柔性oled面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED面板的制作方法，該方法簡單，通過在第一基板上設(shè)置支撐層上并在支撐層上蝕刻凹槽以及在凹槽內(nèi)涂布UV膠，將第一基板與柔性材料層固定，得到平坦、可操作、不易發(fā)生形變的柔性材料層，而在完成OLED器件的制成后，再將凹槽限定的區(qū)域外的部分切除，使第一基板與柔性材料層分離，進而制成柔性O(shè)LED面板，該方法可實現(xiàn)自動化，且不會破壞元件。
【專利說明】柔性O(shè)LED面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及平面顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種柔性O(shè)LED面板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]平面顯示裝置具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的平面顯示裝置主要包括液晶顯示裝置(IXD, Liquid Crystal Display)及有機發(fā)光顯示裝置(OLED, Organic Light Emitting Display)。
[0003]有機發(fā)光顯示裝置具備自發(fā)光、高亮度、寬視角、高對比度、可撓曲、低能耗等特性，因此受到廣泛的關(guān)注，并作為新一代的顯示方式，已開始逐漸取代傳統(tǒng)液晶顯示裝置，被廣泛應(yīng)用于手機屏幕、電腦顯示器、全彩電視等電子產(chǎn)品上。OLED顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無需背光燈，采用非常薄的有機材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過時，這些有機材料就會發(fā)光。
[0004]OLED顯示技術(shù)的發(fā)展使柔性O(shè)LED顯示技術(shù)成為面板行業(yè)的新秀。但是柔性基板由于易發(fā)生形變，在生產(chǎn)過程中，尤其是在對位、TFT (Thin Film Transistor,薄膜晶體管)或OLED成膜過程中難以操作。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種OLED面板的制作方法，方法簡單，可實現(xiàn)自動化，且不會破壞元件，有效解決由于柔性基板易發(fā)生形變而使生產(chǎn)過程難以操作的問題。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED面板的制作方法，包括以下步驟:
[0007]步驟1、提供一第一基板,在該第一基板上形成一支撐層；
[0008]步驟2、在所述支撐層的四周邊緣位置蝕刻形成凹槽，并在該凹槽內(nèi)涂布UV膠；
[0009]步驟3、提供一第二基板及柔性材料，將所述柔性材料平鋪并真空吸附于所述第二基板上，以形成一柔性材料層；
[0010]步驟4、在真空條件下，將所述第一基板與第二基板進行對位貼合，所述第二基板上的柔性材料層朝向第一基板上的支撐層，并通過紫外線照射固化UV膠，使所述柔性材料層固定于所述支撐層上，并移除第二基板；
[0011]步驟5、對應(yīng)所述凹槽的內(nèi)側(cè)邊圍成的區(qū)域內(nèi)，在所述柔性材料層上依次形成TFT元件及OLED元件，并在該OLED元件上形成封裝層，以對該OLED元件進行封裝；
[0012]步驟6、將所述凹槽的內(nèi)側(cè)邊圍成的區(qū)域外的部分切割掉，進而將所述第一基板及支撐層與所述柔性材料層、TFT元件、OLED元件及封裝層分離，進而制得柔性O(shè)LED面板。
[0013]所述第一基板為玻璃基板。
[0014]所述支撐層由氮化硅或二氧化硅制成。
[0015]所述UV膠的厚度大于所述凹槽的深度。
[0016]所述步驟2中，所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。
[0017]所述第二基板為玻璃基板。[0018]所述步驟3中，所述柔性材料通過滾軸滾壓平鋪并真空吸附于所述第二基板上。
[0019]所述OLED元件包括陽極、形成于陽極上的有機材料層、及形成于有機材料層上的陰極。
[0020]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明柔性O(shè)LED面板的制作方法，方法簡單，通過在第一基板上設(shè)置支撐層上并在支撐層上蝕刻凹槽以及在凹槽內(nèi)涂布UV膠，將第一基板與柔性材料層固定，得到平坦、可操作、不易發(fā)生形變的柔性材料層，而在完成OLED器件的制成后，再將凹槽限定的區(qū)域外的部分切除，使第一基板與柔性材料層分離，進而制成柔性O(shè)LED面板，該方法可實現(xiàn)自動化，且不會破壞元件。
[0021]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0023]附圖中，
[0024]圖1為本發(fā)明柔性O(shè)LED面板的制作方法的流程圖；
[0025]圖2至圖9B為本發(fā)明柔性O(shè)LED面板的制作方法的制程示意圖。
【具體實施方式】
[0026]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細(xì)描述。
[0027]請參閱圖1至圖9B，本發(fā)明提供一種柔性O(shè)LED面板的制作方法，包括以下步驟:
[0028]步驟1、提供一第一基板20，在該第一基板20上形成一支撐層22。
