Led芯片的制作方法
【專利摘要】一種LED芯片，包括：依次層疊的襯底、第一導電型半導體層、發(fā)光層、第二導電型半導體層和反射層；5個或6個直徑不超過40微米的第一電極孔，各自延伸穿過所述反射層、所述第二導電型半導體層和所述發(fā)光層；多個第二電極孔，各自延伸穿過所述反射層；第一電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸；第二電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸；以及隔離層，位于所述反射層的正面，用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離。其中，在所述反射層的正面上，至少圍繞一個所述第一電極孔的所述第二電極孔呈對稱圖形分布，提高了發(fā)光均勻性。
【專利說明】LED芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及發(fā)光元件【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及ー種LED芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)照明技術(shù)的日益發(fā)展，LED在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽靡苍絹碓綇V泛。
[0003]LED的發(fā)光是利用正極的電流到達負極所完成，電流會以最小的電阻路線由正極到達負極，一般電阻值決定于電流路線的遠近，正極到負極越近則電阻值越小、正極到負極越遠則電阻就越大。然而，現(xiàn)有LED中的電極通常為金屬線狀，這使得單點的ー個電流從正極進入負極，并以正極到負極給電流最近的距離最亮，其它位置將由于距離金屬線較遠而電阻較大、相對較暗，從而存在電流密度不均勻、導致發(fā)光不均勻的問題。
實用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，本實用新型要解決的技術(shù)問題是，如何使得LED的發(fā)光盡量均勻而不影響量子阱發(fā)光面積。
[0005]為了解決上述問題，根據(jù)本實用新型ー實施例，提供了ー種LED芯片，其包括:襯底；第一導電型半導體層，位于所述襯底的正面；發(fā)光層，位于所述第一導電型半導體層的正面；第二導電型半導體層，位于所述發(fā)光層的正面；反射層，位于所述第二導電型半導體層的正面；5個或6個直徑不超過40微米的第一電極孔，各自延伸穿過所述反射層、所述第ニ導電型半導體層和所述發(fā)光層；多個第二電極孔，各自延伸穿過所述反射層；第一電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸；第二電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸；以及隔離層，位于所述反射層的正面，用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離。其中，至少圍繞一個所述第一電極孔的所述第二電極孔呈對稱圖形分布。
[0006]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極孔在所述第一導電型半導體層的正面上均勻分布。
[0007]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，所述對稱圖形為以下圖形中的任意ー種或多種:對稱多邊形、弧形、以及圓形。
[0008]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，還包括導電層，所述導電層由高透射率的導電材料形成，所述導電層位于所述第二導電型半導體層和所述反射層之間，并且所述第一電極孔延伸穿過所述導電層。其中，所述高透射率的導電材料可為例如IT0、Zn0、導電性高分子材料、PEDOT或納米碳材的導電玻璃。
[0009]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，在所述導電層、所述第一電極和所述第二電極至少之ー上形成有保護層，所述保護層可由鈦、鎳、鉻和金中的ー種或幾種制成。
