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一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號:7016873閱讀:359來源:國知局
一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),?包括:導(dǎo)熱焊盤:即散熱焊盤,用于放置芯片和電容組件;芯片:粘結(jié)設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤上;導(dǎo)電焊盤:圍繞設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤的外圍實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié);封裝引線:?連接芯片焊盤與導(dǎo)電焊盤;上下極板電容:粘結(jié)放置在導(dǎo)熱焊盤上實(shí)現(xiàn)電源濾波電路和輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò),充分利用導(dǎo)熱焊盤的面積,將芯片工作時所需的一些片外電容,特別是射頻芯片的輸入輸出匹配電路直接封裝到單元封裝內(nèi),方便后期的PCB板設(shè)計,同時可以解決晶圓上難以實(shí)現(xiàn)大電容設(shè)計的問題,減小PCB版圖面積。
【專利說明】一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及芯片封裝【技術(shù)領(lǐng)域】;具體的說是一種集貼片電容與芯片于一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]傳統(tǒng)的芯片封裝如圖1所示,是在散熱焊盤I’放置芯片2’,通過引線4’與導(dǎo)電盤3’鍵合;而晶圓上難以實(shí)現(xiàn)的大電容或者芯片電源的濾波電容則只能在PCB板上設(shè)計,導(dǎo)致PCB板面積增大不利于電子設(shè)備的小型化。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]本實(shí)用新型的目的在于解決現(xiàn)有技術(shù)的問題,針對當(dāng)前晶圓上難以實(shí)現(xiàn)的大電容或者芯片電源的濾波電容則只能在PCB板上設(shè)計,充分利用散熱焊盤上除芯片外的面積,將上下極板電容封裝到封裝體內(nèi),使得芯片在PCB板上的設(shè)計簡單,面積小型化。
[0004]為達(dá)成上述目的,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案:
[0005]一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),包括:導(dǎo)熱焊盤:用于放置芯片和電容組件;芯片:粘結(jié)放置在導(dǎo)熱焊盤上;導(dǎo)電焊盤:圍繞設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤的外圍實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié);封裝引線:連接芯片焊盤與導(dǎo)電焊盤;上下極板電容:設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤上實(shí)現(xiàn)電源濾波電路和輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)。所述的封裝引線也可做為電感使用,電感的大小可通過調(diào)節(jié)封裝引線的長度實(shí)現(xiàn)。
[0006]具體的,所述的濾波電路包括上下極板電容一和封裝引線;上下極板電容一上極板通過封裝引線連接到芯片的電源焊盤上,同時該上極板又通過封裝引線連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤上;所述上下極板電容一下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤上實(shí)現(xiàn)接地。
[0007]所述的輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)包括上下極板電容和封裝引線組成的T型匹配網(wǎng)絡(luò)或多級LC匹配移相網(wǎng)絡(luò)。
[0008]所述的T型匹配網(wǎng)絡(luò)由一個上下極板電容二和兩根封裝引線組成;上下極板電容二上極板通過封裝引線連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過封裝引線連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤上,上下極板電容二下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤上實(shí)現(xiàn)接地。
[0009]所述的多級LC匹配移相網(wǎng)絡(luò)由一個以上的上下極板電容三和三根及以上的封裝引線組成;上下極板電容三上極板通過封裝引線連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過另一條封裝引線連接到另一個電容上極板上,再通過封裝引線連接到導(dǎo)電焊盤上,而上下極板電容三所有的下極板均連接到導(dǎo)熱焊盤上實(shí)現(xiàn)接地連接。
[0010]采用上述技術(shù)方案,本實(shí)用新型導(dǎo)熱焊盤(散熱焊盤)上放置上下極板電容和芯片,通過引線(bondwire)鍵合將電容和芯片連接起來,同時鍵合引線可以當(dāng)做電感實(shí)現(xiàn)射頻輸入輸出匹配電路設(shè)計。本實(shí)用新型充分利用導(dǎo)熱焊盤的面積,將芯片工作時所需的一些片外電容,特別是射頻芯片的輸入輸出匹配電路直接封裝到單元封裝內(nèi),方便后期的PCB板設(shè)計,同時可以解決晶圓上難以實(shí)現(xiàn)大電容設(shè)計的問題,減小PCB版圖面積?!緦@綀D】

【附圖說明】
[0011]此處所說明的附圖用來提供對本實(shí)用新型的進(jìn)一步理解,構(gòu)成本實(shí)用新型的一部分,本實(shí)用新型的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本實(shí)用新型,并不構(gòu)成對本實(shí)用新型的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0012]圖1為本實(shí)用新型現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意圖;
[0013]圖2為本實(shí)用新型主視結(jié)構(gòu)示意圖;
[0014]圖3為本實(shí)用新型側(cè)視結(jié)構(gòu)示意圖;
[0015]圖4為本實(shí)用新型T型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖5為本實(shí)用新型多級LC匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]為了使本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案及有益效果更加清楚、明白,以下結(jié)合附圖和實(shí)施例,對本實(shí)用新型進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解,此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本實(shí)用新型,并不用于限定本實(shí)用新型。
