發(fā)光半導(dǎo)體器件和用于制造發(fā)光半導(dǎo)體器件的方法
【專利摘要】提出一種發(fā)光半導(dǎo)體器件（100，200，300)，其具有：發(fā)光半導(dǎo)體芯片（1)，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列（17)、光耦合輸出面（11)、與光耦合輸出面（11)相對置的后側(cè)面（12)和側(cè)面(13);并且具有帶有成形體（20)的載體本體（2)，所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋側(cè)面（13)，其中在后側(cè)面（12)上構(gòu)成兩個(gè)電接觸層（14)和熱接觸層（15)，其中熱接觸層（15)與電接觸層(14)和半導(dǎo)體層序列（17)電絕緣，其中載體本體（2)在后側(cè)面（12)上具有與電接觸層（14)直接接觸的電連接元件（24)和與熱接觸層（15)直接接觸的熱連接元件（25)，并且其中熱連接元件(25)至少部分地形成半導(dǎo)體器件（100，200，300)的背離半導(dǎo)體芯片（1)的安裝面（22)。此外，提出一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。
【專利說明】發(fā)光半導(dǎo)體器件和用于制造發(fā)光半導(dǎo)體器件的方法
[0001] 相關(guān)申請的交叉參引
[0002] 本申請要求德國專利申請10 2012 102 847. 8的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容在此通過參 引并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003] 提出一種發(fā)光半導(dǎo)體器件和一種用于制造發(fā)光半導(dǎo)體器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0004] 已知下述發(fā)光半導(dǎo)體芯片，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片的電端子全部設(shè)置在主面上，經(jīng) 由所述主面分別將半導(dǎo)體芯片安裝在載體上。具有對于電連接而言例如不再需要如接合線 形式的附加的電接觸部的優(yōu)點(diǎn)的這種半導(dǎo)體芯片也稱作為所謂的"倒裝芯片"。
[0005] 因?yàn)榈寡b芯片典型地僅經(jīng)由其電端子安裝在載體上，所以產(chǎn)生半導(dǎo)體芯片在運(yùn)行 期間有效散熱的問題。
[0006] 已知的是：例如將倒裝芯片安裝到陶瓷襯底上，其中將電端子置于陶瓷襯底的相 應(yīng)的帶狀導(dǎo)線上并且連接到所述帶狀導(dǎo)線上。陶瓷襯底的優(yōu)點(diǎn)在于：所述陶瓷襯底是電絕 緣的并且是良好導(dǎo)熱的，并且能夠?qū)崤蛎浵禂?shù)選擇成，使得所述熱膨脹系數(shù)類似于半導(dǎo) 體芯片。為了將半導(dǎo)體芯片連接到陶瓷襯底的帶狀導(dǎo)線上，提供多種可能性，例如焊接、金 在金上超聲波接合、粘接或低溫下燒結(jié)（LTS:"low temperature sintering")。然而，與其 相對地，存在提高的成本，尤其在大面積的陶瓷襯底的情況下存在提高的成本，以及熱膨脹 系數(shù)難于匹配于另一個(gè)熱沉、即所謂的二級(jí)熱沉、例如為金屬芯印刷電路板，在所述金屬芯 印刷電路板上安裝有具有陶瓷襯底的所安裝的半導(dǎo)體芯片。
[0007] 此外，已知所謂的QFN結(jié)構(gòu)類型的殼體（QFN :"quad flat no leads"扁平無引 腳），所述殼體具有塑料殼體中的導(dǎo)體框部件，在所述導(dǎo)體框部件上例如能夠安裝倒裝芯 片。在該情況下，能夠應(yīng)用如針對陶瓷襯底所描述的連接可能性，然而，QFN殼體與陶瓷襯 底相比具有更好的導(dǎo)熱性并且與其相比也是更成本適宜的。此外，與在陶瓷襯底的情況下 相比，熱膨脹系數(shù)更好地匹配于二級(jí)熱沉。然而，QFN殼體的缺點(diǎn)是，殼體的熱膨脹系數(shù)明 顯與半導(dǎo)體芯片的熱膨脹系數(shù)不同，這能夠引起可靠性問題。此外，QFN殼體中的可實(shí)現(xiàn)的 最小結(jié)構(gòu)大小通過導(dǎo)體框的最小的刻蝕寬度受限并且例如在200 μ m厚的導(dǎo)體框中為大于 100 μ m〇
[0008] 為了實(shí)現(xiàn)用于QFN殼體的電絕緣的安裝側(cè)，必須附加地施加介電層，例如由類金 剛石碳（DLC:"diamond-like carbon"）或者聚酰亞胺構(gòu)成的介電層，所述介電層必須例如 由附加的金屬層覆蓋，以便能夠通過焊接安裝QFN殼體。由此，盡管能夠?qū)崿F(xiàn)QFN殼體的下 側(cè)的電絕緣，然而適合于絕緣的材料與更高的成本聯(lián)系在一起并且通常也與更差的導(dǎo)熱性 聯(lián)系在一起。
[0009] 在工藝技術(shù)中耗費(fèi)提高的條件下，也可能的是，QFN殼體構(gòu)成為在朝向半導(dǎo)體芯片 的一側(cè)上具有適當(dāng)?shù)碾娊^緣部。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 特定的實(shí)施方式的至少一個(gè)目的是：提出一種發(fā)光半導(dǎo)體器件。特定的實(shí)施方式 的至少一個(gè)另外的目的是：提出一種用于制造發(fā)光半導(dǎo)體器件的方法。
[0011] 所述目的通過根據(jù)獨(dú)立權(quán)利要求的方法和主題來實(shí)現(xiàn)。所述方法和主題的有利的 實(shí)施方式和改進(jìn)形式的特征在于從屬權(quán)利要求并且還從下面的描述和附圖中得出。
[0012] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)光半導(dǎo)體器件具有發(fā)光半導(dǎo)體芯片，所述發(fā)光半導(dǎo)體 芯片具有帶有用于產(chǎn)生光的有源區(qū)域的半導(dǎo)體層序列。尤其優(yōu)選地，半導(dǎo)體層序列能夠借 助于外延方法、例如借助于金屬有機(jī)氣相外延（M0VPE)或者分子束外延（MBE)在生長襯底 上生長。由此，半導(dǎo)體層序列具有半導(dǎo)體層，所述半導(dǎo)體層沿著通過生長方向給出的布置方 向彼此疊加地設(shè)置。半導(dǎo)體層序列的層垂直于布置方向具有主延伸平面。
