一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】。包括依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在柵絕緣層對應TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及TFT的源極和漏極，TFT的源極和漏極分別通過過孔與半導體有源層的圖案相接觸；以及形成在TFT的柵極和透明基板之間的屏蔽電極圖案，TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間具有絕緣層；在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。這樣一種陣列基板可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質量。
【專利說明】一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發(fā)展，各種新型半導體元件及其在顯示裝置中的應用技術也隨之得到了飛躍性的進步。
[0003]在現(xiàn)有的顯示面板TFT的制造過程當中，越來越多的廠商開始嘗試采用氧化物TFT取代a-Si (非晶硅)TFT或LTPS (低溫多晶硅)TFT，以期獲得具有更高質量的顯示產(chǎn)品。氧化物TFT (即Oxide TFT)背板技術，是與傳統(tǒng)的a-Si TFT制程相近的一種背板技術，該技術將原本應用于a-Si TFT的硅半導體材料部分置換成氧化物半導體材料，如現(xiàn)在應用最為廣泛的IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide，銦鎵鋅氧化物)材料，來形成TFT的半導體有源層?，F(xiàn)有技術中一種典型的氧化物TFT的陣列基板結構如圖1所示，包括依次形成在透明基板10表面的TFT的柵極11、柵絕緣層12以及由IGZO形成的氧化物半導體有源層13，半導體有源層13的表面通過構圖工藝形成有具有過孔的刻蝕阻擋層14，過孔A、B分別貫穿刻蝕阻擋層14，以暴露出底部的半導體有源層13，TFT的源極151和漏極152分別通過過孔A、B與半導體有源層13導通。
[0004]采用氧化物TFT相對于a-Si TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。但其不足之處在于，在如圖1所示的氧化物TFT陣列基板中，TFT的源極151和漏極152分別與柵極11具有較長的一段交疊區(qū)域，這樣一來，在通電的情況下，由于層級差異TFT的源極151與柵極11之間將產(chǎn)生寄生電容Cgs，同理TFT的漏極152與柵極11之間也將產(chǎn)生寄生電容C`gd，在柵線11通過電壓控制TFT開關的瞬間，由于寄生電容的存在，TFT關閉時柵線11上的電壓信號由高到低的變化會使得漏極152相應輸出跳變電壓，從而引起像素中液晶電壓的突然降低，這將嚴重影響像素電極電壓的準確性，使得顯示畫面閃爍。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，可以降低TFT的源、漏電極與柵極之間的寄生電容，提高顯示裝置的質量。
[0006]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；其特征在于，還包括:
[0007]形成在所述TFT的柵極和所述透明基板之間的屏蔽電極圖案，所述TFT的柵極與所述屏蔽電極圖案之間具有絕緣層；[0008]在所述柵極面對所述源極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述源極的面積；和/或在所述柵極面對所述漏極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述漏極的面積。
[0009]另一方面，本發(fā)明實施例還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置可以包括如上所述的陣列基板。
[0010]此外，本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板制造方法，所述方法具體包括:
[0011]在透明基板的表面通過構圖工藝處理形成屏蔽電極圖案；
[0012]在形成有所述屏蔽電極圖案的基板表面形成絕緣層； [0013]在所述絕緣層的表面對應所述屏蔽電極圖案位置處通過構圖工藝處理形成TFT的柵極，在所述柵極面對源極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述源極的面積；和/或在所述柵極面對漏極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述漏極的面積。
