晶片的加工方法
【專利摘要】本發(fā)明是晶片的加工方法，能不使器件品質(zhì)降低地將樹脂膜裝配到各器件的背面。該方法將晶片沿間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件并將樹脂膜裝配到各器件的背面，包括：保護(hù)部件粘貼工序，將保護(hù)部件粘貼到晶片正面；背面磨削工序，對(duì)晶片背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度；樹脂膜裝配工序，將樹脂膜裝配到晶片背面；抗蝕劑膜覆蓋工序，在樹脂膜表面的規(guī)定的區(qū)域覆蓋抗蝕劑膜；蝕刻工序，從晶片背面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕刻，沿間隔道對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻并對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻，沿著間隔道將樹脂膜和晶片按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割；抗蝕劑膜除去工序，除去覆蓋在樹脂膜表面的抗蝕劑膜；以及晶片支撐工序，將切割帶粘貼到樹脂膜側(cè)，且通過環(huán)狀框架支撐切割帶外周部并剝離保護(hù)部件。
【專利說明】晶片的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及這樣的晶片的加工方法:將在正面在通過呈格子狀地形成的間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且將芯片結(jié)合用的粘接膜(DAF)等樹脂膜裝配到各器件的背面。
【背景技術(shù)】
[0002]例如，在半導(dǎo)體器件制造工序中，在大致圓板形形狀的半導(dǎo)體晶片的正面，在通過呈格子狀地形成的分割預(yù)定線(間隔道)劃分出的多個(gè)區(qū)域形成IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件，沿著間隔道對(duì)形成有該器件的各區(qū)域進(jìn)行分割，由此，制造出一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件。作為分割半導(dǎo)體晶片的分割裝置一般使用切削裝置，該切削裝置通過厚度為20 μ m左右的切削刀具沿著間隔道來切削半導(dǎo)體晶片。像這樣分割出的半導(dǎo)體器件在封裝之后被廣泛利用到便攜電話和個(gè)人電腦等電氣設(shè)備中。
[0003]關(guān)于被分割成單個(gè)的半導(dǎo)體器件，在其背面裝配有由聚酰亞胺系樹脂、環(huán)氧系樹月旨、丙烯酸系樹脂等形成的厚度為10?30μπι的、稱為芯片粘接膜(DAF，Die Attach Film)的芯片結(jié)合用的粘接膜，通過加熱而結(jié)合到隔著該粘接膜支撐半導(dǎo)體器件的芯片結(jié)合框架。另外，存在這樣的情況:為了抑制存在于由硅基板構(gòu)成的半導(dǎo)體晶片內(nèi)的微量金屬雜質(zhì)的移動(dòng)，將稱為芯片背側(cè)膜(DSF，Die Back Side Film)的樹脂膜裝配到半導(dǎo)體晶片的背面。作為將稱為芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)的樹脂膜裝配到半導(dǎo)體器件的背面的方法，在將樹脂膜粘貼到半導(dǎo)體晶片的背面，將半導(dǎo)體晶片經(jīng)該樹脂膜粘貼到切割帶之后，沿著形成于半導(dǎo)體晶片的正面的間隔道利用切削刀具來將半導(dǎo)體晶片與粘接膜一起切斷，由此，形成了在背面裝配有樹脂膜的半導(dǎo)體器件。
[0004]然而，根據(jù)上述的裝配樹脂膜的方法，存在這樣的問題:在通過切削刀具對(duì)半導(dǎo)體晶片和樹脂膜一起進(jìn)行切斷而分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件時(shí)，在半導(dǎo)體器件的背面產(chǎn)生缺口、或在樹脂膜產(chǎn)生須狀的毛邊，從而成為引線接合時(shí)斷線的原因。
[0005]近年來，便攜電話和個(gè)人電腦等電氣設(shè)備要求更輕量化、小型化，從而需要更薄的半導(dǎo)體器件。作為更薄地分割半導(dǎo)體器件的技術(shù)，所謂稱為先切割法的分割技術(shù)被實(shí)用化了。該先切割法是這樣的技術(shù):從半導(dǎo)體晶片的正面沿著間隔道形成規(guī)定的深度(相當(dāng)于半導(dǎo)體器件的完成品厚度的深度)的分割槽，然后，在將保護(hù)帶粘貼到半導(dǎo)體晶片的正面之后對(duì)半導(dǎo)體晶片的背面進(jìn)行磨削，由此，在半導(dǎo)體晶片的背面露出分割槽從而將半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件，可以將半導(dǎo)體器件的厚度加工到50μπι以下。
[0006]然而，在通過先切割法將半導(dǎo)體晶片分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件的情況下，在從半導(dǎo)體晶片的正面沿著間隔道形成了規(guī)定的深度的分割槽之后，將保護(hù)帶粘貼到半導(dǎo)體晶片的正面并對(duì)背面進(jìn)行磨削，使分割槽在該背面露出，因此，不能將芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)等樹脂膜提前裝配到半導(dǎo)體晶片的背面。因此，存在這樣的問題:在通過先切割法結(jié)合到支撐半導(dǎo)體器件的芯片結(jié)合框架時(shí)，不得不將結(jié)合劑插入到半導(dǎo)體器件與芯片結(jié)合框架之間，不能順暢地實(shí)施結(jié)合作業(yè)。[0007]為了解決這樣的問題，提出了這樣的半導(dǎo)體器件的制造方法:將芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)等樹脂膜裝配到通過先切割法而被分割成一個(gè)個(gè)半導(dǎo)體器件的晶片的背面，將半導(dǎo)體器件隔著該樹脂膜粘貼到切割帶上，之后，從半導(dǎo)體器件的正面?zhèn)却┻^各半導(dǎo)體器件之間的間隙向在上述間隙露出的該樹脂膜的部分照射激光光線，從而熔斷樹脂膜的在上述間隙露出的部分(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0008]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0009]專利文獻(xiàn)1:日本特開2002-118081號(hào)公報(bào)