[0013] 發(fā)光半導(dǎo)體芯片尤其具有兩個(gè)垂直于生長方向設(shè)置的主表面。主表面中的一個(gè)構(gòu) 成為光耦合輸出面，經(jīng)由所述光耦合輸出面放射在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的光。此外，半導(dǎo)體芯片具有 與光耦合輸出面相對置的后側(cè)面，所述后側(cè)面形成半導(dǎo)體芯片的第二主表面。光耦合輸出 面和后側(cè)面經(jīng)由側(cè)面彼此連接。除了通過光耦合輸出面放射光之外，在運(yùn)行時(shí)在有源層中 產(chǎn)生的光能夠至少部分地也經(jīng)由側(cè)面和/或后側(cè)面放射。
[0014] 發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠根據(jù)波長具有基于不同的半導(dǎo)體材料體系的半導(dǎo)體層序列。 對于長波的、紅外至紅色輻射而言，例如基于InxGayAlh_yA S的半導(dǎo)體層序列是適合的，對 于紅色至黃色輻射而言，例如基于Ir^GayAl^P的半導(dǎo)體層序列是適合的，并且對于短波 的可見的、即尤其對于綠色至藍(lán)色輻射和/或?qū)τ赨V輻射而言，例如基于In xGayAlh_yN的 半導(dǎo)體層序列是適合的，其中分別有0 < X < 1且0 < y < 1。此外，基于銻化物、例如InSb、 GaSb、AlSb或者其組合的半導(dǎo)體層序列能夠適合于長波的紅外輻射。
[0015] 生長襯底能夠包括絕緣材料或者半導(dǎo)體材料，例如上述化合物半導(dǎo)體材料體系。 特別地，生長襯底能夠包括藍(lán)寶石、GaAs、GaP、GaN、InP、SiC、Si和/或Ge或者由這種材料 制成。
[0016] 發(fā)光半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列能夠具有有源區(qū)域，例如常見的pn結(jié)、雙異質(zhì)結(jié) 構(gòu)、單量子阱結(jié)構(gòu)（SQW結(jié)構(gòu)）或多量子阱結(jié)構(gòu)（MQW結(jié)構(gòu)）。術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)在本申請的范 圍內(nèi)尤其包括載流子由于約束（"Confinement"）能夠得到其能量狀態(tài)的量子化的任何結(jié) 構(gòu)。特別地，術(shù)語量子阱結(jié)構(gòu)不包含任何關(guān)于量子化的維度的說明。因此，此外，術(shù)語量子 阱結(jié)構(gòu)包括量子槽、量子線和量子點(diǎn)以及這些結(jié)構(gòu)的任意的組合。除了有源區(qū)域之外，半導(dǎo) 體層序列能夠包括另外的功能層和功能區(qū)域，例如P型或η型摻雜的載流子傳輸層、未摻雜 的或Ρ型或η型摻雜的約束層、包覆層或波導(dǎo)層、阻擋層、平坦化層、緩沖層、保護(hù)層和/或 電極以及它們的組合。在此描述的涉及有源區(qū)域或另外的功能層和區(qū)域的結(jié)構(gòu)對于本領(lǐng)域 技術(shù)人員而言尤其在構(gòu)造、功能和結(jié)構(gòu)方面是已知的并且因此關(guān)于此點(diǎn)不詳細(xì)闡述。
[0017] 生長工藝尤其能夠在晶圓組合件中進(jìn)行。換而言之，生長襯底以晶圓的形式提供， 在所述晶圓上大面積地生長半導(dǎo)體層序列。生長的半導(dǎo)體層序列能夠在另外的方法步驟中 分割成各個(gè)半導(dǎo)體芯片，其中通過分割能夠形成半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。
[0018] 此外，能夠在分割之前將半導(dǎo)體層序列轉(zhuǎn)移到載體襯底上并且能夠?qū)⑸L層打 薄，即至少部分地或完全地移除生長層。
[0019] 根據(jù)至少一個(gè)實(shí)施方式，在半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面上構(gòu)成至少兩個(gè)電接觸層和熱接 觸層，其中熱接觸層與至少兩個(gè)電接觸層電絕緣。特別地，發(fā)光半導(dǎo)體芯片僅在后側(cè)面上具 有電接觸層和熱接觸層，而半導(dǎo)體芯片的其他面、尤其光耦合輸出面不具有接觸層。
[0020] 熱接觸層尤其無電勢地構(gòu)成。換而言之，熱接觸層與半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體層序列 電絕緣。為此，半導(dǎo)體芯片能夠在半導(dǎo)體層序列和熱接觸層之間具有電絕緣層，所述電絕緣 層例如具有二氧化硅、金剛石或者氧化鋁并且以大于或等于l〇〇nm的厚度施加。在制造半 導(dǎo)體芯片時(shí)，為此能夠?qū)雽?dǎo)體層序列施加在襯底上并且電絕緣層以鈍化層的形式在半導(dǎo) 體層序列的與襯底、尤其是生長襯底相對置的一側(cè)上形成。替選于此也可能的是，電絕緣層 通過設(shè)置有半導(dǎo)體層序列的襯底形成，例如載體襯底，例如陶瓷襯底。熱接觸層在該情況下 能夠構(gòu)成在襯底的與半導(dǎo)體層序列相對置的一側(cè)上。
[0021] 電接觸層例如能夠直接設(shè)置在半導(dǎo)體層序列上、即與半導(dǎo)體層序列直接接觸。此 夕卜，也可能的是，電接觸層設(shè)置在電絕緣層上并且經(jīng)由電通孔、即所謂的貫穿孔（Via)與半 導(dǎo)體層序列電連接。如果半導(dǎo)體芯片具有兩個(gè)電接觸層，那么所述電接觸層用于將電壓施 加到整個(gè)半導(dǎo)體芯片上。如果半導(dǎo)體芯片具有多于兩個(gè)電接觸層，那么半導(dǎo)體芯片也能夠 具有多個(gè)彼此可分開控制的發(fā)光區(qū)段。
[0022] 電接觸層以及熱接觸層尤其具有一種或多種金屬或金屬合金或金屬層序列。尤其 優(yōu)選地，電接觸層和熱接觸層構(gòu)成為是相同的。
[0023] 例如，接觸層能夠具有Ti、Pt、Pd、Au或者由其構(gòu)成的混合物、合金或?qū)咏M合。電 接觸層和熱接觸層能夠尤其優(yōu)選地例如具有增附層、例如Ti，和安裝層、例如Au。在其之間 也還能夠設(shè)置有阻擋層，例如Pt和/或Pd。
