具有熔絲圖案的半導(dǎo)體器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了具有熔絲圖案的半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件通過防止經(jīng)由修復(fù)工序切斷的熔絲由于電化遷移而重新電連接來提高可靠性。該半導(dǎo)體器件包括：襯底；熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開，使得所述熔絲中的間隙位于所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的第一位置；以及第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，所述第一絕緣層包括開口，所述開口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一寬度的第二寬度。
【專利說明】具有熔絲圖案的半導(dǎo)體器件
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2012年12月4日提交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0139679的優(yōu)先權(quán)以及基于優(yōu)先權(quán)產(chǎn)生的所有權(quán)益，在此通過引用方式將該申請的全部內(nèi)容并入本文。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件，更具體地涉及具有熔絲圖案的半導(dǎo)體器件。
【背景技術(shù)】
[0004]一般來說，可以通過順序地進(jìn)行若干步驟來制造半導(dǎo)體器件，其中包括制造工序、電芯片測試(EDS)工序、裝配工序和測試工序。在這些工序中，EDS通常包括:檢查半導(dǎo)體芯片的前激光測試；用多余半導(dǎo)體芯片更換在前激光測試中被確認(rèn)的故障半導(dǎo)體芯片的修復(fù)工序；以及檢查更換的正常半導(dǎo)體芯片的后激光測試。
[0005]修復(fù)工序是通過切斷熔絲來轉(zhuǎn)換電信號路徑的工序。在修復(fù)工序中，用多余單元更換不能正常操作的故障單元，或者用正常電路更換故障電路。修復(fù)工序通常包括:切斷與故障單元連接的熔絲，然后用多余的正常單元更換故障單元。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本公開提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件通過防止經(jīng)修復(fù)工序切斷的熔絲由于電化遷移而再次被電連接來提高可靠性。
[0007]在下面的各個實施例中將描述本公開的上述和其他目的，或者從下面的各個實施例的描述中將會清楚本公開的上述和其他目的。
[0008]根據(jù)一個實施例，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底；熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開，使得所述熔絲中的間隙位于所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的第一位置；以及第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上并且包括開口，所述開口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一寬度的第二寬度。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括:襯底；第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并且以第一寬度彼此間隔開；第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的開口 ；絕緣材料，所述絕緣材料形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間；以及空氣間隙，所述空氣間隙至少形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件包括:襯底；熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并且以第一寬度彼此間隔開；以及絕緣層，所述絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的開口，其中，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案中的至少一者在所述絕緣層下面被底切。
[0011]根據(jù)其他實施例，一種半導(dǎo)體器件包括:襯底；熔絲的第一熔絲圖案和熔絲的第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同的平面處，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開；以及絕緣圖案，所述絕緣圖案形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間并位于與所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案相同的平面處。所述絕緣圖案包括由固體材料形成的至少第一部分、和不允許導(dǎo)電材料在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間進(jìn)行電化遷移的至少第二部分。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]通過結(jié)合附圖詳細(xì)描述本公開的各個實施例，將會使本公開的上述和其他特征和優(yōu)點變得更加清楚，在附圖中:
