)盒3500中，且可與內(nèi)盒3500 -起接收在輻射體3300 中。電路部件3400可包括電路板3410和安裝在電路板3410上的多個(gè)組件。
[0139] 電路板3410具有圓形形狀，但該實(shí)施方式不受此限制。也就是說(shuō)，電路板3410可 具有各種形狀。例如，該電路板可具有橢圓形狀或多邊形狀。電路板3410可通過(guò)將電路圖 案印刷在絕緣體上提供。
[0140] 電路板3410與光源部件3200的基板3210電連接。例如，電路部件3410和基板 3210可通過(guò)電線彼此連接。該電線可布置在輻射體3300內(nèi)部以連接基板3210和電路板 3410。
[0141] 例如，多個(gè)組件3430可包括將從外部電源提供的交流電轉(zhuǎn)換成直流電的直流轉(zhuǎn) 換器、控制光源部件3200的驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)芯片和靜電放電（ESD)保護(hù)裝置。
[0142] 內(nèi)盒3500在其中接收電路部件3400。內(nèi)盒3500可包括接收部件3510以接收電 路部件3400。
[0143] 例如，接收部件3510可具有圓柱形狀。接收部件3510的形狀可根據(jù)輻射體3300 的形狀改變。內(nèi)盒3500可接收在輻射體3300中。內(nèi)盒3500的接收部件3510可被接收在 輻射體3300的底部表面上形成的接收部件中。
[0144] 內(nèi)盒3500可與插座3600耦合。內(nèi)盒3500可包括與插座3600耦合的連接部件 3530。連接部件3530可具有與插座3600的螺桿凹槽結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的螺紋結(jié)構(gòu)。內(nèi)盒3500 為絕緣體。因此，內(nèi)盒3500防止在電路部件3400和輻射體3300之間的電短路。例如，內(nèi) 盒3500可包含塑料或樹(shù)脂材料。
[0145] 插座3600可與內(nèi)盒3500耦合。具體地，插座3600可與內(nèi)盒3500的連接部件3530 耦合。插座3600可具有與常規(guī)白熾光燈泡的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。插座3600與電路部件3400 電連接。例如，電路部件3400和插座3600可通過(guò)電線彼此連接。如果將外部電力施加到 插座3600,該外部電力則可轉(zhuǎn)移到電路部件3400。插座3600可具有與連接部件3530的螺 紋結(jié)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的螺桿凹槽結(jié)構(gòu)。
[0146] 此外，如在圖12中所示，根據(jù)該實(shí)施方式的照明系統(tǒng)，例如背光單元，包括導(dǎo)光板 1210、用于將光提供到導(dǎo)光板1210的發(fā)光模塊1240、安置在導(dǎo)光板1210下面的反光構(gòu)件 1220和用于在其中接收導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240及反光構(gòu)件1220的底罩1230,但該實(shí) 施方式不受此限制。
[0147] 導(dǎo)光板1210漫射光以提供表面光。導(dǎo)光板1210包含透明材料。例如，導(dǎo)光板 1210可通過(guò)使用諸如PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯）、PET(聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯）、PC(聚碳 酸酯）、COC或PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯）樹(shù)脂的丙烯?；?lèi)樹(shù)脂來(lái)制造。
[0148] 發(fā)光模塊1240將光供應(yīng)到導(dǎo)光板1210的至少一個(gè)側(cè)面且充當(dāng)包括背光單元的顯 示裝置的光源。
[0149] 發(fā)光模塊1240可鄰近導(dǎo)光板1210安置，但該實(shí)施方式不受此限制。具體地，發(fā)光 模塊1240包括基板1242和安裝在基板1242上的多個(gè)發(fā)光器件封裝200,且基板1242可鄰 近導(dǎo)光板1210,但該實(shí)施方式不受此限制。
[0150] 基板1242可包括具有電路圖案（未示出）的印刷電路板（PCB)。另外，基板1242 還可包括金屬芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)以及典型的PCB，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0151] 另外，發(fā)光器件封裝200布置在基板1242上，因此離開(kāi)發(fā)光器件封裝200的表面 的光與導(dǎo)光板1210隔開(kāi)預(yù)定的距離。
[0152] 反光構(gòu)件1220布置在導(dǎo)光板1210的下面。反光構(gòu)件1220反射光，該光經(jīng)導(dǎo)光 板1210的底部表面朝向光導(dǎo)板1210向下傳輸，由此改善背光單兀的亮度。例如，反光構(gòu)件 1220可包含PET、PC或PVC樹(shù)脂，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0153] 底罩1230可在其中接收導(dǎo)光板1210、發(fā)光模塊1240和反光構(gòu)件1220。為此，底 罩1230具有具有開(kāi)放式頂部表面的箱形，但該實(shí)施方式不受此限制。
[0154] 底罩1230可經(jīng)由沖壓法或擠壓法通過(guò)使用金屬材料或樹(shù)脂材料制造。
[0155] 如上所述，該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其能夠通過(guò)使在應(yīng)變消除層中發(fā)射光的 吸收最少化而增加發(fā)光效率；制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照明系統(tǒng)。
[0156] 另外，該實(shí)施方式可提供發(fā)光器件，其能夠在應(yīng)變消除層提供在有源層下面時(shí)通 過(guò)降低在所述應(yīng)變消除層和所述有源層之間的能帶不連續(xù)性而使在所述應(yīng)變消除層中的 電壓損失最小化，因此可降低操作電壓；制造所述發(fā)光器件的方法；發(fā)光器件封裝；以及照 明系統(tǒng)。
[0157] 在本發(fā)明書(shū)中對(duì)于一個(gè)實(shí)施方式、實(shí)施方式、例TJV注實(shí)施方式等的任何引用意味 著結(jié)合實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特性包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施方式中。在本說(shuō) 明書(shū)中，在各處出現(xiàn)的這類(lèi)短語(yǔ)不必都表示相同的實(shí)施方式。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施方式描 述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性時(shí)，據(jù)認(rèn)為結(jié)合這些實(shí)施方式中的其它實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)這樣的特征、 結(jié)構(gòu)或特性也是本領(lǐng)域的技術(shù)人員所能夠想到的。
