陣列基板及其制造方法和顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵線和多個氧化物薄膜晶體管，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述柵線互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有所述氧化物薄膜晶體管，其中，所述陣列基板還包括至少設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下方的氧化物層，該氧化物層的上表面與所述數(shù)據(jù)線的下表面相貼合。本發(fā)明還提供了所述陣列基板的制造方法以及包括所述陣列基板的顯示裝置。在本發(fā)明所提供的陣列基板中，數(shù)據(jù)線與柵線相交疊的部分的下表面不易被腐蝕。
【專利說明】陣列基板及其制造方法和顯示裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板以及該陣列基板的制造方法，以及一種包括所述陣列基板的顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]顯示裝置的顯示面板包括陣列基板，該陣列基板包括互相交錯的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，所述柵線和數(shù)據(jù)線將陣列基板劃分為多個像素單元，每個像素單元內(nèi)都設(shè)置有薄膜晶體管。傳統(tǒng)的陣列基板中的薄膜晶體管通常為非晶硅薄晶體管，而非晶硅薄膜晶體管的遷移率一般在0.5cmff.S左右。
[0003]近年來隨著平板顯示器尺寸的不斷增大，驅(qū)動電路的頻率不斷提高，現(xiàn)有的非晶娃薄膜晶體管遷移率很難滿足需求。例如，當(dāng)液晶顯示器尺寸超過80英寸時,驅(qū)動頻率應(yīng)當(dāng)為120Hz，在這種情況下需要薄膜晶體管的遷移率在IcmW-S以上，因此，現(xiàn)在非晶硅薄膜晶體管的遷移率顯然很難滿足上述要求。
[0004]氧化物薄膜晶體管具有遷移率高、均一性好、透明、制作工藝簡單等優(yōu)點，可以更好地滿足大尺寸顯示器對薄膜晶體管遷移率的要求。
[0005]圖1中所示的是一種典型包括氧化物薄膜晶體管的陣列基板的剖視圖。由于氫鍵對金屬氧化物制成的有源層影響較大，因此，如圖1中所示，所述陣列基板包括位于氧化物薄膜晶體管的有源層10上方的刻蝕阻擋層20，氧化物薄膜晶體管的源極30和漏極40通過穿過刻蝕阻擋層20的過孔與氧化物薄膜晶體管的有源層10連接，從而可以防止在刻蝕氧化物薄膜晶體管的源極和漏極時，刻蝕液滲透進(jìn)入有源層。
[0006]為了節(jié)約制造成本，通常采用二氧化硅制成刻蝕阻擋層20。但是，由于二氧化硅的致密性較差，所以在薄膜晶體管的源漏金屬層與刻蝕阻擋層之間存在汽包狀間隙。在對源漏金屬層進(jìn)行刻蝕時，刻蝕液會沿著這種氣泡狀間隙滲入到數(shù)據(jù)線與刻蝕阻擋層的接觸面，這樣就會導(dǎo)致數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接的部分被腐蝕，從而降低了陣列基板的總體質(zhì)量。
[0007]因此，如何防止刻蝕液腐蝕數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接觸的部分成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板及其制造方法和包括所述陣列基板的顯示裝置。所述陣列基板中數(shù)據(jù)線上與薄膜晶體管的源極相接觸的部分不易被腐蝕。
[0009]為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵線和多個氧化物薄膜晶體管，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述柵線互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有所述氧化物薄膜晶體管，其中，所述陣列基板還包括至少設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下方的氧化物層，該氧化物層的上表面與所述數(shù)據(jù)線的下表面相貼合。[0010]優(yōu)選地，在每個所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊處均設(shè)置有所述氧化物層，所述氧化物層的寬度與所述數(shù)據(jù)線的寬度相同，所述氧化物層的長度與所述柵線的寬度相同。
[0011 ] 優(yōu)選地，所述氧化物層對應(yīng)于整條所述數(shù)據(jù)線。
[0012]優(yōu)選地，所述氧化物層和所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述氧化物薄膜晶體管的有源層上方設(shè)置有刻蝕阻擋層。
[0013]優(yōu)選地，所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層的上方，且所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極分別通過第一過孔和第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線穿過所述刻蝕阻擋層與所述氧化物層相貼合。
