發(fā)光裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供即使在多個發(fā)光元件中含有不良元件也無需廢棄而仍能利用的發(fā)光裝置及其制造方法。所述發(fā)光裝置具備：具有貫通孔的第一基板；配置在所述第一基板上的多個第一發(fā)光元件；以堵塞所述第一基板的貫通孔的方式安裝于所述第一基板的第二基板；配置在所述第二基板上，與所述第一基板的配線電連接的第二發(fā)光元件。
【專利說明】發(fā)光裝置及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及發(fā)光裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，提出有在基板上安裝有多個發(fā)光元件的發(fā)光裝置(參照專利文獻I)。
[0003]專利文獻1:日本特開2005-322937號公報
[0004]然而，在該現(xiàn)有的發(fā)光裝置中，存在如下問題:若在多個發(fā)光元件中含有不良元件，則不得不廢棄發(fā)光裝置整體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]因此，本發(fā)明的目的在于提供即使在多個發(fā)光元件中含有不良元件也無需廢棄而仍能利用的發(fā)光裝置及其制造方法。
[0006]根據(jù)本發(fā)明，上述的課題通過如下的方案得以解決。即，本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置具備:具有貫通孔的第一基板；配置在所述第一基板上的多個第一發(fā)光元件；以堵塞所述第一基板的貫通孔的方式安裝于所述第一基板的第二基板；配置在所述第二基板上，與所述第一基板的配線電連接的第二發(fā)光元件。
[0007]本發(fā)明涉及的發(fā)光裝置的制造方法包括:在第一基板上配置多個第一發(fā)光元件的工序；將配置有不良元件的所述第一基板上的區(qū)域從所述第一基板分離而在所述第一基板上形成貫通孔的工序；將配置有第二發(fā)光元件的第二基板安裝于所述第一基板來堵塞所述第一基板的貫通孔的工序；將所述第二發(fā)光元件與所述第一基板的配線電連接的工序。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖。
[0009]圖2是說明本發(fā)明的實施方式涉及的突出部的圖。
[0010]圖3A是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0011]圖3B是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0012]圖3C是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0013]圖3D是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0014]圖3E是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0015]圖3F是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。
[0016]符號說明
[0017]I 發(fā)光裝置
[0018]2 貫通孔
[0019]4 第一基板
[0020]4a 突出部
[0021]6 第二基板[0022]6a突出部
[0023]8第一發(fā)光元件
[0024]8a第一發(fā)光兀件
[0025]8b第一發(fā)光元件
[0026]8c第一發(fā)光兀件
[0027]Sd第一發(fā)光元件
[0028]10第二發(fā)光元件
[0029]12配線
[0030]14配線
[0031]16連接構(gòu)件
[0032]18反射構(gòu)件
[0033]20密封構(gòu)件
[0034]22粘接構(gòu)件
【具體實施方式】
[0035]以下，參照附圖對用于實施本發(fā)明的方式進行說明。
[0036]圖1是本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的簡要結(jié)構(gòu)圖，圖1(a)是俯視圖，圖1(b)是圖1(a)中的A-A剖視圖。
[0037]如圖1所示，本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置I具備:具有貫通孔2的第一基板4 ;配置在第一基板4上的多個第一發(fā)光元件8 ；以堵塞第一基板4的貫通孔2的方式安裝在第一基板4上的第二基板6 ;配置在第二基板6上，與第一基板4的配線12電連接的第二發(fā)光兀件10。
