半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置，能夠通過簡(jiǎn)易的手法正確地測(cè)定在晶片上形成的多個(gè)芯片的電氣特性。半導(dǎo)體檢查方法包括：在形成有多個(gè)芯片的晶片的背面?zhèn)?，粘貼絕緣薄片的工序，該絕緣薄片具有與多個(gè)芯片的位置對(duì)應(yīng)地形成的多個(gè)孔；切割粘貼有絕緣薄片的晶片，在粘貼了絕緣薄片的狀態(tài)下單片化為多個(gè)芯片的工序；使探測(cè)器接觸到晶片上的多個(gè)芯片中的測(cè)定對(duì)象芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使另一探測(cè)器通過絕緣薄片的對(duì)應(yīng)的孔而接觸到測(cè)定對(duì)象芯片的下表面，對(duì)測(cè)定對(duì)象芯片的電氣特性進(jìn)行測(cè)定的工序。
【專利說明】半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置
[0001](相關(guān)申請(qǐng))
[0002]本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2013-105544號(hào)(申請(qǐng)日:2013年5月17日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的所有內(nèi)容。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明的實(shí)施方式涉及使探測(cè)器接觸到芯片來測(cè)定各種電氣特性的半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置。

【背景技術(shù)】
[0004]在晶片上形成有多個(gè)芯片，以往，在測(cè)定了晶片上的各個(gè)芯片的電氣特性之后，切割晶片而單片化為各個(gè)芯片。
[0005]如果在切割前的晶片的狀態(tài)下進(jìn)行了電氣的測(cè)定，則具有能夠使探測(cè)器正確地接觸到晶片內(nèi)的測(cè)定對(duì)象芯片上的規(guī)定部位而進(jìn)行測(cè)定的優(yōu)點(diǎn)，但在測(cè)定電氣特性之后進(jìn)行切割時(shí)，存在如下問題:由于切割時(shí)的損傷，產(chǎn)生新的缺陷，在晶片的狀態(tài)下為優(yōu)質(zhì)的芯片在切割之后有可能變?yōu)橛腥毕莸男酒?，從而無法檢測(cè)這樣的缺陷。
[0006]另外，如果為了降低芯片的接通電阻而減小晶片的厚度，則由于晶片的翹曲而容易引起搬送故障，而且在切割時(shí)還容易引起晶片的裂紋、缺口等障礙。
[0007]進(jìn)而，如果在晶片的狀態(tài)下進(jìn)行電氣的動(dòng)態(tài)特性試驗(yàn)，則存在被測(cè)定對(duì)象芯片的破壞造成的影響還波及到其他芯片，流過短路電流等而破壞其他芯片的危險(xiǎn)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本實(shí)施方式提供能夠通過簡(jiǎn)易的手法正確地測(cè)定在晶片上形成的多個(gè)芯片的電氣特性的半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置。
[0009]在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體檢查方法中，具備:在形成有多個(gè)芯片的晶片的背面?zhèn)日迟N絕緣薄片的工序，所述絕緣薄片具有與所述多個(gè)芯片的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)孔；切割粘貼有所述絕緣薄片的所述晶片，在粘貼了所述絕緣薄片的狀態(tài)下單片化為所述多個(gè)芯片的工序；以及使探測(cè)器接觸到所述晶片上的多個(gè)芯片中的測(cè)定對(duì)象芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使另一探測(cè)器通過所述絕緣薄片的對(duì)應(yīng)的孔而接觸到所述測(cè)定對(duì)象芯片的下表面，來測(cè)定所述測(cè)定對(duì)象芯片的電氣特性的工序。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是示出晶片I的切割和檢查中使用的平面環(huán)2和切割薄片3的配置的圖。
