壓印裝置和使用其的物品制造方法
【專利摘要】壓印裝置使用模具在基板的待處理區(qū)域上形成樹脂的圖案,模具包括在其上形成有圖案的圖案區(qū)域,壓印裝置包括:校正單元,被配置為校正目標(biāo)區(qū)域的形狀,目標(biāo)區(qū)域是模具上的圖案區(qū)域或者基板上的待處理區(qū)域,其中,校正單元進(jìn)一步包括:加熱單元,被配置為在加熱區(qū)域中對與模具或基板的目標(biāo)區(qū)域相對應(yīng)的對象進(jìn)行加熱,加熱區(qū)域的面積小于模具上的圖案區(qū)域的面積;掃描單元,被配置為通過改變目標(biāo)區(qū)域和加熱區(qū)域的相對位置來相對于目標(biāo)區(qū)域掃描加熱區(qū)域;以及控制單元,被配置為獲取關(guān)于目標(biāo)區(qū)域的校正變形量的信息并且基于該信息來控制加熱單元和掃描單元。
【專利說明】壓印裝置和使用其的物品制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及壓印裝置(imprint apparatus)和使用其的物品制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著對于半導(dǎo)體器件或MEMS的微細(xì)加工(microfabrication)的需求的增長,不 僅傳統(tǒng)的光刻技術(shù),而且用模具來模制基板上的樹脂從而在基板上形成樹脂圖案的微細(xì)加 工技術(shù)也已受到了關(guān)注。這個技術(shù)也被稱為"壓印技術(shù)",利用該技術(shù)可在基板上形成尺寸 為幾納米的精細(xì)結(jié)構(gòu)。壓印技術(shù)的一個示例包括光固化方法。采用光固化方法的壓印裝置 首先向基板上的待處理區(qū)域施加紫外線可固化樹脂(壓印材料,可光固化樹脂)。接下來, 用模具來對該樹脂進(jìn)行模制。在用紫外光照射紫外線可固化樹脂以便固化之后,將固化的 樹脂從模具釋放,從而在待處理區(qū)域上形成樹脂圖案。
[0003] 這里,在一系列器件制造步驟中,對要經(jīng)歷壓印處理的基板執(zhí)行諸如濺射之類的 膜形成步驟中的熱處理。結(jié)果,整個基板可膨脹或縮小,導(dǎo)致在平面內(nèi)待處理區(qū)域的形狀的 變化。在壓印處理期間,形成在多層中的圖案需要被精確地彼此疊覆,從而待處理區(qū)域的形 狀的變化可能惡化疊覆精確度。從而,在壓印裝置中,當(dāng)將模具按壓在基板上的樹脂上時, 需要使基板上的待處理區(qū)域的形狀與模具上形成的圖案區(qū)域的形狀匹配。作為用于使基板 上的待處理區(qū)域的形狀匹配模具上形成的圖案區(qū)域的形狀的技術(shù),例如,有一種通過使模 具本身變形來校正圖案區(qū)域的形狀的方法,其中使模具本身變形是通過用光總體照射模具 以向模具提供溫度分布來實(shí)現(xiàn)的。作為形狀校正方法,專利文獻(xiàn)1公開了一種樹脂圖案形 成裝置,其通過使用光源來向模具上的圖案區(qū)域或者基板上的待處理區(qū)域提供溫度分布。 另外,專利文獻(xiàn)2公開了一種壓印裝置,其通過使用多條光纖來向模具上的圖案區(qū)域提供 溫度分布。
[0004] 引文列表
[0005] 專利文獻(xiàn)
[0006] [專利文獻(xiàn)1]日本專利特開No. 2004-259985
[0007] [專利文獻(xiàn) 2]W〇2〇〇9/l53925
[0008] 然而,在專利文獻(xiàn)1和2中公開的壓印裝置中,在校正模具上的圖案區(qū)域的形狀 時,通過用光總體照射圖案區(qū)域的整個表面來向圖案區(qū)域提供溫度分布。結(jié)果,需要用于將 光引導(dǎo)到圖案區(qū)域的復(fù)雜的光學(xué)系統(tǒng),從而導(dǎo)致了成本的增大和設(shè)計方面的困難。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009] 本發(fā)明提供了一種壓印裝置,其對于簡化用于以熱方式校正基板上的待處理區(qū)域 的形狀或者模具上形成的圖案區(qū)域的形狀的機(jī)制是有利的。
[0010] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面,一種使用模具在基板的待處理區(qū)域上形成樹脂的圖案的 壓印裝置,模具包括在其上形成有圖案的圖案區(qū)域,壓印裝置包括:校正單元,被配置為校 正目標(biāo)區(qū)域的形狀,目標(biāo)區(qū)域是模具上的圖案區(qū)域或者基板上的待處理區(qū)域,其中,校正單 元進(jìn)一步包括:加熱單元,被配置為在加熱區(qū)域中對與模具或基板的目標(biāo)區(qū)域相對應(yīng)的對 象進(jìn)行加熱,加熱區(qū)域的面積小于模具上的圖案區(qū)域的面積;掃描單元,被配置為通過改變 目標(biāo)區(qū)域和加熱區(qū)域的相對位置來相對于目標(biāo)區(qū)域掃描加熱區(qū)域;以及控制單元,被配置 為獲取關(guān)于目標(biāo)區(qū)域的校正變形量的信息并且基于該信息來控制加熱單元和掃描單元。 [0011] 根據(jù)本發(fā)明,可以提供一種壓印裝置,其對于簡化用于以熱方式校正基板上的待 處理區(qū)域的形狀或者模具上形成的圖案區(qū)域的形狀的機(jī)制是有利的。
[0012] 本發(fā)明的更多特征將通過以下參考附圖對示范性實(shí)施例的描述而變得清楚。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0013] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的壓印裝置的配置的圖。
[0014] 圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的加熱區(qū)域調(diào)整機(jī)構(gòu)的配置的圖。
[0015] 圖3是示出壓印處理期間的操作的序列的流程圖。
[0016] 圖4A是示出晶片上的加熱區(qū)域和基板側(cè)圖案的圖。
[0017] 圖4B是示出晶片上的加熱區(qū)域和基板側(cè)圖案的圖。
[0018] 圖5是示出在一個位置處基板側(cè)圖案的溫度變動的曲線圖。
[0019] 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的壓印裝置的配置的圖。