[0010]然而，存在這樣的問題:通過照射激光光線而被熔斷的芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)等樹脂膜從器件的外周伸出，由于從該器件的外周伸出的伸出部分對(duì)形成于器件正面的結(jié)合區(qū)(bonding pad)造成污染等，而使器件的品質(zhì)降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明是鑒于上述事實(shí)而完成的發(fā)明，其主要的技術(shù)課題在于提供一種晶片的加工方法，能夠不使器件的品質(zhì)降低地將芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)等樹脂膜裝配到各個(gè)器件的背面。
[0012]為了解決上述主要的技術(shù)課題，根據(jù)本發(fā)明提供了一種晶片的加工方法，用于將在正面在通過呈格子狀地形成的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且將樹脂膜裝配到各器件的背面，
[0013]上述晶片的加工方法的特征在于，包括:
[0014]保護(hù)部件粘貼工序，將保護(hù)部件粘貼到晶片的正面；
[0015]背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度；
[0016]樹脂膜裝配工序，將樹脂膜裝配到實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面；
[0017]抗蝕劑膜覆蓋工序，在實(shí)施了上述樹脂膜裝配工序的晶片的背面所裝配的樹脂膜的表面的、除與間隔道對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域，覆蓋抗蝕劑膜；
[0018]蝕刻工序，通過從實(shí)施了上述抗蝕劑膜覆蓋工序的晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕亥|J，來沿著間隔道對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻并且對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將樹脂膜和晶片按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割；
[0019]抗蝕劑膜除去工序，將覆蓋于在實(shí)施了上述蝕刻工序的晶片的背面裝配的樹脂膜的表面上的抗蝕劑膜除去；以及
[0020]晶片支撐工序，在裝配于被分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面上的樹脂膜側(cè)粘貼切割帶，并且通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部，剝離粘貼在晶片的正面的保護(hù)部件。[0021 ] 在上述蝕刻工序中，在對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體使用O2，在對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體交替地使用SF6和C4F8。
[0022]另外，根據(jù)本發(fā)明提供一種晶片的加工方法，用于將在正面在通過呈格子狀地形成的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且將樹脂膜裝配到各器件的背面，
[0023]上述晶片的加工方法的特征在于，包括:
[0024]保護(hù)部件粘貼工序，將保護(hù)部件粘貼到晶片的正面；[0025]背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度；
[0026]晶片支撐工序，將樹脂膜裝配到實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面，并且將切割帶粘貼到樹脂膜側(cè)，并通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部，將粘貼在晶片的正面的保護(hù)部件剝離；
[0027]抗蝕劑膜覆蓋工序，在實(shí)施了上述晶片支撐工序的晶片的正面的、除間隔道以外的區(qū)域覆蓋抗蝕劑膜；
[0028]蝕刻工序，通過從實(shí)施了上述抗蝕劑膜覆蓋工序的晶片的正面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕亥IJ，來沿著間隔道對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻并且對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將晶片和樹脂膜按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割；以及
[0029]抗蝕劑膜除去工序，從實(shí)施了上述蝕刻工序的晶片的正面除去抗蝕劑膜。
[0030]在上述蝕刻工序中，在對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體交替地使用SF6和C4F8,在對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體使用02。
[0031]發(fā)明效果
[0032]本發(fā)明涉及的晶片的加工方法，在裝配于晶片的背面的樹脂膜的表面的、除與間隔道對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋抗蝕劑膜，通過從晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕刻，來沿著間隔道對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻并且對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將樹脂膜和晶片按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割，樹脂膜被沿著一個(gè)個(gè)器件的外周可靠地除去，因此，樹脂膜不會(huì)從器件的外周伸出。因此，能夠解決這樣的問題:樹脂膜從器件的外周伸出，由于該伸出部分對(duì)形成于器件的正面的結(jié)合區(qū)造成污染等而使器件的品質(zhì)降低。