[0011]圖2是示出將晶片I粘貼到切割薄片3的狀態(tài)的圖。
[0012]圖3是示出隔著平面環(huán)2粘貼晶片I和切割薄片3并切割了的狀態(tài)的立體圖。
[0013]圖4是從晶片I的水平面方向觀察到的圖。
[0014]圖5是示出一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的概略結(jié)構(gòu)的框圖。
[0015]圖6是示出圖5的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的處理動(dòng)作的一個(gè)例子的流程圖。
[0016]圖7是示出晶片粘貼裝置11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。
[0017]圖8是示出切割裝置12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。
[0018]圖9是示出測(cè)定裝置13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。
[0019]圖10是示出安裝裝置14的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。
[0020]圖11是示出使探測(cè)器5接觸到晶片I上的多個(gè)芯片4的例子的立體圖。
[0021]圖12是從水平方向觀察圖11的例子而看到的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0022]以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0023]在本實(shí)施方式中，對(duì)形成有多個(gè)芯片的晶片進(jìn)行切割而單片化，之后進(jìn)行電氣特性的檢查。圖1是示出晶片I的切割和檢查中使用的平面環(huán)(平板狀環(huán))2以及切割薄片(絕緣薄片)3的配置的圖。如圖所示，在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，將切割前的晶片I從平面環(huán)2的表面?zhèn)日迟N到切割薄片3。
[0024]平面環(huán)2是在中央部形成有開口部2a的平板，其內(nèi)徑大于晶片I的外徑，且小于切割薄片3的外徑。在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，根據(jù)需要切下比平面環(huán)2的外徑還向外側(cè)伸出的切割薄片3的部分。平面環(huán)2由例如不銹鋼等金屬材料形成。
[0025]切割薄片3的基材是例如樹脂。切割薄片3在樹脂基材的兩面附著了粘著材料或者紫外線硬化材料。
[0026]在切割薄片3中，與晶片I上的各芯片4的位置對(duì)應(yīng)地形成有孔3a。即，在切割薄片3中形成有晶片I上的芯片4的數(shù)量的多個(gè)孔3a。該孔3a具有能夠使測(cè)試器的探測(cè)器接觸到晶片I的背面的尺寸的直徑。
[0027]圖2是示出在平面環(huán)2上粘貼切割薄片3，并且隔著平面環(huán)2的開口部2a將晶片I粘貼到切割薄片3的狀態(tài)的圖。如圖所示，在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，所以切割薄片3從平面環(huán)2的中央部的開口部2a露出。將晶片I從上方粘貼到該露出部分。
[0028]如后所述，在本實(shí)施方式中，在隔著平面環(huán)2粘貼了晶片I和切割薄片3的狀態(tài)下，切割晶片I。但是，直至利用測(cè)試器的檢查結(jié)束，不進(jìn)行從晶片I按照芯片4單位的取出。
[0029]圖3是示出隔著平面環(huán)2粘貼晶片I和切割薄片3并切割了的狀態(tài)的立體圖、圖4是從晶片I的水平面方向觀察到的圖。如這些圖所示，以使孔3a位于芯片4的大致中央部的方式，對(duì)晶片I和切割薄片3進(jìn)行定位并切割。芯片4的背面?zhèn)韧ǔＴ谄湔麄€(gè)面上形成有接地圖案、電源圖案，所以如果通過孔3a從背面?zhèn)仁固綔y(cè)器5接觸到芯片4的背面，則能夠與接地圖案、電源圖案連接。為了正確地對(duì)齊表面電極的位置，需要在通過圖像處理識(shí)別芯片4的電極位置而進(jìn)行校正之后，使探測(cè)器5正確地接觸到希望測(cè)定電氣特性的部位。