[0024] 電接觸層和熱接觸層能夠在生產(chǎn)發(fā)光半導(dǎo)體芯片時(shí)施加并且在構(gòu)成更下面描述 的載體本體之前作為半導(dǎo)體芯片的一部分提供。此外，接觸層例如也能夠通過電鍍方法在 更下面描述的借助成形體對半導(dǎo)體芯片改型之后和在制造更下面描述的連接元件之前構(gòu) 成。
[0025] 與以倒裝芯片的形式構(gòu)成且僅具有必須同時(shí)也用于從半導(dǎo)體芯片導(dǎo)出熱量的電 連接層的已知的半導(dǎo)體芯片相比，在此描述的半導(dǎo)體芯片除了電接觸層之外還具有熱接觸 層，所述熱接觸層能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片與熱沉的大面積的熱連接，使得關(guān)于到電接觸層的 導(dǎo)熱方面的需求能夠是小的或者甚至是可忽略的。通過將熱接觸層與電接觸層和半導(dǎo)體層 序列電絕緣，可能的是，尤其當(dāng)熱接觸層和半導(dǎo)體層序列之間的電絕緣層構(gòu)成為可靠地防 止電擊穿時(shí)，將具有熱接觸層的半導(dǎo)體芯片安置到具有任意電勢的任意表面上。
[0026] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，熱接觸層與電接觸層相比在半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面上占據(jù)更 大的面積。這尤其能夠表示，后側(cè)面的面積的大部分通過熱接觸層形成，尤其優(yōu)選地基本上 是后側(cè)面的沒有被電接觸層覆蓋的部分通過熱接觸層形成。
[0027] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，發(fā)光半導(dǎo)體器件具有載體本體，所述載體本體承載發(fā)光半 導(dǎo)體芯片并且經(jīng)由所述載體本體能夠?qū)С鲈谶\(yùn)行時(shí)在發(fā)光半導(dǎo)體芯片中產(chǎn)生的熱量。載體 本體例如能夠適合于：設(shè)置到另一個(gè)熱沉、即所謂的二級(jí)熱沉上，例如金屬熱沉、金屬芯印 刷電路板或者電路板形式的熱沉。
[0028] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，載體襯底具有成形體，所述成形體形狀配合地且直接地覆 蓋半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。成形體尤其模制在半導(dǎo)體芯片上并且在橫向方向上、即在沿著半導(dǎo) 體芯片的光耦合輸出面的主延伸平面的方向上包圍半導(dǎo)體芯片。特別地，成形體能夠構(gòu)成 為，使得不覆蓋半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面。半導(dǎo)體芯片的側(cè)面能夠完全地被覆蓋或從后 側(cè)面起觀察在朝向光耦合輸出面的方向上直到一定高度被覆蓋，使得成形體具有相對于光 耦合輸出面縮回的上側(cè)。尤其優(yōu)選地，側(cè)面能夠完全地被覆蓋，使得成形體具有與光耦合輸 出面齊平的上側(cè)。此外，后側(cè)面、即電接觸層的接觸層的尤其與半導(dǎo)體層序列相對置的面也 能夠不具有成形體。此外，成形體也能夠以其上側(cè)伸出光耦合輸出面，而沒有遮蓋光耦合輸 出面。由此,提高載體本體的機(jī)械穩(wěn)定性。此外，由此能夠在光耦合輸出面之上形成凹處， 在所述凹處中例如能夠設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件。此外也可能的是，成形體遮蓋光耦合輸出面， 使得半導(dǎo)體芯片嵌入載體本體中并且完全由載體本體包圍。成形體能夠在光耦合輸出面之 上例如構(gòu)成為，使得所述成形體具有適合的光學(xué)特性。
[0029] 成形體尤其能夠具有塑料材料，優(yōu)選硅樹脂、環(huán)氧化物、環(huán)氧化物硅樹脂混合材 料、聚酯或者低烙點(diǎn)玻璃或者低烙點(diǎn)玻璃陶瓷。"低烙點(diǎn)"在此表示下述玻璃或玻璃陶瓷，所 述玻璃或玻璃陶瓷在成形工藝中能夠在不損壞半導(dǎo)體芯片的溫度下加工。特別地，成形體 能夠形成用于機(jī)械穩(wěn)定的元件，所述元件基本上使得載體本體穩(wěn)定。通過成形體將半導(dǎo)體 芯片尤其嵌入載體本體中。
[0030] 成形體尤其能夠在成形工藝中例如借助于噴射、澆注、壓制、層疊薄膜等來進(jìn)行。 尤其優(yōu)選地，成形體能夠通過傳遞模塑工藝（"transfer molding")、例如薄膜傳遞模塑工 藝來形成。如果發(fā)光半導(dǎo)體器件具有多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片，那么所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠 嵌入共同的載體本體中進(jìn)而在一個(gè)方法步驟中借助共同的成形體改型。
[0031] 用于制造在此描述的成形體的方法例如在參考文獻(xiàn)W02011/015449A1中描述，其 公開內(nèi)容在此全面通過參引并入本文。
[0032] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，成形體構(gòu)成為是光學(xué)反射的。這例如能夠通過下式方式實(shí) 現(xiàn)：將光學(xué)反射的顆粒引入到成形體的基體材料中、尤其是用于成形體的上述材料中的一 種中。那么，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的側(cè)面上射出的光能夠由成形體反射。此外可能的是，成形 體構(gòu)成為是透光的。這尤其對于下述發(fā)光半導(dǎo)體芯片的情況而言能夠是有利的：所述發(fā)光 半導(dǎo)體芯片通過側(cè)面發(fā)射其大部分的光。對于發(fā)光半導(dǎo)體芯片基本上或僅經(jīng)由光耦合輸出 面放射所產(chǎn)生的光的情況而言，或者對于容許由于通過側(cè)面發(fā)射的光產(chǎn)生的損失的情況而 言，成形體例如也能夠構(gòu)成為是吸收光的并且例如具有與白色的環(huán)氧樹脂相比具有更大機(jī) 械穩(wěn)定性的黑色的環(huán)氧樹脂。