[0014]本發(fā)明實施例提供的這樣一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置，通過在TFT的柵極和透明基板之間設置屏蔽電極圖案，并在TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間設置絕緣層，其中在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。這樣由于平行板電容兩電極之間的交疊區(qū)域面積減小，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs和/或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。此外，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容。因此，根據(jù)本發(fā)明能夠避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0015]具體而言，設柵極與源極的交疊面積為a，柵極與漏極的交疊面積為b，則Cgs+Cgd=(a+b)/dl，其中dl是柵極與源極或漏極之間的垂直距離。設屏蔽電極圖案與源極的交疊面積為C，屏蔽電極圖案與漏極的交疊面積為d，并且屏蔽電極圖案與源極或漏極之間的垂直距離為d2，則由屏蔽電極圖案形成的電容可以分為兩部分，同柵極交疊的區(qū)域與柵極之間產(chǎn)生電容Cl，然后Cl與Cgs+Cgd串聯(lián)，使得總電容Ctl進一步小于Cgs+Cgd ;同柵極不交疊的區(qū)域與源極和漏極之間產(chǎn)生電容C2，則C2 = (c+d-a-b)/d2?？傠娙軨tl與電容C2之間構成并聯(lián)關系，又由于Ct I〈Cgs+Cgd= (a+b) /dl，并且dl <d2，所以Ct 1+C2〈 (a+b) /dl+ (c+d-a-b) /d2< (c+d) /dl?而現(xiàn)有技術中的Cgs+Cgd = (c+d)/dl,所以通過以上分析可知，根據(jù)本發(fā)明能夠減小寄生電容。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0017]圖1為現(xiàn)有技術中一種陣列基板的結構示意圖；
[0018]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板的結構示意圖；
[0019]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種陣列基板制造方法的流程示意圖；
[0020]圖4為本發(fā)明實施例提供的另一陣列基板制造方法的流程示意圖；
[0021]圖5為形成屏蔽電極圖案后的基板結構局部俯視圖及其A-A向剖視圖；[0022]圖6為形成絕緣層后的基板結構示意圖；
[0023]圖7為形成TFT的柵極后的基板結構局部俯視圖及其B-B向剖視圖；
[0024]圖8為形成柵絕緣層后的基板結構示意圖；
[0025]圖9為形成半導體有源層后的基板結構局部俯視圖及其C-C向剖視圖；
[0026]圖10為形成刻蝕阻擋層后的基板結構局部俯視圖及其D-D向剖視圖；
[0027]圖11為形成TFT的源極和漏極后的基板結構局部俯視圖及其E-E向剖視圖；
[0028]圖12為形成第一透明電極后的基板結構局部俯視圖及其F-F向剖視圖。
【具體實施方式】
[0029]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0030]本發(fā)明實施例提供的陣列基板，如圖2所示，包括:依次形成在透明基板20表面的TFT的柵極21以及柵絕緣層22，在柵絕緣層22對應所述TFT的柵極21區(qū)域的表面依次形成有半導體有源層的圖案23、刻蝕阻擋層的圖案24以及所述TFT的源極251和漏極252，所述TFT的源極251和漏極252分別通過過孔(圖2中虛線框所示)與半導體有源層的圖案23相接觸。進一步地,還包括:
[0031]形成在TFT的柵極21和透明基板20之間的屏蔽電極圖案26，TFT的柵極21與屏蔽電極圖案26之間具有絕緣層27。
[0032]其中，屏蔽電極圖案26可以采用各種導電材料，通過一次構圖工藝形成在透明基板20的表面。屏蔽電極圖案26能夠遮擋住來自背光源的光，避免光照射到TFT的溝道，因此能夠避免由于光照射引引起的TFT伏安特性的改變，有效地防止了元件截止電流IOFF的升高。
[0033]在柵極21面對源極251的區(qū)域，柵線(圖2中未示出)的面積小于源極251的面積；和/或在柵極21面對漏極252的區(qū)域，柵線的面積小于漏極252的面積屏蔽電極圖案26沿柵線方向的長度小于TFT的柵極21的長度。
[0034]本發(fā)明實施例提供的這樣一種陣列基板，通過在TFT的柵極和透明基板之間設置屏蔽電極圖案，并在TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間設置絕緣層，其中在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。這樣由于平行板電容兩電極之間的交疊區(qū)域面積減小，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs和/或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。此外，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容。因此，根據(jù)本發(fā)明能夠避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0035]具體而言，如圖2所示，設柵極與源極的交疊面積為a，柵極與漏極的交疊面積為b，則Cgs+Cgd= (a+b)/dl，其中dl是柵極與源極或漏極之間的垂直距離。設屏蔽電極圖案與源極的交疊面積為C，屏蔽電極圖案與漏極的交疊面積為d，并且屏蔽電極圖案與源極或漏極之間的垂直距離為d2，則由屏蔽電極圖案形成的電容可以分為兩部分，同柵極交疊的區(qū)域與柵極之間產(chǎn)生電容Cl，然后Cl與Cgs+Cgd串聯(lián)，使得總電容Ctl進一步小于Cgs+Cgd ;同柵極不交疊的區(qū)域與源極和漏極之間產(chǎn)生電容C2，則C2 = (c+d-a-b)/d2?？傠娙軨tl與電容C2之間構成并聯(lián)關系，又由于Ctl〈Cgs+Cgd=(a+b)/dl，并且dl〈d2，所以Ct 1+C2〈 (a+b)/dl+(c+d-a-b)/d2〈(c+d)/dl。而現(xiàn)有技術中的 Cgs+Cgd = (c+d)/dl,所以通過以上分析可知，根據(jù)本發(fā)明能夠減小寄生電容。