[0030]在圖4中，示出了使單面?zhèn)?根探測(cè)器5接觸到一個(gè)芯片4的例子，但接觸的探測(cè)器5的根數(shù)沒有特別限制。在希望同時(shí)測(cè)定一個(gè)芯片4的多個(gè)部位的電氣特性的情況下，根據(jù)測(cè)定點(diǎn)的數(shù)量將多個(gè)探測(cè)器5連接到芯片4即可。
[0031]圖5是不出一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的概略結(jié)構(gòu)的框圖。圖5的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10具備晶片粘貼裝置11、切割裝置12、測(cè)定裝置13以及安裝裝置14。其中，由除了安裝裝置14以外的晶片粘貼裝置11、切割裝置12以及測(cè)定裝置13構(gòu)成半導(dǎo)體檢查裝置15。
[0032]如圖1以及圖2所示，晶片粘貼裝置11進(jìn)行隔著平面環(huán)2定位且粘貼切割薄片3和晶片I的處理。
[0033]如圖3所示，切割裝置12在晶片I粘貼于切割薄片3的狀態(tài)下切割晶片I。
[0034]測(cè)定裝置13測(cè)定粘貼于切割薄片3而被切割了的晶片I內(nèi)的各個(gè)芯片4的電氣特性。
[0035]安裝裝置14將結(jié)束了電氣特性的測(cè)定的晶片I內(nèi)的優(yōu)質(zhì)芯片4安裝到電路基板。
[0036]圖6是示出圖5的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的處理動(dòng)作的一個(gè)例子的流程圖。首先，使用晶片粘貼裝置11，在平面環(huán)2上粘貼切割薄片3，在從平面環(huán)2的中央部的開口部2a露出的切割薄片3上粘貼晶片I (步驟SI)。此時(shí)，使切割薄片3內(nèi)的孔3a位置與晶片I內(nèi)的對(duì)應(yīng)的芯片4對(duì)位，將晶片I粘貼到切割薄片3。
[0037]接下來，使用切割裝置12，切割粘貼于切割薄片3的晶片I (步驟S2)。
[0038]接下來，使用測(cè)定裝置13，對(duì)所切割出的晶片I內(nèi)的測(cè)定對(duì)象芯片4連接測(cè)試器的探測(cè)器5 (步驟S3)。關(guān)于測(cè)定對(duì)象芯片4的上表面?zhèn)?，使探測(cè)器5接觸到測(cè)定對(duì)象點(diǎn)，關(guān)于測(cè)定對(duì)象芯片4的下表面?zhèn)龋固綔y(cè)器5通過切割薄片3的孔3a從下方接觸到芯片4下表面，進(jìn)行測(cè)定對(duì)象芯片4的檢查即電氣特性的測(cè)定(步驟S4)。將測(cè)定結(jié)果作為MAP數(shù)據(jù)，與各芯片4的位置信息一起保存起來。
[0039]接下來，使用安裝裝置14，將芯片4安裝到引線框上(步驟S5)。此時(shí)，參照MAP數(shù)據(jù)，安裝優(yōu)質(zhì)芯片4。
[0040]圖7是示出晶片粘貼裝置11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖7的晶片粘貼裝置11具有晶片供給部21、晶片定位部22、平面環(huán)供給部23、切割薄片供給部24、圖像處理部25、晶片粘貼部26、收納部27、薄片切削機(jī)構(gòu)28以及控制部29。控制部29控制晶片粘貼裝置11內(nèi)的各部分。
[0041]晶片供給部21供給在整個(gè)面上形成芯片4但尚未被切割的晶片I。晶片定位部22將所供給的晶片I定位到規(guī)定位置。
[0042]平面環(huán)供給部23供給在切割以及檢查時(shí)利用的平面環(huán)2。在晶片I的尺寸相同的情況下，能夠繼續(xù)使用過去使用過的平面環(huán)2。
[0043]切割薄片供給部24與晶片供給部21供給新的晶片I的定時(shí)相符地，供給新的切割薄片3。針對(duì)各個(gè)晶片I的每一個(gè)需要不同的切割薄片3。
[0044]圖像處理部25為了定位而對(duì)所供給的晶片1、平面環(huán)2以及切割薄片3進(jìn)行攝影，并解析其攝影圖像，檢測(cè)位置偏移量。晶片粘貼部26 —邊確認(rèn)圖像處理部25的圖像處理結(jié)果，一邊進(jìn)行晶片I和切割薄片3的對(duì)位，隔著平面環(huán)2而粘貼晶片I和切割薄片3。