[0033]另外，本發(fā)明涉及的晶片的加工方法，在背面裝配有樹脂膜的晶片的正面的、除間隔道以外的區(qū)域覆蓋抗蝕劑膜，通過從晶片的正面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕刻，來沿著間隔道對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻并且對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將晶片和樹脂膜按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分害I]，因此樹脂膜被沿著一個(gè)個(gè)器件的外周可靠地除去，因此，樹脂膜不會(huì)從器件的外周伸出。因此，能夠解決這樣的問題:樹脂膜從器件的外周伸出，由于該伸出部分對(duì)形成于器件的正面的結(jié)合區(qū)造成污染等而使器件的品質(zhì)降低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0034]圖1是表示利用本發(fā)明涉及的晶片的加工方法被加工的半導(dǎo)體晶片的立體圖以及主要部分放大剖視圖。
[0035]圖2是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的保護(hù)部件粘貼工序的說明圖。
[0036]圖3是用于實(shí)施本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的背面磨削工序的磨削裝置的主要部分立體圖。
[0037]圖4是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的背面磨削工序的說明圖。
[0038]圖5是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的樹脂膜裝配工序的說明圖。
[0039]圖6是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的抗蝕劑膜覆蓋工序的說明圖。
[0040]圖7是用于實(shí)施本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的蝕刻工序的等離子蝕刻裝置的主要部分的剖視圖。
[0041]圖8是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的蝕刻工序的說明圖。[0042]圖9是實(shí)施了本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的抗蝕劑膜覆蓋工序之后的晶片的立體圖。
[0043]圖10是本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的晶片支撐工序的說明圖。
[0044]圖11是表示本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的晶片支撐工序的第2實(shí)施方式的說明圖。
[0045]圖12是表示本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的抗蝕劑膜覆蓋工序的第2實(shí)施方式的說明圖。
[0046]圖13是表示本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的蝕刻工序的第2實(shí)施方式的說明圖。
[0047]圖14是實(shí)施了本發(fā)明涉及的晶片的加工方法中的抗蝕劑膜覆蓋工序的第2實(shí)施方式之后的晶片的立體圖。
[0048]標(biāo)號(hào)說明
[0049]2:半導(dǎo)體晶片
[0050]21:間隔道
[0051]22:器件
[0052]3:保護(hù)帶
[0053]4:磨削裝置
[0054]41:磨削裝置的卡盤工作臺(tái)
[0055]42:磨削構(gòu)件
[0056]5:樹脂膜
[0057]6:光致抗蝕劑膜
[0058]7:等離子蝕刻裝置
[0059]75:下部電極
[0060]76:上部電極
[0061 ]83 =SF6氣體供給構(gòu)件
[0062]84 =C4F8氣體供給構(gòu)件
[0063]85:氧氣供給構(gòu)件
[0064]F:環(huán)狀框架
[0065]T:切割帶
【具體實(shí)施方式】
[0066]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明涉及的晶片的加工方法的最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0067]圖1表示作為按照本發(fā)明而被加工的晶片的半導(dǎo)體晶片的立體圖。圖1所示的半導(dǎo)體晶片2例如由直徑為200mm、厚度為600 μ m的硅晶片構(gòu)成，在晶片2的正面2a呈格子狀地形成有多條間隔道21，并且在通過該多條間隔道21劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有IC (集成電路)、LSI (大規(guī)模集成電路)等器件22。
[0068]參照?qǐng)D2至圖10對(duì)沿著間隔道21將上述半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)器件22的晶片的加工方法的第I實(shí)施方式進(jìn)行說明。[0069]首先，為了保護(hù)形成于半導(dǎo)體晶片2的正面2a的器件22，實(shí)施如下的保護(hù)部件粘貼工序:將保護(hù)部件粘貼到半導(dǎo)體晶片2的正面2a。S卩，如圖2所示，將作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3粘貼到半導(dǎo)體晶片2的正面2a。另外，關(guān)于保護(hù)帶3，在圖示的實(shí)施方式中在由厚度為100 μ m的聚氯乙烯(PVC)構(gòu)成的片狀基材的表面涂布有厚度為5 μ m左右的丙烯酸樹脂系的膠糊。
[0070]在將作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3粘貼到半導(dǎo)體晶片2的正面2a之后，實(shí)施如下的背面磨削工序:對(duì)半導(dǎo)體晶片2的背面2b進(jìn)行磨削，從而使半導(dǎo)體晶片2形成為器件的規(guī)定的完成厚度。使用圖3所示的磨削裝置4來實(shí)施該背面磨削工序。圖3所示的磨削裝置4具有:卡盤工作臺(tái)41，其用于保持被加工物；以及磨削構(gòu)件42，其用于對(duì)保持在該卡盤工作臺(tái)41上的被加工物進(jìn)行磨削?？ūP工作臺(tái)41構(gòu)成為將被加工物抽吸保持到作為保持面的上表面上,通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使該卡盤工作臺(tái)41向圖3中箭頭41a所示的方向旋轉(zhuǎn)。磨削構(gòu)件42具有:主軸殼體421 ;旋轉(zhuǎn)主軸422，其在該主軸殼體421中被支撐為能夠自由旋轉(zhuǎn)且通過未圖示的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)而旋轉(zhuǎn)；安裝座423，其裝配于該旋轉(zhuǎn)主軸422的下端；以及磨削輪424，其安裝于該安裝座423的下表面。該磨削輪424由圓環(huán)狀的基座425、以及呈環(huán)狀地裝配于該基座425的下表面的磨削磨具426構(gòu)成，基座425通過緊固螺栓427安裝于安裝座423的下表面。
