一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其設(shè)備包括：鍍膜機(jī)組、劃線(xiàn)機(jī)組、匯流條焊接機(jī)組、合片層壓機(jī)組和全自動(dòng)清洗機(jī)，其中鍍膜機(jī)組包括進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室，所述進(jìn)片室和出片室配有低真空系統(tǒng)，前過(guò)渡室、鍍膜室和后過(guò)渡室配有高真空系統(tǒng)，在傳動(dòng)部件帶動(dòng)下，基片依次經(jīng)過(guò)所述鍍膜機(jī)組的各個(gè)部分。本設(shè)備中修正板裝置保證了鍍膜均勻性，解決了連續(xù)大面積沉積薄膜的技術(shù)問(wèn)題；基片經(jīng)低真空的進(jìn)片室和過(guò)渡室進(jìn)入到具有高真空環(huán)境的鍍膜室中，保證了鍍膜工藝要求的真空條件；自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)的設(shè)計(jì)符合長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)生產(chǎn)的需要。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能電池【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是涉及一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件的生產(chǎn)設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的太陽(yáng)能電池分為晶硅電池和薄膜電池，其中晶硅電池分為單晶硅和多晶硅電池，單晶硅光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率為15-18%，多晶硅光伏組件的光電轉(zhuǎn)換效率為14-17%。薄膜電池分為非晶硅薄膜電池、CdTe電池(碲化鎘薄膜太陽(yáng)能電池)和CIGS電池(銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池)。在上述三種薄膜太陽(yáng)能電池中，CIGS電池在薄膜電池中轉(zhuǎn)化效率最高，增加少量的鎵可增加它的光吸收能帶，使之更貼近太陽(yáng)光譜，改善電池的電壓和效率。
[0003]一、CIGS薄膜電池的優(yōu)點(diǎn)。
[0004]1、綜合來(lái)講，由于CIGS薄膜電池特有的結(jié)構(gòu),相較于晶娃電池,在光伏使用【技術(shù)領(lǐng)域】，有以下特點(diǎn):
[0005]I)無(wú)硅原材料消耗，降低了材料成本。
[0006]目前，主流的光伏組件產(chǎn)品仍以硅為主要原材料，僅僅按照硅原材料的消耗計(jì)算，生產(chǎn)I兆瓦晶體硅太陽(yáng)能電池，需要10-12噸高純硅，但是如果采用銅銦鎵硒薄膜電池就無(wú)需消耗硅，且薄膜太陽(yáng)能電池僅6年的投資回收期，更加體現(xiàn)了其在制造過(guò)程中對(duì)能源的節(jié)約。
[0007]2)更強(qiáng)的弱光相應(yīng)。
[0008]由于銅銦鎵硒薄膜材料原子排列的無(wú)序性，其電子躍遷不再遵守傳統(tǒng)的“選擇定貝1J”的限制，因此，它的光吸收性遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)單晶硅材料。
[0009]3)更優(yōu)異的高溫性能。
[0010]在戶(hù)外較高溫的環(huán)境下，銅銦鎵硒薄膜電池性能較之單晶硅或者多晶硅更不易受到溫度影響。
[0011]4)最適合BIPV的應(yīng)用。
