超導(dǎo)線的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種超導(dǎo)線，其可以維持不必實(shí)施機(jī)械拋光等就能夠?qū)崿F(xiàn)的基板表面的平滑性及高密合強(qiáng)度，同時(shí)可以得到良好的臨界電流特性。該超導(dǎo)線為如下構(gòu)成：將原料溶液涂布在輪廓最大高度Rz為10nm以上的基板10上由此形成第1中間層21，第1中間層21的表面平滑性得以提高，在第1中間層上所形成的第2中間層22的取向性和平滑性得以提高，并且氧化物超導(dǎo)層30的臨界電流也得到了提高。另外，該超導(dǎo)線還為如下構(gòu)成：通過以2層以上的涂布薄膜層21i的形式形成第1中間層21、并按照最上層的涂布薄膜層的膜厚薄于最下層的涂布薄膜層的膜厚的方式進(jìn)行成膜，和/或通過使最上層的涂布薄膜層所使用的原料溶液的濃度小于最下層的涂布薄膜層所使用的原料溶液，由此來提高第1中間層21的表面平滑性。
【專利說明】超導(dǎo)線
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在基板上成膜有中間層、超導(dǎo)層的超導(dǎo)線，特別是涉及通過成膜出平滑性優(yōu)于基板表面平滑性的中間層從而可以得到良好的臨界電流特性(高臨界電流)的超導(dǎo)線。
【背景技術(shù)】
[0002]為了得到作為線材所要求的強(qiáng)度和可撓性等，通常的超導(dǎo)線具有如下所述的結(jié)構(gòu):例如以金屬帶等作為基板，在該基板上形成氧化物層(I層或多層)作為中間層，然后在該中間層之上形成由氧化物超導(dǎo)體構(gòu)成的超導(dǎo)層，進(jìn)一步在超導(dǎo)層之上形成用于保護(hù)該超導(dǎo)層、使局部放熱發(fā)散等的保護(hù)層(也稱為穩(wěn)定化層)。
[0003]超導(dǎo)線中的臨界電流依賴于超導(dǎo)層的面內(nèi)取向性。上述的超導(dǎo)線中，超導(dǎo)層的面內(nèi)取向性受中間層的表面平滑性(表面粗糙度)和面內(nèi)取向性的影響，并且中間層的表面平滑性受基板的表面平滑性的影響。
[0004]因此，為了得到中間層的良好的表面平滑性(例如算術(shù)平均粗糙度Ra為Inm?2nm以下。以下，算術(shù)平均粗糙度Ra有時(shí)僅記為“粗糙度Ra”。)，需要通過機(jī)械拋光和/或電解拋光等使基板平滑化。但是，無法否認(rèn)利用通常的機(jī)械拋光有可能導(dǎo)致基板的平滑性局部不充分。
[0005]在此，作為成膜得到具有所期望的表面平滑性和面內(nèi)取向性的中間層的技術(shù)，已知有 IBAD 法(1n Beam Assisted Deposition:離子束輔助沉積法)、MOD 法(MetalOrganic Deposition:有機(jī)金屬鹽涂布分解法)等，相比于為真空工藝的IBAD法等,為非真空工藝的MOD法的成本較低。另外，利用濺射法或沉積法的情況下，難以使中間層的表面平滑性高于基板的表面平滑性，因此首先基板需要具有良好的平滑性。
[0006]由于上述情況，為了在超導(dǎo)線中得到高臨界電流，在專利文獻(xiàn)I中公開了如下技術(shù):通過電解拋光使基板的表面平滑化，然后通過MOD法形成中間層，所述電解拋光是一種難以產(chǎn)生局部平滑性不充分的平滑化方法。另外，在專利文獻(xiàn)2中公開了一種超導(dǎo)線的成膜技術(shù)，其中，對(duì)進(jìn)行了電解拋光的基板實(shí)施浸潰/涂布，然后通過IBAD法形成中間層等。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2011-096510號(hào)公報(bào)
[0010]專利文獻(xiàn)2:美國(guó)專利8088503號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]發(fā)明所要解決的課題