[0013]圖1是示出根據(jù)第一示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0014]圖2是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖1所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0015]圖3是示出根據(jù)另一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0016]圖4是根據(jù)一個示例性實施例的圖3所示的半導(dǎo)體器件的俯視圖；
[0017]圖5是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖3所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0018]圖6是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖3所示的半導(dǎo)體器件還包括焊盤的視圖；
[0019]圖7是示出根據(jù)另一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0020]圖8是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖7所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0021]圖9是示出根據(jù)另一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0022]圖10是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖9所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0023]圖11是示出根據(jù)另一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0024]圖12是示出根據(jù)一個示例性實施例的圖11所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0025]圖13是示出根據(jù)另一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖；
[0026]圖14是根據(jù)一個示例性實施例的圖13所示的半導(dǎo)體器件的俯視圖；
[0027]圖15是根據(jù)一個示例性實施例的圖13所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖；
[0028]圖16是示出包括根據(jù)一些示例性實施例的半導(dǎo)體器件的存儲卡的一個實例的框圖；
[0029]圖17是示出包括根據(jù)一些示例性實施例的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖；以及
[0030]圖18是示出包括根據(jù)一些示例性實施例的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖?！揪唧w實施方式】[0031]將參考示出各個實施例的附圖更全面地描述本公開。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式具體實現(xiàn)并且不應(yīng)對解釋為限于本文所述的實施例。在整篇說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件。在附圖中，為了清楚，層和區(qū)域的厚度會被放大。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)一個元件或?qū)颖环Q為與另一個元件或?qū)印斑B接”、“耦合”或“在另一個元件或?qū)由稀睍r，該一個元件或?qū)涌梢耘c另一個元件或?qū)又苯舆B接、直接耦合或直接在另一個元件或?qū)由?或者也可以存在中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)一個元件被稱為與另一個元件或?qū)印爸苯舆B接”、“直接耦合”或“直接在另一個元件或?qū)由稀睍r，則不存在中間元件。應(yīng)當(dāng)以相同的方式看待諸如“相鄰”或“在……之間”等其他術(shù)語。在全文中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的元件。本文所使用的術(shù)語“和/或”包括所列相關(guān)項目中的一個或多個項目的任何和所有組合。
[0033]應(yīng)當(dāng)理解的是，雖然在本文中可以使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)當(dāng)被這些術(shù)語所限制。除非另有指示，否則這些術(shù)語僅用來將一個元件與另一個元件區(qū)分開。因此，例如，在不脫離示例性實施例的教導(dǎo)的情況下，下面論述的第一元件、第一部件或第一部分可以被稱為第二元件、第二部件或第二部分。
[0034]除非本文另有所指或明確的相反指示，否則在描述發(fā)明的內(nèi)容中(尤其在權(quán)利要求書的內(nèi)容中)使用術(shù)語“一”、“一個”、“該”以及類似稱謂應(yīng)當(dāng)被解釋為涵蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)形式。除非另有所指，否則術(shù)語“包括”、“具有”、“包含”以及“含有”應(yīng)當(dāng)被解釋為開放式術(shù)語(即，表示“包括但不限于”)。
[0035]本文參考作為理想化的示意圖的俯視圖和/或剖視圖來描述實施例。相應(yīng)的是，示意圖可能會根據(jù)制造工藝和/或容差而被修改。因此，所公開的實施例不應(yīng)當(dāng)限于在視圖中示出的內(nèi)容，而是應(yīng)當(dāng)包括由于制造工藝而形成的結(jié)構(gòu)變化。因此，附圖中的示例性區(qū)域具有示意性的特點，在附圖中示出的這些區(qū)域的形狀作為元件區(qū)域的具體形狀的實例，并且具體的特點和形狀不是用來限制本發(fā)明的特征。