[0018]如圖2-圖5所示,本實(shí)用新型所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),包括:
[0019]導(dǎo)熱焊盤1:用于放置芯片和電容組件;芯片2:粘結(jié)放置在導(dǎo)熱焊盤I上;導(dǎo)電焊盤3:圍繞設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤I的外圍實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié);封裝引線4:連接芯片與導(dǎo)電焊盤3 ;上下極板電容5:放置在導(dǎo)熱焊盤I上實(shí)現(xiàn)電源濾波電路6和輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)7。所述的封裝引線4可為電感。
[0020]具體的,所述的濾波電路6包括上下極板電容一 5-1和封裝引線4-1 ;上下極板電容一 5-1上極板通過封裝引線4-1連接到芯片的電源焊盤上,同時該上極板又通過封裝引線4-2連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤3上;所述上下極板電容一 5-1下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤I上實(shí)現(xiàn)接地。
[0021]所述的輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)7包括上下極板電容和封裝引線組成的T型匹配網(wǎng)絡(luò)或多級LC匹配(含Π型)移相網(wǎng)絡(luò)。所述的T型匹配網(wǎng)絡(luò)由一個上下極板電容二 5-2和兩根封裝引線4-3、4-4組成;上下極板電容二 5-2上極板通過封裝引線4-4連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過封裝引線4-3連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤3上,上下極板電容二 5-2下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤I上實(shí)現(xiàn)接地。
[0022]所述的多級LC匹配移相(含Π型)網(wǎng)絡(luò)由一個以上的上下極板電容三5-3和三根及以上的封裝引線4-5組成;上下極板電容三5-3上極板通過封裝引線4-5連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過另一條封裝引線連接到另一個電容上極板上,再通過封裝引線連接到導(dǎo)電焊盤3上,而上下極板電容三5-3所有的下極板均連接到導(dǎo)熱焊盤I上實(shí)現(xiàn)接地連接。
[0023]本實(shí)用新型導(dǎo)熱焊盤(散熱焊盤)上放置上下極板電容和芯片,通過引線(bondwire)鍵合將電容和芯片連接起來,同時鍵合引線可以當(dāng)做電感實(shí)現(xiàn)射頻輸入輸出匹配電路設(shè)計。本實(shí)用新型充分利用導(dǎo)熱焊盤的面積,將芯片工作時所需的一些片外電容,特別是射頻芯片的輸入輸出匹配電路直接封裝到單元封裝內(nèi),方便后期的PCB板設(shè)計,同時可以解決晶圓上難以實(shí)現(xiàn)大電容設(shè)計的問題,減小PCB版圖面積。
[0024]上述說明示出并描述了本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,如前所述,應(yīng)當(dāng)理解本實(shí)用新型并非局限于本文所披露的形式,不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境,并能夠在本文所述實(shí)用新型構(gòu)想范圍內(nèi),通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍,則都應(yīng)在本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括: 導(dǎo)熱焊盤(I):用于放置芯片和電容組件; 芯片(2):粘結(jié)放置在導(dǎo)熱焊盤(I)上; 導(dǎo)電焊盤(3):圍繞設(shè)置在導(dǎo)熱焊盤(I)的外圍實(shí)現(xiàn)電氣連結(jié); 封裝引線(4):連接芯片焊盤與導(dǎo)電焊盤(3); 上下極板電容(5):放置在導(dǎo)熱焊盤(I)上實(shí)現(xiàn)電源濾波電路(6)和輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(7)。
2.如權(quán)利要求1所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的封裝引線(4)當(dāng)做電感使用。
3.如權(quán)利要求1所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的濾波電路(6)包括上下極板電容一(5-1)和封裝引線(4-1);上下極板電容一(5-1)上極板通過封裝引線(4-1)連接到芯片的電源焊盤上,同時該上極板又通過封裝引線(4-2)連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤(3)上;所述上下極板電容一(5-1)下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤(I)上實(shí)現(xiàn)接地。
4.如權(quán)利要求1所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的輸入輸出阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)(7)包括上下極板電容和封裝引線組成的T型匹配網(wǎng)絡(luò)或多級LC匹配移相網(wǎng)絡(luò)。
5.如權(quán)利要求4所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的T型匹配網(wǎng)絡(luò)由一個上下極板電容二(5-2)和兩根封裝引線(4-3、4-4)組成;上下極板電容二(5-2)上極板通過封裝引線(4-4)連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過封裝引線(4-3)連接到相應(yīng)的導(dǎo)電焊盤(3)上,上下極板電容二(5-2)下極板則連接到導(dǎo)熱焊盤(I)上實(shí)現(xiàn)接地。
6.如權(quán)利要求4所述的一種集電容組件與芯片為一體的射頻芯片封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:所述的多級LC匹配移相網(wǎng)絡(luò)由一個以上的上下極板電容三(5-3)和三根及以上的封裝引線(4-5 )組成;上下極板電容三(5-3 )上極板通過封裝弓丨線(4-5 )連接到芯片的輸入端焊盤上,同時該極板又通過另一條封裝引線連接到另一個電容上極板上,再通過封裝引線連接到導(dǎo)電焊盤(3)上,而上下極板電容三(5-3)所有的下極板均連接到導(dǎo)熱焊盤(I)上實(shí)現(xiàn)接地連接。
【文檔編號】H01L23/64GK203434153SQ201320256075
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2013年5月13日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月13日
【發(fā)明者】柯慶福, 陳濺冰 申請人:廈門市雷迅科電子科技有限公司
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