[0012]采用雙層玻璃封裝的剛性薄膜太陽(yáng)能電池組件，可以根據(jù)需要，制作成不同的透光率，部分代替玻璃幕墻，而不銹鋼和聚合物襯底的柔性薄膜太陽(yáng)能電池適用于建筑屋頂?shù)刃枰煨偷牟糠?。將薄膜太?yáng)能電池應(yīng)用于城市大量的既有和待開(kāi)發(fā)的建筑外立面和屋頂，避免了現(xiàn)有玻璃幕墻的光污染問(wèn)題，在代替建材的同時(shí)發(fā)電又節(jié)能，將成為未來(lái)城市利用光伏發(fā)電的主要方向。
[0013]2、CIGS薄膜電池相較于其他薄膜電池，具有性能穩(wěn)定的特點(diǎn)。硅基薄膜電池的不穩(wěn)定性集中體現(xiàn)在其能量轉(zhuǎn)換效率隨輻照時(shí)間的延長(zhǎng)而變化，直到數(shù)百或數(shù)千小時(shí)后才穩(wěn)定。光照會(huì)提高銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率，因此此類(lèi)太陽(yáng)能電池的工作壽命長(zhǎng)。無(wú)衰退是銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)電池最為關(guān)注的性能指標(biāo)，單結(jié)非晶硅薄膜電池的衰退達(dá)到25%，非晶微晶疊層薄膜電池的衰退為10%左右。CIGS薄膜電池沒(méi)有光致衰退效應(yīng)，只可能出現(xiàn)由于不良封裝技術(shù)導(dǎo)致的不到10%的衰退影響，這一特點(diǎn)和晶硅電池相同。
[0014]二、傳統(tǒng)CIGS電池的制備方法。
[0015]CIGS薄膜電池制備方法有:多元共蒸發(fā)法、硒化法及磁控濺射法。具體的說(shuō)，在國(guó)內(nèi)外制備CIGS電池的多層膜結(jié)構(gòu)這種，通常包括基片/背電極/吸收法/緩沖層/窗口層/減反射層/上電極。其中背電極多沉積鑰層作為背電極，吸收層多采用多元共蒸發(fā)法、硒化法或者磁控濺射法，這些方法各自存在缺點(diǎn)和不足:
[0016]1、多元共蒸發(fā)法:被沉積合金組分控制困難，光轉(zhuǎn)化效率不高。目前多元共蒸發(fā)法是沉積銅銦鎵硒薄膜使用最廣泛的方法。該法使用了銅(Cu)、銦(In)、鎵(Ga)和硒(Se)蒸發(fā)源提供成膜時(shí)所需要的四種元素并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜厚度及蒸發(fā)源的蒸發(fā)速率等參數(shù)，對(duì)薄膜生長(zhǎng)進(jìn)行了必要的監(jiān)控，另在化學(xué)計(jì)量與晶體結(jié)構(gòu)方面，銅銦鎵硒【⑶(In，Ga)Se2，CIGS】在很大程度上可以自己產(chǎn)生，并進(jìn)一步形成P型材料。然而，不同材料的蒸汽壓不同，這個(gè)限制使得想控制被沉積合金的最后組分具有任意精度變得十分困難。
[0017]2、硒化法:該法是在已沉積好的鑰(Mo)背電極薄膜上沉積銅銦鎵(Cu-1n-Ga)合金預(yù)制層，然后通入硒化氫(H2Se)對(duì)銅銦鎵(Cu-1n-Ga)合金預(yù)制層進(jìn)行后處理；業(yè)界普遍使用的硒化法，工藝非常復(fù)雜，硒化溫度高(550°C以上)，能耗大，生產(chǎn)安全性低，薄膜生成后多余的硒化氫(H2Se)氣體難以處理，投資成本高，生產(chǎn)成本亦高。
[0018]3、磁控濺射工藝:是利用氣體高溫放電產(chǎn)生離子，其中正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊已建立好的跑道磁場(chǎng)的陰極靶體，將被轟擊出的陰極靶體原子或分子以很高的速度飛向基片表面，并在基片上沉積成薄膜。該工藝除了耗能的缺陷外，國(guó)內(nèi)普遍鈉鈣玻璃在4500C以上表面會(huì)呈微熔狀態(tài)，而在550°C以上玻璃基片會(huì)產(chǎn)生形變，不利于 薄膜生長(zhǎng)進(jìn)行，因此，將已鍍有膜層的基片進(jìn)行退火處理極不利于產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。