[0036]為了便于描述，在本文中使用諸如“下方”、“下面”、“下部”、“上面”、“上部”等空間關(guān)系術(shù)語來描述一個元件或特征·與另一個元件或特征之間在附圖中的關(guān)系。應(yīng)當(dāng)理解的是，除了附圖描述的取向以外，空間關(guān)系術(shù)語旨在涵蓋設(shè)備在使用時或在操作時的不同取向。例如，如果將附圖中的設(shè)備翻轉(zhuǎn)，那么被描述為位于其他元件或特征“下方”或“下面”的元件將會位于其他元件或特征的“上方”。因此，術(shù)語“下方”可以涵蓋上方和下方兩種取向。設(shè)備可以朝向其他取向(旋轉(zhuǎn)90度或其他取向)，那么應(yīng)當(dāng)相應(yīng)地解釋本文所使用的空間關(guān)系描述詞。
[0037]除非另有定義，否則在本文中使用的所有技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語具有本公開所屬領(lǐng)域的任一普通技術(shù)人員通常理解的相同含義。應(yīng)當(dāng)注意的是，除非另有所指，否則在本文中使用的任何和所有實例或者示例性術(shù)語僅用來更好地說明本公開而不是用來限制本發(fā)明的范圍。此外，除非另有定義，否則不應(yīng)當(dāng)過度解釋在通常使用的字典中定義的所有術(shù)語。
[0038]下面，將參考圖1和圖2描述根據(jù)一個示例性實施例的半導(dǎo)體器件。
[0039]圖1是示出根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖，圖2是示出圖1所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的示意圖。
[0040]參考圖1，半導(dǎo)體器件10包括襯底100、第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140和第一絕緣層150。[0041]襯底100可以是體硅或絕緣體上硅(SOI)?？商鎿Q地，襯底100可以是硅襯底或者可以包括其他材料，例如硅鍺、銻化銦、碲化鉛、砷化銦、磷化銦、砷化鎵或銻化鎵，但不限于此。
[0042]在襯底100上可以形成第一電路圖案105和第二電路圖案110。例如，第一電路圖案105和第二電路圖案110可以形成在單元區(qū)域上，但不限于此。第一電路圖案105和第二電路圖案110可以分別包括晶體管、二極管、電容器等。第一電路圖案105和第二電路圖案110可以組成電路器件。因此，半導(dǎo)體器件10可以是結(jié)合有多個電路器件的半導(dǎo)體芯片。電路器件可以包括多個存儲器裝置。例如，存儲器裝置可以包括易失性半導(dǎo)體存儲器裝置和非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置。例如，易失性半導(dǎo)體存儲器裝置可以包括DRAM、SRAM等。例如，非易失性半導(dǎo)體存儲器裝置可以包括EPR0M、EEPR0M、閃存EEPROM等。在一個實施例中，第一電路圖案105和第二電路圖案110形成在襯底100上，但是本公開的特征不限于此。例如，第一電路圖案105和第二電路圖案110也可以埋入在襯底100中。
[0043]第二絕緣層102可以形成在襯底100上并且可以覆蓋第一電路圖案105和第二電路圖案110。在第二絕緣層102內(nèi)部可以形成第一金屬配線120和第二金屬配線122。第一金屬配線120可以通過第一連接配線106與第一電路圖案105電連接，第二金屬配線122可以通過第二連接配線111與第二電路圖案110電連接。例如，第二絕緣層102可以包括氧化物、氮化物、氮氧化物或低介電常數(shù)(低k)的材料。例如，低介電常數(shù)材料的實例可以包括 FOX、TOSZ、USG、BSG、PSG、BPSG、PRTEOS、FSG、HDP, PEOX, FCVD 及其組合。例如，第一金屬配線120和第二金屬配線122可以包括金屬，例如鋁(Al)。
[0044]在第一金屬配線120和第二金屬配線122上可以形成第三絕緣層104。例如，第三絕緣層104可以包括氧化物、氮化物、氮氧化物或低k材料。
[0045]第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以形成在第三絕緣層104上。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以是熔絲的部件。例如，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以形成切斷熔絲(也可以被稱為修復(fù)熔絲(repair fuse))。在第三絕緣層104上可以形成第四絕緣層107，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以形成在第四絕緣層107中。第三絕緣層104和第四絕緣層107可以形成在相同的水平面上。第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140可以彼此間隔。例如，在一個實施例中，第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140彼此間隔第一寬度《I。例如，不同的熔絲圖案130和140最初可以是在長度方向上延伸的導(dǎo)線的部件，其中導(dǎo)線的一部分被切掉從而形成兩個不同的熔絲圖案(例如，參見圖4)。例如，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以包括鋁(Al)和銅(Cu)中的至少一者，但本公開的特征不限于此。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以在半導(dǎo)體器件10內(nèi)形成在相同的水平面上。對于形成在相同水平面上的各個層，可以通過同一制造工藝來制造形成在預(yù)定區(qū)域上的層(或部件)和形成在其他區(qū)域上的層(或部件)。例如，第四絕緣層107可以包括氧化物、氮化物、氮氧化物或低k材料。
