被動元件封裝結構的制作方法
【專利摘要】本實用新型揭露一種被動元件封裝結構，具有一個模塊化的基座，在制作工藝時，能直接于基座上直接加工，因此能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對后續(xù)產品的進度產生正向效益。
【專利說明】被動元件封裝結構
【技術領域】
[0001]本實用新型是有關于一種被動元件封裝結構，特別是一種通過模塊化，并大量迅速組裝的封裝結構。
【背景技術】
[0002]近幾年來，隨著電子科技、網絡等相關技術的進步，以及全球電子市場消費水平的提升，個人計算機、多媒體、工作站、網路、通信相關設備等電子產品的需求量激增，帶動整個世界半導體產業(yè)的蓬勃發(fā)展。
[0003]由于電子產品朝向輕薄短小、低耗能發(fā)展的趨勢，使得相關的電路元件也面臨體積縮減的壓力，電路設計將朝向小型化、模塊化的方向發(fā)展；打開每個電子產品的外殼，印入眼簾的是布滿各式各樣電子元件的電路板，一般電路板上最常見的就是被動元件，例如:電阻、電容、電感或二極管等，因此，被動元件的體積縮小對電路板整體體積縮小是有幫助的；也因此，如何提高電路板上的主、被動元件的整合性已慢慢成為電路設計的主流，通過高度集積化設計，以利系統(tǒng)產品體積縮小并達到功能多樣化目標。
[0004]除此中外，在工藝上，各樣電子元件的制作時間及步驟如過冗長及繁雜，將影響到整體成本的增加，因此減少工藝時間及，符合電子元件輕薄短小為目前的發(fā)展趨勢。
實用新型內容
[0005]為了解決上述所提到問題，本實用新型的一主要目的在于提供一種被動元件封裝結構，特別是一種提供模塊化的封裝結構，能在工藝上提供更快速制作流程。
[0006]依據上述目的，本實用新型提供一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含:
[0007]—基座,具有一上表面與相對該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽；
[0008]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0009]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺；
[0010]—芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點；
[0011]一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0012]一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0013]一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點；
[0014]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0015]一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點；
[0016]一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點；[0017]一基板，局部覆蓋于該芯片的上表面，并曝露出該第三金屬導線接點的區(qū)域；及
[0018]一膠體，覆蓋于該第三金屬導線接點的區(qū)域。
[0019]其中該基板及該膠體于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
[0020]本實用新型還提供一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含:
[0021]—基座,具有一上表面與相對該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽；
[0022]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0023]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺；
[0024]—芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點；
[0025]一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0026]—第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0027]—第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點；
[0028]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0029]一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點；
[0030]一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點；及
[0031]一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導線接點的區(qū)域。
[0032]其中該膠體的材質為低溫膠。
[0033]本實用新型再提供一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含:
[0034]—基座,具有一上表面與相對該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽；
[0035]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0036]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺；
[0037]—芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點；
[0038]一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0039]—第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0040]一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點；