[0010]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，所述第一電極包括:填充各所述第一電極孔的電極材料，以及將填充位于第二電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔中的電極材料連接至位于第一電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔中的電極材料的引線，其中，所述第一電極區(qū)是指所述第一電極在所述反射層的正面的存在區(qū)域，所述第二電極區(qū)是指所述第二電極在所述反射層的正面的存在區(qū)域。另ー方面，所述第二電極包括:填充各所述第二電極孔的電極材料，以及使填充各所述第二電極孔的電極材料避開各所述第一電極孔和所述引線而相互連接的部分。
[0011]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，所述反射層由單層或者多層高反射率的絕緣材料制成，所述高反射率的絕緣材料可為Si02、DBR或光子晶體結(jié)構(gòu)，所述DBR可由 Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS 中的ー種或幾種制成。
[0012]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，所述隔離層由絕緣材料制成，所述絕緣材料可為Si02、DBR或光子晶體結(jié)構(gòu)，所述DBR可由Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS中的ー種或幾種制成。
[0013]對于上述LED芯片，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，還包括絕緣保護膜，所述絕緣保護膜優(yōu)選由例如ニ氧化硅的高硬度絕緣材料制成，覆蓋該LED芯片的所有側(cè)面、而僅暴露所述第一電極和所述第二電極。
[0014]通過使至少部分第一電極孔被多個第二電極孔呈對稱圖形狀圍繞，其中，第一電極孔用以使第一電極與第一導電型半導體層電性連接，第二電極孔用以使第二電極與第二導電型半導體層電性連接，根據(jù)本實用新型實施例的LED芯片及其制造方法能夠使得LED中至少部分正電極到負電極的距離一致、至少部分正電極到負電極電流的電阻一致，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠提高電流密度的均勻性、發(fā)光的均勻性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]包含在說明書中并且構(gòu)成說明書的一部分的說明書附圖與說明書一起示出了本實用新型的示例性實施例、特征和方面，并且用于解釋本實用新型的原理。
[0016]圖1為本實用新型實施例的LED芯片的制造方法的流程圖；
[0017]圖2 (a)-圖2 Cd)分別為本實用新型實施例的LED芯片的制造方法中所形成結(jié)構(gòu)的剖面圖；
[0018]圖3 (a)-圖3 Ce)分別為本實用新型實施例的LED芯片的制造方法中所形成結(jié)構(gòu)的俯視圖；
[0019]圖4 (a)-圖4 Ce)為本實用新型實施例的LED芯片的剖面圖。
[0020]圖5 Ca)-圖5 (b)為利用本實用新型實施例的LED芯片形成HV-LED結(jié)構(gòu)的俯視圖和剖面圖。
[0021]附圖標記說明
[0022]10:襯底；20:第一導電型半導體層；30:發(fā)光層；40:第二導電型半導體層；50:第一電極孔;60:導電層；70:反射層；80:第二電極孔；90:絕緣保護層；500:第一電極；510:第一電極接點；800:第二電極；810:第二電極接點；900:導電金屬；1000:基板。
【具體實施方式】
[0023]以下將參考附圖詳細說明本實用新型的各種示例性實施例、特征和方面。附圖中相同的附圖標記表示功能相同或相似的元件。盡管在附圖中示出了實施例的各種方面，但是除非特別指出，不必按比例繪制附圖。
[0024]在這里專用的詞“示例性”意為“用作例子、實施例或說明性”。這里作為“示例性”所說明的任何實施例不必解釋為優(yōu)于或好于其它實施例。
[0025]另外，為了更好的說明本實用新型，在下文的【具體實施方式】中給出了眾多的具體細節(jié)。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解，沒有這些具體細節(jié)，本實用新型同樣可以實施。在另外ー些實例中，對于大家熟知的方法、手段、元件和電路未作詳細描述，以便于凸顯本實用新型的主_。
[0026]圖1為根據(jù)本實用新型實施例的LED芯片制造方法的流程圖，結(jié)合圖2 Ca)-圖2(d)、圖3 (a)-圖3 (e)所示詳細說明如下。該方法包括:
[0027]步驟SI，對于在襯底10上依次層疊有第一導電型半導體層20、發(fā)光層30和第二導電型半導體層40的LED外延片，通過例如干式或者濕式的蝕刻方式，利用第一掩?？涛g第二導電型半導體層40及發(fā)光層30以暴露第一導電型半導體層20，形成如圖2 Ca)所示第二導電型半導體層40和發(fā)光層30中包含有至少ー個直徑不超過46微米的第一電極孔50的結(jié)構(gòu)。其中，第一電極孔50將用于使下述的第一電極與第一導電型半導體層20接觸，并優(yōu)選如圖3 (a)所示盡可能分布均勻。
[0028]在ー種可能的具體實現(xiàn)方式中，第一電極孔50的直徑優(yōu)選為不超過40微米。
[0029]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，襯底10可具體為各種具有不同晶向的襯底，例如藍寶石、硅或者碳化硅襯底。
[0030]此外，第一導電型半導體層20的材料可以為n型氮化鋁銦鎵系列材料，也可以為n型磷化鋁銦鎵系列材料(AlGalnP)。第二導電型半導體層40的材料可以為p型氮化鋁銦嫁系列材料，也可以為P型憐化招鋼嫁系列材料。在一種可能的實現(xiàn)方式中，弟一導電型半導體層20和第二導電型半導體層40分別采用n型氮化鎵和p型氮化鎵制成。
[0031]步驟S2，在刻蝕了第一電極孔50的第二導電型半導體層40上鍍例如IT0、Zn0、導電性高分子材料、PEDOT或納米碳材的高透射率導電材料作為導電層60，其中導電層60必須暴露第一電極孔50的底部,從而形成如圖2 (b)所不第一電極孔50延伸穿過導電層60的結(jié)構(gòu)。
[0032]步驟S3，在第一電極孔50的側(cè)壁和導電層60上覆蓋由單層或者多層例如ニ氧化硅(Si02)、DBR (可由Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS中的ー種或幾種制成)或光子晶體結(jié)構(gòu)等高反射率的絕緣材料作為反射層70，其中反射層70必須暴露位于第一電極孔50底部的第一導電型半導體層20，從而形成如圖2(c)所示第一電極孔50延伸穿過反射層70的結(jié)構(gòu)。其中，反射層70本身不導電，因此，除了反射光以外，反射層70還起到絕緣隔離的作用。
[0033]步驟S4，在反射層70上，通過例如干式或者濕式的蝕刻方式，利用第二掩模進行刻蝕以暴露第二導電型半導體層40或?qū)щ妼?0，形成如圖2 Cd)所示反射層70中還包含有多個第二電極孔80的結(jié)構(gòu)。其中，第二電極孔80將用于使下述的第二電極與第二導電型半導體層40接觸，并且至少圍繞ー個第一電極孔50的多個第二電極孔80呈對稱圖形分布。這樣，由于至少部分第二電極孔80到ー個第一電極孔50的距離一致，使得在最終制成的LED芯片中經(jīng)由這些電極孔形成的正負電極之間的距離一致、并且流過這部分正負電極的電流所經(jīng)歷的電阻一致，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠有效提高電流密度和發(fā)光的均勻性。
[0034]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，優(yōu)選如圖3 (b)所示，圍繞各第一電極孔50的第二電極孔80都呈對稱圖形分布。與部分第一電極孔被第二電極孔呈對稱圖形包圍的實現(xiàn)方式相比，這種實現(xiàn)方式可進ー步提高電流密度和發(fā)光的均勻性。
[0035]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，由圍繞各第一電極孔50的多個第二電極孔80構(gòu)成的對稱圖形可為三角形、方形(如圖4 (b)所示)、菱形(如圖4 (C)所示)或六邊形(如圖4 (a)所示等任意多邊形，也可為弧形、圓形、或者以上圖形中的任意多種。
[0036]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，第一電極孔50可如圖4 (d)所示為5個、或者如圖4Ce)所示為6個，以避免因孔洞面積太大而導致量子阱發(fā)光面積減小過多。
[0037]步驟S5，形成經(jīng)由第一電極孔50連接至第一導電型半導體層20的第一電極以及經(jīng)由第二電極孔80連接至第二導電型半導體層40的第二電極。
[0038]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，上述步驟S5中用以形成第一電極和第二電極的操作可包括底層電極制作步驟、隔離步驟以及表面電極制作步驟，其中:
[0039]在底層電極制作步驟中，利用電極材料填充各第一電極孔50和各第二電極孔80，使位于預定的第二電極區(qū)內(nèi)的各第一電極孔50中的電極材料經(jīng)由引線連接至位于預定的第一電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔50中的電極材料，并使填充各第二電極孔80的電極材料避開各第一電極孔50以及引線相互連接，從而形成俯視結(jié)構(gòu)如圖3 (c)所示的底層電扱。