[0046]在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140的下方可以設(shè)置第一金屬配線120和第二金屬配線122。第一熔絲圖案130可以通過第一通路125與第一金屬配線120電連接,第二熔絲圖案140可以通過第二通路127與第二金屬配線122電連接。因此，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以分別與第一電路圖案105和第二電路圖案110電連接。第一通路125和第二通路127可以形成在第三絕緣層104中，同時穿過第三絕緣層104。例如，第一通路125和第二通路127可以包括鋁(Al)、銅(Cu)和鎢(W)中的至少一者。在第一通路125和第二通路127中的每一者與第三絕緣層104之間可以插入阻擋金屬(未示出)，但本公開的特征不限于此。
[0047]在第三絕緣層104與第一熔絲圖案130之間以及在第三絕緣層104與第二熔絲圖案140之間還可以分別形成第一阻擋金屬層132和第二阻擋金屬層142。第一阻擋金屬層132和第二阻擋金屬層142可以分別與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140接觸。第一阻擋金屬層132和第二阻擋金屬層142可以防止包括在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中各自的材料擴(kuò)散到第三絕緣層104中。第一阻擋金屬層132和第二阻擋金屬層142可以形成在相同的水平面上，并且可以包括例如Ta、TaN, T1、TiN、Ru、Co、N1、NiB和WN。
[0048]第一絕緣層150可以形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上。第一絕緣層150可以包括開口 155。形成在第一絕緣層150中的開口 155可以具有第二寬度《2。例如，第一絕緣層150可以包括氧化物、氮化物或氮氧化物，但本公開的特征不限于此。
[0049]開口 155可以形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。在一個實施例中，開口 155的第二寬度《2小于第一寬度wl，使得開口 155的寬度小于第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的間隙。由于第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的間隙大于開口 155的寬度，所以開口 155不會與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者重疊。這樣，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者可以在第一絕緣層150下面被底切(undercut)。可以通過例如濕法刻蝕、干法刻蝕或其組合來在第一絕緣層150下面形成底切區(qū)域。換句話說，第一絕緣層150可以從第一熔絲圖案130和/或第二熔絲圖案140伸出。在一個實施例中，如圖1所示，開口 155不與第一熔絲圖案130重疊，并且第二熔絲圖案140的側(cè)面與限定了開口 155的第一絕緣層150的側(cè)面是共面的。
[0050]圖2示出在第一絕緣層150上形成用于與另一半導(dǎo)體器件粘接來裝配圖1所示半導(dǎo)體器件10的粘合劑。例如，圖1示出在裝配半導(dǎo)體器件10之前修復(fù)熔絲，圖2示出了包括經(jīng)修復(fù)的熔絲的半導(dǎo)體器件10在與另一個半導(dǎo)體器件裝配之后的狀態(tài)。
[0051]參考圖2，半導(dǎo)體器件10還可以包括絕緣材料160。絕緣材料160的至少一部分可以形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。由于絕緣材料160形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間，所以在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間和/或在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間可以形成空氣間隙170。
[0052]具體地說，絕緣材料160可以包括第一部分162和第二部分164。絕緣材料160的第一部分162可以穿過開口 155并延伸到第三絕緣層104，并且絕緣材料160的第一部分162可以形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。絕緣材料160的第二部分164可以與絕緣材料160的第一部分162連接并且可以形成在第一絕緣層150上。例如，絕緣材料160可以包括芯片粘接薄膜(DAF)或環(huán)氧模塑料(EMC)，但本發(fā)明的特征不限于此。
[0053]在一個實施例中，絕緣材料160在空間上與第一熔絲圖案130分開并且形成為與第二熔絲圖案140接觸。這樣，絕緣材料160的第一部分162可以在位于第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的同時與第二熔絲圖案140接觸。由于絕緣材料160在空間上與第一熔絲圖案130分開，所以在絕緣材料160的第一部分162與第一熔絲圖案130之間形成第一空氣間隙170。然而，由于絕緣材料160的第一部分162與第二熔絲圖案140相互接觸，所以在絕緣材料160的第一部分162與第二熔絲圖案140之間不形成空氣間隙。這樣，將絕緣圖案形成在與熔絲圖案130和140相同的平面上并且形成在熔絲圖案130與熔絲圖案140之間。如上文所述，絕緣圖案可以包括空氣部分和固體部分(例如，絕緣材料162)。至少空氣部分可以防止材料從第一熔絲圖案130到第二熔絲圖案140的電化遷移。如結(jié)合下面討論的實施例更具體地描述的那樣，絕緣圖案可以包括附加部分，例如附加的空氣部分。