[0158] 雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的許多說(shuō)明性實(shí)施方式描述了實(shí)施方式，但是應(yīng)該理解，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多個(gè)其它修改和實(shí)施方式，其將落入本發(fā)明原理的主旨和范圍 內(nèi)。更特定地，在本發(fā)明、附圖和從屬權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的組成部件和/或 布置中，各種變體和修改都是可能的。除了組成部件和/或布置的變體和修改之外，對(duì)本領(lǐng) 域的技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，替代使用也將是顯而易見(jiàn)的。
[0159] 工業(yè)實(shí)用性
[0160] 根據(jù)該實(shí)施方式的多個(gè)發(fā)光器件封裝可排列在基板上，且充當(dāng)光學(xué)構(gòu)件的導(dǎo)光 板、棱鏡片、漫射片和熒光片可布置在從發(fā)光器件封裝發(fā)射的光的路徑上。所述發(fā)光封裝、 所述基板和所述光學(xué)構(gòu)件可充當(dāng)背光單元或照明單元。例如，照明系統(tǒng)可包括所述背光單 元、所述照明單元、指示器、燈或路燈。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光器件，其包含： 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的AlJnyGappyN層（0<x<l，且0<y<l); 在所述AlxInyGai_x_yN層上的有源層；和 在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層， 其中所述AlxInyGai_x_yN層的帶隙能量比所述有源層的帶隙能量高120meV以上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中具有多個(gè)AlxInyGai_ x_yN層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中各個(gè)AlxInyGai_x_ yN層包含AlxInyGai_x_ yN和 GaN。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中各個(gè)AlxInyGai_x_ yN層包含多對(duì)AlxInyGai_x_ yN 和 GaN。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層以700nm以下的厚度形 成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層的晶格常數(shù)大于所述第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層的晶格常數(shù)小于所述有 源層的晶格常數(shù)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層的晶格常數(shù)大于所述第 一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)，且小于所述有源層的晶格常數(shù)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層的帶隙能量和晶格常數(shù) 彼此獨(dú)立地變化。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN維持預(yù)定的帶隙能級(jí)以 上，且其晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中在所述有源層和所述AlxInyGai_ x_yN層之間 的帶隙能量差維持在預(yù)定帶隙能級(jí)以上，且所述晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN維持的帶隙能量比所述 有源層的帶隙能量高120mV以上，且所述晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
13. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光器件，其中在所述有源層和所述AlxInyGai_ x_yN層之間 的帶隙能量差維持在預(yù)定帶隙能級(jí)以上，且所述AlxInyGai_ x_yN層和所述有源層的晶格常數(shù) 獨(dú)立地變化，而與帶隙能量差無(wú)關(guān)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_x_ yN層包含AlJnyGanN^ <x彡 1，且 0<y< D/AlpInfamN^ 彡p 彡 1，且 0彡 q 彡 1)。
15. -種發(fā)光器件，其包含： 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層上的AlJnyGappyN層（0<x<l，且0<y<l); 在所述AlxInyGai_x_yN層上的有源層；和 在所述有源層上的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層， 其中所述AlxInyGai_x_yN層具有彼此獨(dú)立地變化的帶隙能量和晶格常數(shù)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_ x_yN維持預(yù)定的帶隙能級(jí)以 上，且其晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中在所述有源層和所述AlxInyGai_ x_yN層之間 的帶隙能量差維持在預(yù)定帶隙能級(jí)以上，且所述晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_ x_yN層的帶隙能量比所述有 源層的帶隙能量高120meV以上，且所述晶格常數(shù)獨(dú)立地變化。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件，其中在所述有源層和所述AlxInyGai_ x_yN層之間 的帶隙能量差維持在預(yù)定帶隙能級(jí)以上，且所述AlxInyGai_ x_yN層和所述有源層的晶格常數(shù) 獨(dú)立地變化，而與帶隙能量差無(wú)關(guān)。
20. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光器件，其中所述AlxInyGai_ x_yN層的晶格常數(shù)大于所述 第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的晶格常數(shù)，且小于所述有源層的晶格常數(shù)。
【文檔編號(hào)】H01L33/04GK104364915SQ201380028921
【公開(kāi)日】2015年2月18日 申請(qǐng)日期:2013年4月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月30日
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