[0040]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，如圖3 (C)所示，所述引線可沿該LED芯片的側(cè)邊從第ニ電極區(qū)進入第一電極區(qū)，以盡量降低與第二電極的接觸可能性。
[0041]在隔離步驟中，至少在反射層70的正面上覆蓋絕緣材料以形成隔離層，并利用第三掩模對該隔離層進行刻蝕，以在第一電極區(qū)暴露填充各第一電極孔50的電極材料、在第ニ電極區(qū)至少暴露填充各第二電極孔80的電極材料及其連接部分，從而形成如圖3 (d)所示的俯視結(jié)構(gòu)。
[0042]其中，如圖3 Cd)所示，第一電極區(qū)可位于LED芯片正面的左端，第二電極區(qū)可位于LED芯片正面的右端，兩者之間存在由隔離層構(gòu)成的隔離區(qū)，以確保兩者電性不接觸。
[0043]在表面電極制作步驟中，至少在第一電極區(qū)的正面覆蓋電極材料以完成第一電扱，并至少在第二電極區(qū)的正面覆蓋電極材料以完成第二電極，從而形成如圖3 (e)所示的俯視結(jié)構(gòu)。
[0044]這樣，由于第一電極和第二電極隔著隔離區(qū)分設于該LED芯片正面的中軸線的兩偵牝兩個電極的正面面積不至于相差太多，安裝吋、尤其是以覆晶方式安裝時，導電金屬不會恰好點至兩個電極上且大小適中，從而防止了出現(xiàn)導電金屬溢出的現(xiàn)象，進ー步提高了廣品的良率。
[0045]需要說明的是，在上述方法中，盡管通過步驟S2使第二導電型半導體層40與反射層70之間形成有導電層60，以使得電流更均勻。然而，本領(lǐng)域技術(shù)人員應能明白，即使不形成導電層60，只要用以使第二電極與第二導電型半導體層40電性接觸的部分第二電極孔80圍繞用以使第一電極與第一導電型半導體層20電性接觸的第一電極孔50呈對稱圖形分布，以使得至少部分正電極到負電極的電流所經(jīng)歷的電阻一致，就能夠有效提高發(fā)光的均勻性。
[0046]此外，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，還可在導電層60、第一電極和第二電極至少之ー上形成保護層。所述保護層可由鈦、鎳、鉻和金等金屬材料中的ー種或幾種制成，其厚度為20 A-1 ()00 OA時可被錫膏或銀膠焊接使用。
[0047]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，在表面電極形成步驟中，還使例如ニ氧化硅(SiO2)等的高絕緣材料作為絕緣保護層90包覆整個LED芯片，僅暴露第一電極區(qū)500和第二電極區(qū)800，從而可形成如圖3 (e)所示的俯視結(jié)構(gòu)和如圖5 (b)所示的局部剖面結(jié)構(gòu)，以在該LED芯片的安裝過程中、尤其是覆晶安裝中因?qū)щ姸a(chǎn)生高的反向漏電流(Reverse current,Ir)0由于ニ氧化硅是ー種硬度比較堅硬的材料，極有可能因在分離裂片過程中使用鎢鋼刀進行劈裂時產(chǎn)生的內(nèi)應力，使得被劈的LED芯片的ニ氧化硅保護層出現(xiàn)膜裂，進而使得用以粘接發(fā)光元件和基板的材料滲入元件內(nèi)。在這種情況下，在裂片過程中使用鎢鋼刀進行劈裂時，在被劈的LED芯片表面涂上ー層軟性材料，可以有效抵消鎢鋼刀在劈裂時造成的內(nèi)應カ，從而可以防止ニ氧化硅保護層膜裂。
[0048]根據(jù)本實用新型的另ー實施例，還提供了ー種LED芯片，繼續(xù)參照圖2 (a)_圖2(d)、圖3 (a)_圖3 (e)所示詳細說明如下。
[0049]根據(jù)本實用新型實施例提供的LED芯片可包括:依次層疊的襯底10、第一導電型半導體層20、發(fā)光層30、第二導電型半導體層40和由單層或者多層具有高反射率的絕緣材料(例如Si02、DBR (可由Si02、Ti02、SiNx、Ta205、MgF2、ZnS中的ー種或幾種制成)或光子晶體結(jié)構(gòu)等)制成的反射層70 ;至少ー個直徑不超過40微米的第一電極孔50，其各自延伸穿過反射層70、第二導電型半導體層40和發(fā)光層30;多個第二電極孔80，各自延伸穿過反射層70;第一電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸；第二電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸；以及隔離層，位于所述反射層的正面，用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離。
