專利名稱：圖形化透明導(dǎo)電膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及導(dǎo)電膜技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種圖形化透明導(dǎo)電膜。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電膜是具有良好導(dǎo)電性和在可見光波段具有高透光率的一種導(dǎo)電薄膜。目前透明導(dǎo)電膜已廣泛應(yīng)用于平板顯示、光伏器件、觸控面板和電磁屏蔽等領(lǐng)域，具有極其廣闊的市場空間。傳統(tǒng)的手機(jī)觸摸屏中，為了減輕手機(jī)的厚度和重量，大多是用的柔性的圖形化透明導(dǎo)電膜；一般的觸控屏幕，大多需要采用兩片透明導(dǎo)電膜組成上下電極以完成觸控功能。然而當(dāng)兩片透明導(dǎo)電膜上下組合時(shí)，其透光率將進(jìn)一步減小。傳統(tǒng)的兩片透明的導(dǎo)電膜的導(dǎo)電區(qū)域大多是形狀規(guī)則的網(wǎng)格，由于LCD的像素單元是形狀規(guī)則的矩形單元，像素之間是形狀規(guī)則且成周期性分布的黑色線條，而導(dǎo)電薄膜的周期性不透光線條就會(huì)與LCD的黑線形成周期性遮蔽，因此將這種透明導(dǎo)電薄膜貼附于LCD表面時(shí)會(huì)出現(xiàn)較為明顯的莫爾條紋。此外相同的原理，當(dāng)兩張規(guī)則網(wǎng)格導(dǎo)電膜的貼合也會(huì)產(chǎn)生明顯的莫爾條紋。這種現(xiàn)象無疑嚴(yán)重影響了基于金屬網(wǎng)格的圖形化透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容基于此，有必要針對(duì)上述問題，提供一種既能夠完全消除莫爾條紋現(xiàn)象的圖形化透明導(dǎo)電膜。 一種圖形化透明導(dǎo)電膜，包括:基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對(duì)設(shè)置；第一導(dǎo)電層，設(shè)于所述基片的第一表面，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格；及第二導(dǎo)電層，包括第二導(dǎo)電區(qū)和第二絕緣區(qū)，所述第二導(dǎo)電區(qū)包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格；其中所述若干金屬網(wǎng)格均為埋入式金屬網(wǎng)格且是形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層疊加且在所述基片的厚度方向上相互間隔且絕緣，疊加后形成的疊加金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格疊加后滿足以下條件:所述疊加金屬網(wǎng)格中的金屬線是直線段，且與右向水平方向X軸所成角度Θ呈均勻分布；其中，所述的均勻分布指的是統(tǒng)計(jì)每一條金屬線的Θ值，然后按照5°的步距，統(tǒng)計(jì)落在每個(gè)角度區(qū)間內(nèi)金屬線的概率Pi，由此在(Γ180°以內(nèi)的36個(gè)角度區(qū)間得到P:、Ρ2、……至P36 ;Pi滿足標(biāo)準(zhǔn)差小于算術(shù)均值的20%。 在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線的斜率K1在(-1，I)范圍內(nèi)的概率密度最大，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線的斜率K2在(-C ，- U U (I, +范圍內(nèi)的概率密
度最大。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述基片的第二表面，與所述第一導(dǎo)電層相對(duì)設(shè)置。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層的表面，與所述第一導(dǎo)電層位于所述基片的同側(cè)。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)包括由金屬線所形成的金屬網(wǎng)格，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)之間絕緣，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)之間絕緣，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格是形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度上均勻分布。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)的絕緣方式為:所述第一絕緣區(qū)的金屬線之間互相連通，且與所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線之間設(shè)有間隔；所述第二絕緣區(qū)的金屬線之間互相連通，且與所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線之間設(shè)有間隔。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)的絕緣方式為:所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格由沒有節(jié)點(diǎn)且彼此斷開的金屬線構(gòu) 成。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述沒有節(jié)點(diǎn)且彼此斷開的金屬線中每兩根相互斷開的金屬線首尾端點(diǎn)的最小距離小于30 μ m。在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第一絕緣區(qū)的透過率之差小于2%，所述第二導(dǎo)電區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的透過率之差小于2%。上述圖形化透明導(dǎo)電膜，通過將第一導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格在橫向方向上做拉伸截取，第二導(dǎo)電層的金屬網(wǎng)格在縱向方向上做拉伸截取，使得第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，同時(shí)保證了金屬網(wǎng)格面積即透光區(qū)域的增加，使得整個(gè)透明導(dǎo)電膜的透光率增加，又因?yàn)閱畏较虻睦旌徒厝∧軌虼_保偏向該方向上的金屬線的概率密度不變，因此透明導(dǎo)電膜在該方向上的導(dǎo)電性能能夠保持基本不變，而由于第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層在同一方向上的金屬線概率密度不同，故將第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層疊加后，整個(gè)導(dǎo)電膜的疊加金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布，完全消除了莫爾條紋現(xiàn)象。