[0038]在本發(fā)明的實施方式中，將配置有不良元件的第一基板4上的區(qū)域從第一基板4分離，并將因該分離而形成的第一基板4的貫通孔2用與第一基板4不同的基板即第二基板6堵塞。
[0039]這樣，通過將配置在第一基板4上的不良元件利用配置在第二基板6上的第二發(fā)光元件10來替代，由此無需廢棄在多個第一發(fā)光元件8中含有不良元件的發(fā)光裝置I而仍能利用該發(fā)光裝置I。
[0040]在本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置I中，在配置有不良元件的第一基板4上的區(qū)域配置新的發(fā)光元件(第二發(fā)光元件10)，因此第二發(fā)光元件10以與第一發(fā)光元件8的排列規(guī)則相同的排列規(guī)則如第一發(fā)光元件8那樣配置。因而，根據(jù)本發(fā)明的實施方式，即使在元件替代后也能夠維持元件代替前的發(fā)光元件的配置規(guī)則。
[0041]需要說明的是，就利用第二基板6堵塞第一基板4的貫通孔2的形態(tài)而言，除了利用第二基板6本身直接堵塞第一基板4的貫通孔2的形態(tài)(直接堵塞:參照圖1中的B)以外，還包括利用直接設(shè)于第二基板6的構(gòu)件(例如反射構(gòu)件18等)堵塞第一基板4的貫通孔2的形態(tài)(間接堵塞:參照圖1中的C)。
[0042]以下，對各構(gòu)件進行說明。
[0043][第一基板、第二基板]
[0044](材料)[0045]第一基板4、第二基板6的材料可以考慮第一發(fā)光兀件8、第二發(fā)光兀件10的安裝、光反射率及與其它構(gòu)件之間的密接性等來適當選擇。
[0046]例如，在將第一發(fā)光元件8、第二發(fā)光元件10向配線12、14安裝時使用焊料的情況下，作為第一基板4、第二基板6的材料，優(yōu)選使用耐熱性高、且容易將基板的局部區(qū)域分離出來的材料，其中優(yōu)選使用聚酰亞胺等薄的材料。
[0047]另外，第一基板4、第二基板6例如也可以使用利用絕緣性材料覆蓋細長的帶狀的銅箔或鋁箔而成的構(gòu)件。作為這樣的絕緣性材料，可以舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚酰亞胺等絕緣性樹脂作為一例。
[0048]然而，第一基板4、第二基板6優(yōu)選由絕緣性材料構(gòu)成，而不是利用絕緣性構(gòu)件覆蓋導(dǎo)電性構(gòu)件而成的構(gòu)件。這樣的話，與將在導(dǎo)電性構(gòu)件的表面設(shè)置絕緣性材料而成的構(gòu)件用作第一基板4、第二基板6的情況相比，在將第一基板4上的區(qū)域從第一基板4分離時，導(dǎo)電性的碎屑等不易向周圍飛散，因此能夠防止因該碎屑等導(dǎo)致周圍的第一發(fā)光元件8等產(chǎn)生不良化的情況。由此，能夠不廢棄而利用更多的發(fā)光裝置。
[0049]另外，作為第一基板4、第二基板6，若使用例如以薄膜狀的樹脂或金屬為基體的基板，則第一基板4、第二基板6變薄且具有撓性，因此能夠利用輥到輥方法容易地制造發(fā)光裝置I。
[0050]第一基板4和第二基板6的材料可以不同。然而，若為相同材料，則線膨脹系數(shù)等物理性質(zhì)會相同，因此能夠抑制因溫度變化等弓I起的對安裝部的應(yīng)變。
[0051](厚度)
[0052]第一基板4的厚度并沒有特別限定，但若例如為10 μ m?200 μ m左右，則能夠利用輥到輥方法容易地制造發(fā)光裝置I。需要說明的是，在將第二基板6安裝于第一基板4的上表面的情況下，優(yōu)選通過使用膜狀的基板作為第二基板6等來使第二基板6的厚度比第一基板4的厚度薄。這樣的話，由于第一發(fā)光兀件8和第二發(fā)光兀件10接近相同的高度，因此能夠抑制光學(xué)特性的變化。
[0053]另外,如圖1所不，優(yōu)選第二基板6的高度比第一發(fā)光兀件8或?qū)Φ谝话l(fā)光兀件8進行密封的密封構(gòu)件20的高度薄。由此，第一發(fā)光元件8和第二發(fā)光元件10接近相同的高度，因此能夠抑制光學(xué)特性的變化。
[0054](形狀、面積)
[0055]第一基板4、第二基板6的形狀、面積等沒有特別限定。作為形狀的一例，例如可以舉出方形形狀、圓形形狀等。其中，第二基板6具有足以對形成在第一基板4上的貫通孔2進行堵塞的形狀、面積等。這里，在第一基板4的下表面安裝第二基板6的情況下，期望第二基板的配線14比第二基板6的外形小，即，第二基板6的配線14的端部位于比第二基板6靠內(nèi)側(cè)的位置。由此，配線14沒有到達第二基板6的端部，因此能夠容易地確保發(fā)光裝置I的外部與配線12的絕緣。