[0020] 圖7是示出根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的壓印裝置的配置的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021] 以下,將參考附圖描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。
[0022] (第一實(shí)施例)
[0023] 首先,將對根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的壓印裝置的配置給出描述。圖1是示出本 實(shí)施例的壓印裝置1的配置的示意圖。壓印裝置1是如下的裝置:其利用模具對(基板上 的)晶片(即,待處理基板)上的未固化樹脂進(jìn)行模制,從而在晶片上形成樹脂圖案,該樹 脂圖案用在作為物品的諸如半導(dǎo)體器件之類的器件的制造中。雖然將對采用光固化方法 的壓印裝置給出描述,但本發(fā)明也可應(yīng)用于采用熱固化方法的壓印裝置。在接下來的附圖 中,將在如下情況下給出描述:Z軸與用紫外光照射晶片上的樹脂的照射系統(tǒng)的光軸平行 排列,并且相互正交的軸X和Y排列在與Z軸垂直的平面中。首先,壓印裝置1包括光照射 單元2、模具保持機(jī)構(gòu)3、晶片臺4、施加單元5、加熱機(jī)構(gòu)6和控制單元7。
[0024] 光照射單元2在壓印處理期間用紫外光9照射模具8。光照射單元2由光源(用 于固化樹脂的光源)10和把從光源10發(fā)射的紫外光9調(diào)整成適合于壓印的光的光學(xué)元件 (未示出)構(gòu)成。
[0025] 模具8的外圍形狀是多邊形(優(yōu)選為矩形或方形)并且模具8包括圖案區(qū)域(例 如,要轉(zhuǎn)印的電路圖案等的凹凸圖案)8a,圖案區(qū)域8a三維地形成在與晶片11相對的表面 上。另外,模具8的材料是紫外光9可通過的材料,并且作為本實(shí)施例中的示例是石英。另 夕卜,模具8可以具有如下形狀:在紫外光9照射的表面上形成具有一定深度的圓形平面形狀 的空腔(凹部)。
[0026] 模具保持機(jī)構(gòu)(模具保持單元)3具有保持模具8的模具夾具 12和保持模具夾具 12并移動模具8 (模具夾具12)的模具驅(qū)動機(jī)構(gòu)13。模具夾具12可通過利用真空吸力或 靜電力吸引要用紫外光9照射的模具8的表面的外圍區(qū)域來保持模具8。例如,當(dāng)模具夾 具12利用真空吸力來保持模具8時,模具夾具12連接到在外部安裝的真空泵(未示出), 并且模具8的附著/脫離通過開啟/關(guān)閉真空泵來切換。另外,模具夾具12和模具驅(qū)動機(jī) 構(gòu)13中的每一者在中央部分(其內(nèi)側(cè))具有孔隙區(qū)域14,使得從光照射單元2發(fā)射的紫外 光9被朝晶片11照射。光透射構(gòu)件(例如玻璃板)被安裝在孔隙區(qū)域14內(nèi),使得由孔隙 區(qū)域14的一部分和模具8包圍的空間被密封,并且通過包括真空泵等的壓力調(diào)整設(shè)備(未 示出)來調(diào)整該空間中的壓力。當(dāng)模具8被按壓在晶片11上的樹脂15上時,壓力調(diào)整設(shè) 備將該空間中的壓力設(shè)定得高于外部壓力,以使得圖案區(qū)域8a撓曲為朝著晶片11的凸起 形狀并且使圖案區(qū)域8a從圖案區(qū)域8a的中央部分與樹脂15接觸。利用此布置,防止了氣 體(空氣)困在圖案區(qū)域8a與樹脂15之間,使得樹脂15可填充在圖案區(qū)域8a的凹凸圖 案的每一個角落中。
[0027] 模具驅(qū)動機(jī)構(gòu)13在每個軸方向上移動模具8以選擇性地將模具8按壓在晶片11 上的樹脂15上或者將模具8從樹脂15釋放??捎糜谀>唑?qū)動機(jī)構(gòu)13的動力源的示例包 括直線電機(jī)、汽缸等等。另外,模具驅(qū)動機(jī)構(gòu)13可由諸如粗略移動驅(qū)動系統(tǒng)、精細(xì)移動驅(qū)動 系統(tǒng)等等之類的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成,以便以高精確度適應(yīng)模具8的定位。另外,模具驅(qū)動機(jī) 構(gòu)13可具有用于不僅在Z軸方向上而且在X軸方向、Y軸方向或者Θ (繞著Z軸的旋轉(zhuǎn)) 方向上調(diào)整模具8的位置的位置調(diào)整功能、用于校正模具8的傾斜的傾斜功能,等等。壓印 裝置1執(zhí)行的按壓操作和釋放操作可通過在Z軸方向上移動模具8來實(shí)現(xiàn),可通過在Z軸 方向上移動晶片臺4來實(shí)現(xiàn),或者也可通過將模具8和晶片臺4兩者相對于彼此移動來實(shí) 現(xiàn)。
[0028] 晶片11例如是單晶硅基板或SOI (絕緣體上硅)基板,并且通過在模具8上形成 的圖案區(qū)域8a模制的紫外線可固化樹脂(即,樹脂15)被施加在晶片11的處理表面上。
[0029] 晶片臺4保持晶片11并且在模具8被按壓在晶片11上的樹脂15上時執(zhí)行模具8 與樹脂15之間的位置匹配。晶片臺4具有以吸力保持晶片11的晶片夾具16和在每個軸 方向上驅(qū)動包括晶片夾具16的移動體的臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)(移動體驅(qū)動單元)17。可用于臺驅(qū)動 機(jī)構(gòu)17的動力源的示例包括直線電機(jī)、平面電機(jī)等等。臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)17也可由X軸和Y軸 方向上的諸如粗略移動驅(qū)動系統(tǒng)、精細(xì)移動驅(qū)動系統(tǒng)等等之類的多個驅(qū)動系統(tǒng)構(gòu)成。此外, 臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)17還可具有用于在Z軸方向上調(diào)整晶片11的位置的驅(qū)動系統(tǒng)、用于在Θ方向 上調(diào)整晶片11的位置的位置調(diào)整功能、用于校正晶片11的傾斜的傾斜功能,等等。另外, 晶片臺4在其側(cè)表面上包括與X方向、Y方向、Z方向、ωχ方向、coy方向和ωζ方向相對 應(yīng)的多個參照鏡(反射部)(未示出)。相對照地,壓印裝置1包括通過用光束照射這些參 照鏡來測量晶片臺4的位置的多個激光干涉計(長度測量設(shè)備)(未示出)。激光干涉計 實(shí)時測量晶片臺4的位置,并且下面要描述的控制單元7基于測量值來執(zhí)行對晶片11 (晶 片臺4)的定位控制。此外,晶片臺4在其表面上具有在模具8經(jīng)歷對齊時使用的參照標(biāo)記 (未示出)。