[0012]但是，基板的拋光工序是導(dǎo)致超導(dǎo)線的制造成本上升的主要因素，并且存在如下問題:對(duì)于機(jī)械拋光來說，不可否認(rèn)的是由于局部的拋光不良會(huì)導(dǎo)致成品率降低。另外，若提高基板的表面平滑性，則基板與中間層的密合強(qiáng)度(以下有時(shí)記為“密合強(qiáng)度”。)降低。即，對(duì)于提高基板的表面平滑性和密合強(qiáng)度這兩者來說，存在一定的限度。
[0013]因此，本發(fā)明的課題是提供一種超導(dǎo)線，其中，通過形成具有良好的表面平滑性的中間層，可以得到良好的臨界電流特性，并且可以得到高密合強(qiáng)度。
[0014]解決課題的手段
[0015]為了解決上述課題，本發(fā)明的超導(dǎo)線具有:基板，其具有表面的輪廓最大高度Rz為IOnm以上的成膜面；中間層，其具備具有在上述成膜面上形成的涂布膜的第I中間層、和形成于上述第I中間層上并進(jìn)行了雙軸取向的第2中間層；氧化物超導(dǎo)層，其成膜于上述中間層上。
[0016]此處，在該超導(dǎo)線中，上述第I中間層由2層以上的涂布薄膜層構(gòu)成，在上述第I中間層的最外表面所形成的最外表面涂布薄膜層按照薄于在上述成膜面上所形成的第I涂布薄膜層的方式形成，由此可以使得上述第I中間層的表面平滑性優(yōu)于涂布有上述第I中間層的上述基板的表面平滑性。另外，通過使得用于成膜得到在上述第I中間層的最外表面形成的最外表面涂布薄膜層的原料溶液的粘度低于用于成膜得到在上述成膜面上形成的第I涂布薄膜層的上述原料溶液的粘度，由此使上述第I中間層的表面平滑性優(yōu)于上述基板的表面平滑性。
[0017]對(duì)于上述2層以上的涂布薄膜層的各涂布薄膜層來說，優(yōu)選隨著與上述成膜面的表面的距離越遠(yuǎn)，上述涂布薄膜層的膜厚形成得越薄。另外，優(yōu)選隨著與上述基板的距離越遠(yuǎn)，則使用粘度越小的原料溶液進(jìn)行成膜。由此，可以進(jìn)一步提高上述第I中間層的表面平滑性。
[0018]此處，在上述基板的表面上，粗糙度Rz越大則密合強(qiáng)度因所謂的固著效果(7 y力一効果)而越高，因此優(yōu)選表面的輪廓最大高度Rz為IOnm以上。另外,上述第I中間層的表面平滑性對(duì)流經(jīng)超導(dǎo)層的臨界電流會(huì)產(chǎn)生影響，因此優(yōu)選上述第I中間層的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為5nm以下。
[0019]在該超導(dǎo)線中，在基板表面的平滑性比以往粗糙的基板上成膜有具有良好的表面平滑性的上述第I中間層。因此，對(duì)于該超導(dǎo)線而言，上述基板即使是通過軋制成型而成的，即，基板的表面平滑性為通過軋制而能夠?qū)崿F(xiàn)的程度，也可以成膜得到具有良好的表面平滑性的上述第I中間層，可以具有良好的臨界電流特性。
[0020]上述涂布薄膜層可以通過MOD法進(jìn)行成膜，可以將膜厚設(shè)為例如300nm?lOOOnm。MOD法是將溶解了有機(jī)金屬化合物的原料溶液涂布于基板上，然后對(duì)其進(jìn)行加熱使其熱分解從而在基板上成膜出薄膜的非真空工藝，由于能夠以低成本進(jìn)行高速成膜，因此適于制造長(zhǎng)條的帶狀氧化物超導(dǎo)線。并且上述第2中間層也可以通過離子束輔助沉積法來形成，這種情況下，上述涂布薄膜層優(yōu)選為無定形狀的薄膜。
[0021]發(fā)明效果
[0022]根據(jù)本發(fā)明可以提供一種超導(dǎo)線，其通過基板的表面平滑性來維持基板與中間層之間的高密合強(qiáng)度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)中間層的良好的表面平滑性，并且能夠得到高臨界電流。
