技術(shù)總結(jié)
一種在硅基板上形成共形III/V族層的方法和所產(chǎn)生的具有III/V族層形成在上面的基板。該方法包括：從基板去除原生氧化物；將基板在處理腔室內(nèi)定位；將該基板加熱至第一溫度；將該基板冷卻至第二溫度；將III族前驅(qū)物流入該處理腔室；當(dāng)將III族前驅(qū)物和V族前驅(qū)物流入該處理腔室時(shí)，維持該第二溫度直到形成共形層；當(dāng)停止該III族前驅(qū)物的流動(dòng)時(shí)，將該處理腔室加熱至退火溫度；和將該處理腔室冷卻至該第二溫度。III/V族層的沉積可以通過使用優(yōu)先蝕刻電介質(zhì)區(qū)域的鹵化物氣體而選擇性地進(jìn)行。

技術(shù)研發(fā)人員：鮑新宇;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯;戴維·基思·卡爾森;葉祉淵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
文檔號(hào)碼：201380016402
技術(shù)研發(fā)日：2013.03.01
技術(shù)公布日：2017.05.24