[0045]收納部27收納粘貼了晶片I和切割薄片3的平面環(huán)2。此時(shí)，薄片切削機(jī)構(gòu)28與切割薄片3的外徑相符地切下切割薄片3的緣部。
[0046]圖8是示出切割裝置12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖8的切割裝置12具有平面環(huán)供給部31、平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)(alignment)部32、切割載置臺(tái)33、切削水供給部34、轉(zhuǎn)軸部35、圖像處理部36、收納部37以及控制部38?？刂撇?8控制切割裝置12內(nèi)的各部分。
[0047]平面環(huán)供給部31從收納部37取出粘貼了晶片I和切割薄片3的平面環(huán)2，并供給到平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)部32。
[0048]平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)部32使粘貼了晶片I和切割薄片3的平面環(huán)2在切割載置臺(tái)33上對(duì)位。
[0049]圖像處理部36對(duì)切割載置臺(tái)33上的平面環(huán)2周邊的圖像進(jìn)行攝影，并解析其圖像。轉(zhuǎn)軸部35根據(jù)圖像處理結(jié)果控制切割載置臺(tái)33的移動(dòng)，進(jìn)行平面環(huán)2的精密的對(duì)位。
[0050]如果對(duì)位結(jié)束，則從切削水供給部34對(duì)切割載置臺(tái)33上的平面環(huán)2供給水，并且切割隔著平面環(huán)2而粘貼到切割薄片3的晶片I。將所切割出的晶片I以與切割薄片3粘貼在平面環(huán)2上的狀態(tài)收納到收納部37中。
[0051]圖9是示出測(cè)定裝置13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖9的測(cè)定裝置13具有已切割平面環(huán)供給部41、平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)部42、圖像處理部43、測(cè)定載置臺(tái)44、測(cè)定探測(cè)器5、測(cè)試器45、控制部46、UV照射部47、收納部48以及MAP數(shù)據(jù)保存部49?？刂撇?6控制圖9的測(cè)定裝置13內(nèi)的各部。
[0052]已切割平面環(huán)供給部41取出在圖8的收納部48中收納的已切割的平面環(huán)2，供給到平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)部42。
[0053]平面環(huán)預(yù)校準(zhǔn)部42使已切割的平面環(huán)2在測(cè)定載置臺(tái)44上定位。然后，通過圖像處理部43對(duì)測(cè)定載置臺(tái)44進(jìn)行攝影，并對(duì)其攝影圖像進(jìn)行解析，以晶片I上的特定的焊盤、圖案的位置為基準(zhǔn)而檢測(cè)位置偏移量，使測(cè)定載置臺(tái)44與該位置偏移量相符地移動(dòng)，進(jìn)行精密的對(duì)位。
[0054]如果對(duì)位結(jié)束，則如圖2以及圖3所示，使探測(cè)器5從上方接觸到晶片I內(nèi)的測(cè)定對(duì)象芯片4上的特定部位，并且使探測(cè)器5經(jīng)由切割薄片3的孔3a，從平面環(huán)2的下方接觸到該芯片4的下表面的接地圖案、電源圖案。
[0055]接下來，使用測(cè)試器45，進(jìn)行測(cè)定對(duì)象芯片4的電氣特性的測(cè)定。所測(cè)定的電氣特性的具體的內(nèi)容沒有限制，例如進(jìn)行測(cè)定對(duì)象芯片4的靜態(tài)特性試驗(yàn)和動(dòng)態(tài)特性試驗(yàn)。將測(cè)定對(duì)象芯片4的測(cè)定結(jié)果作為MAP數(shù)據(jù)保存到MAP數(shù)據(jù)保存部49中。MAP數(shù)據(jù)包括測(cè)定對(duì)象芯片4的晶片I上的位置信息、和表示是否優(yōu)質(zhì)的信息。