[0019]三、現(xiàn)有技術(shù)中銅銦鎵硒薄膜電池的缺點(diǎn):光伏轉(zhuǎn)化效率低，技術(shù)先進(jìn)的廠(chǎng)家能達(dá)到12% ;鍍膜面積小，現(xiàn)有技術(shù)下，能達(dá)到的最大鍍膜面積為600 X 1000 X 4_，難以克服的技術(shù)難題在于隨著鍍膜面積的增大，對(duì)鍍膜均勻性要求越高，而現(xiàn)有的修整板結(jié)構(gòu)無(wú)法滿(mǎn)足大面積鍍膜均勻性的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0020]本實(shí)用新型的目的在于提供一種在高真空或者超高真空環(huán)境下，用電子束蒸發(fā)輔以離子源和自動(dòng)修整板裝置制備銅銦鎵硒薄膜太陽(yáng)能電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，采用的技術(shù)方案是:一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述生產(chǎn)設(shè)備包括鍍膜機(jī)組、劃線(xiàn)機(jī)組、匯流條焊接機(jī)組、合片層壓機(jī)組和全自動(dòng)清洗機(jī)，其中鍍膜機(jī)組包括進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室，所述進(jìn)片室和出片室配有低真空系統(tǒng)，所述前過(guò)渡室、鍍膜室和后過(guò)渡室配有高真空系統(tǒng)，在傳動(dòng)部件帶動(dòng)下，基片依次經(jīng)過(guò)所述鍍膜機(jī)組的各個(gè)部分。
[0021]本實(shí)用新型的技術(shù)特征還有:所述鍍膜室包括電子束蒸發(fā)裝置、位于電子束蒸發(fā)裝置上部的修正板裝置，所述修正板裝置包括修正板電機(jī)及在所述電機(jī)帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)的修正板支架，所述修正板安裝在所述支架上。
[0022]本實(shí)用新型的技術(shù)特征還有:所述電子束蒸發(fā)裝置包括坩堝、位于所述坩堝中的蒸發(fā)料、離子源和電子槍。[0023]本實(shí)用新型的技術(shù)特征還有:所述電子束蒸發(fā)裝置還包括自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)，所述自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)包括料筒、送料電機(jī)，送料電機(jī)通過(guò)傳動(dòng)部件與蝸輪連接，所述蝸輪與蝸桿連接，所述料筒的出口位于所述蝸桿的上方，在所述蝸桿靠近端部的位置開(kāi)有出料口，所述出料口正對(duì)坩堝。
[0024]本實(shí)用新型的技術(shù)特征還有:所述進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室的前后各裝有一個(gè)插板閥。
[0025]本實(shí)用新型的技術(shù)特征還有:所述進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室的前后兩側(cè)各裝有一片活動(dòng)板；所述插板閥包括氣缸和活塞桿；所述活動(dòng)板連接在所述活塞桿上。
[0026]本實(shí)用新型的有益效果在于:本實(shí)用新型將利用高電壓(8?10KV)加速并聚焦的電子束直接轟擊蒸發(fā)源表面，當(dāng)功率達(dá)IOKW時(shí)，可將熔點(diǎn)在3000°C左右的難熔金屬(或非金屬)熔化、蒸發(fā)到基片上并輔以離子源或修正板裝置，以保持基片上的沉積膜表面始終清潔，避免了常規(guī)電阻加熱蒸發(fā)時(shí)鎢絲加熱蒸發(fā)物而產(chǎn)生的離子對(duì)蒸發(fā)膜層的污染，并且熱能得到充分利用。電子束控制靈活，容易獲得均勻薄膜，它的蒸鍍質(zhì)量往往比常規(guī)方法高，可易于蒸發(fā)難熔金屬(如Mo、Pt、Ir)或者介質(zhì)等薄膜，而難熔金屬膜往往用其它方法難以獲得。