[0036]需要說明的是，屏蔽電極圖案26覆蓋區(qū)域可以根據(jù)實際情況進行選擇。在不影響開口率的情況下，屏蔽電極圖案26可以盡可能多的覆蓋源漏電極與柵極交疊的區(qū)域。根據(jù)平行板電容公式C= e S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當其他條件不變時，可以通過減小兩電極之間交疊區(qū)域面積實現(xiàn)電容的減小。在本發(fā)明實施例中，為了有效減小TFT源漏極與柵極之間的寄生電容，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容，從而可以顯著減小TFT的柵極與源漏極之間的電極交疊區(qū)域面積，從而能夠有效降低寄生電容所產(chǎn)生的跳變電壓的影響。
[0037]在本發(fā)明實施例中，絕緣層27可以采用具有良好絕緣性的有機樹脂材料等材料制成，在實際應用的過程中，絕緣層27的厚度可以根據(jù)實際需要進行選擇，本發(fā)明對此并不做限制。
[0038]需要說明的是，本發(fā)明實施例提供的TFT-1XD陣列基板可以適用于FFS (FringeField Switching,邊緣場開關)型、AD-SDS (Advanced-Super Dimensional Switching,簡稱為ADS，高級超維場開關)型、IPS (In Plane Switch，橫向電場效應)型、TN (TwistNematic，扭曲向列)型等類型的液晶顯示裝置的生產(chǎn)。其中，ADS技術是通過同一平面內(nèi)像素電極邊緣所產(chǎn)生的平行電場以及像素電極層與公共電極層間產(chǎn)生的縱向電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)像素電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉轉換，從而提高了平面取向系液晶工作效率并增大了透光效率。
[0039]無論上述哪種液晶顯示裝置都包括對盒成形的彩膜基板和陣列基板。不同的是，TN型顯示裝置的公共電極設置在彩膜基板上，像素電極設置在陣列基板上；FFS型顯示裝置、ADS型顯示裝置以及IPS型顯示裝置的公共電極和像素電極均設置在陣列基板上。
[0040]具體的，如圖2所示，在本發(fā)明實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，陣列基板還可以包括:
[0041]形成在刻蝕阻擋層的圖案24表面的第一透明電極281，該第一透明電極281與TFT的漏極252相接觸。
[0042]形成在第一透明電極281表面的鈍化層的圖案29，該鈍化層的圖案29覆蓋TFT區(qū)域。
[0043]以及形成在該鈍化層表面的第二透明電極282。
[0044]其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結構，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結構。
[0045]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本發(fā)明實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結構為例進行的說明。其中，異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0046]本發(fā)明實施例提供的這樣一種結構的陣列基板同樣可以適用于IPS型顯示裝置，與FFS型顯示裝置不同的是，所述公共電極和所述像素電極同層設置，所述公共電極包含多個第一條形電極，所述像素電極包含多個第二條形電極，所述第一條形電極和所述第二條形電極間隔設置。其中，同層設置是針對至少兩種圖案而言的；至少兩種圖案同層設置是指:將同一薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。例如，公共電極和像素電極同層設置是指:由同一透明導電薄膜通過構圖工藝形成像素電極和公共電極。其中，像素電極是指通過開關單元(例如，可以是薄膜晶體管)與數(shù)據(jù)線電連接的電極，公共電極是指和公共電極線電連接的電極。
[0047]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，半導體有源層的圖案23可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0(銦鎵鋅氧化物)、IG0(銦鎵氧化物)、ITZO (銦錫鋅氧化物)、AlZnO (鋁鋅氧化物)中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。
[0048]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的陣列基板。