[0029]所述第一基板20可以為玻璃基板或塑料基板，本實施例中，第一基板20優(yōu)選為玻璃基板。所述支撐層22由氮化硅(SiNx)或二氧化硅(SiO2)制成。
[0030]步驟2、在所述支撐層22的四周邊緣位置蝕刻形成凹槽24，并在該凹槽24內(nèi)涂布UV 膠 26。
[0031]所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。所述UV膠26的厚度略大于所述凹槽24的深度，如圖3A及圖3B所示，其中圖3B為圖3A的俯視圖。
[0032]步驟3、提供一第二基板28及柔性材料，將所述柔性材料平鋪并真空吸附于所述第二基板28上，以形成一柔性材料層30。
[0033]該步驟中，所述柔性材料通過滾軸滾壓平鋪并真空吸附于所述第二基板28上(如圖4A所示)。
[0034]步驟4、在真空條件下，將所述第一基板20與第二基板28進行對位貼合，所述第二基板28上的柔性材料層30朝向第一基板20上的支撐層22，并通過紫外線照射固化UV膠26，使所述柔性材料層30固定于所述支撐層22上，并移除第二基板28。
[0035]通過該步驟得到的柔性材料層30即為柔性基板，因該柔性基板已通過UV膠固定于所述第一基板20上的支撐層22上方，故該柔性基板平坦且不易發(fā)生形變，在生產(chǎn)過程中可操作。[0036]步驟5、對應(yīng)所述凹槽24的內(nèi)側(cè)邊A形成的區(qū)域，在所述柔性材料層30上依次形成TFT元件32及OLED元件34，并在該OLED元件34上形成封裝層36，以對該OLED元件34進行封裝。
[0037]所述OLED元件34包括陽極、形成于陽極上的有機材料層、及形成于有機材料層上的陰極。
[0038]所述封裝層36為一層薄膜。步驟6、將所述凹槽24的內(nèi)側(cè)邊A形成的區(qū)域外的部分切割掉，進而將所述第一基板20及支撐層22與所述柔性材料層30、TFT元件32、0LED元件34及封裝層36分離，進而制得柔性O(shè)LED面板。
[0039]所分離出來的部分即為柔性O(shè)LED面板，如圖9B所示。
[0040]綜上所述，本發(fā)明柔性O(shè)LED面板的制作方法，方法簡單，通過在第一基板上設(shè)置支撐層上并在支撐層上蝕刻凹槽以及在凹槽內(nèi)涂布UV膠，將第一基板與柔性材料層固定，得到平坦、可操作、不易發(fā)生形變的柔性材料層，而在完成OLED器件的制成后，再將凹槽限定的區(qū)域外的部分切除，使第一基板與柔性材料層分離，進而制成柔性O(shè)LED面板，該方法可實現(xiàn)自動化，且不會破壞元件。
[0041]以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟1、提供一第一基板(20 )，在該第一基板(20 )上形成一支撐層(22 ); 步驟2、在所述支撐層(22)的四周邊緣位置蝕刻形成凹槽(24)，并在該凹槽(24)內(nèi)涂布 UV 膠(26)； 步驟3、提供一第二基板(28)及柔性材料，將所述柔性材料平鋪并真空吸附于所述第二基板(28)上，以形成一柔性材料層(30)； 步驟4、在真空條件下，將所述第一基板(20)與第二基板(28)進行對位貼合，所述第二基板(28)上的柔性材料層(30)朝向第一基板(20)上的支撐層(22)，并通過紫外線照射固化UV膠(26 )，使所述柔性材料層(30 )固定于所述支撐層(22 )上，并移除第二基板(28 ); 步驟5、對應(yīng)所述凹槽(24)的內(nèi)側(cè)邊(A)圍成的區(qū)域，在所述柔性材料層(30)上依次形成TFT元件(32)及OLED元件(34)，并在該OLED元件(34)上形成封裝層(36)，以對該OLED元件進行封裝； 步驟6、將所述凹槽(24)的內(nèi)側(cè)邊(A)圍成的區(qū)域外的部分切割掉，進而將所述第一基板(20 )及支撐層(22 )與所述柔性材料層(30 )、TFT元件(32 )、OLED元件(34 )及封裝層(36)分離，進而制得柔性O(shè)LED面板。
2.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述第一基板(20)為玻璃基板。
3.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述支撐層(22)由氮化硅或二氧化硅制成。
4.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述UV膠(26)的厚度大于所述凹槽(24)的深度(此處略字會導(dǎo)致權(quán)利要求不清楚)。
5.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，所述蝕刻制程為酸蝕刻制程或干蝕刻制程。
6.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述第二基板(28)為玻璃基板。
7.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，所述柔性材料通過滾軸滾壓平鋪并真空吸附于所述第二基板(28)上。
8.如權(quán)利要求1所述的柔性O(shè)LED面板的制作方法，其特征在于，所述OLED元件(34)包括陽極、形成于陽極上的有機材料層、及形成于有機材料層上的陰極。
【文檔編號】H01L21/77GK103745953SQ201310754010
【公開日】2014年4月23日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】曾維靜, 劉至哲 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司