[0027]本設(shè)備中修正板裝置保證了鍍膜均勻性，解決了連續(xù)大面積沉積薄膜的技術(shù)問(wèn)題；基片經(jīng)低真空的進(jìn)片室和過(guò)渡室進(jìn)入到具有高真空環(huán)境的鍍膜室中，保證了鍍膜工藝要求的真空條件；自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)的設(shè)計(jì)符合長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)生產(chǎn)的需要。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0028]附圖1為鍍膜機(jī)組結(jié)構(gòu)示意圖，附圖2是附圖1的俯視圖，附圖3是修正板裝置結(jié)構(gòu)示意圖，附圖4是自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)10結(jié)構(gòu)示意圖，附圖5是加溫裝置結(jié)構(gòu)示意圖，附圖6是附圖5的B-B視圖。其中I是進(jìn)片室，2是前過(guò)渡室，3是鍍膜室，4是后過(guò)渡室，5是出片室，6是超高真空系統(tǒng)，7是修正板裝置，8是修正板支架，9是坩堝，10是自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)，11是料筒，12是送料電機(jī)，13是蝸輪，14是蝸桿，15是出料口，16是進(jìn)料口，17是插板閥，18是氣缸，19是活塞桿，20是烘烤板，21是加熱管，22是固定卡子，23是感應(yīng)開(kāi)關(guān)，24是離子源，25是電子槍?zhuān)?6是傳動(dòng)電機(jī)，27是觀(guān)察視窗，30是支架，31是調(diào)整桿，32是支撐座，33是連接筒，34是修正板傳動(dòng)軸，35是修正板電機(jī)，36是修正板減速器，37是O型密封圈，40是補(bǔ)料系統(tǒng)傳動(dòng)軸。
【具體實(shí)施方式】
[0029]下面結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行說(shuō)明。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，包括鍍膜機(jī)組、劃線(xiàn)機(jī)組、匯流條焊接機(jī)組、合片層壓機(jī)組和全自動(dòng)清洗機(jī)，其中鍍膜機(jī)組包括進(jìn)片室1、前過(guò)渡室2、一個(gè)以上鍍膜室3、后過(guò)渡室4和出片室5，進(jìn)片室I和出片室5配有高真空系統(tǒng)，前過(guò)渡室2、鍍膜室3和后過(guò)渡室4配有超高真空系統(tǒng)，在傳動(dòng)部件帶動(dòng)下，基片位于電子束蒸發(fā)裝置的上方、依次經(jīng)過(guò)鍍膜機(jī)組的各個(gè)部分完成蒸發(fā)鍍膜過(guò)程。
[0030]鍍膜室中設(shè)有電子束蒸發(fā)裝置、位于電子束蒸發(fā)裝置上部的修正板裝置和加溫裝置，修正板裝置包括修正板電機(jī)35及在修正板電機(jī)35帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)的修正板支架8，修正板安裝在支架8上。電子束蒸發(fā)裝置包括坩堝9、位于坩堝9中的蒸發(fā)離子源、電子槍和自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)。自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)包括料筒11、送料電機(jī)12，送料電機(jī)12通過(guò)傳動(dòng)部件與蝸輪13連接，蝸輪13與蝸桿14連接，料筒11的出口位于蝸桿14的上方，在蝸桿14靠近端部的位置開(kāi)有出料口 15，出料口 15正對(duì)坩堝9。