[0054]圖2示出了在絕緣材料160的第一部分162中不包括導(dǎo)電材料，但本公開的特征不限于此。絕緣材料160可以是多孔材料。因此，當(dāng)半導(dǎo)體器件10暴露于高溫和高濕的條件時，第二熔絲圖案140所包括的材料可以通過電化遷移而擴(kuò)散到絕緣材料160中。如上文所述，當(dāng)?shù)诙劢z圖案140的材料擴(kuò)散到絕緣材料160中時，在絕緣材料160的第一部分162中可以形成線形導(dǎo)電帶。
[0055]然而，由于在絕緣材料160的第一部分162與第一熔絲圖案130之間形成第一空氣間隙170，所以絕緣材料160的第一部分162所包括的導(dǎo)電材料不與第一熔絲圖案130連接。在絕緣材料160的第一部分162與第一熔絲圖案130之間形成第一空氣間隙170，因而使第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140電絕緣并且在物理上防止形成上述這種導(dǎo)電帶。因此，由于第一空氣間隙170使第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140電絕緣，所以可以提高使用半導(dǎo)體器件10而制造的半導(dǎo)體封裝件的可靠性。
[0056]在圖1和圖2所示實施例的描述中，絕緣材料160沒有被描述為插入到形成在第一絕緣層150下面的第一熔絲圖案130的底切區(qū)域中。然而，本公開的特征不限于此。例如，一部分絕緣材料160可以插入到形成在第一絕緣層150下面的第一熔絲圖案130的底切區(qū)域中。然而，即使該一部分絕緣材料160插入到形成在第一絕緣層150下面的第一熔絲圖案130的底切區(qū)域中，在一些實施例中也會在絕緣材料160與第一熔絲圖案130之間形成第一空氣間隙170。
[0057]下面，將參考圖3至圖6描述根據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件。除了第二熔絲圖案可以被額外地底切以外，該實施例與前述實施例基本相同。因此，用相同的附圖標(biāo)記表示與第一實施例相同的功能部件并且簡要地提供或者不提供其重復(fù)說明。
[0058]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件的視圖，圖4是圖3的俯視圖，圖5是示出圖3所示的半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖，圖6是示出圖3所示的半導(dǎo)體器件還包括焊盤的視圖。
[0059]參考圖3，示例性半導(dǎo)體器件20包括襯底100、第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140和第一絕緣層150。
[0060]第一電路圖案105和第二電路圖案110形成在襯底100上。
[0061]在第一電路圖案105和第二電路圖案110上分別形成與第一電路圖案105和第二電路圖案110電連接的第一金屬配線120和第二金屬配線122。第一金屬配線120和第二金屬配線122可以形成在襯底100上面所形成的第二絕緣層102內(nèi)。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140形成在第一金屬配線120和第二金屬配線122上。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140分別與第一金屬配線120和第二金屬配線122電連接。
[0062]在第一熔絲圖案130與第一金屬配線120之間形成第一通路125，在第二熔絲圖案140與第二金屬配線122之間形成第二通路127。第一通路125和第二通路127可以形成在位于第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的每一者與第二絕緣層102之間的第三絕緣層104中。[0063]第一絕緣層150形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上并且包括形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的開口 155。
[0064]當(dāng)?shù)谝蝗劢z圖案130與第二熔絲圖案140彼此間隔第一寬度wl時，開口 155的第二寬度w2小于第一寬度wl。如圖5所示，第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的間隙大于開口 155的寬度，并且第一絕緣層150同時從第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140伸出。這樣，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140在第一絕緣層150下面被底切。
[0065]因此，開口 155不與第一熔絲圖案130或第二熔絲圖案140重疊。結(jié)果，在根據(jù)圖2所示實施例的半導(dǎo)體器件中，第一絕緣層150同時從第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140伸出。
[0066]圖3和圖5描述了位于第一絕緣層150下面的具有相同寬度的第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140，但本公開的特征不限于此。例如，位于第一絕緣層150下面的第一熔絲圖案130的寬度可以與位于第一絕緣層150下面的第二熔絲圖案140的寬度不同。
[0067]參考圖4,開口 155形成在第一絕緣層150中?？梢酝ㄟ^開口 155露出設(shè)置在第一絕緣層150下面的第三絕緣層104。一對第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以設(shè)置在第一絕緣層150下面。第一熔絲圖案130或第二熔絲圖案140均不與開口 155重疊。熔絲圖案130和140均可以從開口 155的邊緣凹入。第一熔絲圖案130的底切區(qū)域170a(例如，沒有第一熔絲圖案130的區(qū)域)位于開口 155與第一熔絲圖案130之間，第二熔絲圖案140的底切區(qū)域175a (例如，沒有第二熔絲圖案140的區(qū)域)位于開口 155與第二熔絲圖案140之間。兩個底切區(qū)域可以對應(yīng)于鋪設(shè)在第一絕緣層150下面的熔絲的切開部分。