[0071]使用上述的磨削裝置4來實(shí)施上述背面磨削工序時(shí)，如圖3所示將實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的半導(dǎo)體晶片2的保護(hù)帶3側(cè)裝載到卡盤工作臺(tái)41的上表面(保持面)上。然后，使未圖示的抽吸構(gòu)件工作，將半導(dǎo)體晶片2隔著保護(hù)帶3抽吸保持到卡盤工作臺(tái)41上(晶片保持工序)。因此，保持在卡盤工作臺(tái)41上的半導(dǎo)體晶片2的背面2b處于上側(cè)。在像這樣將半導(dǎo)體晶片2隔著保護(hù)帶3抽吸保持到卡盤工作臺(tái)41上之后，一邊使卡盤工作臺(tái)41向圖3中箭頭41a所示的方向例如以300rmp旋轉(zhuǎn)，一邊使磨削構(gòu)件42的磨削輪424向圖3中箭頭424a所示的方向例如以6000rpm旋轉(zhuǎn)，如圖4所示，使磨削磨具426與被加工面即半導(dǎo)體晶片2的背面2b接觸，如圖3以及圖4中箭頭424b所示，使磨削輪424例如以Iym/秒的磨削進(jìn)給速度向下方(垂直于卡盤工作臺(tái)41的保持面的方向)磨削進(jìn)給規(guī)定的量。該結(jié)果為，半導(dǎo)體晶片2的背面2b被磨削，從而使半導(dǎo)體晶片2形成為規(guī)定的厚度(例如 250 μ m)。
[0072]接下來，實(shí)施如下的樹脂膜裝配工序:將芯片粘接膜(DAF)或芯片背側(cè)膜(DSF)等樹脂膜裝配到實(shí)施了背面磨削工序的半導(dǎo)體晶片2的背面2b。S卩，如圖5的(a)以及(b)所示，將樹脂膜5裝配到半導(dǎo)體晶片2的背面2b。此時(shí)，一邊以80?200°C的溫度來對(duì)樹脂膜5進(jìn)行加熱，一邊將樹脂膜5按壓裝配到半導(dǎo)體晶片2的背面2b。另外，樹脂膜5由膜材料構(gòu)成，該膜材料由環(huán)氧系樹脂形成且厚度為10 μ m。
[0073]在實(shí)施了上述的樹脂膜裝配工序之后，實(shí)施如下的抗蝕劑膜覆蓋工序:將抗蝕劑膜覆蓋到樹脂膜5的表面的、除與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域中，其中上述樹脂膜5裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b。
[0074]關(guān)于該抗蝕劑膜覆蓋工序，首先如圖6的(a)所示，將正性光致抗蝕劑涂布到樹脂膜5的表面從而形成光致抗蝕劑膜6 (光致抗蝕劑涂布工序)，其中上述樹脂膜5裝配于實(shí)施了上述樹脂膜裝配工序的半導(dǎo)體晶片2的背面2b。接下來，對(duì)形成于樹脂膜5(裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b)的表面的光致抗蝕劑膜6的除與作為要蝕刻的區(qū)域的間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域之外的區(qū)域進(jìn)行掩蔽，使光致抗蝕劑膜6曝光(曝光工序)，通過堿溶液來對(duì)曝光的光致抗蝕劑膜6進(jìn)行顯影(顯影工序)。該結(jié)果為，如圖6的(b)所示，光致抗蝕劑膜6中的被曝光的與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域被除去。因此，在裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5的表面中，在除與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6。
[0075]在實(shí)施了上述的抗蝕劑膜覆蓋工序之后，實(shí)施如下的蝕刻工序:從半導(dǎo)體晶片2的背面2b側(cè)進(jìn)行等離子蝕刻，由此，沿著間隔道21對(duì)樹脂膜5進(jìn)行蝕刻并且對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道21將樹脂膜5和半導(dǎo)體晶片2按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割。使用圖7所示的等離子蝕刻裝置來實(shí)施該等離子蝕刻工序。圖7所示的等離子蝕刻裝置7具有形成密閉空間71a的機(jī)殼71。該機(jī)殼71包括:底壁711、頂壁712、左右側(cè)壁713、714、后側(cè)側(cè)壁715、以及前側(cè)側(cè)壁(未圖示)，在右側(cè)側(cè)壁714設(shè)置有被加工物搬出搬入用的開口714a。在開口 714a的外側(cè)配設(shè)有能夠沿上下方向移動(dòng)的、用于開閉開口 714a的門72。該門72通過門動(dòng)作構(gòu)件73來進(jìn)行工作。門動(dòng)作構(gòu)件73由以下部分構(gòu)成:氣壓缸731 ;以及活塞桿732，其與配設(shè)于該氣壓缸731內(nèi)的未圖示的活塞連接，氣壓缸731經(jīng)托架733安裝于上述機(jī)殼71的底壁711，活塞桿732的末端(圖中為上端)與上述門72連接。通過利用該門動(dòng)作構(gòu)件73開啟門72，能夠通過開口 714a對(duì)作為被加工物的實(shí)施了上述的抗蝕劑膜覆蓋工序的半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行搬出搬入。另外，在構(gòu)成機(jī)殼71的底壁711設(shè)置有排氣口711a，該排氣口 711a與氣體排出構(gòu)件74連接。
[0076]在通過上述機(jī)殼71形成的密閉空間71a中，對(duì)置地配設(shè)有下部電極75和上部電極76。下部電極75由導(dǎo)電性的材料形成，該下部電極75包括:圓盤狀的被加工物保持部751 ;以及圓柱狀的支撐部752，其形成為從該被加工物保持部751的下表面中央部突出。像這樣由被加工物保持部751和圓柱狀的支撐部752構(gòu)成的下部電極75以如下狀態(tài)被支撐:支撐部752配設(shè)為貫穿形成于機(jī)殼71的底壁711的孔711b，該支撐部752通過絕緣體77相對(duì)于底壁711被密封。這樣支撐于機(jī)殼71的底壁711的下部電極75經(jīng)支撐部752與高頻電源78電連接。