[0056]如果關(guān)于一個(gè)測(cè)定對(duì)象芯片4的測(cè)定結(jié)束，則針對(duì)其他測(cè)定對(duì)象芯片4進(jìn)行同樣的測(cè)定，關(guān)于芯片4內(nèi)的全部芯片4的MAP數(shù)據(jù)被保存到MAP數(shù)據(jù)保存部49中。
[0057]如果關(guān)于一個(gè)晶片I內(nèi)的所有芯片4的電氣特性的測(cè)定結(jié)束，則UV照射部47對(duì)切割薄片3照射紫外線，減弱切割薄片3與晶片I之間的粘著力。收納部48以粘貼了切割薄片3和晶片I的狀態(tài)收納紫外線照射之后的平面環(huán)2。
[0058]圖10是示出安裝裝置14的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。圖10的安裝裝置14具有已測(cè)定平面環(huán)供給部51、平面環(huán)載置臺(tái)52、安裝頭53、框架供給部54、框架搬送推送器55、安裝部56、回流部57、已安裝框架收納部58、控制部59以及圖像處理部60?？刂撇?9控制圖10的安裝裝置14內(nèi)的各部分。
[0059]已測(cè)定平面環(huán)供給部51取出圖9的收納部48中收納的已測(cè)定的平面環(huán)2，搬送至平面環(huán)載置臺(tái)52。安裝頭53根據(jù)MAP數(shù)據(jù)，從晶片I取出優(yōu)質(zhì)芯片4。
[0060]框架供給部54供給成為載置芯片4的臺(tái)座的引線框?？蚣馨崴屯扑推?5將從框架供給部54供給的引線框搬送至安裝部56。
[0061]安裝部56從安裝于安裝頭53的晶片I中取出優(yōu)質(zhì)的芯片4，安裝到引線框上。
[0062]回流部57進(jìn)行芯片4的各焊盤和引線框的接線，已接線的引線框被保存到已安裝框架保存部58中。
[0063]這樣，在第I實(shí)施方式中，準(zhǔn)備與晶片I上的芯片4的位置相符地開有孔3a的切割薄片3，在將切割薄片3粘貼到平面環(huán)2，并且與通過平面環(huán)2的開口部2a而露出的切割薄片3的孔3a位置相符地粘貼了晶片I的狀態(tài)下，進(jìn)行晶片I的切割，之后使探測(cè)器5接觸到晶片I上的測(cè)定對(duì)象芯片4的兩個(gè)面。更具體而言，使探測(cè)器5通過切割薄片3的孔3a而接觸到測(cè)定對(duì)象芯片4的下表面來進(jìn)行電氣特性的測(cè)定。由此，能夠在切割了晶片I之后，在將晶片I粘接于切割薄片3的狀態(tài)下，測(cè)定晶片I內(nèi)的全部芯片4的電氣特性，無需在測(cè)定電氣特性之后進(jìn)行切割。
[0064]另外，在切割薄片3上，與晶片I上的各芯片4的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置孔3a，所以能夠在將晶片I粘貼于切割薄片3的狀態(tài)下，進(jìn)行切割和電氣特性的測(cè)定，能夠縮短測(cè)定時(shí)間。
[0065](第2實(shí)施方式)
[0066]在上述第I實(shí)施方式中，說明了依次檢查晶片I內(nèi)的各個(gè)芯片4的例子，但也可以在上下的電極的位置容許范圍內(nèi)，同時(shí)檢查晶片I內(nèi)的多個(gè)芯片4。
[0067]圖11是示出使探測(cè)器5接觸到晶片I上的多個(gè)芯片4每一個(gè)的例子的立體圖，圖12是關(guān)于該例子從水平方向觀察到的圖。
[0068]此時(shí)，在探測(cè)器5所接觸的多個(gè)芯片4中，既可以進(jìn)行相同的電氣特性的測(cè)定，也可以進(jìn)行不同的電氣特性的測(cè)定。另外，關(guān)于同時(shí)測(cè)定的芯片4的數(shù)量也沒有特別限制。
[0069]這樣，在切割薄片3中，形成有與晶片I內(nèi)的各芯片4對(duì)應(yīng)的孔3a，所以能夠使探測(cè)器5同時(shí)并行地接觸到多個(gè)芯片4，同時(shí)測(cè)定多個(gè)芯片4的電氣特性，能夠提高測(cè)定吞吐量。