[0049]該陣列基板具體包括形成在TFT的柵極和透明基板之間的屏蔽電極圖案，TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間具有絕緣層；屏蔽電極圖案沿柵線方向的長度小于所述TFT的柵極的長度。
[0050]需要說明的是本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為:液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0051]本發(fā)明實施例提供的這樣一種顯示裝置，包括陣列基板，該陣列基板通過在TFT的柵極和透明基板之間設置屏蔽電極圖案，并在TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間設置絕緣層，其中在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。這樣由于平行板電容兩電極之間的交疊區(qū)域面積減小，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs和/或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。此外，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容。因此，根據(jù)本發(fā)明能夠避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0052]本發(fā)明實施例還提供一種陣列基板制造方法，該方法如圖3所示，包括:
[0053]S301、在透明基板的表面通過構圖工藝處理形成屏蔽電極圖案。
[0054]其中，屏蔽電極圖案可以采用各種導電材料，通過一次構圖工藝形成在透明基板的表面。
[0055]S302、在形成有屏蔽電極圖案的基板表面形成絕緣層。[0056]在本發(fā)明實施例中，絕緣層27可以采用具有良好絕緣性的有機樹脂材料等材料制成，在實際應用的過程中，絕緣層27的厚度可以根據(jù)實際需要進行選擇，本發(fā)明對此并不做限制。
[0057]S303、在絕緣層的表面對應屏蔽電極圖案位置處通過構圖工藝處理形成TFT的柵極，在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。
[0058]本發(fā)明實施例提供的這樣一種陣列基板制造方法，通過在TFT的柵極和透明基板之間設置屏蔽電極圖案，并在TFT的柵極與屏蔽電極圖案之間設置絕緣層，其中在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。這樣由于平行板電容兩電極之間的交疊區(qū)域面積減小，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs和/或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd。此外，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容。因此，根據(jù)本發(fā)明能夠避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0059]需要說明的是，屏蔽電極圖案覆蓋區(qū)域可以根據(jù)實際情況進行選擇。在不影響開口率的情況下，屏蔽電極圖案可以盡可能多的覆蓋源漏電極與柵極交疊的區(qū)域。根據(jù)平行板電容公式C= e S/d可知，為了減小平行電極之間的電容值，當其他條件不變時，可以通過減小兩電極之間交疊區(qū)域面積實現(xiàn)電容的減小。在本發(fā)明實施例中，為了有效減小TFT源漏極與柵極之間的寄生電容，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容，從而可以顯著減小TFT的柵極與源漏極之間的電極交疊區(qū)域面積，從而能夠有效降低寄生電容所產(chǎn)生的跳變電壓的影響。
[0060]進一步地，本發(fā)明實施例提供的陣列基板制造方法，如圖4所示，具體包括:
[0061]S401、在透明基板的表面通過構圖工藝處理形成屏蔽電極圖案。
[0062]在陣列基板的實際生產(chǎn)過程當中，透明基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在透明基板上需要采用一次構圖工藝以形成屏蔽電極圖案。
[0063]例如，可以首先在透明基板的表面沉積一層具有一定厚度的金屬材料，通過具有特定圖案的掩膜進行曝光顯影最終形成如圖5所示的屏蔽電極圖案26。
[0064]S402、在形成有屏蔽電極圖案的基板表面形成絕緣層。
[0065]例如，可以在形成有屏蔽電極圖案的基板的表面涂覆一層具有一定厚度的有機樹脂材料，如圖6所示，以形成絕緣層27。該絕緣層27將完全覆蓋屏蔽電極圖案26。
[0066]S403、在絕緣層的表面對應屏蔽電極圖案位置處通過構圖工藝處理形成TFT的柵極，在柵極面對源極的區(qū)域，柵線的面積小于源極的面積；和/或在柵極面對漏極的區(qū)域，柵線的面積小于漏極的面積。
[0067]其中，柵線210的面積如圖7中斜線部分所示。
[0068]例如，在形成有絕緣層的基板上可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，最終在絕緣層的表面形成TFT的柵極21，其結構可以如圖7俯視圖所示，可以看到，在如圖7中B-B向剖視圖中，TFT的柵極21的長度大于屏蔽電極圖案26。