[0056]另外，如圖1所示，在將第二基板6安裝于第一基板4的下表面的情況下，優(yōu)選第一基板4的厚度比后述的第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20的高度薄。由此，能夠設(shè)為第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20從貫通孔2在第一基板4上表面突出，從而能夠進一步抑制光學(xué)特性的變化。此時，如圖1所示，優(yōu)選貫通孔2比第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20大。由此，容易設(shè)為第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20從貫通孔2在第一基板4上表面突出，能夠進一步抑制光學(xué)特性的變化。
[0057]另外，在將第二基板6安裝于設(shè)有后述的反射構(gòu)件18的第一基板4的下表面的情況下，除了能夠設(shè)為第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20不比設(shè)在第一基板4上的反射構(gòu)件18向上方突出的以外(參照圖1的C)，還能夠設(shè)為第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20比設(shè)在第一基板4上的反射構(gòu)件18向上方突出(未圖示)。設(shè)為不突出的前者的形態(tài)相較于設(shè)為突出的后者的形態(tài)，后者的形態(tài)能更進一步抑制光學(xué)特性的變化，因此優(yōu)選?？紤]到這一點，優(yōu)選反射構(gòu)件18和第一基板4的合計厚度比第二發(fā)光元件10或?qū)Φ诙l(fā)光元件10進行密封的密封構(gòu)件20的高度薄。
[0058]優(yōu)選貫通孔2被第二基板6無間隙地堵塞(S卩，以使貫通的部分消除的方式堵塞)。這樣，能彌補因形成貫通孔2而引起的第一基板4的反射率的降低(在形成有貫通孔2的部位無法使光反射)。
[0059](突出部)
[0060]圖2是說明本發(fā)明的實施方式涉及的突出部的圖，圖2(a)是第二基板6的簡要俯視圖，圖2(b)是第一基板4的簡要部分俯視圖。
[0061]如圖2(a)所示，優(yōu)選第二基板6具備一部分從周圍突出而成的突出部6a。這樣，例如通過在突出部6a設(shè)置粘接劑等粘接構(gòu)件，能夠?qū)⒌诙?容易地安裝于第一基板4，能夠進一步實現(xiàn)不廢棄而利用發(fā)光裝置I。
[0062]另一方面，如圖2(b)所示，也可以在第一基板4側(cè)設(shè)置突出部4a。這樣的突出部4a例如可以在設(shè)置貫通孔2時形成。與第二基板6的突出部6a同樣，利用第一基板4的突出部4a也能夠?qū)⒌诙?容易地安裝于第一基板4，能夠進一步實現(xiàn)不廢棄而利用發(fā)光裝置I。
[0063](貫通孔2)
[0064]貫通孔2的形狀、開口面積等沒有特別限定，優(yōu)選考慮第一基板4上的配線12的圖案、是否容易利用第二基板6堵塞等情況來設(shè)定。
[0065]作為考慮了上述情況而設(shè)定的形狀、開口面積，例如可以舉出以與第二基板6相似的形狀且比第二基板6面積小的矩形作為一例。這樣，例如能夠在第二基板6上的區(qū)域以包圍貫通孔2的方式設(shè)置粘接劑等粘接構(gòu)件22，因此能夠容易地安裝第二基板6。
[0066]貫通孔2的形成方法可以根據(jù)第一基板4的性質(zhì)(例如:第一基板4不因形成貫通孔2時被施加的負載而折斷或者變形等性質(zhì))多種選擇。例如可以舉出沖孔、切去等。
[0067](第一基板4和第二基板6的位置關(guān)系)
[0068]第二基板6可以安裝在第一基板4的上表面(參照圖1(b)的符號B所示的部位)，也可以安裝在第一基板4的下表面(參照圖1(b)的符號C所示的部位)。在安裝于上表面的情況下，由于第二基板6不在發(fā)光裝置I的下表面?zhèn)韧怀觯虼税l(fā)光裝置I的操作容易，發(fā)光裝置I的安裝(向照明裝置的固定等)容易。另一方面，在安裝于下表面的情況下，由于能夠容易地將在貫通孔2的端部暴露出的配線12用反射構(gòu)件18覆蓋，因此能夠容易地確保發(fā)光裝置I的外部與配線12的絕緣。
[0069]在將第二基板6安裝于第一基板4的上表面的情況下，可以使第二基板6的一部分(例如上述的突出部)在貫通孔2內(nèi)折彎而向第一基板4的下表面?zhèn)妊由?，安裝于第一基板4的下表面(第二基板6的配置有第二發(fā)光元件10的部分位于第一基板4的上表面)。這種情況下，優(yōu)選第二基板6具有撓性。由此，能夠容易地確保發(fā)光裝置I的外部與配線12的絕緣。