[0077]在構(gòu)成下部電極75的被加工物保持部751的上部，設(shè)置有上方開放的圓形形狀的配合凹部751a，通過多孔陶瓷材料形成的圓盤狀的吸附保持部件753與該配合凹部751a配合。配合凹部751a處的形成于吸附保持部件753的下側(cè)的室751b通過形成于被加工物保持部751和支撐部752的連通路752a而與抽吸構(gòu)件79連通。因此，將被加工物裝載到吸附保持構(gòu)件753上，使抽吸構(gòu)件79工作，將連通路752a與負(fù)壓源連通，由此，負(fù)壓作用于室751b，從而裝載于吸附保持構(gòu)件753上的被加工物被抽吸保持。另外，通過使抽吸構(gòu)件79工作將連通路752a開放于大氣，來解除對(duì)抽吸保持在吸附保持構(gòu)件753上的被加工物的抽吸保持。
[0078]在構(gòu)成下部電極75的被加工物保持部751的下部形成有冷卻通路751c。該冷卻通路751c的一端與形成于支撐部752的制冷劑導(dǎo)入通路752b連通，冷卻通路751c的另一端與形成于支撐部752的制冷劑排出通路752c連通。制冷劑導(dǎo)入通路752b和制冷劑排出通路752c與制冷劑供給構(gòu)件80連通。因此，當(dāng)制冷劑供給構(gòu)件80工作時(shí)，制冷劑通過制冷劑導(dǎo)入通路752b、冷卻通路751c、以及制冷劑排出通路752c而循環(huán)。該結(jié)果為，在進(jìn)行后述的等離子處理時(shí)產(chǎn)生的熱從下部電極75傳遞至制冷劑，因此，防止了下部電極75的異常升溫。[0079]上述上部電極76通過導(dǎo)電性材料形成，該上部電極76包括:圓盤狀的氣體噴射部761 ;以及圓柱狀的支撐部762，其形成為從該氣體噴射部761的上表面中央部突出。關(guān)于像這樣由氣體噴射部761和圓柱狀的支撐部762構(gòu)成的上部電極76，氣體噴射部761配設(shè)為與構(gòu)成下部電極75的被加工物保持部751對(duì)置，支撐部762貫穿形成于機(jī)殼71的頂壁712的孔712a，該支撐部762通過裝配于該孔712a的密封部件81被支撐為能夠沿上下方向移動(dòng)。在支撐部762的上端部安裝有動(dòng)作部件763，該動(dòng)作部件763與升降驅(qū)動(dòng)構(gòu)件82連接。另外，上部電極76經(jīng)支撐部762接地。
[0080]在構(gòu)成上部電極76的圓盤狀的氣體噴射部761設(shè)置有在下表面開口的多個(gè)噴射口 761a。該多個(gè)噴射口 761a經(jīng)形成于氣體噴射部761的連通路761b和形成于支撐部762的連通路762a而與作為蝕刻氣體供給構(gòu)件的SF6氣體供給構(gòu)件83、C4F8氣體供給構(gòu)件84以及氧氣供給構(gòu)件85連通。
[0081]圖示的實(shí)施方式中的等離子蝕刻裝置7具有控制構(gòu)件86，該控制構(gòu)件86對(duì)上述門動(dòng)作構(gòu)件73、氣體排出構(gòu)件74、高頻電源78、抽吸構(gòu)件79、制冷劑供給構(gòu)件80、升降驅(qū)動(dòng)構(gòu)件82、SF6氣體供給構(gòu)件83、C4F8氣體供給構(gòu)件84以及氧氣供給構(gòu)件85等進(jìn)行控制。該控制構(gòu)件86被從氣體排出構(gòu)件74輸入關(guān)于由機(jī)殼71形成的密閉空間71a內(nèi)的壓力的數(shù)據(jù)，被從制冷劑供給構(gòu)件80輸入關(guān)于制冷劑溫度(即電極溫度)的數(shù)據(jù)，被從SF6氣體供給構(gòu)件83、C4F8氣體供給構(gòu)件84以及氧氣供給構(gòu)件85輸入關(guān)于氣體流量的數(shù)據(jù)，控制構(gòu)件86根據(jù)這些數(shù)據(jù)等向上述各構(gòu)件輸出控制信號(hào)。
[0082]圖示的實(shí)施方式中的等離子蝕刻裝置7被如上所述地構(gòu)成，以下對(duì)蝕刻工序進(jìn)行說明，該蝕刻工序中，從半導(dǎo)體晶片2 (如上所述地實(shí)施了抗蝕劑膜覆蓋工序)的背面2b側(cè)進(jìn)行等離子蝕刻，沿著間隔道21對(duì)樹脂膜5進(jìn)行蝕刻并且對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道21將樹脂膜5和半導(dǎo)體晶片2按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割。
[0083]首先，使門動(dòng)作構(gòu)件73工作，使門72在圖7中向下方移動(dòng)，從而打開設(shè)置于機(jī)殼71的右側(cè)側(cè)壁714的開口 714a。接下來，通過未圖示的搬出搬入構(gòu)件將半導(dǎo)體晶片2 (實(shí)施了上述的抗蝕劑膜覆蓋工序)從開口 714a搬送到通過機(jī)殼71形成的密閉空間71a，將粘貼于半導(dǎo)體晶片2的正面的保護(hù)帶3側(cè)裝載到構(gòu)成下部電極75的被加工物保持部751的吸附保持部件753上。此時(shí)，使升降驅(qū)動(dòng)構(gòu)件82工作，使上部電極76上升。然后，使抽吸構(gòu)件79工作從而如上所述地使負(fù)壓作用到室751b，由此，裝載于吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2隔著保護(hù)帶3被抽吸保持。因此，關(guān)于保持在吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2，在粘貼于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5的表面覆蓋于除間隔道21以外的區(qū)域的光致抗蝕劑膜6處于上側(cè)。
[0084]在像這樣半導(dǎo)體晶片2被抽吸保持在吸附保持部件753上之后，使門動(dòng)作構(gòu)件73工作，使門72在圖7中向上方移動(dòng)，從而關(guān)閉設(shè)置于機(jī)殼71的右側(cè)側(cè)壁714的開口 714a。然后，使升降驅(qū)動(dòng)構(gòu)件82工作使上部電極76下降，將構(gòu)成上部電極76的氣體噴射部761的下表面與粘貼在半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5的表面(上表面)之間的距離定位為適合于等離子蝕刻處理的規(guī)定的電極間距離(例如10mm)，其中上述半導(dǎo)體晶片2保持于構(gòu)成下部電極75的被加工物保持部751且粘貼有光致抗蝕劑膜6。
[0085]接下來，使氣體排出構(gòu)件74工作，對(duì)通過機(jī)殼71形成的密閉空間71a內(nèi)進(jìn)行真空排氣。在對(duì)密閉空間71a內(nèi)進(jìn)行了真空排氣之后，首先實(shí)施如下的樹脂膜蝕刻工序:沿著間隔道21對(duì)樹脂膜5進(jìn)行蝕刻。