[0050]其中，從反射層70的正面看，至少圍繞ー個第一電極孔50的多個第二電極孔80呈對稱圖形分布。這樣，由于至少部分第二電極孔80到第一電極孔50的距離一致，使得由這些電極孔形成的正負電極之間的距離一致、并且流過這部分正負電極的電流所經(jīng)歷的電阻一致，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比，能夠有效提高電流密度和發(fā)光的均勻性。
[0051]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，如圖3 (b)所示，在反射層70的正面上，圍繞各第一電極孔50的第二電極孔80都呈對稱圖形分布。與部分第一電極孔被第二電極孔呈對稱圖形包圍的實現(xiàn)方式相比，這種實現(xiàn)方式顯然可進ー步提高電流密度和發(fā)光的均勻性。
[0052]在ー種可能的具體實現(xiàn)方式中，第一電極孔50可如圖4 Cd)所示為5個、或者如圖4 Ce)所示為6個，以避免因孔洞面積太大而導致量子阱發(fā)光面積減小過多。
[0053]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，襯底10可具體為各種具有不同晶向的襯底，例如藍寶石、硅或者碳化硅襯底。
[0054]此外，第一導電型半導體層20的材料可以為n型氮化鋁銦鎵系列材料，也可以為n型磷化鋁銦鎵系列材料(AlGalnP)。第二導電型半導體層40的材料可以為p型氮化鋁銦嫁系列材料，也可以為P型憐化招鋼嫁系列材料。在一種可能的實現(xiàn)方式中，弟一導電型半導體層20和第二導電型半導體層40分別采用n型氮化鎵和p型氮化鎵制成。相應地，第一電極和第二電極分別為負電極和正電極。
[0055]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，第一電極孔50在第一導電型半導體層20的正面上均勻分布，例如，如圖3 (a)、圖3 (b)所示。
[0056]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，由圍繞各第一電極孔50的多個第二電極孔80構(gòu)成的對稱圖形可為三角形、方形、菱形或六邊形等任意多邊形，也可為弧形、圓形、或者以上圖形中的任意多種。
[0057]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，反射層70與第二導電型半導體層40之間還可形成有導電層60，并且導電層60優(yōu)選由例如IT0、Zn0、導電性高分子材料、PEDOT或納米碳材等具有高透射率的導電材料形成，以進一歩獲得電流密度更均勻、反射效果更好的效果。
[0058]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，如圖3 (c)所示，第一電極可包括:填充各第一電極孔50的電極材料；以及，將填充位于第二電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔50中的電極材料連接至位于第一電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔50中的電極材料的引線。其中，第一電極區(qū)是指第一電極在反射層70的正面的存在區(qū)域，圖3 (c沖示出為剖視圖的左端；以及，第二電極區(qū)是指第二電極在反射層70的正面的存在區(qū)域，圖3 (c)中示出為剖視圖的右端。
[0059]相應地，如圖3 (C)所示，第二電極可包括:填充各第二電極孔80的電極材料；以及，使填充各第二電極孔80的電極材料避開各第一電極孔50和上述引線而相互連接的部分。
[0060]此外，如上參考圖3 (d)、圖3 (e)所介紹，為了更好地隔離第一電極和第二電極，還可通過在圖3 (c)所示的結(jié)構(gòu)上繼續(xù)進行上述隔離步驟和表面電極制作步驟，以進一歩提聞該LED芯片的品質(zhì)。
[0061]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，在導電層60、第一電極和第二電極至少之ー上還可形成有保護層。所述保護層可由鈦、鎳、鉻和金等金屬材料中的ー種或幾種制成，其厚度為20A - 10000A時可被錫膏或銀膠焊接使用。
[0062]此外，在ー種可能的實現(xiàn)方式中，該LED芯片還可包括由高硬度的絕緣材料制成的絕緣保護層90，該絕緣保護層90覆蓋該LED芯片的所有側(cè)面、并且僅暴露第一電極500和第二電極800，從而可形成如圖3 (e)所示的俯視結(jié)構(gòu)以及如圖5 (b)所示的局部剖面結(jié)構(gòu)。
