一種有機發(fā)光顯示器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機發(fā)光顯示器件，包括：基板；具有反射特征的第一電極；具有半透半反特性的第二電極；光學(xué)增強層，其位于所述第二電極之上；有機層，其位于第一電極與第二電極之間，該有機層包括空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層及電子傳輸層，該空穴注入層靠近所述第一電極并位于該第一電極之上，其中所述發(fā)光層包括分別位于紅、綠、藍像素區(qū)域的紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層、藍光發(fā)光層；所述有機發(fā)光顯示器件還包括綠光和紅光像素區(qū)域位于所述空穴注入層與空穴傳輸層之間的光學(xué)補償層，該光學(xué)補償層為至少兩層結(jié)構(gòu)。本發(fā)明中紅光和綠光器件的光學(xué)補償層厚度不同，滿足各自光譜的光程要求。
【專利說明】一種有機發(fā)光顯示器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)一種具有藍光、綠光、紅光像素的有機發(fā)光顯示器件，特別是指一種在紅光像素和綠光像素器件中具有光學(xué)補償層，以滿足其共振要求的有機發(fā)光顯示器件。
【背景技術(shù)】
[0002]OLED (Organic Light-Emitting Diode,有機電激發(fā)光二極管)顯示器由紅、綠、藍三種顏色的發(fā)光器件實現(xiàn)彩色顯示。0LED根據(jù)出射光方向的不同可分為底發(fā)光器件(出射光通過基板一側(cè)出射)和頂發(fā)光器件(出射光背向基板一側(cè)出射)。為獲得更高的效率和亮度，在AM0LED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode,有源矩陣有機發(fā)光二極管)中通常采用頂發(fā)光結(jié)構(gòu)。頂發(fā)光器件包括一帶反射層的陽極和半透半反的陰極，因此形成一個光學(xué)微腔，有機材料發(fā)出的光在微腔中發(fā)生干涉作用，獲得更高的效率和更純的色度。但由于紅、綠、藍的光譜不同，發(fā)生干涉時的光程長度不同，因此有機層的厚度不同。
[0003]目前,通過業(yè)界通常采用調(diào)整空穴注入層(HIL, hole injection layer)的厚度以獲得滿足光程要求的有機層厚度，但增加的HIL厚度會導(dǎo)致器件的驅(qū)動電壓上升，還會影響載流子平衡，進而影響器件的效率和壽命等性能。另一方面，HIL需要與其后的空穴傳輸層(HTL, Hole transferring layer)相匹配，使得HTL材料選擇范圍較小。中國專利CN101308863中公開了一種高空穴遷移率的材料作為輔助層，用以調(diào)節(jié)綠光和紅光的共振周期，但該方案所選擇的高空穴遷移率材料非常有限，限制了產(chǎn)品的開發(fā)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種在紅光像素和綠光像素器件中具有雙層光學(xué)補償層的有機發(fā)光顯示器件，以便有效改善器件的各項光電性能，并且能夠獲得廣泛的選材范圍。
[0005]為達到上述目的，本發(fā)明`提供一種有機發(fā)光顯示器件，其包括:
基板；
具有反射特征的第一電極；
具有半透半反特性的第二電極；
光學(xué)增強層，其位于所述第二電極之上；
有機層，其位于第一電極與第二電極之間，該有機層包括空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層及電子傳輸層，該空穴注入層靠近所述第一電極并位于該第一電極之上，其中所述發(fā)光層包括分別位于紅、綠、藍像素區(qū)域的紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層、藍光發(fā)光層；所述有機發(fā)光顯示器件還包括綠光和紅光像素區(qū)域位于所述空穴注入層與空穴傳輸層之間的光學(xué)補償層，該光學(xué)補償層為至少兩層結(jié)構(gòu)。
[0006]光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值^ -0.2eV ;紅光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值≥-0.2eVo
[0007]綠光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值^ -0.2eV ;紅光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層、第二光學(xué)補償層、第三光學(xué)補償層及第四光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值> -0.2eV，該第三光學(xué)補償層所用材料與該第一光學(xué)補償層材料相同，該第四光學(xué)補償層所用材料與厚度與該第二光學(xué)補償層一致。
[0008]所述綠光像素區(qū)域與紅光像素區(qū)域的第一光學(xué)補償層的材料化學(xué)通式為
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光顯不器件，其包括:基板；具有反射特征的第一電極；具有半透半反特性的第二電極；光學(xué)增強層，其位于所述第二電極之上；有機層，其位于第一電極與第二電極之間，該有機層包括空穴注入層，空穴傳輸層，發(fā)光層及電子傳輸層，該空穴注入層靠近所述第一電極并位于該第一電極之上，其中所述發(fā)光層包括分別位于紅、綠、藍像素區(qū)域的紅光發(fā)光層、綠光發(fā)光層、藍光發(fā)光層；其特征在于，所述有機發(fā)光顯示器件還包括綠光和紅光像素區(qū)域位于所述空穴注入層與空穴傳輸層之間的光學(xué)補償層，該光學(xué)補償層為至少兩層結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，綠光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值> -0.2eV ;紅光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值> -0.2eV。
3.如權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，綠光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層和第二光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值> -0.2eV ;紅光像素區(qū)域的所述光學(xué)補償層包括第一光學(xué)補償層、第二光學(xué)補償層、第三光學(xué)補償層及第四光學(xué)補償層，該第一光學(xué)補償層的最高占有分子軌道能級減去第二光學(xué)補償層的最低空分子軌道能級的值^ -0.2eV，該第三光學(xué)補償層所用材料與該第一光學(xué)補償層材料相同，該第四光學(xué)補償層所用材料與厚度與該第二光學(xué)補償層一致。
4.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述綠光像素區(qū)域與紅光像素區(qū)域的第一光學(xué)補償層的材料化學(xué)通式為
5.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述綠光像素區(qū)域與紅光像素區(qū)域的第二光學(xué)補償層的材料化學(xué)通式為
6.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述綠光像素區(qū)域與紅光像素區(qū)域的第二光學(xué)補償層的材料HAT (CN)，其分子結(jié)構(gòu)為
7.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述綠光像素區(qū)域與紅光像素區(qū)域的第二光學(xué)補償層的厚度為5-15nm。
8.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述空穴注入層為雙層結(jié)構(gòu)，包括位于第一電極之上的第一空穴注入層與該第一空穴注入層之上的第二空穴注入層，該第一空穴注入層的材料與所述第一光學(xué)補償層所用的材料相同，該第二空穴注入層的材料與所述第二光學(xué)補償層所用的材料相同。
9.如權(quán)利要求8所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，在所述第一空穴注入層與第一電極之間設(shè)有第三空穴注入層，該第三空穴注入層所用的材料與第二空穴注入層相同。
10.如權(quán)利要求2或3所述的有機發(fā)光顯示器件，其特征在于，所述第一光學(xué)補償層的材料為
【文檔編號】H01L27/32GK103700776SQ201310747785
【公開日】2014年4月2日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】劉嵩, 何麟 申請人:北京維信諾科技有限公司, 昆山工研院新型平板顯示技術(shù)中心有限公司