[0023]另外，根據(jù)本發(fā)明可以成膜得到表面平滑性優(yōu)異的中間層，因此無需對(duì)基板實(shí)施拋光。例如，可以在利用軋制成型后的基板上在不實(shí)施拋光的條件下成膜出第I中間層，因此可以削減超導(dǎo)線的制造成本。
[0024]當(dāng)然，即使是對(duì)基板實(shí)施拋光的情況下，由于可以在表面平滑性比較粗糙的基板的表面上成膜出表面平滑性優(yōu)異的中間層，因此也可以削減超導(dǎo)線的制造成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1是用于說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的超導(dǎo)線的示意性構(gòu)成的圖。
[0026]圖2是用于說明圖1所示的超導(dǎo)線的第I中間層的一個(gè)示例的圖。
[0027]圖3是用于說明圖1所示的超導(dǎo)線的示意性截面構(gòu)成的圖。
[0028]圖4是示出圖1所示的超導(dǎo)線中的第I中間層的表面粗糙度Ra(床層(?'y K層)Ra)與臨界電流的關(guān)系的一個(gè)示例的曲線圖。
[0029]圖5是示出圖1所示的超導(dǎo)線中的基板表面粗糙度Rz(基板Rz)與密合強(qiáng)度的關(guān)系的一個(gè)示例的曲線圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]以下參考附圖和表對(duì)本發(fā)明的超導(dǎo)線進(jìn)行說明。
[0031]<超導(dǎo)線的示意性構(gòu)成>
[0032]圖1中示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的超導(dǎo)線I的示意性構(gòu)成。超導(dǎo)線I具有如下構(gòu)成:在基板10之上依次成膜有中間層20、超導(dǎo)層(氧化物超導(dǎo)層)30、保護(hù)層40。
[0033]< 基板 >
[0034]基板10成型為帶狀，并且其主面之中的至少一個(gè)面(表面)為成膜面。基板10由強(qiáng)度和耐熱性優(yōu)異的低磁性的非取向性金屬、非取向性陶瓷等構(gòu)成。作為用于基板的金屬材料，例如可以使用強(qiáng)度和耐熱性優(yōu)異的Co、Cu、N1、T1、Mo、Nb、Ta、W、Mn、Fe、Ag、Cr等金屬或它們的合金(以下有時(shí)將金屬或合金僅記為“金屬”)。特別優(yōu)選在耐蝕性和耐熱性方面優(yōu)異的不銹鋼、哈斯特洛伊鎳基耐蝕耐熱合金(注冊(cè)商標(biāo))、其他的鎳系合金。另外，在這些各種金屬材料上可以搭配各種陶瓷。另外，作為陶瓷基材的材料，可以使用例如MgO、SrTiO3、或者釔穩(wěn)定氧化鋯等。
[0035]基板10為金屬時(shí)，例如可以一邊利用軋制輥對(duì)卷繞于卷軸上的金屬板進(jìn)行軋制一邊形成所期望的寬度、膜厚、和長(zhǎng)度的基板。通過適當(dāng)控制該軋制工序，即，例如，考慮到金屬板的成分組成，通過適當(dāng)控制基于軋制輥的軋制次數(shù)、軋制輥的表面平滑性、軋制壓力、軋制時(shí)的溫度等，可以使基板10的表面形成所期望的粗糙度(例如粗糙度Rz為IOnm以上)。
[0036]〈中間層〉
[0037]中間層20成膜于基板10的表面(成膜面)IOs之上，其是介在于基板10和超導(dǎo)層30之間而用于實(shí)現(xiàn)超導(dǎo)層30中的高面內(nèi)取向性的層。并且中間層20還具有作為基板10和超導(dǎo)層30之間的緩沖層的功能，例如抑制基板10所含有的元素向超導(dǎo)層30擴(kuò)散、以及緩和基板10與超導(dǎo)層30的熱膨脹率的不同所產(chǎn)生的影響。中間層20具有第I中間層21和第2中間層22。第I中間層21成膜于基板10的表面(成膜面)IOs之上，第2中間層22成膜于第I中間層21的表面21s之上。