[0063]根據(jù)本實用新型的又ー實施例，還提供了ー種HV-LED結(jié)構(gòu)。下面將參照圖5Ca)-圖5 (b)詳細描述。
[0064]如圖5 (a)所示，該HV-LED結(jié)構(gòu)中的每個LED芯片具有如圖3 (e)所示的俯視結(jié)構(gòu)。此外，要安裝有LED芯片的基板1000本身絕緣，但如圖5 (b)所示，基板1000上形成有第一電極接點510、第二電極接點810。
[0065]在ー種可能的實現(xiàn)方式中，在串接LED芯片之前，如圖5 (b)所示，需要將LED芯片之間的隔離帶蝕刻到襯底10，以使得各LED芯片彼此間不能有例如氮化鎵的半導體材料，否則有可能產(chǎn)生漏電。然后，如圖5(a)，利用導電金屬900將相連LED芯片的第一電極500、第二電極800相接，以串接多個LED芯片來形成HV-LED結(jié)構(gòu)。
[0066]其中，如圖5(b)所不,僅第一個LED芯片的第一電極500與基板1000上的第一電極接點510導通，僅最后ー個LED芯片的第二電極800與基板1000上的第二電極接點810導通，而任一個中間LED芯片的第一電極500經(jīng)由導電金屬900與前一 LED芯片的第二電極800連接、其第二電極800經(jīng)由導電金屬900與后一 LED芯片的第一電極500連接、并且整體不與基板1000導通。
【權(quán)利要求】
1.ー種LED芯片，其特征在于，包括: 襯底； 第一導電型半導體層，位于所述襯底的正面； 發(fā)光層，位于所述第一導電型半導體層的正面； 第二導電型半導體層，位于所述發(fā)光層的正面； 反射層，位于所述第二導電型半導體層的正面； 5個或6個直徑不超過40微米的第一電極孔，各自延伸穿過所述反射層、所述第二導電型半導體層和所述發(fā)光層； 多個第二電極孔，各自延伸穿過所述反射層； 第一電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸； 第二電極，至少部分位于所述反射層的正面，經(jīng)由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸；以及 隔離層，位于所述反射層的正面，用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離， 其中，在所述反射層的正面上，至少圍繞一個所述第一電極孔的所述第二電極孔呈對稱圖形分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極孔在所述第一導電型半導體層的正面上均勻分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述對稱圖形為以下圖形中的任意一種或多種:對稱多邊形、弧形、以及圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的LED芯片，其特征在干， 所述第一電極包括: 填充各所述第一電極孔的電極材料，以及 將填充位于第二電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔中的電極材料連接至位于第一電極區(qū)內(nèi)的第一電極孔中的電極材料的引線，其中，所述第一電極區(qū)是指所述第一電極在所述反射層的正面的存在區(qū)域，所述第二電極區(qū)是指所述第二電極在所述反射層的正面的存在區(qū)域；所述第二電極包括: 填充各所述第二電極孔的電極材料，以及 使填充各所述第二電極孔的電極材料避開各所述第一電極孔和所述引線而相互連接的部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的LED芯片，其特征在于，還包括導電層，所述導電層位于所述第二導電型半導體層和所述反射層之間，并且所述第一電極孔延伸穿過所述導電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的LED芯片，其特征在于，在所述導電層、所述第一電極和所述第二電極至少之ー上形成有保護層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的LED芯片，其特征在于，還包括絕緣保護膜，所述絕緣保護膜覆蓋該LED芯片的所有側(cè)面、而僅暴露所述第一電極和所述第二電極。
【文檔編號】H01L33/38GK203456495SQ201320491298
【公開日】2014年2月26日 申請日期:2013年8月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月12日
【發(fā)明者】吳裕朝, 吳冠偉, 劉艷, 王瑞慶 申請人:劉艷