一種容量為16M×16bit的立體封裝NOR FLASH存儲器的制造方法
【專利摘要】本實用新型涉及一種容量為16M×16bit的立體封裝NOR?FLASH存儲器，其特征在于，包括四個4Mb×16bit的NOR?FLASH芯片，從下至上進行堆疊的一個引線框架層和四個芯片層，引線框架層上設有用于對外連接的引腳，四個NAND?FLASH芯片分別一一對應地設于四個芯片層上；所述堆疊的一個引線框架層和四個芯片層經灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳，并在外表面設有鍍金連接線；鍍金連接線將所述一個引線框架層和四個芯片層上露出的電氣連接引腳進行相應連接，引線框架層的引腳作為對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。本實用新型能相對降低占用印刷電路板的平面空間。
【專利說明】—種容量為16MX16bit的立體封裝NOR FLASH存儲器
【【技術領域】】
[0001]本實用新型涉及存儲設備，尤其涉及一種容量為16MX16bit的立體封裝N0RFLASH存儲器。
【【背景技術】】
[0002]目前，很多印刷電路板(PCB)上都需要裝有NOR FLASH存儲芯片，由于每一 NORFLASH存儲芯片的容量有限，如果在某一應用是要使用很大的NOR FLASH存儲空間，那么就要擴充印刷電路板的面積，然后在上面貼置多個NOR FLASH存儲芯片。
[0003]由于在一些特定場所，對某些使用印刷電路板的設備所占用的平面空間有一定的限制，可能就需要降低印刷電路板的平面面積；這樣的話，相對較難地擴充NOR FLASH印刷電路板(PCB)上的存儲空間。
【實用新型內容】
[0004]本實用新型要解決的技術問題是提供一種容量為16MX16bit的立體封裝NORFLASH存儲器， 其能相對降低占用印刷電路板的平面空間。
[0005]上述技術問題通過以下技術方案實現:
[0006]一種容量為16MX16bit的立體封裝NOR FLASH存儲器，其特征在于，包括四個4MbX16bit的NOR FLASH芯片，從下至上進行堆疊的一個引線框架層和四個芯片層，引線框架層上設有用于對外連接的引腳，四個NAND FLASH芯片分別一一對應地設于四個芯片層上；所述堆疊的一個引線框架層和四個芯片層經灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳，并在外表面設有鍍金連接線；鍍金連接線將所述一個引線框架層和四個芯片層上露出的電氣連接引腳進行相應連接，引線框架層的引腳作為對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。
[0007]四個NOR FLASH芯片的字節(jié)/字選擇信號線、忙信號輸出信號線、數據線分別對應復合；四個NOR FLASH芯片的片選信號線、寫保護/加速線分別并置。
[0008]所述NOR FLASH芯片采用存儲容量為4Mb、數據總線寬度為16位的TS0P-48的封裝NOR FLASH芯片。
[0009]由四個4GX8bit的NAND FLASH芯片之間連接成容量為16GX8bit的N0RFLASH存儲器的技術可以采用本【技術領域】人員通常掌握的技術，本實用新型的首要創(chuàng)造點是利用四個芯片層來置放NOR FLASH芯片，然后通過堆疊、灌封、切割后在外表面設置鍍金連接線以將置芯片的四個芯片層和一個引線框架層的引腳接線連接成一個NOR FLASH存儲器?？梢?，本實用新型通立體封裝方式避免在一個芯片層上進行并置所有NOR FLASH芯片，減少了占用印刷電路板的平面空間，從而減少了印刷電路板的平面空間，尤其適合應用于航空、航天領域。本實用新型進一步具體了本申請自身設計的四個4GX8bit的NOR FLASH芯片之間的連接關系。【【專利附圖】

【附圖說明】】
[0010]圖1為實施例一的本實用新型的截面圖；
[0011]圖2為實施例一的本實用新型的四個NOR FLASH芯片連接示意圖。
【【具體實施方式】】
[0012]實施例一