[0038]需要說明的是，“成膜于基板10的表面(成膜面)10s之上”意味著包括直接成膜于基板10成型后狀態(tài)下的表面(成膜面)IOs上、和成膜于基板10成型后經(jīng)過一些加工工序等的表面(成膜面)10s上。即，本發(fā)明中的“表面上”、“基板上”與上述“表面(成膜面)IOs之上”含義相同。
[0039]〈第I中間層〉
[0040]第I中間層21是通過例如MOD法將原料溶液涂布于基板10的表面IOs之上而成膜得到的。此時(shí)所涂布的原料溶液如下制備:將Gd2Zr2CVs (-K 8〈1、以下有時(shí)記為“GZ0”。)、YAlO3 (鋁酸釔)、YSZ (氧化釔穩(wěn)定氧化鋯)、Y2O3> Gd2O3' Al2O3' B2O3' Sc203、Cr2O3>REZrO、CeO2、PrO2、和RE2O3等稀土氧化物(RE表示單獨(dú)一種稀土元素或2種以上稀土元素。)混合于例如含有三氟乙酸鹽、環(huán)烷酸鹽、辛酸鹽、乙酰丙酸鹽、新癸酸鹽的任意一種以上的溶液中而形成金屬有機(jī)酸鹽溶液。這種情況下，原料溶液并非限定于上述物質(zhì)。為了提高面內(nèi)取向性 ，優(yōu)選使用GZO、CeO2或PrO2等。
[0041]涂布可以通過例如日本特開2010-274241號(hào)公報(bào)所公開的模涂法來進(jìn)行。模涂法是一種如下所述的技術(shù):一邊連續(xù)輸送長(zhǎng)條基材(例如本發(fā)明中的基板10)，一邊使用在該長(zhǎng)條基材的表面上隔開規(guī)定的間隔而相向配置的具有內(nèi)腔的涂布模具來涂布原料溶液從而成膜出薄膜(涂布薄膜)。
[0042]模涂法可以按照一邊以規(guī)定的壓力向內(nèi)腔內(nèi)供給原料溶液、一邊使由原料溶液所產(chǎn)生的對(duì)涂布模具的反作用力保持規(guī)定的值的方式來控制賦予在涂布模具上的對(duì)基材的負(fù)荷，由此在長(zhǎng)條基材的表面上成膜出薄膜。因此，通過模涂法可以在對(duì)長(zhǎng)條基材的移送速度、長(zhǎng)條基材及模具的表面的凹凸幾乎無影響的條件下連續(xù)且高速地成膜出膜厚精度高的薄膜。當(dāng)然，也可以適當(dāng)改變用于成膜出薄膜的原料溶液的粘度。
[0043]如圖2所示，通過上述的涂布技術(shù)在基板10上成膜出構(gòu)成第I中間層的n層涂布薄膜層21i(i=l、2……n)。例如設(shè)為n=2~10時(shí)，成膜出2~10層的涂布薄膜層21i。涂布薄膜層21i (i=l，第I涂布薄膜層)距基板10的成膜面最近，相反，涂布薄膜層21i (i=n,最外表面涂布薄膜層)距基板10最遠(yuǎn)。并且，例如在這些涂布薄膜層21i中，可以使i=l的層(第I涂布薄膜層)的膜厚最厚，隨著變?yōu)閕=2、3……n，換而言之隨著遠(yuǎn)離基板10，使膜厚逐漸變薄來進(jìn)行成膜。通過使膜厚如上所述變化，可以調(diào)整基板10與第I中間層21的密合性以及第I中間層21的表面形狀。通過使涂布薄膜層21i(i=l，第I涂布薄膜層)的膜厚增厚，可以將存在于基板10的表面上的凹凸填埋，從而可以提高密合性。另外，通過使涂布薄膜層21i(i=n，最外表面涂布薄膜層)的膜厚變薄，可以確保第I中間層21的最外表面的平坦性。
[0044]另外，這些涂布薄膜層21i中，還可以利用粘度最高的原料溶液成膜出i=l的層(第I涂布薄膜層)，隨著變?yōu)閕=2、3……n，換而言之隨著遠(yuǎn)離基板10，利用粘度逐漸降低的原料溶液進(jìn)行成膜。通過改變?cè)先芤旱恼扯纫部梢哉{(diào)整基板10與涂布薄膜層21i的密合性以及涂布薄膜層21i的表面形狀。通過提高用于涂布薄膜層21i (i=l，第I涂布薄膜層)的原料溶液的粘度，可以將存在于基板10(成膜面)的表面上的凹凸填埋，從而可以提高基板10與第I中間層21的密合性。另外，通過降低用于涂布薄膜層21i (i=n)的原料溶液的粘度，可以確保第I中間層21的最外表面的平坦性。