[0030] 施加單元5安裝在模具保持機(jī)構(gòu)3附近,并且向要形成圖案的基板側(cè)圖案區(qū)域 (待處理區(qū)域)施加樹脂(未固化樹脂)15?;鍌?cè)圖案區(qū)域是被運(yùn)送到壓印裝置中的晶 片11上預(yù)先存在的區(qū)域(例如,已經(jīng)在先前層中形成了圖案的區(qū)域)。該區(qū)域也可被稱為 壓射區(qū)域(shot region)。這里,樹脂15是具有通過被紫外光9照射而固化的屬性的可光 固化樹脂(壓印材料),并且是依賴于諸如半導(dǎo)體器件的制造工藝等的各種條件來適當(dāng)選 擇的。要從施加單元5的噴射噴嘴噴射出的樹脂15的量也由要在晶片11上形成的樹脂15 的期望厚度、要形成的圖案的密度等等來適當(dāng)確定。
[0031] 壓印裝置1包括校正晶片11上的基板側(cè)圖案區(qū)域的形狀(包括大?。┑男U龁?元。校正單元包括用于對晶片11加熱的加熱機(jī)構(gòu)(加熱單元)6、掃描機(jī)構(gòu)(掃描單元)和 控制單元7。在本實(shí)施例中,掃描機(jī)構(gòu)是晶片臺4。校正單元對晶片11加熱并使其變形,從 而使基板側(cè)圖案區(qū)域(目標(biāo)區(qū)域)的形狀與圖案區(qū)域8a的形狀相匹配。加熱機(jī)構(gòu)6具有 充當(dāng)用于對晶片11加熱的熱源的加熱光源20和調(diào)整從加熱光源20發(fā)射的光照射在晶片 11上的區(qū)域(要照射的光量)的調(diào)整機(jī)構(gòu)(光量調(diào)整單元)21。這里,加熱光源20發(fā)射具 有如下波長(低敏感度)的光:在該波長下,涂覆在晶片11上的未固化樹脂15不被固化或 者未固化樹脂15難以被固化,其中光能夠在最低限度必要熱量的輔助下向未固化樹脂15 施予溫度??捎糜诩訜峁庠?0的光的示例包括紅外光束、樹脂15難以固化的波長帶中的 紫外光,等等。采用這種光的有利之處在于,這種光不太可能向基板側(cè)圖案區(qū)域的外圍或光 路施予熱干擾的不利影響,因?yàn)檫@種光如上所述能夠在最低限度必要熱量的輔助下向基板 側(cè)圖案區(qū)域或模具8施予溫度。
[0032] 圖2是示出調(diào)整機(jī)構(gòu)21的配置的示例的示意圖。在圖2中,假定加熱光源20設(shè) 在紙頁后方,并且示出當(dāng)從前方查看從加熱光源20發(fā)射的加熱光22通過的區(qū)域時調(diào)整機(jī) 構(gòu)21的狀態(tài)。調(diào)整機(jī)構(gòu)21具有可在與加熱光22的光軸垂直的平面中在一個軸方向(Z軸 方向)上移動的第一屏蔽構(gòu)件23a和第二屏蔽構(gòu)件23b、以及可在另一軸方向(Y軸方向) 上移動的第三屏蔽構(gòu)件23c和第四屏蔽構(gòu)件23d。屏蔽構(gòu)件23a至23d的端部由作為引導(dǎo) 的支撐架24(其是調(diào)整機(jī)構(gòu)21的主體部)支撐,并且可由驅(qū)動機(jī)構(gòu)(屏蔽構(gòu)件驅(qū)動單元) (未示出)基于來自控制單元7的操作命令而同步移動。作為可用于調(diào)整機(jī)構(gòu)21的驅(qū)動機(jī) 構(gòu)的示范性動力源,從掃描精確度和可控性的觀點(diǎn)來看,直線電機(jī)等是優(yōu)選的。
[0033] 此外,屏蔽構(gòu)件23a至23d分別通過可延展構(gòu)件25a至25d從支撐架24的一個行 進(jìn)方向上的側(cè)表面連接到側(cè)表面。作為可延展構(gòu)件25a至25d,可以采用可延展片構(gòu)件、由 可折疊箱形成的連接構(gòu)件等等。利用屏蔽構(gòu)件23a至23d和可延展構(gòu)件25a至25d的這種 配置,調(diào)整機(jī)構(gòu)21可以把由四個屏蔽構(gòu)件23a至23d圍繞的區(qū)域限定為從加熱光源20發(fā) 射的加熱光22的通過區(qū)域26。通過區(qū)域26對應(yīng)于從加熱光源20發(fā)射的光被照射到晶片 11上的區(qū)域。要照射到晶片11上的光的光量隨著通過區(qū)域26的面積的增大而增大。換言 之,調(diào)整機(jī)構(gòu)21具有通過調(diào)整要照射到晶片11上的光的光量來調(diào)整要施予晶片11的熱量 的功能。
[0034] 從加熱光22對于在晶片11上形成的基板側(cè)圖案區(qū)域的照射效率、具有驅(qū)動機(jī)構(gòu) 的調(diào)整機(jī)構(gòu)21的可安裝性等等的觀點(diǎn)來看,優(yōu)選的是,加熱機(jī)構(gòu)6沿著紫外光9的照射方 向來照射加熱光22。更具體而言,如圖1所示,加熱機(jī)構(gòu)6可設(shè)在用于固定和支撐模具保持 機(jī)構(gòu)3的橋面板32 (下文描述)的上部(紫外光9的照射側(cè)),而光照射單元2可設(shè)在加熱 機(jī)構(gòu)6的更上部。在此情況下,優(yōu)選的是,加熱光源20和調(diào)整機(jī)構(gòu)21相互并置,以使得通 過了調(diào)整機(jī)構(gòu)21的通過區(qū)域26的加熱光22在基于橋面板32的平面的水平方向上進(jìn)入孔 隙區(qū)域14。
[0035] 控制單元7可控制壓印裝置1的組件的操作、調(diào)整等等??刂茊卧?由包括 CPU (MPU)和存儲器的控制基板構(gòu)成,并且通過線路連接到壓印裝置1的組件以根據(jù)程序等 等執(zhí)行對組件的控制。本實(shí)施例的控制單元7至少控制加熱機(jī)構(gòu)6的操作和伴隨著加熱機(jī) 構(gòu)6的操作的晶片臺4的同步操作。注意,控制單元7可與壓印裝置1的其余部分集成(設(shè) 在共享的殼體中),或者可與壓印裝置1的其余部分分開設(shè)置(設(shè)在單獨(dú)的殼體中)。
[0036] 另外,壓印裝置1包括在壓印處理期間測量模具8的圖案區(qū)域8a和存在于晶片11 上的基板側(cè)圖案區(qū)域的位置、形狀等等的對齊測量系統(tǒng)(測量單元)30。另外,壓印裝置1 包括其上放置晶片臺4的基面板31、固定模具保持機(jī)構(gòu)3的橋面板32、以及從基面板31延 伸并經(jīng)由隔振器支撐橋面板32的柱33。另外,壓印裝置1還可包括將模具8從壓印裝置1 的外部傳送到模具保持機(jī)構(gòu)3的模具傳送機(jī)構(gòu)(未示出)和將晶片11從壓印裝置1的外 部傳送到晶片臺4的基板傳送機(jī)構(gòu)(未示出)。