[0086]在實(shí)施樹脂膜蝕刻工序時(shí)，使氧氣供給構(gòu)件85工作，向上部電極76供給等離子產(chǎn)生用的氧氣(O2)。從氧氣供給構(gòu)件85供給的氧氣(O2)通過形成于支撐部762的連通路762a以及形成于氣體噴射部761的連通路761b，從多個(gè)噴射口 76Ia朝向經(jīng)保護(hù)帶3保持在下部電極75的吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2的背面2b (上表面)噴射。并且，將密閉空間71a內(nèi)維持為規(guī)定的氣體壓力(例如20Pa)。這樣，在供給了等離子產(chǎn)生用的氧氣(O2)的狀態(tài)下，從高頻電源78向下部電極75施加例如100W的高頻電力，并且向上部電極76施加例如2000W的高頻電力。由此，在下部電極75和上部電極76之間的空間產(chǎn)生由氧氣(O2)構(gòu)成的具有各向異性的等離子，并朝向裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5 (在表面在除與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6)噴射該等離子化了的活性物質(zhì)。該結(jié)果為，由于等離子化了的活性物質(zhì)穿過光致抗蝕劑膜6的與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域作用于樹脂膜5，所以如圖8的(a)所示，樹脂膜5被沿著間隔道21蝕刻除去，從而形成除去槽51。
[0087]另外，例如以以下的條件來進(jìn)行上述樹脂膜蝕刻工序。
[0088]密閉空間71a內(nèi)的壓力:20Pa
[0089]高頻電力:下部電極:100W，上部電極:2000W
[0090]氧氣供給量:1.5升/分鐘
[0091 ] 蝕刻處理時(shí)間:IO分鐘(樹脂膜5的厚度為ΙΟμπι)
[0092]在實(shí)施了上述的樹脂膜蝕刻工序之后，繼續(xù)實(shí)施如下的晶片蝕刻工序:沿著間隔道21對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行蝕刻，將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)器件。
[0093]關(guān)于晶片蝕刻工序，使SF6氣體供給構(gòu)件83和C4F8氣體供給構(gòu)件84交替地工作，向上部電極76供給等離子產(chǎn)生用的SF6氣體和C4F8氣體。從SF6氣體供給構(gòu)件83供給的SF6氣體和從C4F8氣體供給構(gòu)件84供給的C4F8氣體通過形成于支撐部762的連通路762a和形成于氣體噴射部761的連通路761b從多個(gè)噴射口 761a交替地朝向裝配于半導(dǎo)體晶片2 (保持于下部電極75的吸附保持部件753上)的背面2b的樹脂膜5 (在表面在除與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6)噴射。并且，將密閉空間71a內(nèi)維持為規(guī)定的氣體壓力(例如20Pa)。這樣，在交替地供給了等離子產(chǎn)生用的SF6氣體和C4F8氣體的狀態(tài)下，從高頻電源78向下部電極75施加例如50W的高頻電力，并且向上部電極76施加例如3000W的高頻電力。由此，在下部電極75和上部電極76之間的空間產(chǎn)生由SF6氣體和C4F8氣體構(gòu)成的具有各向異性的等離子，該等離子化了的活性物質(zhì)穿過在樹脂膜5沿著與間隔道對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成的除去槽51而作用于半導(dǎo)體晶片2，因此，如圖8的(a)所示，半導(dǎo)體晶片2被沿著間隔道21進(jìn)行蝕刻除去而形成分割槽210，從而半導(dǎo)體晶片2被分割成一個(gè)個(gè)器件22。
[0094]另外，例如以以下的條件來進(jìn)行上述晶片蝕刻工序。
[0095]密閉空間71a內(nèi)的壓力:20Pa
[0096]高頻電力:下部電極:50W，上部電極:3000W
[0097]SF6氣體供給量:1.0升/分鐘
[0098]C4F8氣體供給量:0.7升/分鐘
[0099]SF6氣體供給間隔:每隔2秒鐘而供給I秒鐘[0100]C4F8氣體供給間隔:每隔I秒鐘而供給2秒鐘
[0101]蝕刻處理時(shí)間:20分鐘(半導(dǎo)體晶片2的厚度為250 μ m)
[0102]通過實(shí)施包括上述的樹脂膜蝕刻工序以及晶片蝕刻工序的蝕刻工序，樹脂膜5被沿著一個(gè)個(gè)器件22的外周可靠地除去，因此，樹脂膜5不會(huì)從器件的外周伸出。因此，能夠解決這樣的問題:樹脂膜5從器件22的外周伸出，由于該伸出部分對(duì)形成于器件22的正面的結(jié)合區(qū)造成污染等而使器件的品質(zhì)降低。
[0103]在實(shí)施了上述的晶片蝕刻工序之后，實(shí)施如下的抗蝕劑膜除去工序:除去覆蓋于樹脂膜5 (裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b)的表面的光致抗蝕劑膜6。即，使用眾所周知的光致抗蝕劑膜脫膜劑來除去覆蓋于樹脂膜5 (裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b)的表面的光致抗蝕劑膜6，如圖9所示，使裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5露出。
[0104]接下來，實(shí)施如下的晶片支撐工序:將切割帶粘貼到樹脂膜5 (裝配于被分割成一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的背面2b)側(cè)，并且通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部，并剝離粘貼在半導(dǎo)體晶片2的正面2a的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3。即，在圖示的實(shí)施方式中，如圖10所示，將樹脂膜5 (裝配于被分割成一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2的背面2b)側(cè)粘貼到裝配于環(huán)狀框架F的切割帶T上。因此，粘貼于半導(dǎo)體晶片2的正面2a的保護(hù)帶3處于上側(cè)。然后，剝離粘貼在半導(dǎo)體晶片2的正面2a的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3。另外，在圖10所示的晶片支撐工序的實(shí)施方式中，示出了將裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5側(cè)粘貼到裝配于環(huán)狀框架F的切割帶T的例子，但是，也可以將切割帶粘貼到裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5側(cè)，并且同時(shí)將環(huán)狀框架裝配到切割帶的外周部。這樣粘貼在切割帶T (裝配于環(huán)狀框架F)上的被分割成了一個(gè)個(gè)器件22的半導(dǎo)體晶片2被搬送到下一工序即拾取工序。