[0045]如此在基板10的表面(成膜面)IOs之上成膜出具有2層以上涂布薄膜層21i的第I中間層21，由此可以使得第I中間層21的表面平滑性優(yōu)于基板10的表面(成膜面)IOs的平滑性。例如，即使基板10的成膜面的輪廓最大高度(表面IOs的最大粗糙度)Rz為IOnm,也可以按照第I中間層21的表面粗糙度(表面21s的粗糙度)Ra為5nm以下進(jìn)行成膜。在此，為了維持密合強(qiáng)度，基板10的成膜面的輪廓最大高度(表面最大粗糙度)Rz優(yōu)選為IOnm以上。另外，為了使第I中間層21的表面平滑性良好，Rz優(yōu)選為30nm以下。另夕卜，為了使第I中間層21的表面平滑性更加良好，Rz更優(yōu)選為20nm以下。在此，算術(shù)平均粗糙度Ra和輪廓最大高度Rz是基于日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)JIS B0601:2001而得到的。
[0046]對(duì)于第I中間層21的膜厚沒有特別限定，為了使第I中間層21的算術(shù)平均粗糙度Ra為5nm以下，膜厚優(yōu)選為300nm以上。另外，從成本方面出發(fā)，膜厚優(yōu)選為IOOOnm以下。另外，從作為緩沖層的功能和提高第2中間層22的取向性的觀點(diǎn)出發(fā)，第I中間層21更優(yōu)選為400nm以上；從抑制基板10的翹曲這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，第I中間層21更優(yōu)選為SOOnm以下。
[0047]當(dāng)然，即使是使第I中間層21的膜厚為300nm以下時(shí)，通過調(diào)整第I中間層21中的涂布薄膜層21i的涂布厚度和原料溶液的粘度也可以使第I中間層21的算術(shù)平均粗糙度Ra為5nm以下，因此第I中間層21的膜厚并非限定為300nm以上。
[0048]〈第2中間層〉
[0049]第2中間層22具有雙軸取向性且成膜于第I中間層21的表面21s之上，其是用于使超導(dǎo)層30的結(jié)晶向一定方向發(fā)生取向的層。如圖3所示，第2中間層22具有分別以例如MgO、LaMnO3、CeO等多晶材料作為主要成分的MgO層22a、LaMnO3層22b和CeO2層22c的2層以上的薄膜層。該第2中間層22可以是其一部分或全部以強(qiáng)制取向?qū)?特別是圖3中的MgO)的方式形成，該強(qiáng)制取向?qū)涌梢酝ㄟ^IBAD法形成。在強(qiáng)制取向?qū)油ㄟ^IBAD法形成的情況下，成膜有強(qiáng)制取向?qū)拥牡贗中間層21的表面優(yōu)選為無定形膜。
[0050]<超導(dǎo)層>
[0051]超導(dǎo)層30成膜于中間層20的表面20s之上。超導(dǎo)層30由氧化物超導(dǎo)體構(gòu)成，并且以例如YBa2Cu307_s (以下有時(shí)也記為“YBC0”。)為主要成分。
[0052]其他方面，超導(dǎo)層30也可以是將以例如Bi2Sr2CaCu208+s (也包括在Bi位摻雜Pb的結(jié)構(gòu))、Bi2Sr2Ca2Cu3Oltl+s (也包括在 Bi 位摻雜 Pb 的結(jié)構(gòu))、(La、Ba)2Cu04_s、(Ca、Sr)Cu02_s [Ca 位也可以為 Ba]、(Nd、Ce) 2Cu04_s、(Cu、Mo) Sr2 (Ce、Y) sCu20 [稱為(Cu、Mo) _12s2，s=l、2、3、4]、Ba(Pb、Bi)03* Tl2Ba2CalriCunCV4 (n為2以上的整數(shù)。)等組成式表示的氧化物作為主要成分。
[0053]<保護(hù)層>
[0054]為了保護(hù)超導(dǎo)層30，在超導(dǎo)層30的表面之上成膜有以銀、金等貴金屬或它們的合金為材料的保護(hù)層40。