[0033] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，載體本體在半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面上具有電連接元件和熱連 接元件。電連接元件在此與半導(dǎo)體芯片的電接觸層直接接觸。載體本體的熱連接元件與半 導(dǎo)體芯片的熱接觸層直接接觸。"直接接觸"表示：連接元件與接觸層在其之間沒有其他中 間層或其他連接材料的情況下接觸。連接元件在此尤其也不部分地或完全地由連接層或連 接材料、例如焊料或者導(dǎo)電粘接劑形成。此外，熱連接元件至少部分地形成半導(dǎo)體器件的背 離半導(dǎo)體芯片的安裝面。
[0034] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，電連接元件和熱連接元件電鍍地施加在半導(dǎo)體芯片上。為 此，電連接元件和熱連接元件于在半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面上構(gòu)成成形體之后電鍍地施加在半 導(dǎo)體芯片的相應(yīng)的接觸層上。由此，50 μ m數(shù)量級(jí)的小的結(jié)構(gòu)寬度是可能的，使得能夠制造 具有緊湊尺寸的發(fā)光半導(dǎo)體器件。此外，在電鍍方法中能夠自由地選擇電連接元件和熱連 接元件的形狀和尺寸，使得所述形狀和尺寸例如能夠?qū)?yīng)于期望的客戶規(guī)格。
[0035] 電連接元件也還能夠部分地施加在成形體上進(jìn)而在橫向方向上遠(yuǎn)離電接觸層延 伸。
[0036] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，電連接元件和熱連接元件具有銅和/或鎳。優(yōu)選地，連接元 件通過銅形成，所述銅在工藝方面能夠簡單地通過電鍍來施加。
[0037] 為了電接觸載體本體中的電連接元件，載體本體能夠具有至少一個(gè)電通孔，所述 電通孔與電連接元件電連接。電通孔例如能夠穿過成形體并且構(gòu)成為成形體中的所謂的貫 穿孔。電通孔在該情況下在借助成形體對半導(dǎo)體芯片改型時(shí)能夠集成到成形體中。此外 也可能的是，成形體中的電通孔在對半導(dǎo)體芯片改型之后構(gòu)成。成形體例如能夠?qū)τ诿總€(gè) 電連接元件具有電通孔，使得電連接元件進(jìn)而半導(dǎo)體芯片的電接觸層能夠從成形體的上側(cè) 起、即在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面旁邊被接觸。替選于此也可能的是，例如構(gòu)成至半 導(dǎo)體器件的安裝面的電通孔。為此，例如熱連接元件也能夠具有開口，電通孔穿過所述開 □。
[0038] 此外可能的是：對于每個(gè)電連接件元件在載體本體中存在電通孔，所述電通孔伸 展至安裝面，使得發(fā)光半導(dǎo)體器件能夠經(jīng)由安裝面電接觸。此外也可能的是，能夠經(jīng)由電通 孔從成形體的或載體本體的上側(cè)起接觸電連接元件，同時(shí)能夠從載體本體的安裝面起接觸 另外的電接觸元件。
[0039] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，電連接元件設(shè)置在載體本體的內(nèi)部中。這尤其表示：電連接 元件嵌入載體本體中并且不能夠直接地、而是僅能夠通過電通孔從外部接觸。
[0040] 在發(fā)光半導(dǎo)體器件能夠從載體本體的上側(cè)起電接觸的情況下，熱連接元件優(yōu)選形 成半導(dǎo)體器件的整個(gè)安裝面。換而言之，載體本體的下側(cè)僅通過熱連接元件形成。
[0041] 熱連接元件尤其能夠在從半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面朝向安裝面的方向上具有大于電 連接元件的厚度的厚度，使得熱連接元件突出于電連接元件。尤其優(yōu)選地，熱連接元件也在 橫向方向上突出于電連接元件，使得熱連接元件的橫截面在從半導(dǎo)體芯片朝向安裝面的方 向上變寬。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)導(dǎo)熱性的提高或者熱電阻的降低，由此能夠?qū)崿F(xiàn)有效地從半導(dǎo)體 芯片中導(dǎo)出熱量。
[0042] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，在電連接元件和熱連接元件之間設(shè)置有電絕緣材料。這例 如能夠通過有機(jī)材料、尤其是聚合物材料形成。例如，電絕緣材料能夠通過基于苯并環(huán)丁烯 (BCB)的材料形成。
[0043] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，在發(fā)光半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面上設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元 件。波長轉(zhuǎn)換元件在此能夠在借助成形體對半導(dǎo)體芯片改型之前或之后設(shè)置在光耦合輸出 面上并且尤其通過具有一種或多種波長轉(zhuǎn)換材料的層形成。在載體本體中存在多個(gè)發(fā)光半 導(dǎo)體芯片的情況下，能夠?qū)⒐餐牟ㄩL轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在半導(dǎo)體芯片的下游，或者替選于此 將自身配設(shè)的波長轉(zhuǎn)換元件設(shè)置在每個(gè)半導(dǎo)體芯片的下游。
[0044] 波長轉(zhuǎn)換元件尤其具有至少一種或多種波長轉(zhuǎn)換材料，所述波長轉(zhuǎn)換材料適合于 將由一個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片或多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光至少部分地轉(zhuǎn)換成其他波長的 光，使得發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠放射由最初通過半導(dǎo)體芯片發(fā)射的光和經(jīng)過轉(zhuǎn)換的次級(jí)光組 成的混合光。例如，發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠發(fā)射藍(lán)光，所述藍(lán)光由波長轉(zhuǎn)換元件至少部分地轉(zhuǎn) 換成綠光和紅光和/或黃光，使得半導(dǎo)體器件在運(yùn)行時(shí)能夠放射白光。波長轉(zhuǎn)換元件例如 能夠以顆粒的形式施加，所述顆粒嵌入基體材料、例如塑料、如硅樹脂、或陶瓷中。此外也可 能的是，波長轉(zhuǎn)換元件構(gòu)成為陶瓷小板，所述陶瓷小板包含波長轉(zhuǎn)換材料或者由陶瓷的波 長轉(zhuǎn)換材料構(gòu)成。波長轉(zhuǎn)換元件尤其能夠直接地施加到光耦合輸出面上。