[0037] 接下來,將對壓印裝置1執(zhí)行的操作給出描述。圖3是示出當(dāng)在壓印裝置1執(zhí)行的 壓印處理期間在充當(dāng)待處理基板的多個晶片11中的每一個上的基板側(cè)圖案區(qū)域上形成圖 案時執(zhí)行的操作的序列的流程圖。另外,同一模具8打算用于包括多個晶片11的一批。首 先,在操作序列開始時,模具傳送機(jī)構(gòu)將模具8傳送到模具夾具12并且將模具8安放在模 具夾具12上(步驟S100)。接下來,控制單元7使得對齊測量系統(tǒng)測量模具8 (步驟S101)。 更具體而言,對齊測量系統(tǒng)檢測設(shè)在晶片臺4上的參照標(biāo)記和在圖案區(qū)域8a上形成的多個 對齊標(biāo)記,然后控制單元基于檢測結(jié)果計算圖案區(qū)域8a的位置和形狀。接下來,基板傳送 機(jī)構(gòu)把經(jīng)歷處理前的晶片11傳送到晶片夾具16并將晶片11安放在晶片夾具16上(步驟 S102)。
[0038] 接下來,控制單元7使得對齊測量系統(tǒng)測量基板側(cè)圖案區(qū)域(步驟S103)。更具體 而言,對齊測量系統(tǒng)檢測在晶片11上形成的多個對齊標(biāo)記和在模具8上形成的多個對齊標(biāo) 記,然后控制單元基于檢測結(jié)果計算基板側(cè)圖案區(qū)域的位置和形狀。然后,臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)17 移動晶片11,以使得晶片11上的基板側(cè)圖案區(qū)域位于施加單元5施加樹脂15的施加位置 處。接下來,施加單元5向基板側(cè)圖案區(qū)域施加未固化樹脂15(施加步驟:步驟S104)。然 后,臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)17移動晶片11,以使得晶片11上的基板側(cè)圖案區(qū)域位于在模具8上形成的 圖案區(qū)域8a的正下方的按壓位置處。注意,上述操作只是示例,而本發(fā)明不限于此。雖然 在圖3所示的示例中在步驟S103中在壓印裝置1內(nèi)測量基板側(cè)圖案區(qū)域的位置和形狀,但 可以由不是壓印裝置的另一外部設(shè)置的設(shè)備來預(yù)先測量基板側(cè)圖案的位置和形狀。
[0039] 接下來,控制單元7將晶片11上的基板側(cè)圖案區(qū)域的形狀與模具8上的圖案區(qū)域 8a的形狀相匹配。此時,控制單元7首先參考在步驟S101中獲取的圖案區(qū)域8a的形狀和 在步驟S103中獲取的基板側(cè)圖案區(qū)域的形狀來計算基板側(cè)圖案區(qū)域的形狀相對于圖案區(qū) 域8a的形狀的校正變形量。然后,控制單元7基于校正變形量控制加熱機(jī)構(gòu)6和晶片臺4 來以熱方式改變基板側(cè)圖案區(qū)域的形狀,從而校正基板側(cè)圖案區(qū)域相對于圖案區(qū)域8a的 形狀的偏移(形狀校正步驟:步驟S105)。雖然在上述示例中控制單元7通過計算獲取關(guān) 于校正變形量的信息,但控制單元7也可通過從外部接收關(guān)于校正變形量的信息來獲取關(guān) 于校正變形量的信息。
[0040] 這里,將對在形狀校正步驟中加熱機(jī)構(gòu)6執(zhí)行的操作給出描述。首先,加熱機(jī)構(gòu)6 基于來自控制單元7的照射開始命令使得加熱光源20發(fā)射加熱光22。接下來,加熱機(jī)構(gòu)6 基于來自控制單元7的加熱區(qū)域調(diào)整命令來使得調(diào)整機(jī)構(gòu)21調(diào)整加熱光22的通過區(qū)域26 的大?。娣e)。圖4A和4B是示出從加熱光22的照射側(cè)部分看到的其上形成了基板側(cè)圖 案區(qū)域40的晶片11的示意性平面圖。特別地,圖4A示出了通過加熱機(jī)構(gòu)6要在晶片11上 形成的加熱區(qū)域41和在此情況下加熱區(qū)域41相對于基板側(cè)圖案區(qū)域40的掃描方向。加 熱區(qū)域41是根據(jù)通過區(qū)域26確定的區(qū)域并且表示要被照射到晶片11上的光的區(qū)域。加 熱區(qū)域41具有比模具8上的圖案區(qū)域8a的面積小的面積。首先,晶片臺4移動以使得加 熱區(qū)域41位于基板側(cè)圖案區(qū)域40外部的區(qū)域(外圍部)(在圖4A所示的狀態(tài)中)。接下 來,加熱機(jī)構(gòu)6加熱基板側(cè)圖案區(qū)域40的外圍部,從而借由熱傳導(dǎo)傳遞的熱來向基板側(cè)圖 案區(qū)域40施予溫度分布。另外,晶片臺4在圖4A中的向上方向上移動,以改變基板側(cè)圖案 區(qū)域40與加熱區(qū)域41之間的相對位置。換言之,晶片臺4相對于基板側(cè)圖案區(qū)域40在圖 4A中的向下方向上掃描加熱區(qū)域40。加熱機(jī)構(gòu)6在掃描期間調(diào)整通過區(qū)域40的大小,從 而在基板側(cè)圖案區(qū)域40中生成溫度分布。在本實(shí)施例中,掃描速度是恒定的,但本發(fā)明不 限于此?;鍌?cè)圖案區(qū)域40的形狀可通過根據(jù)變形校正量調(diào)整透射區(qū)域26來校正。
[0041] 通過加熱進(jìn)行的校正優(yōu)選用于校正低階形狀,例如梯形成分等等。通過在加熱區(qū) 域41位于基板側(cè)圖案區(qū)域40外部的狀態(tài)中開始掃描,溫度分布在基板側(cè)圖案區(qū)域40中可 具有恒定的梯度。在圖2所示的調(diào)整機(jī)構(gòu)21的配置中,第一屏蔽構(gòu)件23a和第二屏蔽構(gòu)件 23b相互平行布置,并且第三屏蔽構(gòu)件23c和第四屏蔽構(gòu)件23d相互平行布置。然而,它們不 一定要相互平行布置??刂茊卧?可進(jìn)行控制以使得屏蔽構(gòu)件之間的間距對于要求大熱量 的區(qū)域?qū)挘帘螛?gòu)件之間的間距對于不要求這種大熱量的區(qū)域窄。另外,在本實(shí)施例中, 采用晶片臺4作為掃描機(jī)構(gòu),從而如上所述的溫度分布的施予可通過簡單的裝置配置來實(shí) 現(xiàn)。