[0031]為了實(shí)現(xiàn)基片從進(jìn)片室I向出片室5方向的移動(dòng)，在進(jìn)片室1、前過(guò)渡室2、一個(gè)以上鍍膜室3、后過(guò)渡室4和出片室5的前后各裝有一個(gè)插板閥17，該插板閥17連接在對(duì)應(yīng)的活動(dòng)板上，每個(gè)插板閥17包括氣缸18和活塞桿19。當(dāng)檢測(cè)部件檢測(cè)到基片到適當(dāng)位置后，發(fā)出檢測(cè)信號(hào)，插板閥17在氣缸18帶動(dòng)下通過(guò)活塞桿19的移動(dòng)打開(kāi)活動(dòng)板，基片輸出?；敵龊?，插板閥17立即關(guān)閉，從而保證了鍍膜機(jī)組的真空度要求。
[0032]加溫裝置包括烘烤板20和加熱管21，加熱管21通過(guò)固定卡子22固定在烘烤板上。通過(guò)加熱管21保證鍍膜過(guò)程的溫度要求。
[0033]本實(shí)施例中采用了 24位坩堝，該24位坩堝中依次盛放有二氧化硅原料、鑰層原料、銅銦鎵硒層所用合成料、硫化鎘或者硫化鋅料、氧化鋅料、鋁氧化鋅料、氟化鎂料。
[0034]本設(shè)備采用以下生產(chǎn)工藝:
[0035]1、薄膜層的制備:
[0036]I)鑰膜層基片的形成:在基片表面上，首先在1.SXlO-1Pa氣壓下蒸發(fā)沉積0.2-0.5um的Mo層，使Mo與所述基片具有良好的結(jié)合力；然后在1.0 X 10_2Pa氣壓下蒸發(fā)沉積0.8-lum的Mo層，最終在所述基片上形成鑰膜層基片；
[0037]2)薄膜電池P-N結(jié)中P型部分的形成:在1.5X 10?氣壓、150_200°C條件下，用電子束蒸發(fā)所需膜料并開(kāi)啟對(duì)應(yīng)的離子源，制備1.5-2.1um薄膜厚度的銅銦鎵硒層以形成薄膜電池P-N結(jié)中P型部分；
[0038]3)薄膜電池P-N結(jié)中N型部分的形成:在1.5X 10_3Pa氣壓、150_200°C條件下，在銅銦鎵硒層上，用電子束蒸發(fā)所需膜料并開(kāi)啟對(duì)應(yīng)的離子源，制備0.05um厚度的硫化鎘或者硫化鋅膜層以形成薄膜電池P-N結(jié)中N型部分；
[0039]4)本征氧化鋅膜層的形成:在1.5父10_^1氣壓、150-2001:條件下，用電子束蒸發(fā)所需膜料并開(kāi)啟對(duì)應(yīng)的離子源，制備0.05um薄膜厚度的本征氧化鋅膜層；
[0040]5)鋁摻雜膜層的形成:在1.5X10_3Pa氣壓、150-200°C條件下，用電子束蒸發(fā)所需膜料并開(kāi)啟對(duì)應(yīng)的離子源，制備0.1.5um薄膜厚度的鋁摻雜膜層；
[0041]6)減反膜層及引電極的制備:在1.5X10_3Pa氣壓、150-200°C條件下，用電子束蒸發(fā)所需膜料并開(kāi)啟對(duì)應(yīng)的離子源，制備0.1-1.5um的氟化鎂，然后引會(huì)流層鎳及鋁薄膜厚度作為減反膜層及引電極；
[0042]I1、劃線(xiàn):在1400*1100*4mm基片表面薄膜層上劃線(xiàn)6mm尺寸有180條形成小電池片;
[0043]II1、匯流:將步驟2中形成的小電池片通過(guò)鋁帶串聯(lián)完成匯流操作；
[0044]IV、合片:將薄膜基片PVB膠合膜與背板基片復(fù)合在一起制成薄膜電池組件；
[0045]V、薄膜基片與背板基片中間放置PVB膠膜:然后將溢出表片的PVB膠膜去除；
[0046]V1、高壓釜加固:將涂好PVB膠膜的薄膜電池片組件放入高壓釜加壓固化，得到成品薄膜電池組件。[0047]本薄膜電池片組件的尺寸大于600 X 1000_，并可大至薄膜電池片組件的尺寸為1400X 1100mm。
[0048]銅銦鎵硒層中銅銦鎵硒各元素重量百分比為22.85%:7.76%:48.74%:20.65%。
[0049]本工藝與多元共蒸發(fā)法相比，本工藝可將銅銦鎵硒(CIGS)的粉末按合適的當(dāng)量t匕，制成合金后再在高真空或超高真空室的環(huán)境下，用電子束輔以離子源或自動(dòng)修正板裝置的方法，一步蒸發(fā)至已鍍有鑰(Mo)層的基片上。這樣，控制被沉積合金的最后組分就變得十分簡(jiǎn)單了。