[0045] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，在成形體中橫向并排地設(shè)置多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片。這尤其 表示：發(fā)光半導(dǎo)體器件在半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面和成形體的或載體本體的上側(cè)的俯視 圖中并排地具有半導(dǎo)體芯片。發(fā)光半導(dǎo)體芯片尤其能夠通過成形體中的電連接元件彼此互 聯(lián)。此外，載體本體尤其優(yōu)選能夠具有連續(xù)的熱連接元件，半導(dǎo)體芯片的熱接觸層能夠與所 述熱連接元件直接接觸，使得在半導(dǎo)體芯片中在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量能夠通過共同的熱連接 元件導(dǎo)出至安裝面。
[0046] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施方式，用于制造發(fā)光半導(dǎo)體器件的方法包括下述步驟：
[0047] A)提供發(fā)光半導(dǎo)體芯片，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列、光耦合輸出面、 與光f禹合輸出面相對置的后側(cè)面和將光f禹合輸出面和后側(cè)面連接的側(cè)面，其中在半導(dǎo)體芯 片的后側(cè)面上設(shè)置有兩個(gè)電接觸層和熱接觸層，所述熱接觸層與電接觸層和半導(dǎo)體層序列 電絕緣，
[0048] B)構(gòu)成用于半導(dǎo)體芯片的載體本體，具有下述子步驟：
[0049] B1)借助成形體對半導(dǎo)體芯片改型，所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋半導(dǎo)體 芯片的側(cè)面，
[0050] B2)通過電鍍方法構(gòu)成與半導(dǎo)體芯片的電接觸層直接接觸的電連接元件和與半導(dǎo) 體芯片的熱接觸層直接接觸的熱連接元件，其中施加具有一定厚度的熱連接元件，使得所 述熱連接元件形成半導(dǎo)體器件的背離半導(dǎo)體芯片的安裝側(cè)。
[0051] 結(jié)合發(fā)光半導(dǎo)體器件所描述的特征和實(shí)施方式同樣適合于用于制造發(fā)光半導(dǎo)體 器件的方法并且反之亦然。
[0052] 在此處描述的發(fā)光半導(dǎo)體器件和用于其制造的方法中，能夠通過載體本體的與發(fā) 光半導(dǎo)體芯片的熱接觸層直接接觸的熱連接元件實(shí)現(xiàn)從半導(dǎo)體芯片中良好地導(dǎo)熱。在此描 述的方法的特征尤其在于：在此描述的載體本體例如與陶瓷載體本體相比是更加成本適宜 的，并且特征在于例如與在陶瓷襯底的情況下相比，通過載體本體中的熱接觸元件，載體本 體的、進(jìn)而發(fā)光半導(dǎo)體器件的熱膨脹系數(shù)能夠更好地匹配于所謂的二級(jí)熱沉。由于用于制 造電連接元件和熱連接元件的電鍍方法，與例如在QFN殼體的情況下相比，更小的結(jié)構(gòu)大 小是可能的，使得在此描述的發(fā)光半導(dǎo)體器件能夠具有更小的尺寸。在多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯 片的情況下，半導(dǎo)體芯片的工藝上簡單的互聯(lián)經(jīng)由電鍍方法是可能的。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0053] 從在下文中結(jié)合附圖描述的實(shí)施例中得出其他的優(yōu)點(diǎn)、有利的實(shí)施方式和改進(jìn)方 案。
[0054] 附圖示出：
[0055] 圖1A和1B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件的示意圖，
[0056] 圖2A和2B不出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體芯片的不意圖，
[0057] 圖3示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件的示意圖和
[0058] 圖4示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0059] 在實(shí)施例和附圖中，相同的、相同類型的或起相同作用的元件能夠分別設(shè)有相同 的附圖標(biāo)記。示出的元件和其相互間的大小關(guān)系不能夠視為是按照比例的，更確切地說，為 了更好的可視性和/或?yàn)榱烁玫睦斫饽軌蚩鋸埓蟮厥境鰝€(gè)別元件，例如層、構(gòu)件、器件和 區(qū)域。
[0060] 圖1A和1B示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件100。圖1B示出在圖1A中示 出的半導(dǎo)體器件100的沿著在圖1A中示出的剖平面A-A的剖面圖。在圖1B中，點(diǎn)線說明 直接非間接位于半導(dǎo)體芯片1下方的電連接元件24和熱連接元件25的橫截面。
[0061] 發(fā)光半導(dǎo)體器件100具有發(fā)光半導(dǎo)體芯片1，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片由載體本體2承 載。
[0062] 發(fā)光半導(dǎo)體芯片1具有半導(dǎo)體層序列，所述半導(dǎo)體層序列包括至少一個(gè)有源層， 所述有源層在半導(dǎo)體芯片運(yùn)行時(shí)放射光。此外，發(fā)光半導(dǎo)體芯片1能夠具有生長襯底或者 載體襯底形式的襯底，在所述襯底上設(shè)置有半導(dǎo)體層序列。為了概覽，半導(dǎo)體芯片1的襯底 和半導(dǎo)體層序列在圖1A中沒有示出。結(jié)合圖2A和2B示出發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的在更下文 中描述的實(shí)施例。