[0013]如圖1和圖2所示，本實施例提供的一種容量為16MX 16bit的立體封裝N0RFLASH存儲器，包括從下至上進行堆疊的一個引線框架層和四個芯片層:一設有用于對外連接的引腳11的引線框架層I，一貼裝有NOR FLASH芯片21的第一芯片層2，一貼裝有NOR FLASH芯片31的第二芯片層3，一貼裝有NOR FLASH芯片41的第三芯片層4，一貼裝有NOR FLASH芯片51的第四芯片層5 ；N0R FLASH芯片21、31、41、51均采用存儲容量為4Mb、數據總線寬度為16位的TS0P-48(48個引腳)的封裝NOR FLASH芯片；堆疊的一個引線框架層和四個芯片層經灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳，并在外表面設有鍍金連接線；鍍金連接線將引線框架層和芯片層上露出的電氣連接引腳進行相應連接以形成一個存儲容量達256Mb、數據總線寬度 達16位、引腳封裝為TS0P-54(54個引腳)封裝的立體封裝NOR FLASH存儲器，引線框架層I的引腳11作為立體封裝NOR FLASH存儲器的對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。
[0014]其中，四個NOR FLASH芯片的字節(jié)/字選擇信號線、忙信號輸出信號線、數據線分別對應復合；四個NOR FLASH芯片的片選信號線、寫保護/加速線分別并置。
[0015]上述立體封裝NOR FLASH存儲器的制備過程如下:
[0016](I)將引腳11焊接在引線框架層I上；將NOR FLASH芯片21、31、41、51分別對應地設置在芯片層2、3、4、5上；
[0017](2)將引線框架層1、第一芯片層2、第二芯片層3、第三芯片層4、第四芯片層5從下至上進行堆疊；
[0018](3)使用環(huán)氧樹脂對一個引線框架層和四個芯片層進行灌封，對灌封后的一個引線框架層和四個芯片層進行切割，以讓一個引線框架層和四個芯片層在各自的周邊上露出電氣連接引腳；
[0019](4)對一個引線框架層和四個芯片層進行表面鍍金以形成鍍金層，此時，鍍金層與四個芯片層在各自的周邊上露出的電氣連接引腳連接，露出的電氣連接引腳之間都相互連接且同時也連接引腳；
[0020](5)為了把該分離的信號結點分割開，對鍍金層進行表面連線雕刻以形成鍍金連接線，鍍金連接線將引線框架層和芯片層上露出的電氣連接引腳進行相應連接以形成一個存儲容量達256Mb、數據總線寬度達16位、引腳封裝為TS0P-54 (54個引腳)封裝的立體封裝NOR FLASH存儲器，引線框架層I的引腳11作為立體封裝NOR FLASH存儲器的對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。
[0021]本立體封裝NOR FLASH存儲器的各引腳的具體用途如表1。
[0022]表1引腳的具體用途
[0023]
【權利要求】
1.一種容量為16MX16bit的立體封裝NOR FLASH存儲器，其特征在于，包括四個4MbX16bit的NOR FLASH芯片，從下至上進行堆疊的一個引線框架層和四個芯片層，引線框架層上設有用于對外連接的引腳，四個NAND FLASH芯片分別一一對應地設于四個芯片層上；所述堆疊的一個引線框架層和四個芯片層經灌封、切割后在周邊上露出電氣連接引腳，并在外表面設有鍍金連接線；鍍金連接線將所述一個引線框架層和四個芯片層上露出的電氣連接引腳進行相應連接，引線框架層的引腳作為對外接入信號與對外輸出信號的物理連接物。
2.根據權利要求1所述的一種容量為16MX16bit的立體封裝NOR FLASH存儲器，其特征在于，四個NOR FLASH芯片的字節(jié)/字選擇信號線、忙信號輸出信號線、數據線分別對應復合；四個NOR FLASH芯片的片選信號線、寫保護/加速線分別并置。
3.根據權利要求1或2所述的一種容量為16MX16bit的立體封裝NORFLASH存儲器，其特征在于，所述NOR FLASH芯片采用存儲容量為4Mb、數據總線寬度為16位的TS0P-48的封裝NOR FLASH芯片。
【文檔編號】H01L25/065GK203760449SQ201320682874
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年10月30日 優(yōu)先權日:2013年10月30日
【發(fā)明者】王烈洋, 葉振榮, 黃小虎, 蔣曉華, 顏軍 申請人:珠海歐比特控制工程股份有限公司