[0014]優(yōu)選地，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層，所述薄膜晶體管的源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述薄膜晶體管的漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合，所述刻蝕阻擋層的下表面與所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)貼合。
[0015]作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括:
[0016]形成包括柵線的圖形；
[0017]形成包括薄膜晶體管的有源層的圖形的步驟；
[0018]形成包括所述氧化物層的圖形；和
[0019]形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形，且至少所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下表面與所述氧化物層相貼合。
[0020]優(yōu)選地，所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層位于同一層，且所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述制造方法包括在同一步構(gòu)圖工藝中形成包括所述氧化物薄膜晶體管有源層和所述氧化物層的圖形，并且所述制造方法包括在所述形成包括所述氧化層的步驟和所述形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的步驟之間依次進(jìn)行的以下步驟:
[0021]形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方；
[0022]形成第一過孔、第二過孔和數(shù)據(jù)線孔，所述第一過孔和所述第二過孔均穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物薄膜晶體管的有源層，所述數(shù)據(jù)線孔穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物層；
[0023]在所述形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟中，所述源極通過第一過孔與所述有源層相連，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線位于所述數(shù)據(jù)線孔中，且所述數(shù)據(jù)線的下表面與所述氧化層貼合。
[0024]優(yōu)選地，所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層位于同一層，且所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述制造方法包括在同一步構(gòu)圖工藝中形成包括所述氧化物薄膜晶體管有源層和所述氧化物層的圖形，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層，[0025]所述制造方法還包括在所述形成包括所述氧化層的步驟和所述形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的步驟之間依次進(jìn)行的:
[0026]形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方，且所述刻蝕阻擋層覆蓋所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合。
[0027]作為本發(fā)明的再一個方面，提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0028]數(shù)據(jù)線、氧化物薄膜晶體管的源極以及漏極均由金屬(例如，鋁、鑰、銅中的任意一種)制成，氧化物層的防腐蝕能力比金屬材料防腐蝕能力強(qiáng)，因此，將氧化物層設(shè)置在數(shù)據(jù)線與氧化物薄膜晶體管的源極相連的部分下方可以防止在刻蝕形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的圖形時數(shù)據(jù)線與柵線相交疊的部分的下表面被刻蝕液腐蝕，從而提高了陣列基板的總體質(zhì)量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的【具體實施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0030]圖1是現(xiàn)有的陣列基板的一部分的剖視圖；
[0031]圖2是本發(fā)明所提供的陣列基板的第一種實施方式的俯視圖；
[0032]圖3是圖2中所示的陣列基板的A-A剖視圖；
`[0033]圖4是本發(fā)明所提供的陣列基板的第二種實施方式的俯視圖；
[0034]圖5是圖4中所示的陣列基板的B-B剖視圖。
[0035]附圖標(biāo)記說明
[0036]10:有源層11:源極覆蓋區(qū)
[0037]12:刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)13:漏極覆蓋區(qū)
[0038]20:刻蝕阻擋層30:源極
[0039]31:第一過孔40:漏極
[0040]41:第二過孔50:數(shù)據(jù)線