[0070]本發(fā)明的方式不限于上述的各個(gè)實(shí)施方式，還包括本領(lǐng)域的技術(shù)人員可想到的各種變形，本發(fā)明的效果也不限于上述內(nèi)容。即，能夠在不脫離權(quán)利要求書規(guī)定的內(nèi)容以及從其均等物導(dǎo)出的本發(fā)明的概念性的思想和要旨的范圍內(nèi)，進(jìn)行各種追加、變更以及部分性的刪除。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體檢查方法，其特征在于，具備: 在形成有多個(gè)芯片的晶片的背面?zhèn)日迟N絕緣薄片的工序，所述絕緣薄片具有與所述多個(gè)芯片的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)孔； 切割粘貼有所述絕緣薄片的所述晶片，在粘貼了所述絕緣薄片的狀態(tài)下單片化為所述多個(gè)芯片的工序；以及 使探測(cè)器接觸到所述晶片上的多個(gè)芯片中的測(cè)定對(duì)象芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使另一探測(cè)器通過所述絕緣薄片的對(duì)應(yīng)的孔而接觸到所述測(cè)定對(duì)象芯片的下表面，測(cè)定所述測(cè)定對(duì)象芯片的電氣特性的工序。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體檢查方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行粘貼的工序中，以使所述多個(gè)孔在開口部?jī)?nèi)露出的方式將所述絕緣薄片粘貼到中央部具有所述開口部的平板狀環(huán)的背面，并且以使所述多個(gè)孔的每一個(gè)重疊到對(duì)應(yīng)的所述芯片的方式將所述晶片從所述平板狀環(huán)的表面?zhèn)日迟N到所述絕緣薄片，其中，所述開口部的直徑比所述晶片的外徑大。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體檢查方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行測(cè)定的工序中，針對(duì)兩個(gè)以上的測(cè)定對(duì)象芯片的每一個(gè)，使分別對(duì)應(yīng)的探測(cè)器接觸到各芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使分別對(duì)應(yīng)的探測(cè)器接觸到各芯片的下表面，來測(cè)定各芯片的電氣特性。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體檢查方法，其特征在于， 在所述進(jìn)行測(cè)定的工序中，使分別對(duì)應(yīng)的探測(cè)器接觸到所述兩個(gè)以上的測(cè)定對(duì)象芯片各自的上表面以及下表面，針對(duì)每個(gè)所述測(cè)定對(duì)象芯片測(cè)定不同的種類的電氣特性。
5.一種半導(dǎo)體檢查裝置，其特征在于，具備: 平板狀環(huán)，在中央部具有開口部，所述開口部的直徑比晶片的外徑大； 絕緣薄片，具有比所述開口部的直徑大的直徑，并且具有與在所述晶片中形成的多個(gè)芯片的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)孔； 支承部，以如下狀態(tài)支承所述平板狀環(huán)，即，以使所述多個(gè)孔在所述開口部?jī)?nèi)露出的方式將所述絕緣薄片粘貼到所述平板狀環(huán)的背面，并且以使所述多個(gè)孔的每一個(gè)重疊到對(duì)應(yīng)的所述芯片的方式將所述晶片從所述平板狀環(huán)的表面?zhèn)日迟N到所述絕緣薄片； 切割刀具，在用所述支承部支承了的狀態(tài)下，以不切斷所述絕緣薄片的方式切割所述晶片，單片化為所述多個(gè)芯片；以及 測(cè)定部，使探測(cè)器接觸到單片化了的所述多個(gè)芯片中的、測(cè)定對(duì)象芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使另一探測(cè)器通過所述絕緣薄片的孔而接觸到所述測(cè)定對(duì)象芯片的下表面，測(cè)定所述測(cè)定對(duì)象芯片的電氣特性。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK104167373SQ201310740365
【公開日】2014年11月26日 申請(qǐng)日期:2013年12月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月17日
【發(fā)明者】三木研一, 森野啟司 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