[0105]接下來，對(duì)沿著間隔道21將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)器件22的晶片的加工方法的第2實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0106]在第2實(shí)施方式中，也首先實(shí)施如下的保護(hù)部件粘貼工序(參照?qǐng)D2):將作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3粘貼到上述半導(dǎo)體晶片2的正面，并實(shí)施如下的背面磨削工序(參照?qǐng)D3以及圖4):對(duì)實(shí)施了保護(hù)部件粘貼工序的半導(dǎo)體晶片2的背面進(jìn)行磨削從而形成為規(guī)定的厚度。
[0107]在實(shí)施了上述背面磨削工序之后，實(shí)施如下的晶片支撐工序:將樹脂膜裝配到晶片的背面，并且將切割帶粘貼到樹脂膜側(cè)，并通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部，剝離粘貼在晶片的正面的保護(hù)部件。在該晶片支撐工序中，首先實(shí)施如下的樹脂膜裝配工序(參照?qǐng)D5):將樹脂膜裝配到實(shí)施了背面磨削工序的半導(dǎo)體晶片2的背面。接下來，將裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5側(cè)粘貼到切割帶(裝配于環(huán)狀框架)的表面，并且剝離粘貼在半導(dǎo)體晶片2的正面的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3 (晶片支撐工序)。即，如圖11所示，將裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面2b的樹脂膜5側(cè)粘貼到切割帶T (裝配于環(huán)狀框架F)上。因此，粘貼于半導(dǎo)體晶片2的正面2a的保護(hù)帶3處于上側(cè)。然后，剝離粘貼在半導(dǎo)體晶片2的正面2a的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3。
[0108]在上述的實(shí)施方式中示出了分開實(shí)施樹脂膜裝配工序和晶片支撐工序的例子，但是，在使用在切割帶的表面預(yù)先粘貼有樹脂膜的帶樹脂膜的切割帶的情況下，將粘貼在切割帶的表面的樹脂膜裝配到半導(dǎo)體晶片2的背面，并且通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部。然后，剝離粘貼在半導(dǎo)體晶片2的正面2a的作為保護(hù)部件的保護(hù)帶3，由此也可以將裝配樹脂膜的工序和支撐晶片的工序作為一個(gè)工序來實(shí)施。
[0109]在實(shí)施了上述晶片支撐工序之后，實(shí)施如下的抗蝕劑膜覆蓋工序:將抗蝕劑膜覆蓋到半導(dǎo)體晶片2的正面2a的除間隔道以外的區(qū)域。
[0110]在實(shí)施該抗蝕劑膜覆蓋工序時(shí)，首先如圖12的(a)所示，將正性光致抗蝕劑涂布到實(shí)施了上述晶片支撐工序的半導(dǎo)體晶片2的正面2a而形成光致抗蝕劑膜6 (光致抗蝕劑涂布工序)。接下來，對(duì)形成于半導(dǎo)體晶片2的正面2a的光致抗蝕劑膜6的除作為要蝕刻的區(qū)域的間隔道21以外的區(qū)域進(jìn)行掩蔽，使光致抗蝕劑膜6曝光(曝光工序)，通過堿溶液來對(duì)曝光后的光致抗蝕劑膜6進(jìn)行顯影(顯影工序)。該結(jié)果為，如圖12的(b)所示，光致抗蝕劑膜6中的曝光后的與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域被除去。因此，在半導(dǎo)體晶片2的正面2a中，在除間隔道21以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6。
[0111]接下來，實(shí)施如下的蝕刻工序:通過從實(shí)施了抗蝕劑膜覆蓋工序的半導(dǎo)體晶片2的正面2a側(cè)進(jìn)行等離子蝕刻，來沿著間隔道21對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行蝕刻并且對(duì)樹脂膜5進(jìn)行蝕刻，從而將半導(dǎo)體晶片2和樹脂膜5沿著間隔道21按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割。使用上述圖7所示的等離子蝕刻裝置7來實(shí)施該蝕刻工序。
[0112]首先，將粘貼有樹脂膜5且裝配于環(huán)狀框架F的切割帶T側(cè)裝載到構(gòu)成等離子蝕刻裝置7的下部電極75的被加工物保持部751的吸附保持部件753上，其中樹脂膜5裝配于如上所示地實(shí)施了抗蝕劑膜覆蓋工序的半導(dǎo)體晶片2的背面2b。然后，使抽吸構(gòu)件79工作，經(jīng)切割帶T對(duì)裝載于吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行抽吸保持。因此，經(jīng)切割帶T保持于吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2的正面2a (在除間隔道21以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6)處于上側(cè)。
[0113]接下來，實(shí)施如下的晶片蝕刻工序:沿著間隔道21對(duì)半導(dǎo)體晶片2進(jìn)行蝕刻，將半導(dǎo)體晶片2分割成一個(gè)個(gè)器件。
[0114]關(guān)于晶片蝕刻工序，使SF6氣體供給構(gòu)件83和C4F8氣體供給構(gòu)件84交替地工作，向上部電極76供給等離子產(chǎn)生用的SF6氣體和C4F8氣體。從SF6氣體供給構(gòu)件83供給的SF6氣體和從C4F8氣體供給構(gòu)件84供給的C4F8氣體通過形成于支撐部762的連通路762a和形成于氣體噴射部761的連通路761b，從多個(gè)噴射口 761a交替地朝向保持于下部電極75的吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2的正面2a (在除間隔道21以外的區(qū)域覆蓋有光致抗蝕劑膜6)噴射。該結(jié)果為，由于等離子化了的活性物質(zhì)穿過光致抗蝕劑膜6處的與間隔道21對(duì)應(yīng)的區(qū)域作用于半導(dǎo)體晶片2，所以如圖13的(a)所示，半導(dǎo)體晶片2被沿著間隔道21進(jìn)行蝕刻除去而形成分割槽210，從而半導(dǎo)體晶片2被分割成一個(gè)個(gè)器件22。另外，晶片蝕刻工序中的加工條件可以與上述第I實(shí)施方式中的晶片蝕刻工序相同。