[0070]另一方面，在將第二基板6安裝于第一基板4的下表面的情況下，可以使第二基板6的一部分(例如突出部)在貫通孔2內(nèi)折彎而向第一基板4的上表面?zhèn)妊由欤惭b于第一基板4的上表面(第二基板6的配置有第二發(fā)光元件10的部分位于第一基板4的下表面)。這種情況下，也優(yōu)選第二基板6具有撓性。
[0071]第一基板4的上表面是指第一基板4的主面中的安裝有第一發(fā)光元件8這一側(cè)，下表面是指與上表面相反側(cè)的面。
[0072]需要說明的是，如圖1所示，第二基板6可以安裝在第一基板4的上表面和下表面。即，如圖1所示，第二基板6可以安裝在第一基板4的上表面，也可以安裝在第一基板4的下表面，還可以安裝在第一基板4的上表面和下表面。
[0073]將第二基板6安裝于第一基板4的方法可以使用基于絕緣性粘接劑的粘接、基于導(dǎo)電性粘接劑的粘接、基于焊料的接合、熱壓接、使第二基板6與第一基板4嚙合或者將上述方法組合等各種各樣的方法。
[0074][反射構(gòu)件18]
[0075]可以在第一基板4上設(shè)置反射構(gòu)件18。這樣，能夠提高第一基板4的反射率。尤其是若反射構(gòu)件18覆蓋配線12的至少一部分，則能夠進一步提高第一基板4的反射率。
[0076]反射構(gòu)件18可以還設(shè)置在第二基板6上。這樣，能夠彌補形成有貫通孔2的第一基板4上的區(qū)域的反射率。
[0077]優(yōu)選反射構(gòu)件18在第一基板4上和第二基板6上連續(xù)地覆蓋。由此，能夠覆蓋在第一基板4與第二基板6之間形成的高低差而使高低差平穩(wěn)。
[0078](材料)
[0079]反射構(gòu)件18可以使用例如在環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂及它們的改性類型等樹脂中混合有Si02、Al203、BaS04、Ti02等而得到的白色樹脂、白色抗蝕劑等。
[0080]設(shè)置在第一基板4上的反射構(gòu)件18優(yōu)選使用比第一基板4硬的樹脂(例如在第一基板4使用聚酰亞胺的情況下，反射構(gòu)件18使用環(huán)氧樹脂等)。這樣，在連同反射構(gòu)件18 一起對第一基板4上的區(qū)域進行沖孔等情況下，能夠高精度地形成貫通孔2。
[0081]優(yōu)選在第一基板4上和第二基板6上以覆蓋的方式設(shè)置的反射構(gòu)件18的硬化前的粘度.觸變性高，例如優(yōu)選在反射構(gòu)件18中含有以SiO2的微粒子等為代表的粘度調(diào)整齊U。這樣，容易在第一基板4與第二基板6之間配置反射構(gòu)件18，且能夠容易地使第一基板4與第二基板6的高低差平穩(wěn)。
[0082]需要說明的是，在反射構(gòu)件18具有絕緣性且在第一基板4上和第二基板6上連續(xù)覆蓋的情況下，反射構(gòu)件18覆蓋因分離而暴露出的第一基板4的配線12的端部而對其進行保護。
[0083](設(shè)置反射構(gòu)件的方法)
[0084]反射構(gòu)件18可以通過例如印刷、涂敷、旋涂、噴涂等方法設(shè)置。
[0085][第一發(fā)光兀件、第二發(fā)光兀件]
[0086]第一發(fā)光元件8、第二發(fā)光元件10可以使用表面安裝型LED、LED芯片、芯片級封裝LED等各種發(fā)光二極管。若使用上述的元件，則可以通過使用了各種接合構(gòu)件的各種方法(例如:使用了凸塊或焊料的倒裝芯片安裝、使用了引線的引線接合安裝)將第一發(fā)光元件8、第二發(fā)光元件10與配線圖案4電連接。需要說明的是，若使用LED芯片作為第一發(fā)光元件8、第二發(fā)光元件10，則能夠?qū)崿F(xiàn)低成本化。
[0087]第二發(fā)光元件10與第一基板4的配線12電連接。具體來說明，在本發(fā)明的實施方式中，第二發(fā)光元件10通過倒裝芯片方式與第二基板6的配線14連接，第二基板6的配線14通過焊料等連接構(gòu)件16與第一基板4的配線12連接，由此第二發(fā)光元件10與第一基板4的配線12電連接。需要說明的是，在本發(fā)明的實施方式中，第一發(fā)光元件8通過倒裝芯片方式與第一基板4的配線12連接。
[0088]需要說明的是，上述的結(jié)構(gòu)為一例，第一發(fā)光元件8例如也可以通過芯片接合及引線接合等與第一基板4的配線12連接。另外，例如也可以將第二發(fā)光元件10通過引線接合等與第一基板4的配線12連接，由此將第二發(fā)光元件10與第一基板4的配線12電連接。另外，第二基板6的配線14例如也可以通過導(dǎo)電性粘接劑等與第一基板4的配線12連接。