[0069]S404、在形成有TFT的柵極的基板的表面形成柵絕緣層。
[0070]如圖8所示，可見，在形成有第一絕緣層的圖案26的基板的表面上形成有厚度均一的柵絕緣層22。
[0071]S405、在柵絕緣層對應TFT的柵極區(qū)域的表面通過構圖工藝處理形成半導體有源
層的圖案。
[0072]例如，可以在形成有上述結構的基板表面形成具有半導體特性的半導體有源層，通過掩膜曝光形成如圖9俯視圖所示的半導體有源層的圖案23。
[0073]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，半導體有源層的圖案23可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。例如，金屬氧化物薄膜可以包括:IGZ0、IG0、ITZ0、AlZn0中的至少一種。采用這樣一種透明金屬氧化物材料取代a-Si (非晶硅)或LTPS (低溫多晶硅)來形成TFT的半導體有源層，相對于a-Si TFT或LTPS TFT具有制備溫度要求低，遷移率高等優(yōu)勢，該技術可應用于高頻顯示和高分辨率顯示產(chǎn)品，且相對于LTPS TFT技術具有設備投資成本低、運營保障成本低等優(yōu)點。
[0074]S406、在半導體有源層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成具有過孔的刻蝕阻擋
層的圖案。
[0075]刻蝕阻擋層的圖案24可以如圖10中D-D向剖視圖所示，具體的，可以通過在形成有上述結構的基板上涂覆或沉積刻蝕阻擋層，通過具有特定圖案的掩膜曝光最終在對應TFT的源極和漏極的位置分別形成過孔，過孔的底部為半導體有源層的圖案23，從而得到刻蝕阻擋層的圖案24。
[0076]S407、在刻蝕阻擋層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成TFT的源極和漏極，該TFT的源極和漏極分別通過過孔與半導體有源層的圖案相接觸。
[0077]形成有TFT的源極251和漏極252的基板結構可以如圖11所示。
[0078]具體的，在柵極21面對源極251的區(qū)域，柵線210的面積小于源極251的面積；和/或在柵極21面對漏極252的區(qū)域，柵線210的面積小于漏極252的面積。其中，柵線210的面積可以參考圖7中所示，從圖11中可以明顯的看到，在柵極21面對源極251或面對漏極252的區(qū)域，柵線210的面積小于源極251或漏極252的面積。
[0079]S408、在刻蝕阻擋層的表面通過構圖工藝處理形成第一透明電極，該第一透明電極與TFT的漏極相接觸。
[0080]形成有第一透明電極281的基板結構可以如圖12所示。
[0081]S409、在第一透明電極的表面通過構圖工藝處理形成鈍化層的圖案，該鈍化層的圖案覆蓋TFT區(qū)域。
[0082]S410、在鈍化層的表面通過構圖工藝處理形成第二透明電極。從而最終形成如圖2所示的陣列基板。
[0083]具體而言，如圖11所示，設柵極與源極的交疊面積為a，柵極與漏極的交疊面積為b，則Cgs+Cgd=(a+b)/dl，其中dl是柵極與源極或漏極之間的垂直距離(如圖2所示)。設屏蔽電極圖案與源極的交疊面積為C，屏蔽電極圖案與漏極的交疊面積為d，并且屏蔽電極圖案與源極或漏極之間的垂直距離為d2 (如圖2所示)，則由屏蔽電極圖案形成的電容可以分為兩部分，同柵極交疊的區(qū)域與柵極之間產(chǎn)生電容Cl，然后Cl與Cgs+Cgd串聯(lián)，使得總電容Ctl進一步小于Cgs+Cgd ;同柵極不交疊的區(qū)域與源極和漏極之間產(chǎn)生電容C2，則C2 =(c+d-a-b)/d2?？傠娙軨tl與電容C2之間構成并聯(lián)關系，又由于Ctl〈Cgs+Cgd=(a+b)/dl，并且 dl〈d2,所以 Ct 1+C2〈 (a+b)/dl+(c+d-a-b)/d2〈(c+d)/dl。而現(xiàn)有技術中的 Cgs+Cgd =(c+d) /dl，所以通過以上分析可知，根據(jù)本發(fā)明能夠減小寄生電容。
[0084]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中是以FFS型顯示裝置為例進行的說明。其中，第一透明電極281可以為像素電極，第二透明電極282可以為公共電極，且該第一透明電極281可以為面狀結構，第二透明電極282可以為間隔排列的條狀結構。
[0085]在所述FFS型顯示裝置的陣列基板中，所述公共電極和所述像素電極異層設置，可選的，位于上層的電極包含多個條形電極，位于下層的電極可以包含多個條形電極或為平板形。在本發(fā)明實施例中，是以位于下層的電極為平板形的面狀結構為例進行的說明。其中，異層設置是針對至少兩種圖案而言的，至少兩種圖案異層設置是指，分別將至少兩層薄膜通過構圖工藝形成至少兩種圖案。對于兩種圖案異層設置是指，通過構圖工藝，由兩層薄膜各形成一種圖案。例如，公共電極和像素電極異層設置是指:由第一層透明導電薄膜通過構圖工藝形成下層電極，由第二層透明導電薄膜通過構圖工藝形成上層電極，其中，下層電極為公共電極(或像素電極)，上層電極為像素電極(或公共電極)。
[0086]本發(fā)明實施例提供的這樣一種結構的陣列基板同樣可以適用于ADS型顯示裝置、IPS型顯示裝置或TN型顯示裝置等各種顯示裝置陣列基板的生產(chǎn)?？梢韵氲?，當像素電極或公共電極的位置或形狀結構發(fā)生變化時，通過改變上述工序中的相關步驟，同樣可以實現(xiàn)各種結構陣列基板的生產(chǎn)，本發(fā)明實施例中對此并不一一列舉。