[0050]本工藝與硒化法相比，本工藝所使用的在高真空或超高真空室的環(huán)境下，用電子束輔以離子源或低電感天線(xiàn)裝置的物理方法將銅銦鎵硒(CIGS)合金一步共蒸至已鍍有鑰(Mo)層的基片上，工藝十分簡(jiǎn)單，成膜溫度(150?200°C )低，能耗省，生產(chǎn)安全性高，除了使用Ar、N2等高純度氣體外并無(wú)其它含毒氣體，環(huán)保系數(shù)高，投資成本低，生產(chǎn)成本亦低，生產(chǎn)效率高，能在各種形狀的表面獲得均勻的薄膜，與基片之間也不存在殘余熱應(yīng)力，界面結(jié)合良好，并可在高真空或超高真空室的低溫(150?200°C)條件下，實(shí)現(xiàn)可調(diào)控沉積速率、厚度、多元組分及結(jié)構(gòu)的可持續(xù)性大面積薄膜沉積，且可用較少的投資獲得較高質(zhì)量的薄膜鍍層，以上優(yōu)點(diǎn)，實(shí)非硒化法所能比擬。
[0051]本工藝與采用350?650°C高溫的磁控濺射工藝相比，本工藝所采用的在高真空或超高真空室的環(huán)境下，用電子束輔以離子源或自動(dòng)修正板裝置的方法除了真空室的環(huán)境溫度(40?200°C)較低，可大幅減少能耗外，也不需要將已鍍有膜層的基片進(jìn)行退火處理，工藝較為簡(jiǎn)單。
【權(quán)利要求】
1.一種大型太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述生產(chǎn)設(shè)備包括鍍膜機(jī)組、劃線(xiàn)機(jī)組、匯流條焊接機(jī)組、合片層壓機(jī)組和全自動(dòng)清洗機(jī)，其中鍍膜機(jī)組包括進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室，所述進(jìn)片室和出片室配有低真空系統(tǒng)，所述前過(guò)渡室、鍍膜室和后過(guò)渡室配有高真空系統(tǒng)，在傳動(dòng)部件帶動(dòng)下，基片依次經(jīng)過(guò)所述鍍膜機(jī)組的各個(gè)部分。
2.按照權(quán)利要求1所述的太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述鍍膜室包括電子束蒸發(fā)裝置、位于電子束蒸發(fā)裝置上部的修正板裝置，所述修正板裝置包括修正板電機(jī)及在所述電機(jī)帶動(dòng)下轉(zhuǎn)動(dòng)的修正板支架，所述修正板安裝在所述支架上。
3.按照權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述電子束蒸發(fā)裝置包括坩堝、位于所述坩堝中的蒸發(fā)料、離子源和電子槍。
4.按照權(quán)利要求3所述的太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述電子束蒸發(fā)裝置還包括自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)，所述自動(dòng)補(bǔ)料系統(tǒng)包括料筒、送料電機(jī)，送料電機(jī)通過(guò)傳動(dòng)部件與蝸輪連接，所述蝸輪與蝸桿連接，所述料筒的出口位于所述蝸桿的上方，在所述蝸桿靠近端部的位置開(kāi)有出料口，所述出料口正對(duì)坩堝。
5.按照權(quán)利要求2所述的太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室的前后各裝有一個(gè)插板閥。
6.按照權(quán)利要求5所述的太陽(yáng)能薄膜電池片組件生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于:所述進(jìn)片室、前過(guò)渡室、一個(gè)以上鍍膜室、后過(guò)渡室和出片室的前后兩側(cè)各裝有一片活動(dòng)板；所述插板閥包括氣缸和活塞桿；所述活動(dòng)板連接在所述活塞桿上。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK203553200SQ201320662069
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月25日
【發(fā)明者】黃崇堅(jiān) 申請(qǐng)人:濟(jì)南晶力新能源科技有限公司