[0089]不良元件是指在用于發(fā)光裝置的方面具有不優(yōu)選的特性的發(fā)光元件，例如可以舉出具有電壓異常、光度異常、發(fā)光波長異常等的發(fā)光元件。不優(yōu)選的特性還包括由密封構(gòu)件20引起的特性，例如配光的異常，波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件所導(dǎo)致的顏色不均或顏色偏差等。
[0090][配線]
[0091]配線12、14可以使用例如銅或鋁等金屬。然而，設(shè)于第一基板4的配線12優(yōu)選使用延展性低的材料(即，就上述例來說，與銅相比，優(yōu)選使用鋁)。其原因在于，若使用延展性高的材料，則對第一基板4進行沖孔來形成貫通孔2時，配線12會從第一基板4的上表面穿過貫通孔2而延伸至第一基板4的下表面，可能無法在第一基板4的上表面和下表面之間確保絕緣性。另外，可以在延展性低的材料的表面通過鍍敷等設(shè)置比該材料延展性高的不同的材料。由此，能夠同時實現(xiàn)絕緣性的確保和其它配線所要求的特性(例如芯片接合性、光反射率)。
[0092]優(yōu)選配線12、14在第一基板4、第二基板6的表面上以盡可能大的面積設(shè)置。由此，能夠提高散熱性。
[0093][密封構(gòu)件]
[0094]優(yōu)選第一發(fā)光兀件8、第二發(fā)光兀件10由密封構(gòu)件20密封。
[0095]密封構(gòu)件20優(yōu)選使用透光性的樹脂(例如環(huán)氧樹脂、尿素樹脂、硅酮樹脂或它們的改性類型等)。
[0096]優(yōu)選在密封樹脂20中包含以熒光體、量子點等為代表的波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件、用于使光擴散的光擴散構(gòu)件等。
[0097]作為波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件，例如可以使用氧化物系、硫化物系或氮化物系等的熒光體等。另外，在發(fā)光元件使用發(fā)出藍色光的氮化鎵系發(fā)光元件的情況下，優(yōu)選單獨或組合使用吸收藍色光且發(fā)出黃色光?綠色光的YAG系或LAG系的熒光體、發(fā)出綠色光的SiAlON系的熒光體及發(fā)出紅色光的SCASN系或CASN系的熒光體。
[0098]尤其在用于液晶顯示器或電視機的背光燈等顯示裝置的發(fā)光裝置中，優(yōu)選將SiAlON系熒光體和SCASN熒光體組合而成的構(gòu)件作為波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件。另外，在照明用途的發(fā)光裝置中，優(yōu)選將YAG系或LAG系的熒光體和SCASN系或CASN系的熒光體組合而成的構(gòu)件用作波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件。
[0099]作為光擴散構(gòu)件，例如可以使用Si02、Al203、BaS04。
[0100]需要說明的是，上述的波長轉(zhuǎn)換構(gòu)件或光擴散構(gòu)件也可以含在與密封構(gòu)件20不同的構(gòu)件中。作為該不同的構(gòu)件，例如可以舉出發(fā)光裝置I中的與密封構(gòu)件20分開設(shè)置的構(gòu)件、與發(fā)光裝置I分別獨立地設(shè)置的構(gòu)件(例如:附屬于照明裝置或液晶顯示器等的罩或片材等)等作為一例。
[0101]需要說明的是，在本發(fā)明的實施方式中，圖示出多個密封構(gòu)件20各自分別密封一個發(fā)光元件8、10的例子。然而，一個密封構(gòu)件也可以將兩個以上的發(fā)光元件一起密封。
[0102][底層填料]
[0103]在對第一發(fā)光元件8、第二發(fā)光元件10進行倒裝芯片安裝的情況下，優(yōu)選在第一發(fā)光元件8與第一基板4之間、第二發(fā)光元件10與第二基板6之間設(shè)置底層填料。
[0104]底層填料例如可以使用硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂或者它們的改性類型等。
[0105]底層填料優(yōu)選含有光反射性，具體而言，優(yōu)選含有白色的Ti02、Si02等。由此，能夠提高發(fā)光裝置I的光取出效率。
[0106][制造方法]
[0107]圖3A?3F是表示本發(fā)明的實施方式涉及的發(fā)光裝置的制造方法的圖。在各圖中，
(a)是俯視圖，(b)是(a)中的A-A剖視圖。
[0108](第一工序)
[0109]首先，如圖3A所示，準備設(shè)有配線12的第一基板4。
[0110](第二工序)
[0111]接著，如圖3B所示，在第一基板4上設(shè)置反射構(gòu)件18。在第一基板4上的多處設(shè)置開口部(沒有反射構(gòu)件18的部分)。由此，使配線12的一部分暴露出。