[0068]為了便于說明，在所示實施例中示出一對第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140，但本發(fā)明的特征不限于此。另外，為了便于說明，第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140排列在同一方向上，但本發(fā)明的特征不限于此。
[0069]為了便于說明，在所示實施例中以啞鈴(dog-bone)形狀的熔絲作為需要被修復(fù)的熔絲(例如，未斷熔絲)的示例，但本發(fā)明的特征不限于此。例如，需要被修復(fù)的熔絲可以具有直線形狀，或者可以具有與啞鈴形狀或直線形狀不同的其他形狀。
[0070]參考圖5，半導(dǎo)體器件20還可以包括絕緣材料160。絕緣材料160包括第一部分162和第二部分164。絕緣材料160的第一部分162通過開口 155并且形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間，絕緣材料160的第二部分164可以形成在第一絕緣層150上。由于絕緣材料160形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間，所以在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間和/或在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間形成空氣間隙170和175。
[0071]在圖5中，第一空氣間隙170形成在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間，第二空氣間隙175形成在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間。然而，如果第一熔絲圖案130在第一絕緣層150下面底切的寬度與第二熔絲圖案140在第一絕緣層150下面底切的寬度彼此不同，并且一部分絕緣材料160插入到第一熔絲圖案130或第二熔絲圖案140的底切部分中，那么可以僅形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175中的一者，或者，如果仍然形成兩個空氣間隙，那么第一空氣間隙170和第二空氣間隙175可以具有不同的寬度。
[0072]具體地說，絕緣材料160的第一部分162在空間上與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140分開。結(jié)果，在第一熔絲圖案130與絕緣材料160的第一部分162之間形成第一空氣間隙170，在第二熔絲圖案140與絕緣材料160的第一部分162之間形成第二空氣間隙175。第一空氣間隙170被第一熔絲圖案130、第一絕緣層150、絕緣材料160、第三絕緣層104和第四絕緣層107包圍，第二空氣間隙175被第二熔絲圖案140、第一絕緣層150、絕緣材料160、第三絕緣層104和第四絕緣層107包圍。
[0073]第一空氣間隙170和第二空氣間隙175形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間，第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140可以是電氣和電化絕緣的。因此，即使半導(dǎo)體器件20暴露于高溫和高濕的條件下，由于在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175，所以也會由于空氣間隙防止導(dǎo)電材料從第一熔絲圖案130電化遷移到第二熔絲圖案140而使第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140保持電分離。
[0074]參考圖6，在位于單元區(qū)域和外圍電路區(qū)域的襯底上面的第一絕緣層150上可以形成焊盤135，該焊盤135用于將電信號傳遞至第一電路圖案105、第二電路圖案110、第一金屬配線120和第二金屬配線122?？梢允褂弥T如金屬、導(dǎo)電金屬氮化物或金屬硅化物等導(dǎo)電材料形成焊盤135。例如，可以由諸如鋁(Al)或鎢(W)等具有低電阻率的金屬形成焊盤135。焊盤135不會形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140的正上方。具體地說，焊盤135不形成在開口 155的正上方，并且可以與開口 155水平分開。
[0075]在根據(jù)不同實施例的半導(dǎo)體器件的描述中，開口 155可以是半導(dǎo)體器件20的開口區(qū)域，并且導(dǎo)電圖案不形成在開口 155的正上方。
[0076]將參考圖7和圖8描述根據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件。除了第三絕緣層包括溝槽以外，圖7和圖8所示的實施例與前述實施例基本相同。因此，用相同的附圖標(biāo)記表示與前述實施例相同的功能部件并且簡要地提供或者不提供其重復(fù)說明。
[0077]圖7是示出根據(jù)本公開第三示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖，圖8是示出圖7所示半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖。
[0078]參考圖7，半導(dǎo)體器件30包括第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140、溝槽104t和第一絕緣層150。
[0079]與第一電路圖案105電連接的第一熔絲圖案130和與第二電路圖案110電連接的第二熔絲圖案140形成在第三絕緣層104上。包括開口 155的第一絕緣層150形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上。開口 155形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間并且不與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者重疊。因此，第一絕緣層150從第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者伸出。