[0055]實(shí)施例
[0056]為了研究超導(dǎo)線I中的、基板10的成膜面的輪廓最大高度Rz和第I中間層21的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra、第I中間層21和基板10的密合強(qiáng)度以及臨界電流Ic的關(guān)系，制作了表I所示的超導(dǎo)線I的多個(gè)樣品。
[0057][表 I]
【權(quán)利要求】
1.一種超導(dǎo)線，其特征在于，該超導(dǎo)線具有: 基板，其具有表面的輪廓最大高度Rz為IOnm以上的成膜面； 中間層，其具備具有在所述成膜面上形成的涂布膜的第I中間層、和形成于所述第I中間層上并進(jìn)行了雙軸取向的第2中間層；和 氧化物超導(dǎo)層，其形成于所述中間層上。
2.如權(quán)利要求1所述的超導(dǎo)線，其特征在于，所述第I中間層的表面的算術(shù)平均粗糙度Ra為5nm以下。
3.如權(quán)利要求1或2所述的超導(dǎo)線，其特征在于，所述第I中間層由2層以上的涂布薄膜層構(gòu)成，在所述第I中間層的最外表面所形成的最外表面涂布薄膜層按照薄于在所述成膜面上所形成的第I涂布薄膜層的方式而形成。
4.如權(quán)利要求1?3任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)線，其特征在于，所述第I中間層由2層以上的涂布薄膜層構(gòu)成，隨著與所述成膜面的表面的距離越遠(yuǎn)，所述涂布薄膜層的膜厚形成得越薄。
5.如權(quán)利要求1?4任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)線，其特征在于，所述第I中間層的膜厚為300nm ?lOOOnm。
6.一種超導(dǎo)線的制造方法，其特征在于，該方法具有下述工序: 將原料溶液涂布在具有表面的輪廓最大高度Rz為IOnm以上的成膜面的基板的所述成膜面上，從而形成第I中間層； 在所述第I中間層上形成雙軸取向的第2中間層；和 在所述第2中間層上形成氧化物超導(dǎo)層。
7.如權(quán)利要求6所述的超導(dǎo)線的制造方法，其特征在于，形成所述第I中間層的工序具有形成2層以上涂布薄膜層的涂布薄膜層形成工序，所述涂布薄膜層形成工序中，按照所形成的所述涂布薄膜層與所述成膜面的距離越遠(yuǎn)則所述涂布薄膜層的膜厚越薄的方式形成2層以上所述涂布薄膜層。
8.如權(quán)利要求6所述的超導(dǎo)線的制造方法，其特征在于，形成所述第I中間層的工序具有形成2層以上涂布薄膜層的涂布薄膜層形成工序，在所述涂布薄膜層形成工序中，與形成于所述第I中間層的最外表面的最外表面涂布薄膜層所使用的原料溶液相比，形成于所述成膜面上的第I涂布薄膜層所使用的原料溶液的粘度較高。
9.如權(quán)利要求6?8任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)線的制造方法，其特征在于，所述涂布薄膜層為無定形膜，在形成所述第2中間層的工序中，通過離子束輔助沉積法形成所述第2中間層的至少一部分。
10.如權(quán)利要求6?9任一項(xiàng)所述的超導(dǎo)線的制造方法，其特征在于，在所述涂布薄膜層形成工序中，通過MOD法形成所述涂布薄膜層。
【文檔編號(hào)】H01B12/06GK103635978SQ201380001902
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年6月26日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月27日
【發(fā)明者】樋口優(yōu), 坂本久樹, 折田伸昭, 柴山學(xué)久 申請(qǐng)人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社