[0063] 經(jīng)由光f禹合輸出面11放射在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的光。反向于光f禹合輸出面11，半導(dǎo)體芯 片1具有后側(cè)面12。光耦合輸出面11和后側(cè)面12經(jīng)由側(cè)面13彼此連接。在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生 的光除了光耦合輸出面11之外也能夠通過側(cè)面放射和/或通過后側(cè)面12的一部分放射。 在后側(cè)面12上，半導(dǎo)體芯片1具有兩個(gè)電接觸層14,經(jīng)由所述電接觸層能夠電接觸半導(dǎo)體 芯片1并且尤其電接觸半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體層序列。此外，半導(dǎo)體芯片1具有熱接觸層 15,所述熱接觸層與電接觸層14和半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體層序列電絕緣。因此，熱接觸層 15無電勢地構(gòu)成在半導(dǎo)體芯片1中。
[0064] 如從圖1B中可見，熱接觸層15優(yōu)選形成半導(dǎo)體芯片的后側(cè)面12的大部分，使得 半導(dǎo)體芯片的大面積的熱連接是可能的。特別地，熱接觸層15構(gòu)成為，使得所述熱接觸層 除電接觸層14以及用于使熱接觸層15與電接觸層14電絕緣的間隙之外形成電半導(dǎo)體芯 片的整個(gè)后側(cè)面12。
[0065] 承載本體2具有成形體20,所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋半導(dǎo)體芯片1的 側(cè)面13。成形體20在此能夠構(gòu)成為，使得其如在圖1A中示出的那樣完整地覆蓋半導(dǎo)體芯 片1的側(cè)面13。替選于此，也可能的是，半導(dǎo)體芯片1的側(cè)面13僅部分地由成形體20覆 蓋，使得其與半導(dǎo)體芯片1相比能夠具有更小的高度。尤其優(yōu)選地，成形體20不覆蓋半導(dǎo) 體芯片1的光耦合輸出面11并且如在圖1A中示出的那樣具有與光耦合輸出面11齊平的 上側(cè)21。
[0066] 此外，成形體20能夠以其上側(cè)21突出于光f禹合輸出面11，而沒有遮蓋光f禹合輸出 面11。由此，能夠提高載體本體2的機(jī)械穩(wěn)定性。此外，能夠由此在光耦合輸出面11之上 形成凹處，在所述凹處中例如能夠設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件3。
[0067] 替選于所示出的實(shí)施例，成形體20也能夠遮蓋光耦合輸出面11，使得半導(dǎo)體芯片 1封入載體本體2中并且由其全面地包圍。成形體20能夠在光耦合輸出面11之上例如有 針對性地成形或者材料特定地構(gòu)成，例如透鏡形地構(gòu)成或者設(shè)有填充物，以便具有期望的 光學(xué)特性，例如期望的光聚束或者散射。
[0068] 成形體20模制到半導(dǎo)體芯片1上并且具有在成形工藝中可加工的材料，例如環(huán)氧 化物、硅樹脂、硅樹脂環(huán)氧化物混合材料或者聚酯，或者由其構(gòu)成。根據(jù)半導(dǎo)體芯片1的放 射特性，成形體20能夠構(gòu)成為是透明的、吸收光的、反射光的或者散射光的并且在上述材 料中具有相應(yīng)的顆粒和/或填充物。
[0069] 在半導(dǎo)體芯片的光耦合輸出面11上進(jìn)而在載體本體2的或成形體20的上側(cè)21 上能夠施加波長轉(zhuǎn)換元件3,所述波長轉(zhuǎn)換元件能夠?qū)⒂砂l(fā)光半導(dǎo)體芯片1產(chǎn)生的光的至 少一部分轉(zhuǎn)換成與其不同的光。
[0070] 為了制造發(fā)光半導(dǎo)體器件100提供半導(dǎo)體芯片1。
[0071] 在圖2A和2B中，對此示出發(fā)光半導(dǎo)體芯片1的實(shí)施例，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片能夠 分別設(shè)為用于發(fā)光半導(dǎo)體器件100并且所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片分別具有襯底16,在所述襯底 上設(shè)置有具有有源區(qū)域的半導(dǎo)體層序列17。
[0072] 在圖2A中示出發(fā)光半導(dǎo)體芯片1，其中通過用于制造半導(dǎo)體層序列17的生長襯底 形成襯底16。通過對半導(dǎo)體層序列17的結(jié)構(gòu)化，能夠?qū)㈦娊佑|層14設(shè)置在半導(dǎo)體層序列 17的相同側(cè)上。
[0073] 此外，半導(dǎo)體芯片1在半導(dǎo)體層序列17上具有熱接觸層15,所述熱接觸層通過由 鈍化層19形成的電絕緣層18與半導(dǎo)體層序列17電絕緣。鈍化層優(yōu)選具有二氧化硅、金剛 石或氧化鋁并且具有大于或等于l〇〇nm的厚度。
[0074] 相反地，圖2B中的發(fā)光半導(dǎo)體芯片1具有構(gòu)成為載體襯底的陶瓷襯底作為襯底 16,將半導(dǎo)體層序列17于在生長襯底上生長之后轉(zhuǎn)移到所述陶瓷襯底上。在襯底16的背 離半導(dǎo)體層序列17的一側(cè)上施加電接觸層14并且經(jīng)由電通孔141與半導(dǎo)體層序列17接 觸。附圖標(biāo)記142表示通孔141中的用于接觸半導(dǎo)體層序列17的背離襯底16的一側(cè)的電 絕緣部。
[0075] 在襯底16的背離半導(dǎo)體層序列17的一側(cè)上還施加有熱接觸層15,其中襯底16在 此形成電絕緣層18,以便使熱絕緣層15與半導(dǎo)體層序列17電絕緣。
[0076] 在提供發(fā)光半導(dǎo)體芯片1之后，制造載體本體2。為此，在第一子步驟中，形狀配合 地且直接地用成形體20的材料來覆蓋半導(dǎo)體芯片1的側(cè)面13。這通過在成形工藝中借助 成形體20對半導(dǎo)體芯片改型來進(jìn)行，在所示出的實(shí)施例中尤其通過傳遞模塑工藝來進(jìn)行。
[0077] 在用于制造載體本體2的另一個(gè)方法步驟中，以與半導(dǎo)體芯片的接觸層14、15直 接接觸的方式構(gòu)成連接元件24、25。為此，借助于電鍍方法將熱連接元件25的一部分以及 電連接元件24施加到電接觸層14以及熱接觸層15上。如從圖1A中可見，電連接元件24 能夠以遠(yuǎn)離半導(dǎo)體芯片1引導(dǎo)的方式也部分地施加在成形體20上。
