技術(shù)編號(hào)：11057199
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。在硅基板上形成III/V族共形層的方法發(fā)明背景發(fā)明領(lǐng)域本發(fā)明的實(shí)施例一般涉及使用III族成核層在硅基板上形成III/V族材料的處理。相關(guān)技術(shù)的描述由于寬能隙(widebandgap)、高熱導(dǎo)率和大電擊穿場(chǎng)(electricalbreakdownfield)，III/V族半導(dǎo)體具有作為高溫、高頻及高功率微電子元件和紫外光/藍(lán)光/綠光光電元件的有用材料的顯著潛力。微電子裝置應(yīng)用包括AlGaNGaN多層基的激光二極管(AlGaNGaNmultilayer-basedlaserdiode)、高電子遷移率...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。