[0087]采用上述陣列基板制造方法，屏蔽電極圖案與TFT的柵極之間形成的電容可以很大程度上屏蔽位于此區(qū)域內(nèi)TFT的源漏極與柵極之間所形成的電容，從而可以顯著減小TFT的柵極與源漏極之間的電極交疊區(qū)域面積，這樣由于平行板電容兩電極之間的交疊區(qū)域面積減小，使得電容值明顯降低，從而可以有效降低TFT的源極與柵極之間存在的寄生電容Cgs或降低TFT的漏極與柵極之間存在的寄生電容Cgd，進而避免由于寄生電容過大而產(chǎn)生的輸出跳變電壓不良，有效改善顯示畫面閃爍，提高顯示裝置的質量。
[0088]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種陣列基板，包括:依次形成在透明基板表面的TFT的柵極以及柵絕緣層，在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區(qū)域的表面依次形成有半導體有源層的圖案、刻蝕阻擋層的圖案以及所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸；其特征在于，還包括: 形成在所述TFT的柵極和所述透明基板之間的屏蔽電極圖案，所述TFT的柵極與所述屏蔽電極圖案之間具有絕緣層； 在所述柵極面對所述源極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述源極的面積；和/或在所述柵極面對所述漏極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述漏極的面積。
2.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括: 形成在所述刻蝕阻擋層的圖案表面的第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸； 形成在所述第一透明電極表面的鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區(qū)域； 形成在所述鈍化層表面的第二透明電極。
3.根據(jù)權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。
4.根據(jù)權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述絕緣層采用有機樹脂材料制成。
5.根據(jù)權利要求1-4任一所`述的陣列基板，其特征在于，所述半導體有源層的圖案采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
6.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求1-5任一所述的陣列基板。
7.—種陣列基板制造方法，其特征在于，包括: 在透明基板的表面通過構圖工藝處理形成屏蔽電極圖案； 在形成有所述屏蔽電極圖案的基板表面形成絕緣層； 在所述絕緣層的表面對應所述屏蔽電極圖案位置處通過構圖工藝處理形成TFT的柵極，在所述柵極面對源極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述源極的面積；和/或在所述柵極面對漏極的區(qū)域，所述柵線的面積小于所述漏極的面積。
8.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述方法還包括: 在形成有所述TFT的柵極的基板的表面形成柵絕緣層； 在所述柵絕緣層對應所述TFT的柵極區(qū)域的表面通過構圖工藝處理形成半導體有源層的圖案； 在所述半導體有源層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成具有過孔的刻蝕阻擋層的圖案； 在所述刻蝕阻擋層的圖案的表面通過構圖工藝處理形成所述TFT的源極和漏極，所述TFT的源極和漏極分別通過過孔與所述半導體有源層的圖案相接觸； 在形成有所述TFT的源極和漏極的基板的表面通過構圖工藝處理形成第一透明電極，所述第一透明電極與所述TFT的漏極相接觸； 在所述第一透明電極的表面通過構圖工藝處理形成鈍化層的圖案，所述鈍化層的圖案覆蓋所述TFT區(qū)域； 在所述鈍化層的表面通過構圖工藝處理形成第二透明電極。
9.根據(jù)權利要求8所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述第一透明電極為像素電極，所述第二透明電極為公共電極； 且所述第一透明電極為面狀結構，所述第二透明電極為間隔排列的條狀結構。
10.根據(jù)權利要求7所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述絕緣層采用有機樹脂材料制成。
11.根據(jù)權利要求7-10任一所述的陣列基板制造方法，其特征在于，所述半導體有源層的圖案采 用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料制成。
【文檔編號】H01L21/77GK103728803SQ201310740170
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權日:2013年12月26日
【發(fā)明者】金熙哲, 宋泳錫, 劉圣烈, 崔承鎮(zhèn) 申請人:京東方科技集團股份有限公司