[0042] 這里,圖5是示出在一個位置處基板側(cè)圖案區(qū)域40的溫度變動的曲線圖,其中時 間在水平軸上繪出,并且溫度在垂直軸上繪出。如圖5所示,當(dāng)基板側(cè)圖案區(qū)域40被加熱 了固定的時間并然后被停止加熱時,基板側(cè)圖案區(qū)域40上的溫度根據(jù)加熱時間驟然上升, 然后逐漸下降。從而,控制單元7預(yù)測從加熱機(jī)構(gòu)6執(zhí)行的加熱步驟到后續(xù)的固化步驟基 板側(cè)圖案區(qū)域40的溫度變動,并且在形狀校正步驟中參考該預(yù)測。換言之,控制單元7參 考預(yù)測的溫度變動并且在對調(diào)整機(jī)構(gòu)21的操作進(jìn)行調(diào)整的同時向基板側(cè)圖案區(qū)域40施予 熱量,由此基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀在固化步驟完成時可被校正到期望的形狀。
[0043] 優(yōu)選的是,在下文要描述的模具按壓步驟之前執(zhí)行形狀校正步驟。這是因?yàn)?,?過在基板側(cè)圖案區(qū)域40不與圖案區(qū)域8a接觸的情況下加熱基板側(cè)圖案區(qū)域40,基板側(cè)圖 案區(qū)域40的抗變形性變小,從而基板側(cè)圖案區(qū)域40可被順利地變形。在形狀校正步驟完 成之后,在過程轉(zhuǎn)移到后續(xù)的模具按壓步驟之前,也可通過使得壓力調(diào)整設(shè)備調(diào)整與模具8 接觸的空間中的壓力來使模具8變形(彎曲)。另外,壓力調(diào)整設(shè)備對模具8的變形和校正 單元進(jìn)行的校正可以結(jié)合進(jìn)行。另外,雖然在本實(shí)施例中加熱機(jī)構(gòu)6進(jìn)行的加熱是通過模 具8執(zhí)行的,但也可設(shè)在模具8與施加單元5之間設(shè)置加熱光源。利用這種配置,可在施加 步驟和下文將描述的模具按壓步驟之間執(zhí)行形狀校正步驟。換言之,可在晶片臺4在施加 單元5下方和模具8下方之間移動的同時執(zhí)行加熱,從而帶來了生產(chǎn)量的提高。另外,從加 熱機(jī)構(gòu)6發(fā)射的光不一定要被引入到光源10的光路中,由于諸如半反射鏡等的光學(xué)兀件引 起的光減少效果可得以減輕。當(dāng)加熱光源設(shè)在模具8與施加單元5之間時,從光源10發(fā)射 的光的一部分也可用于加熱。
[0044] 接下來,模具驅(qū)動機(jī)構(gòu)13將模具8(圖案區(qū)域8a)按壓在晶片11上的樹脂15上 (模具按壓步驟:步驟S106)。接下來,光照射單元2用紫外光9總體照射被按壓在模具8 上的樹脂15,從而固化樹脂15 (固化步驟:步驟S107)。接下來,模具驅(qū)動機(jī)構(gòu)13將模具 8 (圖案區(qū)域8a)從晶片11上的樹脂15釋放(模具釋放步驟:步驟S108)。接下來,控制單 元7執(zhí)行關(guān)于在晶片11上是否存在要接著在其上形成圖案的壓射區(qū)的確定(步驟S109)。 當(dāng)控制單元7確定存在新壓射區(qū)時,過程轉(zhuǎn)移到步驟S103。接下來,當(dāng)控制單元7在步驟 S109中確定沒有新壓射區(qū)時,控制單元7使得基板傳送機(jī)構(gòu)將晶片11從晶片夾具16取回 (步驟S110)。接下來,控制單元7執(zhí)行關(guān)于是否存在接著要處理的晶片11的確定。當(dāng)控 制單元7確定存在新晶片11時(步驟S111),過程轉(zhuǎn)移到步驟S102。當(dāng)控制單元7在步驟 S111中確定沒有新晶片11時,控制單元7使得模具傳送機(jī)構(gòu)將模具8從模具夾具12取回 (步驟S112),并且操作序列結(jié)束。
[0045] 雖然在步驟S105中的形狀校正步驟中,充當(dāng)掃描機(jī)構(gòu)的晶片臺4被驅(qū)動以掃描基 板側(cè)圖案區(qū)域40,但調(diào)整機(jī)構(gòu)21的一對屏蔽構(gòu)件23a和23b也可被驅(qū)動以掃描加熱區(qū)域 41。通過經(jīng)由驅(qū)動屏蔽構(gòu)件23a和23b來掃描加熱區(qū)域41并且經(jīng)由驅(qū)動屏蔽構(gòu)件23c和 23d來調(diào)整通過區(qū)域26的大小,即使晶片臺4被停止,在基板側(cè)圖案區(qū)域40中也可實(shí)現(xiàn)溫 度分布。利用此布置,在形狀校正步驟中不驅(qū)動晶片臺4,這對于降低功率消耗等等可能是 有利的。
[0046] 相對照地,如果配置被設(shè)定為用于利用調(diào)整機(jī)構(gòu)21來掃描加熱區(qū)域41,則取代基 板側(cè)圖案區(qū)域40,模具8上的圖案區(qū)域8a可被設(shè)定為要變形的目標(biāo)區(qū)域。在此情況下,要 被加熱機(jī)構(gòu)6加熱的對象不是晶片11而是模具8。更具體而言,調(diào)整機(jī)構(gòu)21驅(qū)動模具8的 表面(其上形成圖案區(qū)域8a的表面的背面)上的屏蔽構(gòu)件,以使得加熱區(qū)域41在與圖案 區(qū)域8a相對應(yīng)的區(qū)域上移動。同樣,在此情況下,也可以參考在步驟S101中獲取的圖案區(qū) 域8a的位置和形狀、在步驟S103中獲取的基板側(cè)圖案的位置和形狀等等,使圖案區(qū)域8a 的形狀與基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀相匹配。另外,優(yōu)選的是,通過驅(qū)動晶片臺4來使基板 側(cè)圖案區(qū)域40不存在于圖案區(qū)域8a下方。
[0047] 如上所述,在本實(shí)施例中,加熱機(jī)構(gòu)6通過調(diào)整通過區(qū)域26的大小根據(jù)掃描來改 變每單位時間要施予晶片11的熱量。然而,改變熱量的方法不限于此。例如,也可通過另 外的方法來調(diào)整熱量。例如,可根據(jù)掃描來調(diào)整加熱光源20的輸出(光量),或者也可通過 在加熱光源20與調(diào)整機(jī)構(gòu)21之間設(shè)置加熱光調(diào)整機(jī)構(gòu)(未示出)來調(diào)整加熱光源20的 輸出(光量)。也可調(diào)整加熱區(qū)域41內(nèi)的光量分布。