[0041]60:氧化物層61:源極氧化物層
[0042]62:漏極氧化物層63:數(shù)據(jù)線氧化物層
[0043]70:公共電極80:像素電極
[0044]81:鈍化層90:柵極
[0045]91:柵絕緣層92:柵線
【具體實施方式】
[0046]以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實施方式】進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實施方式】僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0047]作為本發(fā)明的一個方面，如圖2至圖5中所示，提供一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線50、多條柵線92和多個氧化物薄膜晶體管，多條數(shù)據(jù)線50與多條柵線92互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有所述氧化物薄膜晶體管，其中，所述陣列基板還包括至少設(shè)置在數(shù)據(jù)線50與柵線92相交疊的部分下方的氧化物層60，且該氧化物層60的上表面與數(shù)據(jù)線50的下表面貼合。
[0048]數(shù)據(jù)線50、氧化物薄膜晶體管的源極30以及漏極40均由金屬(例如，鋁、鑰、銅中的任意一種)制成，氧化物層60的防腐蝕能力比金屬材料防腐蝕能力強(qiáng)，因此，將氧化物層60設(shè)置在數(shù)據(jù)線50與氧化物薄膜晶體管的源極30相連的部分下方可以防止在刻蝕形成包括源極30、漏極40以及數(shù)據(jù)線50的圖形時，數(shù)據(jù)線50與柵線相疊的部分的下表面被刻蝕液腐蝕，從而提高了陣列基板的總體質(zhì)量。
[0049]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明中所用的方位詞“上、下”均是指圖3和圖5中的“上、下”方向。
[0050]在本發(fā)明中，可選地，可以僅在數(shù)據(jù)線50與柵線92交疊的部分的下方設(shè)置氧化物層60。優(yōu)選地，可以在每個數(shù)據(jù)線與柵線的交疊處都設(shè)置氧化物層，所述氧化物層的寬度與所述數(shù)據(jù)線的寬度相同，所述氧化物層的長度與所述柵線的寬度相同。這種結(jié)構(gòu)可以節(jié)約制造氧化物層的材料。
[0051 ] 可選地，氧化物層60對應(yīng)于整條數(shù)據(jù)線50，如圖3和圖5所示，從而可以更好地保護(hù)數(shù)據(jù)線50的下表面不被腐蝕，提高陣列基板的總體質(zhì)量。
[0052]在本發(fā)明中，對氧化物層的具體材料也沒有特殊的限制，只要比形成數(shù)據(jù)線50的金屬耐腐蝕即可。為了簡化制備工藝，提高陣列基板的生產(chǎn)效率，優(yōu)選地，可以利用與所述氧化物薄膜晶體管的有源層10相同的材料制成氧化物層60?？梢岳肸n0、InZn0、ZnSn0、GalnZnO、ZrInZnO中的任意一種制成有源層10,與制成數(shù)據(jù)線50的金屬材料相比,上述材料具有較好的耐腐蝕性，而且上述材料還具有較好的柔韌性。可以在有源層10的上方設(shè)置刻蝕阻擋層20，以避免在刻蝕氧化物薄膜晶體管的源極和漏極時，刻蝕液滲透進(jìn)入有源層。
[0053]由于氧化物層60與有源層10采用相同的材料制成，因此，可以在同一步構(gòu)圖工藝中同時形成氧化物層60和有源層10。
[0054]在本發(fā)明中，對所述氧化物薄膜晶體管的具體結(jié)構(gòu)也沒有特殊的限制。例如，作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施方式，如圖2和圖3中所示，所述氧化物薄膜晶體管的源極30和漏極40位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層10的上方，且所述氧化物薄膜晶體管的源極30和漏極40分別通過第一過孔31和第二過孔41與有源層10相連，數(shù)據(jù)線50穿過刻蝕阻擋層20與氧化物層60相貼合。
[0055]需要指出的是，圖3僅為示意圖，適應(yīng)性地表示出刻蝕阻擋層、氧化物層有源層之間的位置關(guān)系，并非刻蝕阻擋層、氧化物層有源層的實際尺寸關(guān)系。所示的陣列基板中，所述氧化物薄膜晶體管具有底柵結(jié)構(gòu)，因此，柵極90設(shè)置在有源層10下方，柵極90和有源層10之間設(shè)置有柵絕緣層91，有源層10和氧化物層60設(shè)置在柵絕緣層91的上表面上，且刻蝕阻擋層20覆蓋整個基板，數(shù)據(jù)線50穿過刻蝕阻擋層20與氧化物層60貼合。當(dāng)然，刻蝕阻擋層20也可以僅覆蓋有源層10。
[0056]應(yīng)當(dāng)理解的是，圖2中省略了圖3中的公共電極70、像素電極80和鈍化層81。并且，在圖3中所示的實施方式中，公共電極70位于像素電極80的上方，像素電極80直接與氧化物薄膜晶體管的漏極相連。柵絕緣層91與刻蝕阻擋層20均可以采用二氧化硅材料制成。[0057]作為本發(fā)明的第二種實施方式，如圖4和圖5所示，所述薄膜晶體管的有源層10可以包括源極覆蓋區(qū)U、漏極覆蓋區(qū)13和位于源極覆蓋區(qū)11和漏極覆蓋區(qū)13之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)12，所述氧化物層包括位于有源層10 —側(cè)且與源極覆蓋區(qū)11連續(xù)的的源極氧化物層61和位于有源層10另一側(cè)且與漏極覆蓋區(qū)13連續(xù)的的漏極氧化物層62，所述薄膜晶體管的源極30的下表面的一部分與源極覆蓋區(qū)11貼合，另一部分與源極氧化物層61貼合，所述薄膜晶體管的漏極40的下表面的一部分與漏極覆蓋區(qū)13貼合，另一部分與漏極氧化物層62貼合，刻蝕阻擋層20的下表面與刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)12貼合。