[0041]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0042]一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點；
[0043]一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點；及
[0044]—膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導線接點的區(qū)域。
[0045]其中該膠體于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。[0046]本實用新型又提供一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含:
[0047]—基座,具有一上表面與相對該上表面的一下表面,于該上表面上形成一凹槽,于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽；
[0048]一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽；
[0049]一第二貫穿孔，貫穿于該平臺；
[0050]—芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點；
[0051]一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方；
[0052]一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔；
[0053]一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接點；
[0054]一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔；
[0055]一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點；及
[0056]一基板，部分覆蓋于該芯片及該平臺上，且于該基板的下表面具有一電性連通的一第四電性連接點及一第五電性連接點，而該第四電性連接點電性連接于該第三電性連接點，該第五電性連接點電性連接于該第一電性連接點。
[0057]其中該基板內部進一步配置一金屬線段來使該第四電性連接點及該第五電性連接點彼此電性連通。
[0058]其中該第四電性連接點及該第五電性連接點彼此之間保持一間隔。
[0059]其中該基板于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
[0060]本實用新型的有益效果是，其是通過直接提供模塊化的基座，能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對后續(xù)產品的進度產生正向效益。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0061]為進一步說明本實用新型的技術內容，以下結合實施例及附圖詳細說明如后，其中:
[0062]圖1A是本實用新型的被動元件封裝結構的基座示意圖。
[0063]圖1B是本實用新型的被動元件封裝結構的基座下表面示意圖。
[0064]圖2A-圖2C是本實用新型第一實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。
[0065]圖3圖為本實用新型第二實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。
[0066]圖4為本實用新型第三實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。
[0067]圖5為本實用新型第四實施例被動元件封裝結構的基板結合示意圖。
[0068]圖6A-圖6C是為本實用新型第四實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。
【具體實施方式】
[0069]為使本實用新型的目的、技術特征及優(yōu)點，能更為相關【技術領域】人員所了解并得以實施本實用新型，在此配合所附附圖，于后續(xù)的說明書闡明本實用新型的技術特征與實施方式，并列舉較佳實施例進一步說明，然以下實施例說明并非用以限定本實用新型，且以下文中所對照的附圖，是表達與本實用新型特征有關的示意。
[0070]首先，請參閱圖1A，是為本實用新型的被動元件封裝結構的基座示意圖。如圖1A所不，被動兀件封裝結構的基座10具有一上表面101及與相對上表面101的一下表面103,并于上表面101上形成一凹槽105;而在凹槽105的一側形成一高于凹槽105底部且低于上表面103的一平臺107，而在凹槽105內低于平臺107的區(qū)域形成一置晶槽109。一個第一貫穿孔20，是由置晶槽109底部貫穿至基座10的下表面103; —個第二貫穿孔22，是由平臺107貫穿至基座10的下表面103。此外，本實用新型的基座10的材質可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0071]接著，請參閱圖1B,是為本實用新型的被動元件封裝結構的基座下表面示意圖。如圖1B所示，在基座10的下表面103上配置一第一焊墊30及一第二焊墊32;其中第一焊墊30其配置為遮蓋于第一貫穿孔20，而第二焊墊32其配置為遮蓋于第二貫穿孔22;很明顯地，第一焊墊30及第二焊墊32為被動元件封裝結構與外界組裝接觸連接用。
[0072]請參閱圖2A-圖2C，是為本實用新型第一實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。首先，請先參閱圖2A，在基座10的第一貫穿孔20內形成一第一金屬導線60，并電性連接至第一焊墊30;而在第二貫穿孔22內形成一第二金屬導線62，并電性連接第二焊墊32，以及于凹槽105內的平臺107上形成一第三電性連接點50，并使第三電性連接點50與第二金屬導線62電性連接；其中，形成第一金屬導線60、第二金屬導線62及第三電性連接點50的方式,可以選擇電鍍方式來形成。