圖1為圖形化透明導(dǎo)電膜的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為圖形化透明導(dǎo)電膜的第一導(dǎo)電層的隨機(jī)網(wǎng)格部分示意圖；圖3為圖形化透明導(dǎo)電膜的第二導(dǎo)電層的隨機(jī)網(wǎng)格部分示意圖；圖4為圖2和圖3疊加后的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖5為圖2和圖3疊加后的概率分布示意圖；圖6是圖形化透明導(dǎo)電薄膜的隨機(jī)網(wǎng)格中每根線段與X軸所成夾角的概率Pi分布；[0027]圖7為圖2和圖3的隨機(jī)網(wǎng)格的放大示意圖；圖7A為圖7中A的局部放大圖；圖7B為圖7中B的局部放大圖。
具體實(shí)施方式
下面根據(jù)附圖及具體實(shí)施方式
對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。請(qǐng)參閱圖1至圖5, —種圖形化透明導(dǎo)電膜100,包括基片110、第一導(dǎo)電層120和第二導(dǎo)電層130，基片110包括第一表面112和第二表面114，第一表面112和第二表面114相對(duì)設(shè)置。第一導(dǎo)電層120設(shè)于基片的第一表面112,包括第一導(dǎo)電區(qū)122和第一絕緣區(qū)124，第一導(dǎo)電區(qū)122包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格，且第一導(dǎo)電區(qū)122的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度。第二導(dǎo)電層130包括第二導(dǎo)電區(qū)132和第二絕緣區(qū)134，第二導(dǎo)電區(qū)132包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格，第二導(dǎo)電層130與第一導(dǎo)電層120疊加且在基片110的厚度方向上相互間隔且互相絕緣，疊加后的所形成的疊加金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布，且金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度。其中，金屬網(wǎng)格均為埋入式金屬網(wǎng)格，通過在基片110表面開設(shè)凹槽或者在基質(zhì)層表面開設(shè)凹槽，再在凹槽中填充金屬材料形成，或者直接在基片110表面涂布、烘干得到交錯(cuò)分布的金屬線，再進(jìn)行壓實(shí)，得到埋入式金屬網(wǎng)格。上述圖形化透明導(dǎo)電膜，以基片110所在的平面為坐標(biāo)平面，橫向?yàn)閄軸，縱向?yàn)閅軸。得到的第一導(dǎo)電區(qū)122的金屬網(wǎng)格中的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，也即是說第一導(dǎo)電區(qū)122靠近X軸的金屬線的數(shù)量大于靠近Y軸的數(shù)量。第二導(dǎo)電區(qū)132的金屬網(wǎng)格中的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，也即是說第二導(dǎo)電區(qū)132靠近Y軸的金屬線的數(shù)量大于靠近X軸的數(shù)量。而由于第一導(dǎo)電層120和第二導(dǎo)電層130在同一方向上的金屬線概率密度不同,將第一導(dǎo)電層120和第二導(dǎo)電層130疊加后，整個(gè)導(dǎo)電膜的疊加金屬網(wǎng)格分布概率成均勻分布，避免網(wǎng)格與LCD網(wǎng)格規(guī)則性重復(fù)，消除了莫爾條紋。本實(shí)施例`所說的隨機(jī)網(wǎng)格可以為蜂窩狀結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參閱圖5，為第一導(dǎo)電層120和第二導(dǎo)電層130疊加之后的概率分布示意圖。如圖所示，因?yàn)榈谝粚?dǎo)電區(qū)122的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，第二導(dǎo)電區(qū)132的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，故當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電區(qū)122的金屬網(wǎng)格中的金屬線的斜率呈上升趨勢(shì)時(shí)，第二導(dǎo)電區(qū)132的金屬網(wǎng)格中的金屬線的斜率呈下降趨勢(shì)，將第一導(dǎo)電層120和第二導(dǎo)電層130進(jìn)行疊加后，疊加后的金屬線的斜率整體呈水平狀態(tài)，即整個(gè)導(dǎo)電層的疊加金屬網(wǎng)格分布概率呈均勻分布。請(qǐng)參閱圖4和圖6，在本實(shí)施例中，隨機(jī)網(wǎng)格的類型為各項(xiàng)同性不規(guī)則多邊隨機(jī)網(wǎng)格，下面將以5mm*5_面積的隨機(jī)網(wǎng)格為例分析其疊加金屬網(wǎng)格的金屬線的角度分布。如圖4所示的一個(gè)實(shí)施例中，隨機(jī)網(wǎng)格共包括4257根線段。統(tǒng)計(jì)每根線段的與X軸所成夾角Θ得到一維數(shù)組θ (1ΓΘ (4257);進(jìn)而以5°為區(qū)間布局，將(Γ180°分為36個(gè)角度區(qū)間；統(tǒng)計(jì)線段中落在每個(gè)區(qū)間內(nèi)的概率，得到一組數(shù)組Ρ(1ΓΡ(36)，如圖6所示；隨后根據(jù)標(biāo)準(zhǔn)差計(jì)算公式:
