Led芯片的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種LED芯片，包括藍寶石基板、外延層和歐姆電極，所述的歐姆電極包括P電極和N電極，其特征在于所述的藍寶石基板的粗糙度為0.006um，藍寶石基板底部還設有反射層，所述的反射層材料為SiO2/TiO2。本實用新型的有益效果是把藍寶石基板的粗糙度設置在0.006um，增加光的反射率，提升亮度3%~5%。
【專利說明】LED芯片
【技術(shù)領域】
[0001]本實用新型涉及一種led芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]藍寶石基板是led芯片重要的部件，目前市場上在做led藍寶石基板減薄的制程中，并沒有特別去控制芯片減薄后的背面粗造度，大部份都做完減薄制程后就往下作業(yè)，無形中失去提升亮度的機會。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實用新型提供一種led芯片，控制藍寶石基板減薄后的背面粗造度，背面粗造度更細致RA值控制在0.006um內(nèi)，可以提升亮度約3%。
[0004]為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型采用的技術(shù)方案是:一種led芯片，包括:藍寶石基板、外延層和歐姆電極，所述的歐姆電極包括P電極和N電極，藍寶石基板的粗糙度為
0.006um。
[0005]進一步改進，所述的藍寶石基板底部還設有反射層，所述的反射層材料為Si02/Ti02。
[0006]本實用新型的有益效果是:把`藍寶石基板的粗糙度設置在0.006um，增加光的反射率，所以在芯片在表面粗糙度的條件就直接影向光的反射率。所以直接由實驗的數(shù)值來看，RA值越小，對于光的提升是有明顯的幫助，提升亮度約3%~5%。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖中:1、藍寶石基板，2、外延層，3、Ρ電極，4、Ν電極，5、反射層。
【具體實施方式】
[0009]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明。
[0010]如圖1所示，一種led芯片，包括:藍寶石基板1、外延層2和歐姆電極，所述的歐姆電極包括P電極3和N電極4，藍寶石基板I的粗糙度為0.006um，提升亮度約3%~5%。
[0011]進一步改進，所述的藍寶石基板I底部還設有反射層5，所述的反射層5材料為Si02/Ti02。
【權(quán)利要求】
1.一種led芯片，包括藍寶石基板、外延層和歐姆電極，所述的歐姆電極包括P電極和N電極，其特征在于所述的藍寶石基板的粗糙度為0.006um。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種led芯片，其特征在于所述的藍寶石基板底部還設有反射層，所述的反射層材料為Si02/Ti02。
【文檔編號】H01L33/22GK203466212SQ201320575791
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年9月17日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月17日
【發(fā)明者】宋嘉銘, 胡世一 申請人:晶旺光電（徐州）有限公司