[0080]位于第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140下面的第三絕緣層104包括溝槽104t。溝槽104t形成在第三絕緣層104中。溝槽104t的至少一部分可以與第一絕緣層150所包括的開口 155重疊。另外，溝槽104t可以形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間，并且在一個實施例中，溝槽104t不與第一熔絲圖案130或第二熔絲圖案140重疊。這樣，在圖7所示的實施例中，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140不會突出到溝槽104t上方。在一個實施例中，第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的間隙等于溝槽104t的寬度。
[0081]在一個實施例中，如圖7所示，溝槽104t的寬度與開口 155的寬度彼此相等，并且溝槽104t與開口 155完全重疊，但本發(fā)明的特征不限于此。提供溝槽104t的目的在于更加確定地保證第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的空間和電氣分離，并且溝槽104t的寬度是可變的。另外，在制造根據(jù)圖7所示實施例的半導(dǎo)體器件30時，由于可以使用開口 155作為窗口來形成溝槽104t，所以溝槽104t可以與開口 155完全重疊。然而，溝槽104t與開口 155的重疊范圍是可變的。
[0082]參考圖8，半導(dǎo)體器件30還可以包括具有第一部分162和第二部分164的絕緣材料160。絕緣材料160的第一部分162可以穿過開口 155并且可以延伸到形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的溝槽104t內(nèi)側(cè)。絕緣材料160可以填充形成在第三絕緣層104中的溝槽104t。
[0083]在第一熔絲圖案130與絕緣材料160的第一部分162之間形成第一空氣間隙170，在第二熔絲圖案140與絕緣材料160的第一部分162之間形成第二空氣間隙175。第一空氣間隙170和第二空氣間隙175可以定位成距襯底100的距離比溝槽104t的底面距襯底的距離更遠(yuǎn)。如果溝槽104t的寬度大于開口 155的寬度，那么第一空氣間隙170和第二空氣間隙175中的至少一者的一部分可以形成在第三絕緣層104中。
[0084]將參考圖9和圖10描述根據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件。除了所示的半導(dǎo)體器件包括導(dǎo)電顆粒以外，該實施例與圖3所示實施例基本相同。因此，用相同的附圖標(biāo)記表示與圖3的實施例相同的功能部件并且簡要地提供或者不提供其重復(fù)說明。
[0085]圖9是示出示例性半導(dǎo)體器件的視圖，圖10是示出圖9所示半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖。
[0086]參考圖9，半導(dǎo)體器件40包括第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140、導(dǎo)電顆粒180和第一絕緣層150。
[0087]在第三絕緣層104上形成與第一電路圖案105和第二電路圖案110分別電連接的第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140。包括開口 155的第一絕緣層150形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上。開口 155形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者在第一絕緣層150下面被底切。
[0088]導(dǎo)電顆粒180形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。導(dǎo)電顆粒180形成在第三絕緣層104上。具體地說，導(dǎo)電顆粒180可以形成為與第三絕緣層104接觸。導(dǎo)電顆粒180可以與開口 155完全重疊。在所示實施例中，導(dǎo)電顆粒180在空間上與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140分開，但本發(fā)明的特征不限于此。例如，導(dǎo)電顆粒180可以與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者連接。在圖9和圖10的情況下，熔絲圖案不與導(dǎo)電顆粒180連接并且在第一絕緣層150下面被底切。熔絲圖案在空間上與導(dǎo)電顆粒180分開。
[0089]導(dǎo)電顆粒180可以是外部施加的金屬材料。另外，導(dǎo)電顆粒180可以包括，例如，熔絲圖案130和140所含有的材料或者阻擋金屬層132和142所含有的材料。例如，導(dǎo)電顆粒180可以是在通過修復(fù)(例如，切斷)連接第一電路圖案105與第二電路圖案110的熔絲而形成第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140時產(chǎn)生的剩余物。
[0090]在根據(jù)圖9和圖10所示實施例的半導(dǎo)體器件40的描述中，導(dǎo)電顆粒180不從第一絕緣層150的頂面突出，但本發(fā)明的特征不限于此。例如，導(dǎo)電顆粒180的一部分可以從第一絕緣層150的頂面突出。