[0073]接著，請參閱圖2B。提供一芯片40，此芯片40具有上表面401及相對上表面401的下表面403，且在上表面401上已配置一第一電性連接點4011，而于芯片40的下表面403上已配置一第二電性連接點4031。再接著，將芯片40放置入基座10的置晶槽109中，并使芯片40的下表面403上的第二電性連接點4031與第一金屬導線60電性連接；其中，第一電性連接點4011可以是一種金屬凸塊(metal bump)，而第二電性連接點4031可以是一種電極(electrode)。接著，使用一第三金屬導線64，用以將平臺107上的第三電性連接點50與芯片40的上表面401的第一電性連接點4011形成電性連接；其中，第三金屬導線64可以選擇使用金屬打線工藝(wire bonding process)來形成。經由上述連接后,使得本實用新型的芯片40可以通過芯片40上表面401的第一電性連接點4011及下表面403上的第二電性連接點4031與基座10上的第一金屬導線60、第二金屬導線62及第三電性連接點50形成電性連接。此外，在本實施例中，第一金屬導線60的線弧度的最高點控制其不超過基座10上表面101的高度；此外，本實施例中的芯片40為一種被動元件，例如:電阻、電容、電感或二極管等。
[0074]接著，請參閱圖2C，是完成圖2B的結構后，提供一基板70，并將此基板70配置于芯片40的上表面401上,使基板70局部覆蓋于芯片40的上表面401,并曝露出第三金屬導線64接點的區(qū)域；接著，使用一膠體72來覆蓋第三金屬導線64接點的區(qū)域。在基板70與膠體72覆蓋后，其高度需與基座10的上表面101齊高，使芯片40 (即被動元件)封裝結構整體的高度一致。此外，要說明的是，本實用新型基板70的材質可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料；而本實用新型使用的膠體72可以為一種低溫膠。[0075]再接著，請參考圖3，是為本實用新型第二實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。很明顯地，第二實施例與上述第一實施例間的差異在于，完成圖2B的結構后，接著，提供膠體72來覆蓋芯片40上表面401及第一金屬導線60的區(qū)域，于膠體72覆蓋后，其高度需與基座10的上表面101齊高，使芯片40 (即被動元件)封裝結構整體的高度一致，其中，本實施例所使用的膠體72可以為一種低溫膠。
[0076]請參閱圖4，是為本實用新型第三實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。如圖4所示,在第本實施例中，基座10的結構與圖1A、圖1B及圖2A所揭露者相同，故不再贅述。接著，提供一芯片40，此芯片40具有上表面401及相對上表面401的下表面403，且在上表面401上已配置一第一電性連接點4011，而于芯片40的下表面403上已配置一第二電性連接點4031，其中，第一電性連接點4011及第二電性連接點4031為形成在芯片40上的焊墊(pad)結構。再接著，將芯片40放置入基座10的置晶槽109中，并使芯片40的下表面403上的第二電性連接點4031與第一金屬導線60電性連接；其中，芯片40上的第一電性連接點4011與平臺107上的第三電性連接點50高度相同。
[0077]接著，提供一基板74，此基板74于下表面741配置一個第四電性連接點7411及一個第五電性連接點7413，此第四電性連接點7411及第五電性連接點7413是以一間隔隔離，而第四電性連接點7411及第五電性連接點7413的電性連通方式，是由配置在基板74內部配置一金屬線段7415來將第四電性連接點7411及第五電性連接點7413電性連通。
[0078]再接著，將基板74以其下表面741覆蓋住芯片40與基座10上的平臺107，并使位于基板74下表面741上的第四電性連接點7411與于平臺107上的第三電性連接點50電性連接，而位于基板74下表面741上的第五電性連接點7413會與芯片40的上表面401的第一電性連接點4011電性連接，以完成被動元件封裝結構；其中，本實用新型基板74的材質可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0079]請參閱圖5，是為本實用新型第四實施例的被動元件封裝結構的基板結合示意圖。如圖5所示，第四實施例的被動元件封裝結構其主要包含:一第一基板80，具有一上表面801與相對上表面801的一下表面803，且于第一基板80的一相對兩端附近形成一第一貫穿孔24及一第二貫穿孔26; —第二基板82,具有一上表面821與相對上表面821的一下表面823，其中，在第二基板82上，具有一開口(opening) 825及一相鄰開口 825的一第三貫穿孔28，開口 825及第三貫穿孔28均是由上表面821貫穿至下表面823，其中，第二基板82上的第三貫穿孔28是與第一基板80上的第二貫穿孔26相對應；一第三基板84，具有一上表面841與相對上表面841的一下表面843。很明顯地,本實施例中的第一基板80、第二基板82及第三基板84可以分別形成，且每一基板的材質可以由下列材料中選擇:塑料、玻璃纖維、樹脂、陶瓷材料或其他高分子材料。
[0080]請參閱圖6A-圖6C，是為本實用新型第四實施例的被動元件封裝結構的側視剖面圖。首先，請先參閱圖6A，將具有開口 825及第三貫穿孔28的第二基板82堆棧置于第一基板80的上，并使開口 825與第一基板80的上表面801形成一置晶槽8251，而第二基板82上的第三貫穿孔28與第一基板80上的第二貫穿孔26相對應，故可以形成一個貫穿第一基板80上表面801與下表面803，并同時貫穿第二基板82上表面821與下表面823的貫穿孔；其中，第一基板80與第二基板82是以一黏著材料固接成一體。接著，在第一貫穿孔24內形成一第一金屬導線66，同時于第一基板80的下表面803上形成第一焊墊34，遮蓋于第一貫穿孔24并使第一金屬導線66與第一焊墊34電性連接，而第一金屬導線66的另一端則曝露在第一基板80的上表面801上；此外,一第二金屬導線68形成于第二貫穿孔26及第三貫穿孔28中，同時于第一基板80的下表面803上形成第二焊墊36，遮蓋于第二貫穿孔26，以及在第二基板82的上表面821上形成一第三電性連接點52，且第二金屬導線68分別與第二焊墊36及第三電性連接點52電性連接；其中，形成第一金屬導線66及第二金屬導線68的方式，可以選擇電鍍方式來形成，而第三電性連接點52可為一焊墊(pad)結構。[0081 ] 接著，請參閱圖6B，完成圖6A的結構后，提供一芯片42，此芯片42具有上表面421及相對上表面421的下表面423，且在上表面421上己配置一第一電性連接點4211，而于芯片42的下表面423上己配置一第二電性連接點4231，其中，第一電性連接點4211及第二電性連接點4231為形成在芯片42上的焊墊(pad)結構。再接著，將芯片42放置入第一基板80與第二基板82所形成的置晶槽8251中，并使芯片42的下表面423上的第二電性連接點4231與第一金屬導線66電性連接；其中，芯片42置于置晶槽8251內的高度等于第二基板82的上表面821的高度，而芯片42上的第一電性連接點4211與第二基板82的上表面821上的第三電性連接點52高度相同。