[0112]需要說明的是，第一基板4上的反射構(gòu)件18可以在后述的第五工序中的分離之后設(shè)置，但優(yōu)選像上述那樣在第五工序中的分離之前設(shè)置第一基板4上的反射構(gòu)件18。
[0113]這樣，利用具有一定程度的硬度或厚度的反射構(gòu)件18能增強第一基板4，因此能夠連同反射構(gòu)件18 —起將第一基板4上的區(qū)域分離，從而能夠?qū)⒌谝换?上的區(qū)域容易地分離(參照圖3D)。
[0114]因而，即使在將具有撓性的帶狀的基板用作第一基板4的情況等那樣會因一點力而對基板施加大的負載的情況下，也不會使第一基板4產(chǎn)生損傷等(例如:第一基板4折斷、彎曲)，能夠在該第一基板4上形成貫通孔2。
[0115](第三工序)
[0116]接著，如圖3C所示，在暴露出的配線12上配置多個第一發(fā)光元件8a、8b、8c、8d而將它們與配線12連接。
[0117](第四工序)
[0118]接著，判定多個第一發(fā)光元件8a、8b、8c、8d的良.不良。
[0119](第五工序)
[0120]接著，如圖3D所示，將配置有不良元件的第一基板4上的區(qū)域從第一基板4分離(例如:沖孔、切去)而在第一基板4上形成貫通孔2。這里，將多個發(fā)光元件8a、8b、8c、8d中的發(fā)光元件8a、8c設(shè)為不良元件。需要說明的是，如上所述，第一基板4上的區(qū)域連同反射構(gòu)件18—起分離。
[0121](第六工序)
[0122]接著，如圖3E所示，將配置有第二發(fā)光元件10的第二基板6安裝于第一基板4的上表面(參照圖3F(b)的符號B所示的部位)、下表面(參照圖3E(b)的符號C所示的部位)堵塞第一基板4的貫通孔2，將第二發(fā)光元件10與第一基板4的配線12電連接。具體而言，將第二發(fā)光元件10與第二基板6的配線14連接，使用連接構(gòu)件16將第二基板6的配線14與第一基板4的配線12電連接(在將第一基板4的配線12與第二基板6的配線14連接時，第一基板4的配線12通過將反射構(gòu)件18的一部分除去而暴露出)。此時，第二發(fā)光兀件10配置在與第一發(fā)光兀件8b、8d大致相同的位置處。
[0123]需要說明的是，在本發(fā)明的實施方式中，說明了在將第二基板6安裝于第一基板4之前設(shè)置第二基板6上的反射構(gòu)件18的例子，但也可以在將第二基板6安裝于第一基板4之后設(shè)置第二基板6上的反射構(gòu)件18。
[0124]另外,在本發(fā)明的實施方式中，說明了將第二基板6安裝于第一基板4的上表面和下表面的例子,但第二基板6可以安裝在第一基板4的上表面,也可以安裝在第一基板4的下表面，還可以安裝在第一基板4的上表面和下表面。
[0125](第七工序)
[0126]然后，如圖3F所不,利用密封構(gòu)件20分別密封第一發(fā)光兀件8b、8d和第二發(fā)光兀件10，所述密封構(gòu)件20使用含有YAG系熒光體的具有透光性的硅酮樹脂，且形成為半球形狀。需要說明的是，第一發(fā)光元件8b、8d的密封只要在第三工序之后進行即可，可以在第四工序前或第五工序前進行。由此，能夠除去由密封構(gòu)件20引起的不良。另外，第二發(fā)光元件10的密封也可以在將第二基板6安裝于第一基板4之前進行。由此，能夠在安裝于第一基板4之前判定第二發(fā)光元件10和密封構(gòu)件20的特性，因此能夠防止在安裝于第一基板4之后第二發(fā)光元件10產(chǎn)生由密封構(gòu)件20引起的不良。
[0127]以上，對本發(fā)明的實施方式進行了說明，但上述的說明涉及的是本發(fā)明的一例，本發(fā)明并不限定于上述的說明。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于， 該發(fā)光裝置具備: 具有貫通孔的第一基板； 配置在所述第一基板上的多個第一發(fā)光元件； 以堵塞所述第一基板的貫通孔的方式安裝于所述第一基板的第二基板； 配置在所述第二基板上，與所述第一基板的配線電連接的第二發(fā)光元件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述第二基板上設(shè)有反射構(gòu)件。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二基板安裝于所述第一基板的上表面。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二基板安裝于所述第一基板的下表面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二基板安裝于所述第一基板的上表面和下表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5 中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一發(fā)光元件與所述第二發(fā)光元件分別利用密封構(gòu)件密封。