[0048] 如上所述,在壓印處理期間基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀與圖案區(qū)域8a的形狀匹配 時,壓印裝置1借由加熱機(jī)構(gòu)6和掃描機(jī)構(gòu)以熱方式校正基板側(cè)圖案區(qū)域40和圖案區(qū)域8a 中的至少任一者。根據(jù)本實(shí)施例,加熱光源20和調(diào)整機(jī)構(gòu)21被用作加熱機(jī)構(gòu)6并且現(xiàn)有 的晶片臺4被用作掃描機(jī)構(gòu)。換言之,與傳統(tǒng)壓印裝置中提供的用于以熱方式校正基板側(cè) 圖案區(qū)域40的形狀或圖案區(qū)域8a的形狀的機(jī)構(gòu)相比,可以降低用于安裝這些機(jī)構(gòu)的成本, 從而壓印裝置1對于實(shí)現(xiàn)控制的簡化也可能是有利的。
[0049] 從而,根據(jù)本實(shí)施例,可以提供一種壓印裝置,該壓印裝置對于簡化用于以熱方式 校正預(yù)先存在于晶片11上的基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀或者在模具8上形成的圖案區(qū)域8a 的形狀的機(jī)構(gòu)是有利的。
[0050] (第二實(shí)施例)
[0051] 接下來,將對根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的壓印裝置給出描述。在第一實(shí)施例中描 述的操作序列中,過程在步驟S105中的形狀校正步驟完成之后通過模具按壓步驟轉(zhuǎn)移到 固化步驟,并且控制單元7使得光照射單元2 (固化單元)用紫外光9總體照射基板側(cè)圖案 區(qū)域40上的樹脂15以便固化。相對照地,本實(shí)施例的壓印裝置的特征在于如下事實(shí):形狀 校正步驟和固化步驟是在模具按壓步驟中的用于將樹脂15按壓在圖案區(qū)域8a上的按壓操 作期間或之后同時執(zhí)行的。在本實(shí)施例中,對于與第一實(shí)施例相同的配置和控制將不給出 進(jìn)一步描述。圖4B示出了通過光照射單元2要在晶片11上形成的固化區(qū)域42和在此情 況下加熱區(qū)域41和固化區(qū)域42相對于基板側(cè)圖案區(qū)域40的掃描方向。固化區(qū)域42是具 有比模具8上的圖案區(qū)域8a的面積小的面積的區(qū)域。在此情況下,當(dāng)參考第一實(shí)施例的操 作序列時,控制單元7在完成步驟S104中的施加步驟之后將過程轉(zhuǎn)移到接下來的模具按壓 步驟。
[0052] 在模具按壓步驟中的按壓操作期間或之后,如圖4B所示,控制單元7使得光照射 單元2在與加熱區(qū)域41相鄰的位置處且朝著基板側(cè)圖案區(qū)域40在掃描方向上的下游位置 處形成固化區(qū)域42。換言之,加熱區(qū)域41和固化區(qū)域42在掃描方向上相互并置。然后,控 制單元7在形狀校正步驟中與加熱區(qū)域41的掃描同時地還執(zhí)行固化區(qū)域42的掃描。在掃 描期間,固化區(qū)域42循著用于加熱基板側(cè)圖案區(qū)域40的加熱區(qū)域41經(jīng)過了的部分行進(jìn)。 從而,本實(shí)施例的壓印裝置可從通過加熱區(qū)域41的經(jīng)過而經(jīng)歷形狀校正的基板側(cè)圖案區(qū) 域40的一部分相繼固化基板側(cè)圖案區(qū)域40上的樹脂15。如上所述,根據(jù)本實(shí)施例,可以提 供與第一實(shí)施例的效果相同的效果,并且可以通過縮短過程實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)量。照射面積 (艮P,固化區(qū)域42的光量)只需要能夠固化樹脂15,從而與形成加熱區(qū)域41的情況不同, 不需要被嚴(yán)格控制。
[0053] 另一方面,通過將用于固化樹脂15的紫外光用作要用到加熱光源20的光,也可同 時執(zhí)行形狀校正步驟和固化步驟。如果用于發(fā)射紫外光的光源被用作加熱光源20,則可以 實(shí)現(xiàn)光照射單元2的光源和加熱光源20的共同性。此時,可共同設(shè)定要在基板側(cè)圖案區(qū)域 40上形成的加熱區(qū)域和固化區(qū)域,控制單元7執(zhí)行對共同光源的控制以使得變形基板側(cè)圖 案區(qū)域40所需的熱量被添加到固化樹脂15所需的光量。通過從基板側(cè)圖案區(qū)域40的外部 借由加熱光源20用光照射基板側(cè)圖案區(qū)域40,基板側(cè)圖案區(qū)域40可通過熱傳遞在+X軸方 向上從基板側(cè)圖案區(qū)域40的區(qū)域相繼經(jīng)歷形狀校正。根據(jù)這個配置,不需要提供新的加熱 光源20,從而通過采用光照射單元2的光源作為加熱光源,可以進(jìn)一步簡化用于以熱方式 校正基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀的機(jī)構(gòu)的配置。另外,當(dāng)在基板側(cè)圖案區(qū)域40上掃描要加 熱和固化的區(qū)域時,基板側(cè)圖案區(qū)域40的測量和形狀校正步驟同時與固化步驟并發(fā)執(zhí)行, 由此能夠以高精確度執(zhí)行形狀校正。通過在壓印裝置1執(zhí)行的過程之前利用另一裝置預(yù)先 測量基板側(cè)圖案區(qū)域40的位置,壓印裝置1的結(jié)構(gòu)可得以簡化。
[0054] (第三實(shí)施例)
[0055] 接下來,將對根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的壓印裝置給出描述。在第一實(shí)施例中,當(dāng) 基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀與圖案區(qū)域8a的形狀匹配時,通過使用加熱機(jī)構(gòu)6來以熱方式 校正基板側(cè)圖案區(qū)域40的形狀或圖案區(qū)域8a的形狀。相對照地,本實(shí)施例的壓印裝置的 特征在于以下事實(shí):除了如上所述的熱形狀校正以外,模具8(圖案區(qū)域8a)還經(jīng)歷通過使 用倍率校正機(jī)構(gòu)進(jìn)行的機(jī)械形狀校正。在本實(shí)施例中,對于與第一實(shí)施例相同的配置和控 制將不給出進(jìn)一步描述。圖6是示出本實(shí)施例的壓印裝置50的配置的示意圖。壓印裝置 50具有與上述實(shí)施例的壓印裝置1的配置基本相同的配置,除了構(gòu)成模具保持機(jī)構(gòu)3的模 具夾具12具有通過向模具8施予外力來使圖案區(qū)域8a的形狀變形的倍率校正機(jī)構(gòu)(模具 校正機(jī)構(gòu))51以外。多個致動器優(yōu)選用作倍率校正機(jī)構(gòu)51。在此情況下,當(dāng)參考第一實(shí)施 例的操作序列時,控制單元7使得倍率校正機(jī)構(gòu)51在步驟S105中的形狀校正步驟之前或 之后或者在模具按壓步驟中的按壓操作期間或之后執(zhí)行第二形狀校正步驟。