[0078] 隨后，施加電絕緣材料26,所述電絕緣材料覆蓋熱連接元件25的已經(jīng)施加的部分 以及電連接元件24。將電絕緣材料26在熱連接元件25的已經(jīng)施加的部分之上再次移除， 使得所述熱連接元件能夠通過繼續(xù)進(jìn)行電鍍方法來進(jìn)一步加厚。特別地，由此可能的是，熱 連接元件24嵌入電絕緣材料26中進(jìn)而嵌入載體本體2中并且制造具有擴(kuò)大寬度的熱連接 元件25。熱連接元件25由此能夠構(gòu)成為，使得其比電連接元件24更厚并且除了堅(jiān)直方向 之外也在橫向方向上突出于電連接元件24。電絕緣材料26尤其通過可光敏結(jié)構(gòu)化的材料、 例如可光敏結(jié)構(gòu)化的漆來形成，例如通過基于BCB的聚合物來形成。
[0079] 電連接元件24和熱連接元件25尤其具有銅和/或鎳。優(yōu)選地，連接元件24、25 通過銅形成，所述銅在工藝方面能夠簡單地通過電鍍方法來施加。
[0080] 通過電鍍方法，能夠?qū)⑦B接元件24、25與接觸層14、15在工藝方面簡單地連接，所 述連接允許大約50 μ m數(shù)量級(jí)的小的結(jié)構(gòu)寬度。在薄的連接元件24、25的情況下，能夠在 半導(dǎo)體芯片1上實(shí)現(xiàn)小的壓力負(fù)荷、例如通過熱應(yīng)力引起的壓力負(fù)荷，而與電連接元件24 相比明顯更厚的熱連接元件25能夠?qū)崿F(xiàn)良好的導(dǎo)熱性。通過以無電勢的方式、即以電絕緣 的方式在半導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體層序列17上構(gòu)成熱接觸層15,同樣使熱連接元件25與半 導(dǎo)體芯片1的半導(dǎo)體層序列17電絕緣，使得不需要熱連接元件25的附加的電絕緣部。
[0081] 電連接元件24從外部的電接觸如在所示出的實(shí)施例中那樣能夠通過成形體20中 的電通孔27來進(jìn)行。所述電通孔能夠以所謂的貫穿孔的形式構(gòu)成，所述貫穿孔例如作為分 立的元件連同發(fā)光半導(dǎo)體芯片1 一起提供并且借助成形體20來改型。此外也可能的是，在 成形體20中設(shè)有或構(gòu)成開口，所述開口由用于構(gòu)成電通孔的導(dǎo)電材料至少部分地或完全 地填充。通過電通孔27可能的是，從載體本體2的上側(cè)21起接觸發(fā)光半導(dǎo)體芯片1進(jìn)而 接觸發(fā)光半導(dǎo)體器件100,使得熱連接元件25優(yōu)選形成與上側(cè)21相對置的整個(gè)安裝面22。
[0082] 發(fā)光半導(dǎo)體器件100尤其優(yōu)選地能夠以具有另外的半導(dǎo)體器件的組合件制造。為 此，能夠借助共同的成形體20對多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片1改型。在構(gòu)成電連接元件和熱連接 元件24、25以及可能的電通孔27進(jìn)而完成載體本體組合件之后，所述載體本體組合件能夠 被切割成各個(gè)半導(dǎo)體器件100。通過分割產(chǎn)生載體本體2的側(cè)面，所述側(cè)面能夠具有材料分 離的痕跡，例如由分割引起的鋸割槽或者打磨痕跡形式的痕跡。
[0083] 在圖3中示出根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例的發(fā)光半導(dǎo)體器件200,所述發(fā)光半導(dǎo)體器件與 發(fā)光半導(dǎo)體器件100相比能夠?qū)崿F(xiàn)從安裝面22起的電接觸。對此，熱連接元件25具有開 口，電通孔27設(shè)置在所述開口中并且通過電絕緣材料26與熱連接元件25絕緣。
[0084] 此外，也可能的是，在上側(cè)21上或者在下側(cè)或安裝面22上設(shè)有通孔27形式的連 接可能性。
[0085] 通過用于施加電連接元件24和熱連接元件25的電鍍方法以及通過電通孔27在 成形體20中和/或在熱連接元件25中的設(shè)置，能夠在熱和電連接可能性方面任意地構(gòu)成 安裝面22。
[0086] 在圖3中示出發(fā)光半導(dǎo)體器件300的另一個(gè)實(shí)施例，所述實(shí)施例與之前的實(shí)施例 相比具有多個(gè)半導(dǎo)體芯片1，所述半導(dǎo)體芯片由共同的成形體20改型。
[0087] 半導(dǎo)體芯片1經(jīng)由載體本體20中的電連接元件24彼此互聯(lián)。此外，發(fā)光半導(dǎo)體 器件300具有熱連接元件25,半導(dǎo)體芯片1的熱接觸層15直接鄰接于所述熱連接元件，使 得熱連接元件25能夠構(gòu)成為連續(xù)的熱連接元件，所述熱連接元件能夠?qū)С鲇砂雽?dǎo)體芯片1 在運(yùn)行時(shí)產(chǎn)生的熱量。
[0088] 在附圖中描述的實(shí)施例和特征也能夠相互組合。對在實(shí)施例中示出的特征附加地 或替選地，發(fā)光半導(dǎo)體器件100、200、300也能夠具有根據(jù)概述部分中的描述的其他特征。 [0089] 本發(fā)明不局限于根據(jù)實(shí)施例進(jìn)行的描述。更確切地說，本發(fā)明包括任意新的特征 以及特征的任意組合，這尤其包含權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使所述特征或所述組 合本身沒有在權(quán)利要求或?qū)嵤├性敱M地說明時(shí)也如此。
【權(quán)利要求】
1. 一種發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，所述發(fā)光半導(dǎo)體器件具有： 至少一個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片（1)，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列（17)、光耦合 輸出面（11)、與所述光耦合輸出面（11)相對置的后側(cè)面（12)和側(cè)面（13)，所述側(cè)面將所 述光耦合輸出面（11)和所述后側(cè)面（12)連接，和 載體本體（2)，所述載體本體具有成形體（20)，所述成形體形狀配合地且直接地覆蓋 所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述側(cè)面（13)， 