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 對所述第二發(fā)光元件進行密封的密封構(gòu)件自所述第一基板突出。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二發(fā)光元件以與所述第一發(fā)光元件的排列規(guī)則相同的排列規(guī)則配置。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第二基板具備一部分從周圍突出而成的突出部。
10.根據(jù)權(quán)利要求1~9中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述第一基板上設(shè)有比所述第一基板硬的樹脂的反射構(gòu)件。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述第一基板為撓性基板。
12.一種發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 該發(fā)光裝置的制造方法包括: 在第一基板上配置多個第一發(fā)光元件的工序； 將配置有不良元件的所述第一基板上的區(qū)域從所述第一基板分離而在所述第一基板上形成貫通孔的工序； 將配置有第二發(fā)光元件的第二基板安裝于所述第一基板來堵塞所述第一基板的貫通孔的工序； 將所述第二發(fā)光元件與所述第一基板的配線電連接的工序。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 所述分離的方式是沖孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 在進行所述分離前在所述第一基板上設(shè)置反射構(gòu)件，連同所述反射構(gòu)件一起對所述第一基板上的所述區(qū)域進行沖孔。
15.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 在將所述第二基板安裝于所述第一基板之后，在所述第一基板上及/或所述第二基板上設(shè)置反射構(gòu)件。
16.根據(jù)權(quán)利要求12~15中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 將所述第二基板安裝于所述第一基板的上表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求12~15中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 將所述第二基板安裝于所述第一基板的下表面。
18.根據(jù)權(quán)利要求12~15中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 將所述第二基板安裝于所述第一基板的上表面和下表面。
19.根據(jù)權(quán)利要求12~18中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 在將所述第二基板安裝于所述第一基板的工序之前，利用密封構(gòu)件對所述第二發(fā)光元件進行密封。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 以對所述第二發(fā)光元件進行密封的密封構(gòu)件自所述第一基板突出的方式安裝所述第 基板。
21.根據(jù)權(quán)利要求12~20中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 以使所述第二發(fā)光元件為與所述第一發(fā)光元件的排列規(guī)則相同的排列規(guī)則的方式安裝所述第二基板。
22.根據(jù)權(quán)利要求12~21中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 所述第二基板具備一部分從周圍突出而成的突出部。
23.根據(jù)權(quán)利要求12~22中任一項所述的發(fā)光裝置的制造方法，其特征在于， 所述第一基板為撓性基板。
【文檔編號】H01L25/075GK103887296SQ201310703903
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月22日
【發(fā)明者】宮田忠明 申請人:日亞化學(xué)工業(yè)株式會社