[0082]再接著，請參閱圖6C，將第三基板84以其下表面841覆蓋住芯片42與第二基板82的上表面821;在此第三基板84的下表面841上配置一個第四電性連接點8431及一個第五電性連接點8433，此第四電性連接點8431及第五電性連接點8433是以一間隔隔離，而第四電性連接點8431及第五電性連接點8433的電性連通方式，是由配置在第三基板84內部配置一金屬線段8435來將第四電性連接點8431及第五電性連接點8433電性連通。
[0083]在第三基板84以其下表面841覆蓋住芯片42與第二基板82的上表面821時，第三基板84下表面843上的第四電性連接點8431會與第二基板82的上表面821上的第三電性連接點52電性連接，而位于第三基板84下表面843上的第五電性連接點8433會與芯片42的上表面421的第一電性連接點4211電性連接，以完成被動元件封裝結構。
[0084]本實用新型的第一實施例、第二實施例、第三實施例及第四實施例的被動元件封
裝結構，通過直接提供模塊化的基座10，或是以第一基板80、第二基板82及第三基板84疊
置方式，能在工藝上提供更快速制作流程，節(jié)省工藝的成本，對后續(xù)產品的進度產生正向效.、
Mo
[0085]雖然本實用新型以前述的較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何熟習本領域技術者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本實用新型的專利保護范圍須視本說明書所附的權利要求范圍所界定的為準。
【權利要求】
1.一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺； 一芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點； 一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點； 一基板，局部覆蓋于該芯片的上表面，并曝露出該第三金屬導線接點的區(qū)域；及 一膠體，覆蓋于該第三金屬導線接點的區(qū)域。
2.根據權利要求1所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該基板及該膠體于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
3.一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺； 一芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點； 一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點 '及 一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導線接點的區(qū)域。
4.根據權利要求1或3所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該膠體的材質為低溫膠。
5.一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺； 一芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點； 一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接占.一第三金屬導線，電性連接該第三電性連接點及該第一電性連接點 '及 一膠體，覆蓋于該芯片的上表面及該第三金屬導線接點的區(qū)域。
6.根據權利要求5所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該膠體于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面齊高。
7.一種被動元件封裝結構，其特征在于，包含: 一基座，具有一上表面與相對該上表面的一下表面，于該上表面上形成一凹槽，于該凹槽的一側形成一高于該凹槽底部且低于該上表面的一平臺，并使在該凹槽內低于該平臺的區(qū)域形成一置晶槽； 一第一貫穿孔，貫穿于該置晶槽； 一第二貫穿孔，貫穿于該平臺； 一芯片，配置于該置晶槽內，且于該芯片的上表面形成一第一電性連接點，于該芯片的下表面形成一第二電性連接點； 一第三電性連接點，形成于該平臺上，并置于該第二貫穿孔上方； 一第一焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第一貫穿孔； 一第一金屬導線，配置于該第一貫穿孔內，并電性連接該第一焊墊及該第二電性連接占.一第二焊墊，形成于該基座的下表面，并遮蓋該第二貫穿孔； 一第二金屬導線，配置于該第二貫穿孔內，并電性連接該第二焊墊及該第三電性連接點；及 一基板，部分覆蓋于該芯片及該平臺上，且于該基板的下表面具有一電性連通的一第四電性連接點及一第五電性連接點，而該第四電性連接點電性連接于該第三電性連接點，該第五電性連接點電性連接于該第一電性連接點。
8.根據權利要求7所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該基板內部進一步配置一金屬線段來使該第四電性連接點及該第五電性連接點彼此電性連通。
9.根據權利要求7所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該第四電性連接點及該第五電性連接點彼此之間保持一間隔。
10.根據權利要求7所述的被動元件封裝結構，其特征在于，其中該基板于該凹槽內覆蓋后的高度與該基座的上表面`齊高。
【文檔編號】H01L23/055GK203423160SQ201320492008
【公開日】2014年2月5日 申請日期:2013年8月13日 優(yōu)先權日:2013年8月13日
【發(fā)明者】陳石磯 申請人:標準科技股份有限公司