[0056] 此時,控制單元7基于在步驟S101和S103中獲得的位置和形狀的測量結(jié)果來計 算變形校正量。然后,控制單元7通過執(zhí)行步驟S105中的形狀校正步驟中的形狀校正和第 二形狀校正步驟中的形狀校正來按計算出的變形校正量執(zhí)行校正。利用此布置,可提供與 第一實(shí)施例的效果相同的效果,并且與在步驟S105中僅通過熱進(jìn)行形狀校正的情況相比 可以減少向基板側(cè)圖案區(qū)域40的外圍的熱擴(kuò)散。這里,在通過外力校正圖案區(qū)域8a的形 狀的第二形狀校正步驟中,高階形狀偏差被容易地校正。從而,例如,優(yōu)選的是,在形狀校正 步驟中以熱方式校正具有大的變形校正量的梯形成分(低階形狀偏差)并且在第二形狀校 正步驟中機(jī)械地校正其他形狀成分。從而,控制單元7可以基于測量結(jié)果從變形校正量提 ?。ǐ@?。┑碗A成分(第一信息)和高階成分(第二信息)以將這些提取出的成分用在形 狀校正步驟中。低階形狀的示例除了梯形成分以外還包括諸如弓形成分、筒狀成分、枕形成 分等的變形成分。作為形狀校正步驟的順序的示例,考慮到響應(yīng)性,由倍率校正機(jī)構(gòu)51執(zhí) 行的第二形狀校正步驟可在步驟S105中的形狀校正步驟之前執(zhí)行。在上述實(shí)施例中,對于 當(dāng)在基板側(cè)圖案區(qū)域40上掃描要加熱和固化的區(qū)域時與固化步驟并發(fā)地形狀校正步驟和 基板側(cè)圖案區(qū)域40的測量的同時執(zhí)行給出了描述。類似地,當(dāng)在基板側(cè)圖案區(qū)域40上掃 描要加熱和固化的區(qū)域時,基板側(cè)圖案區(qū)域40的測量和第二形狀校正步驟也可與固化步 驟并發(fā)地同時執(zhí)行。另外,通過執(zhí)行以下形狀校正步驟中的至少任一者,可以以高精確度進(jìn) 行校正:第二形狀校正步驟或步驟S105中的形狀校正步驟。
[0057] (第四實(shí)施例)
[0058] 接下來,將對根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例的壓印裝置給出描述。本實(shí)施例的壓印裝 置包括與第一至第三實(shí)施例中描述的加熱機(jī)構(gòu)不同的加熱機(jī)構(gòu),并且該加熱機(jī)構(gòu)包括對從 施加單元5的噴射噴嘴噴射的樹脂15加熱的加熱器。在本實(shí)施例中,對于與第一實(shí)施例相 同的配置和控制將不給出進(jìn)一步描述。圖7是示出本實(shí)施例的加熱機(jī)構(gòu)的配置的圖。施加 單元5包括多個噴射噴嘴(噴射口)5a至5x,加熱機(jī)構(gòu)包括多個加熱器(熱源)19a至19x, 并且每個加熱器對從每個噴射噴嘴噴射的樹脂15加熱。施加控制單元7a控制施加的樹脂 15的量,并且溫度控制單元7b控制加熱器19a至19x的溫度。通過控制相互不同的加熱 器19a至19x的溫度,可對從施加單元5施加到晶片11上的樹脂15施予溫度分布。注意, 從施加單元5 -次將樹脂15施加于的區(qū)域小于模具8上的圖案區(qū)域8a和基板側(cè)圖案區(qū)域 40。施加單元5在借由晶片臺4(掃描單元)掃描基板側(cè)圖案區(qū)域40的同時向基板側(cè)圖案 區(qū)域40施加樹脂15,由此樹脂15可被涂覆到基板側(cè)圖案區(qū)域40的整個表面上。
[0059] 根據(jù)本實(shí)施例,在控制加熱器19a至19x中的每一個的溫度的同時向基板側(cè)圖案 區(qū)域40施加樹脂15,由此加熱機(jī)構(gòu)根據(jù)掃描改變每單位時間要施予晶片11的熱量。從而, 可向基板側(cè)圖案區(qū)域40施予溫度分布。
[0060] (第五實(shí)施例)
[0061] 接下來,將對根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例的壓印裝置給出描述。本實(shí)施例的壓印裝 置除了第一至第四實(shí)施例中描述的加熱機(jī)構(gòu)(第一加熱機(jī)構(gòu))以外還包括第二加熱機(jī)構(gòu)。 在本實(shí)施例中,對于與第一實(shí)施例相同的配置和控制將不給出進(jìn)一步描述。第二加熱機(jī)構(gòu) 是第一至第四實(shí)施例中描述的加熱機(jī)構(gòu)中的任何一種并且具有與第一加熱機(jī)構(gòu)的配置不 同的配置??勺们榻M合第一加熱機(jī)構(gòu)和第二加熱機(jī)構(gòu)的配置。
[0062] 壓印裝置的控制單兀7獲取關(guān)于變形校正量的第一加熱信息,基于第一加熱信息 控制第一加熱機(jī)構(gòu),獲取關(guān)于變形校正量的第二加熱信息,并且基于第二加熱信息控制第 二加熱機(jī)構(gòu)。第二加熱信息例如是預(yù)先存儲在存儲單元中的變形校正量,而第一加熱信息 例如是從步驟S101或S103中的測量結(jié)果計算的變形校正量。這樣,可利用第二加熱機(jī)構(gòu) 進(jìn)行粗略校正,并且可利用第一加熱機(jī)構(gòu)以比第二加熱機(jī)構(gòu)所需的熱量更小的熱量進(jìn)行校 正的微調(diào)。
[0063] 根據(jù)本實(shí)施例,利用第二加熱機(jī)構(gòu)與第一加熱機(jī)構(gòu)一起校正基板側(cè)圖案區(qū)域的形 狀,可以減輕第一加熱機(jī)構(gòu)的負(fù)擔(dān)。換言之,可以減小第一加熱機(jī)構(gòu)的大小,由此可以減少 從第一加熱機(jī)構(gòu)到外圍部傳遞的非意圖的熱。
[0064](物品制造方法)
[0065] 用于制造作為物品的器件(半導(dǎo)體集成電路元件、液體顯示元件等)的方法可包 括利用上述壓印裝置在基板(晶片、玻璃板、膜狀基板等等)上形成圖案的步驟。另外,制 造方法可包括蝕刻其上形成了圖案的基板的步驟。當(dāng)制造諸如帶圖案介質(zhì)(存儲介質(zhì))、光 學(xué)元件等的其他物品時,取代蝕刻步驟,制造方法可包括處理其上形成了圖案的基板的另 一步驟。本實(shí)施例的物品制造方法與傳統(tǒng)的物品制造方法相比,在物品的性能、質(zhì)量、生產(chǎn) 力和生產(chǎn)成本中的至少一者上具有優(yōu)點(diǎn)。