[0058]如圖4和圖5中所示，刻蝕阻擋層20僅位于刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)12的上方，并且數(shù)據(jù)線50上其他部分(即除去與源極30相接的部分之后剩下的區(qū)域)的下方設(shè)置有數(shù)據(jù)線氧化物層63，以對數(shù)據(jù)線50進(jìn)行更加全面的保護(hù)。容易理解的是，圖4中省去了圖5中的像素電極和公共電極。
[0059]與現(xiàn)有技術(shù)中相同，在本發(fā)明中，可以利用硅的氧化物(如，SiO2)和/或硅的氮化物(SiNx)形成刻蝕阻擋層20。
[0060]容易理解的是，雖然本發(fā)明給出的兩種實施方式中，氧化物薄膜晶體管均具有底柵結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明的陣列基板中的氧化物也可以具有頂柵結(jié)構(gòu)。
[0061]作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種上述陣列基板的制造方法，該制造方法包括以下步驟:
[0062]形成包括柵線的圖形；
[0063]形成包括薄膜晶體管的有源層的圖形的步驟；
[0064]形成包括所述氧化物層的圖形；和
[0065]形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形，且至少所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下表面與所述氧化物層相貼合。
[0066]氧化物層可以保護(hù)所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下端面不被沿數(shù)據(jù)線與該數(shù)據(jù)線周圍的材料之間的間隙滲入的刻蝕液腐蝕。
[0067]為了更好地保護(hù)所述數(shù)據(jù)線，優(yōu)選地，所述氧化物層對應(yīng)于整條所述數(shù)據(jù)線。即，所述數(shù)據(jù)線的整個下端面均與所述氧化物層相貼合。
[0068]為了簡化制造方法，提高生產(chǎn)效率，優(yōu)選地，所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層位于同一層，且所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成。在這種情況中，所述制造方法包括在形成所述氧化物薄膜晶體管有源層的同時形成所述氧化物層。即，通過同一步構(gòu)圖工藝形成包括所述氧化物薄膜晶體管的有源層和所述氧化物層的圖形。
[0069]在本發(fā)明中，對構(gòu)圖工藝的具體類型并不做限定。例如，可以通過轉(zhuǎn)印、打印等構(gòu)圖工藝，同時形成所述氧化物薄膜晶體管的有源層和所述氧化物層?；蛘?，可以按照如下步驟形成所述有源層和所述氧化物層:首先，在基板上沉積氧化物薄膜；然后利用光刻工藝形成包括所述有源層和所述氧化物層的圖形。
[0070]如上文中所述,所述氧化物薄膜晶體管的有源層由ZnO、InZnO、ZnSnO、GalnZnO、ZrInZnO中的任意一種制成。
[0071]為了形成本發(fā)明第一種實施方式所提供的陣列基板(S卩，圖2和圖3中所示的陣列基板)，所述制造方法可以包括在所述形成包括所述氧化層的步驟和所述形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的步驟之間依次進(jìn)行的以下步驟:
[0072]形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方；
[0073]形成第一過孔、第二過孔和數(shù)據(jù)線孔，所述第一過孔和所述第二過孔均穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物薄膜晶體管的有源層，所述數(shù)據(jù)線孔穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物層。
[0074]在這種情況中，在所述形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟中，所述源極通過第一過孔與所述有源層相連(有源層的材料填充在第一過孔中，形成位于第一過孔中的第一電極，該第一電極將源極和有源層相連)，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層相連(有源層的材料填充在第二過孔中，形成位于第二過孔中的第二電極，該第二電極將漏極和有源層相連)，數(shù)據(jù)線的至少一部分位于數(shù)據(jù)線孔中，并且與所述氧化物層貼合。