權(quán)利要求1.一種圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，包括: 基片，包括第一表面和第二表面，所述第一表面和所述第二表面相對(duì)設(shè)置； 第一導(dǎo)電層，設(shè)于所述基片的第一表面，所述第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，所述第一導(dǎo)電區(qū)包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格 '及 第二導(dǎo)電層，包括第二導(dǎo)電區(qū)和第二絕緣區(qū)，所述第二導(dǎo)電區(qū)包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格； 其中所述若干金屬網(wǎng)格均為埋入式金屬網(wǎng)格且是形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，所述第二導(dǎo)電層與所述第一導(dǎo)電層疊加且在所述基片的厚度方向上相互間隔且絕緣，疊加后形成的疊加金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層的形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格疊加后滿足以下條件:所述疊加金屬網(wǎng)格中的金屬線是直線段，且與右向水平方向X軸所成角度Θ呈均勻分布； 其中，所述的均勻分布是指:統(tǒng)計(jì)每一條金屬線的Θ值，然后按照5°的步距，統(tǒng)計(jì)落在每個(gè)角度區(qū)間內(nèi)金屬線的概率Pi,由此在(Tl80°以內(nèi)的36個(gè)角度區(qū)間得到ΡρΡ2、……至P36 ；Pi滿足標(biāo)準(zhǔn)差小于算術(shù)均值的20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線的斜率K1在(-1，I)范圍內(nèi)的概率密度最大，所述第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線的斜率K2在(-⑴，-1) U (1，+ m)范圍內(nèi)的概率密度最大。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述基片的第二表面，與所·述第一導(dǎo)電層相對(duì)設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層設(shè)置于所述第一導(dǎo)電層的表面，與所述第一導(dǎo)電層位于所述基片的同側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)包括由金屬線所形成的金屬網(wǎng)格，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)之間絕緣，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)之間絕緣，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格是形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度上均勻分布。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)的絕緣方式為:所述第一絕緣區(qū)的金屬線之間互相連通，且與所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線之間設(shè)有間隔；所述第二絕緣區(qū)的金屬線之間互相連通，且與所述第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線之間設(shè)有間隔。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一絕緣區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)，所述第二絕緣區(qū)與所述第二導(dǎo)電區(qū)的絕緣方式為:所述第一絕緣區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的金屬網(wǎng)格由沒有節(jié)點(diǎn)且彼此斷開的金屬線構(gòu)成。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述沒有節(jié)點(diǎn)且彼此斷開的金屬線中每兩根相互斷開的金屬線首尾端點(diǎn)的最小距離小于30 μ m。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的圖形化透明導(dǎo)電膜，其特征在于，所述第一導(dǎo)電區(qū)和所述第一絕緣區(qū)的透過率之差小于2%，所述第二導(dǎo)電區(qū)和所述第二絕緣區(qū)的透過率之差小于2%。 ·
專利摘要一種圖形化透明導(dǎo)電膜，包括基片、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，第一導(dǎo)電層包括第一導(dǎo)電區(qū)及第一絕緣區(qū)，第二導(dǎo)電層包括第二導(dǎo)電區(qū)和第二絕緣區(qū)，第一導(dǎo)電區(qū)和第二導(dǎo)電區(qū)均包括由金屬線所形成的若干金屬網(wǎng)格；其中若干金屬網(wǎng)格均為埋入式金屬網(wǎng)格且是形狀不規(guī)則的隨機(jī)網(wǎng)格，第一導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近橫向的概率密度大于靠近縱向的概率密度，第二導(dǎo)電區(qū)的金屬線斜率靠近縱向的概率密度大于靠近橫向的概率密度，第二導(dǎo)電層與第一導(dǎo)電層疊加且在基片的厚度方向上相互間隔且絕緣，疊加后形成的疊加金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布；增大了透光率同時(shí)保證了導(dǎo)電性能不變，且疊加后的兩層導(dǎo)電膜的金屬網(wǎng)格在各個(gè)角度均勻分布，完全消除了莫爾條紋現(xiàn)象。
文檔編號(hào)H01B5/14GK203118523SQ20132006722
公開日2013年8月7日 申請(qǐng)日期2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2013年2月5日
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