[0115]在實(shí)施了上述的晶片蝕刻工序之后，繼續(xù)實(shí)施如下的樹脂膜蝕刻工序:沿著間隔道21來對(duì)裝配于半導(dǎo)體晶片2的背面的樹脂膜5進(jìn)行蝕刻。
[0116]在實(shí)施樹脂膜蝕刻工序時(shí)，使氧氣供給構(gòu)件85工作，向上部電極76供給等離子產(chǎn)生用的氧氣(02)。從氧氣供給構(gòu)件85供給的氧氣(O2)通過形成于支撐部762的連通路762a以及形成于氣體噴射部761的連通路761b，從多個(gè)噴射口 761a朝向保持在下部電極75的吸附保持部件753上的半導(dǎo)體晶片2的正面2a(沿著間隔道21形成有分割槽210)噴射。該結(jié)果為，由于等離子化了的活性物質(zhì)穿過在半導(dǎo)體晶片2沿著間隔道21形成的分割槽210作用于樹脂膜5，因此如圖13的(b)所示，樹脂膜5被沿著間隔道21蝕刻除去，形成除去槽51。另外，樹脂膜蝕刻工序中的加工條件可以與上述第I實(shí)施方式中的樹脂膜蝕刻工序相同。
[0117]這樣即使在第2實(shí)施方式中，通過實(shí)施包括上述的晶片蝕刻工序以及樹脂膜蝕刻工序的蝕刻工序，樹脂膜5被沿著一個(gè)個(gè)器件22的外周可靠地除去，因此，樹脂膜5不會(huì)從器件的外周伸出。因此，能夠解決這樣的問題:樹脂膜5從器件22的外周伸出，由于該伸出部分對(duì)形成于器件22的正面的結(jié)合區(qū)造成污染等而使器件的品質(zhì)降低。
[0118]接下來，實(shí)施如下的抗蝕劑膜除去工序:除去在實(shí)施了等離子蝕刻工序的半導(dǎo)體晶片2的正面2a覆蓋于除間隔道21以外的區(qū)域的光致抗蝕劑膜6。即，使用眾所周知的光致抗蝕劑膜脫膜劑來除去在半導(dǎo)體晶片2的正面2a覆蓋于除間隔道21以外的區(qū)域的光致抗蝕劑膜6，如圖14所示，使半導(dǎo)體晶片2的正面2a露出。
[0119]像這樣實(shí)施了抗蝕劑膜除去工序的半導(dǎo)體晶片2 (被分割成了一個(gè)個(gè)器件22)以粘貼在黏著帶T (裝配于環(huán)狀框架F)的狀態(tài)被搬送至下一工序即拾取工序。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片的加工方法，用于將在正面在通過呈格子狀地形成的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且將樹脂膜裝配到各器件的背面， 上述晶片的加工方法的特征在于，包括: 保護(hù)部件粘貼工序，將保護(hù)部件粘貼到晶片的正面； 背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度； 樹脂膜裝配工序，將樹脂膜裝配到實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面； 抗蝕劑膜覆蓋工序，在實(shí)施了上述樹脂膜裝配工序的晶片的背面所裝配的樹脂膜的表面的、除與間隔道對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外的區(qū)域，覆蓋抗蝕劑膜； 蝕刻工序，通過從實(shí)施了上述抗蝕劑膜覆蓋工序的晶片的背面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕刻，來沿著間隔道對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻并且對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將樹脂膜和晶片按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割； 抗蝕劑膜除去工序，將覆蓋于在實(shí)施了上述蝕刻工序的晶片的背面裝配的樹脂膜的表面上的抗蝕劑膜除去；以及 晶片支撐工序，在裝配于被分割成了一個(gè)個(gè)器件的晶片的背面上的樹脂膜側(cè)粘貼切割帶，并且通過環(huán)狀 框架來支撐切割帶的外周部，剝離粘貼在晶片的正面的保護(hù)部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于， 在上述蝕刻工序中，在對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體使用02，在對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體交替地使用SF6和C4F8。
3.一種晶片的加工方法，用于將在正面在通過呈格子狀地形成的多個(gè)間隔道劃分出的多個(gè)區(qū)域形成有器件的晶片沿著間隔道分割成一個(gè)個(gè)器件，并且將樹脂膜裝配到各器件的背面， 上述晶片的加工方法的特征在于，包括: 保護(hù)部件粘貼工序，將保護(hù)部件粘貼到晶片的正面； 背面磨削工序，對(duì)實(shí)施了上述保護(hù)部件粘貼工序的晶片的背面進(jìn)行磨削而形成為規(guī)定的厚度； 晶片支撐工序，將樹脂膜裝配到實(shí)施了上述背面磨削工序的晶片的背面，并且將切割帶粘貼到樹脂膜側(cè)，并通過環(huán)狀框架來支撐切割帶的外周部，將粘貼在晶片的正面的保護(hù)部件剝尚; 抗蝕劑膜覆蓋工序，在實(shí)施了上述晶片支撐工序的晶片的正面的、除間隔道以外的區(qū)域覆蓋抗蝕劑膜； 蝕刻工序，通過從實(shí)施了上述抗蝕劑膜覆蓋工序的晶片的正面?zhèn)冗M(jìn)行等離子蝕刻，來沿著間隔道對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻并且對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻，從而沿著間隔道將晶片和樹脂膜按一個(gè)個(gè)器件進(jìn)行分割；以及 抗蝕劑膜除去工序，從實(shí)施了上述蝕刻工序的晶片的正面除去抗蝕劑膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶片的加工方法，其特征在于， 在上述蝕刻工序中，在對(duì)晶片進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體交替地使用SF6和C4F8,在對(duì)樹脂膜進(jìn)行蝕刻時(shí)，蝕刻氣體使用02。
【文檔編號(hào)】H01L21/3065GK103903974SQ201310700716
【公開日】2014年7月2日 申請(qǐng)日期:2013年12月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月26日
【發(fā)明者】松崎榮, 川合章仁, 荒井一尚 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迪思科