[0066] 雖然已參考示范性實(shí)施例描述了本發(fā)明的實(shí)施例,但要理解本發(fā)明不限于所公開 的示范性實(shí)施例。所附權(quán)利要求的范圍應(yīng)符合最寬泛的解釋以涵蓋所有這樣的修改以及等 同結(jié)構(gòu)和功能。
[0067] 本申請要求2012年1月27日提交的日本專利申請No. 2012-015558和2013年1 月18日提交的日本專利申請No. 2013-006827的權(quán)益,特此通過引用將這些日本專利申請 的全部內(nèi)容并入在此。
【權(quán)利要求】
1. 一種使用模具在基板的待處理區(qū)域上形成樹脂的圖案的壓印裝置,模具包括在其上 形成有圖案的圖案區(qū)域,所述壓印裝置包括: 校正單元,被配置為校正目標(biāo)區(qū)域的形狀,目標(biāo)區(qū)域是模具上的圖案區(qū)域或者基板上 的待處理區(qū)域, 其中,校正單元進(jìn)一步包括: 加熱單元,被配置為在加熱區(qū)域中對與模具或基板的目標(biāo)區(qū)域相對應(yīng)的對象進(jìn)行加 熱,加熱區(qū)域的面積小于模具上的圖案區(qū)域的面積; 掃描單元,被配置為通過改變目標(biāo)區(qū)域和加熱區(qū)域的相對位置來相對于目標(biāo)區(qū)域掃描 加熱區(qū)域;以及 控制單元,被配置為獲取關(guān)于目標(biāo)區(qū)域的校正變形量的信息并且基于該信息來控制加 熱單元和掃描單元。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,加熱單元依賴于掃描來改變每單位時間要 向所述對象施予的熱量。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,加熱單元包括光源和光量調(diào)整單元,光量調(diào) 整單元調(diào)整從光源發(fā)射并照射到所述對象上的光的光量。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的壓印裝置,其中,光量調(diào)整單元被布置在光源與所述對象之 間,并且包括屏蔽從光源發(fā)射的光的一部分的可移動屏蔽構(gòu)件。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,控制單元在加熱區(qū)域位于目標(biāo)區(qū)域外部的 狀態(tài)中使掃描單元開始掃描。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,掃描單元被布置在光源與所述對象之間并 且包括屏蔽從光源發(fā)射的光的一部分的一對可移動屏蔽構(gòu)件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,目標(biāo)區(qū)域是基板上的待處理區(qū)域,并且掃描 單元包括移動體驅(qū)動單元,移動體驅(qū)動單元被配置為驅(qū)動在保持基板的同時能夠移動的移 動體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的壓印裝置,還包括: 固化單元,被配置為在固化區(qū)域中固化樹脂,固化區(qū)域具有比模具上的圖案區(qū)域的面 積小的面積,并被設(shè)置在基板上, 其中,目標(biāo)區(qū)域是基板上的待處理區(qū)域,加熱區(qū)域和固化區(qū)域在掃描單元的掃描方向 上在基板上相互并置,并且在掃描單元進(jìn)行的掃描期間,在加熱區(qū)域經(jīng)過了所述待處理區(qū) 域之后固化區(qū)域經(jīng)過所述待處理區(qū)域。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,還包括: 施加單元,具有多個噴射口并且向基板施加經(jīng)由所述多個噴射口噴射的樹脂, 其中,目標(biāo)區(qū)域是基板上的待處理區(qū)域,并且加熱單元包括對從所述多個噴射口噴射 的樹脂加熱的熱源。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,其中,校正單元還包括用于向模具施加力的多個 致動器,并且控制單元獲取關(guān)于模具上的圖案區(qū)域的校正變形量的第二信息,并基于第二 信息來控制所述多個致動器。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的壓印裝置,還包括: 施加單元,被配置為向基板施加樹脂; 模具保持單元,被配置為保持模具; 移動體,被配置為在保持基板的同時能夠移動;以及 第二加熱單元,被配置為對基板加熱, 其中,目標(biāo)區(qū)域是基板上的待處理區(qū)域,并且控制單元獲取關(guān)于目標(biāo)區(qū)域的校正變形 量的第一加熱信息和第二加熱信息,基于第一加熱信息控制加熱單元和掃描單元,并且基 于第二加熱信息控制第二加熱單元。
12. -種物品制造方法,包括: 使用壓印裝置在基板上形成樹脂的圖案;以及 處理其上形成了圖案的基板, 其中,壓印裝置使用模具在基板的待處理區(qū)域上形成樹脂的圖案,模具包括在其上形 成有圖案的圖案區(qū)域,壓印裝置包括: 校正單元,被配置為校正目標(biāo)區(qū)域的形狀,目標(biāo)區(qū)域是模具上的圖案區(qū)域或者基板上 的待處理區(qū)域, 其中,校正單元進(jìn)一步包括: 加熱單元,被配置為在加熱區(qū)域中對與模具或基板的目標(biāo)區(qū)域相對應(yīng)的對象進(jìn)行加 熱,加熱區(qū)域的面積小于模具上的圖案區(qū)域的面積; 掃描單元,被配置為通過改變目標(biāo)區(qū)域和加熱區(qū)域的相對位置來相對于目標(biāo)區(qū)域掃描 加熱區(qū)域;以及 控制單元,被配置為獲取關(guān)于目標(biāo)區(qū)域的校正變形量的信息并且基于該信息來控制加 熱單元和掃描單元。
【文檔編號】H01L21/027GK104067373SQ201380006253
【公開日】2014年9月24日 申請日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月27日
【發(fā)明者】松田陽三, 長谷川敬恭, 樋浦充, 林達(dá)也 申請人:佳能株式會社