[0075]同樣地，本發(fā)明中對形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的工藝并不做具體限定，既可以通過打印、轉(zhuǎn)印等工藝形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，也可以通過傳統(tǒng)的光刻構(gòu)圖工藝形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形。
[0076]下面介紹圖2和圖3中所示的陣列基板完整的制造方法:
[0077]在玻璃基板上形成包括柵線和氧化物薄膜晶體管的柵極的圖形；
[0078]形成柵絕緣層；
[0079]形成包括薄膜晶體管的有源層和氧化物層的圖形；
[0080]形成刻蝕阻擋層，該刻蝕阻擋層覆蓋進(jìn)行了上述步驟的玻璃基板；
[0081]形成第一過孔、第二過孔和數(shù)據(jù)線孔，所述第一過孔和所述第二過孔到達(dá)所述有源層，所述數(shù)據(jù)線孔到達(dá)所述氧化物層；
[0082]形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，所述源極通過第一過孔與所述有源層相連，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層相連，數(shù)據(jù)線的至少一部分(至少下半部分)位于數(shù)據(jù)線孔中，并且所述數(shù)據(jù)線的下表面與所述氧化物層貼合；
[0083]形成包括像素電極的圖形，該像素電極的一部分覆蓋所述漏極的至少一部分；
[0084]形成鈍化層，該鈍化層覆蓋進(jìn)行了上述步驟的玻璃基板；
[0085]形成包括公共電極的圖形。
[0086]圖2和圖3中所示的實施方式中，使用了較少的氧化物(包括形成有源層和氧化物層)，因此陣列基板的總體成本較低。
[0087]為了形成本發(fā)明第二種實施方式所提供的陣列基板(S卩，圖4和圖5中所示的陣列基板)，即，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層。
[0088]在上述實施方式中，在所述形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟叢，所述源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合。
[0089]下面介紹圖4和圖5中所示的陣列基板完整的制造方法:
[0090]在玻璃基板上形成包括柵極和柵線的圖形；
[0091]形成柵絕緣層；[0092]在柵絕緣層上形成包括有源層和氧化物層的圖形；
[0093]形成包括刻蝕阻擋層的圖形，該刻蝕阻擋層覆蓋所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)；
[0094]形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形，所述源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合；
[0095]形成包括像素電極的圖形；
[0096]在進(jìn)行了上述步驟的玻璃基板上形成鈍化層；
[0097]形成包括公共電極的圖形。
[0098]與圖2和圖3中所示的實施方式相比，圖4和圖5中所示的實施方式無需加工過孔，因此圖4和圖5中所示的制造方法更加簡單。
[0099]容易理解的是，形成了氧化物薄膜晶體管的源極和漏極之后，可以形成與所述漏極相連的像素電極，隨后形成覆蓋基板的鈍化層，并最后在鈍化層上形成公共電極。這些步驟都是本領(lǐng)域所公知的，因此不再贅述。
[0100]作為本發(fā)明的另一個方面，還提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。
[0101]數(shù)據(jù)線、氧化物薄膜晶體管的源極以及漏極均由金屬(例如，鋁、鑰、銅中的任意一種)制成，氧化物層的防腐蝕能力比金屬材料防腐蝕能力強(qiáng)，因此，將氧化物層設(shè)置在數(shù)據(jù)線與氧化物薄膜晶體管的源極相連的部分下方可以防止在刻蝕形成包括源極、漏極以及數(shù)據(jù)線的圖形時數(shù)據(jù)線與柵線相交疊的部分的下表面被刻蝕液腐蝕，從而提高了陣列基板的總體質(zhì)量。
[0102]本發(fā)明所提供的顯示裝置中使用了氧化物薄膜晶體管，具有較高的遷移率，因此，本發(fā)明所提供的顯示裝置可以具有較大的面積，從而可以應(yīng)用于電腦、電視等電子設(shè)備中。
[0103]本發(fā)明所述的顯示裝置可以為液晶面板、液晶顯示器、液晶電視、OLED顯示面板、OLED顯示器、OLED電視、手機(jī)、掌上電腦或者電子書等裝置。
[0104]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板，該陣列基板包括多條數(shù)據(jù)線、多條柵線和多個氧化物薄膜晶體管，多條所述數(shù)據(jù)線與多條所述柵線互相交錯，將所述陣列基板劃分為多個像素單元，每個所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有所述氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述陣列基板還包括至少設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下方的氧化物層，該氧化物層的上表面與所述數(shù)據(jù)線的下表面相貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，在每個所述數(shù)據(jù)線與所述柵線的交疊處均設(shè)置有所述氧化物層，所述氧化物層的寬度與所述數(shù)據(jù)線的寬度相同，所述氧化物層的長度與所述柵線的寬度相同。