其中在所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述后側(cè)面（12)上構(gòu)成兩個(gè)電接觸層（14)和熱接觸層 (15)， 其中所述熱接觸層（15)與所述電接觸層（14)和所述半導(dǎo)體層序列（17)電絕緣， 其中所述載體本體（2)在所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述后側(cè)面（12)上具有與所述半導(dǎo) 體芯片（1)的所述電接觸層（14)直接接觸的電連接元件（24)和與所述半導(dǎo)體芯片⑴的 所述熱接觸層（15)直接接觸的熱連接元件（25)，并且 其中所述熱連接元件（25)至少部分地形成所述半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)的背離所 述半導(dǎo)體芯片（1)的安裝面（22)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中所述成形體（20)不覆 蓋所述光f禹合輸出面（11)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中所述成形體（20) 與所述光耦合輸出面（11)齊平。
4. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中在所述 光耦合輸出面（11)上設(shè)置有波長轉(zhuǎn)換元件（3)。
5. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，其中所述載 體本體（2)在所述電連接元件（24)和所述熱連接元件（25)之間具有電絕緣材料（26)。
6. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中所述電 連接元件（24)設(shè)置在所述載體本體（2)的內(nèi)部中。
7. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，其中所述電 連接元件（24)部分地施加在所述成形體（20)上。
8. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中所述熱 連接元件（25)在橫向方向上突出于所述電連接元件（24)。
9. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，其中所述電 連接元件（24)和所述熱連接元件（25)電鍍地施加在所述半導(dǎo)體芯片（1)上。
10. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，其中所述 成形體（20)具有至少一個(gè)電通孔（27)，所述電通孔與所述電連接元件（24)電連接。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（1〇〇,200,300)，其中所述熱連接元件 (25)形成所述半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)的整個(gè)安裝面（22)。
12. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中所述 半導(dǎo)體芯片（1)在所述半導(dǎo)體層序列（17)和所述熱接觸層（15)之間具有電絕緣層（18)。
13. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200,300)，其中所述 熱接觸層（15)與所述電接觸層（14)相比在所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述后側(cè)面（12)上占 據(jù)更大的面積。
14. 根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100, 200, 300)，其中在所 述成形體（20)中橫向并排設(shè)置有多個(gè)發(fā)光半導(dǎo)體芯片（1)，并且所述載體本體（2)具有連 續(xù)的熱連接元件（25)，所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述熱接觸層（15)與所述熱連接元件（25) 直接接觸。
15. -種用于制造根據(jù)權(quán)利要求1至14中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光半導(dǎo)體器件（100,200， 300)的方法，所述方法具有下述步驟： A) 提供發(fā)光半導(dǎo)體芯片（1)，所述發(fā)光半導(dǎo)體芯片具有半導(dǎo)體層序列（17)、光耦合輸 出面（11)、與所述光耦合輸出面（11)相對置的后側(cè)面（12)和將所述光耦合輸出面（11)和 所述后側(cè)面（12)連接的側(cè)面（13)，其中在所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述后側(cè)面（12)上設(shè)置 有兩個(gè)電接觸層（14)和熱接觸層（15)，并且所述熱接觸層（15)與所述電接觸層（14)和所 述半導(dǎo)體層序列（17)電絕緣， B) 構(gòu)成用于所述半導(dǎo)體芯片（1)的載體本體（2)，具有下述子步驟： B1)借助成形體（20)對所述半導(dǎo)體芯片（1)改型，所述成形體形狀配合地且直接地覆 蓋所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述側(cè)面（13)， B2)通過電鍍方法構(gòu)成與所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述電接觸層（14)直接接觸的電連 接元件（24)和與所述半導(dǎo)體芯片（1)的所述熱接觸層（15)直接接觸的熱連接元件（25)， 其中施加具有一定厚度的所述熱連接元件（25)，使得所述熱連接元件形成所述半導(dǎo)體器件 (100, 200, 300)的背離所述半導(dǎo)體芯片（1)的安裝側(cè)（22)。
【文檔編號(hào)】H01L33/54GK104221173SQ201380018936
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月2日
【發(fā)明者】托馬斯·施瓦茨, 斯特凡·伊萊克 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司