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物層對應(yīng)于整條所述數(shù)據(jù)線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物層和所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述氧化物薄膜晶體管的有源層上方設(shè)置有刻蝕阻擋層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極位于所述氧化物薄膜晶體管的有源層的上方，且所述氧化物薄膜晶體管的源極和漏極分別通過第一過孔和第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線穿過所述刻蝕阻擋層與所述氧化物層相貼合。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層，所述薄膜晶體管的源極的下表面的一部分與所述 源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述薄膜晶體管的漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合，所述刻蝕阻擋層的下表面與所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)貼合。
7.—種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括: 形成包括柵線的圖形； 形成包括薄膜晶體管的有源層的圖形的步驟； 形成包括所述氧化物層的圖形；和 形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形，且至少所述數(shù)據(jù)線與所述柵線相交疊的部分的下表面與所述氧化物層相貼合。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層位于同一層，且所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述制造方法包括在同一步構(gòu)圖工藝中形成包括所述氧化物薄膜晶體管有源層和所述氧化物層的圖形，并且所述制造方法包括在所述形成包括所述氧化層的步驟和所述形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的步驟之間依次進(jìn)行的以下步驟: 形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方； 形成第一過孔、第二過孔和數(shù)據(jù)線孔，所述第一過孔和所述第二過孔均穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物薄膜晶體管的有源層，所述數(shù)據(jù)線孔穿過所述刻蝕阻擋層到達(dá)所述氧化物層；在所述形成包括源極、漏極和數(shù)據(jù)線的圖形的步驟中，所述源極通過第一過孔與所述有源層相連，所述漏極通過所述第二過孔與所述有源層相連，所述數(shù)據(jù)線位于所述數(shù)據(jù)線孔中，且所述數(shù)據(jù)線的下表面與所述氧化層貼合。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層位于同一層，且所述氧化物層與所述氧化物薄膜晶體管的有源層由同種材料制成，所述制造方法包括在同一步構(gòu)圖工藝中形成包括所述氧化物薄膜晶體管有源層和所述氧化物層的圖形，所述薄膜晶體管的有源層包括源極覆蓋區(qū)、漏極覆蓋區(qū)和位于所述源極覆蓋區(qū)和所述漏極覆蓋區(qū)之間的刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述氧化物層包括位于所述有源層一側(cè)且與所述源極覆蓋區(qū)連續(xù)的的源極氧化物層和位于所述有源層另一側(cè)且與所述漏極覆蓋區(qū)連續(xù)的的漏極氧化物層， 所述制造方法還包括在所述形成包括所述氧化層的步驟和所述形成包括數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管的源極、漏極的圖形的步驟之間依次進(jìn)行的: 形成包括刻蝕阻擋層的圖形，所述刻蝕阻擋層位于所述有源層上方，且所述刻蝕阻擋層覆蓋所述刻蝕阻擋層覆蓋區(qū)，所述源極的下表面的一部分與所述源極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述源極氧化物層貼合，所述漏極的下表面的一部分與所述漏極覆蓋區(qū)貼合，另一部分與所述漏極氧化物層貼合。
10.一種顯示裝置，該顯示裝置包括陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為權(quán)利要求1至6中任意一項所述的陣列基板。`
【文檔編號】H01L29/786GK103715203SQ201310736307
【公開日】2014年4月9日 申請日期:2013年12月26日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月26日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團(tuán)股份有限公司