[0091]參考圖10，半導(dǎo)體器件40還可以包括具有第一部分162和第二部分164的絕緣材料160。形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間并同時穿過開口 155的絕緣材料160的第一部分162可以包圍導(dǎo)電顆粒180。通過使絕緣材料160包圍導(dǎo)電顆粒180而在第一熔絲圖案130與絕緣材料160的第一部分162之間形成第一空氣間隙170并且在第二熔絲圖案140與絕緣材料160的第一部分162之間形成第二空氣間隙175。這樣，第一空氣間隙170可以形成在第一熔絲圖案130與導(dǎo)電顆粒180之間，第二空氣間隙175可以形成在第二熔絲圖案140與導(dǎo)電顆粒180之間。
[0092]在根據(jù)圖9和圖10所示實施例的半導(dǎo)體器件40的描述中，導(dǎo)電顆粒180完全被絕緣材料160包圍。然而，本公開的特征不限于此。例如，絕緣材料160可以暴露出導(dǎo)電顆粒180的一部分。即使導(dǎo)電顆粒180暴露于絕緣材料160的外部，在導(dǎo)電顆粒180與第一熔絲圖案130之間以及在導(dǎo)電顆粒180與第二熔絲圖案140之間也會形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175。
[0093]如圖9和圖10所示，第一空氣間隙170和第二空氣間隙175形成在導(dǎo)電顆粒180的兩個側(cè)面上。然而，本公開的特征不限于此。例如，當(dāng)在第一絕緣層150下面底切第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的一者時，可以僅形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175中的一者?？商鎿Q地，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140可以都在第一絕緣層150下面被底切。在這種情況下，如果一部分絕緣材料160插入到底切區(qū)域中并且與第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的一者接觸，那么也可以僅形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175中的一者。因此，半導(dǎo)體器件40可以包括形成在第一熔絲圖案130與導(dǎo)電顆粒180之間的第一空氣間隙170和/或形成在第二熔絲圖案140與導(dǎo)電顆粒180之間的第二空氣間隙175。
[0094]將參考圖11和圖12描述根據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件。除了所示半導(dǎo)體器件包括隔片(spacer)以外，本實施例與圖3所示實施例基本相同。因此，用相同的附圖標(biāo)記表示與圖3的實施例相同的功能部件并且簡要地提供或者不提供其重復(fù)說明。
[0095]圖11是示出示例性半導(dǎo)體器件的視圖，圖12是示出圖11所示半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖。
[0096]參考圖11，半導(dǎo)體器件50包括第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140、第一隔片190、第二隔片195和第一絕緣層150。
[0097]在第三絕緣層104上形成分別與第一電路圖案105和第二電路圖案110電連接的第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140。包括開口 155的第一絕緣層150形成在第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上。開口 155形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的至少一者在第一絕緣層150下面被底切。
[0098]第一隔片190形成在第一熔絲圖案130與開口 155之間，第二隔片195形成在第二熔絲圖案140與開口 155之間。在僅有第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的一者被底切的實施例中，可以僅形成第一隔片190和第二隔片195中的一者。第一隔片190可以布置在當(dāng)?shù)谝蝗劢z圖案130在第一絕緣層150下面被底切時形成的空間中，第二隔片195可以布置在當(dāng)?shù)诙劢z圖案140在第一絕緣層150下面被底切時形成的空間中。如圖所示，第一隔片190和第二隔片195可以形成在第三絕緣層104與第一絕緣層150之間。
[0099]由于形成第一隔片190，所以可以在第一隔片190與第一熔絲圖案130之間形成第一空氣間隙170，可以在第二隔片195與第二熔絲圖案140之間形成第二空氣間隙175。[0100]如圖11所示，形成第一空氣間隙170和第二空氣間隙175，但本公開的特征不限于此。當(dāng)在第一絕緣層150下面以不同的程度底切第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140時，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140中的一者可以與第一隔片190和第二隔片195中的一者接觸。這里，空氣間隙形成在彼此不接觸的各個熔絲圖案與各個第一隔片190和第二隔片195之間。因此，具有第一隔片190和第二隔片195的半導(dǎo)體器件50可以僅包括形成在第一絕緣層150下面的第一空氣間隙170和第二空氣間隙175中的一者或者可以同時包括二者。
[0101]第一隔片190和第二隔片195可以包括例如絕緣材料。具體地說，第一隔片190和第二隔片195可以包括光敏聚酰亞胺(PSPI)、聚酰亞胺(PI)、光敏聚羥基苯乙烯等，但本公開的特征不限于此。在制造根據(jù)圖11所示實施例的半導(dǎo)體器件50時，由于在第一絕緣層150下面形成底切區(qū)域之后形成了第一隔片190和第二隔片195，所以可以通過使可流動絕緣材料固化而形成第一隔片190和第二隔片195。
[0102]參考圖12，半導(dǎo)體器件50還可以包括具有第一部分162和第二部分164的絕緣材料160。絕緣材料160的第一部分162可以穿過開口 155以便形成在第一隔片190與第二隔片195之間。第一隔片190和第二隔片195與絕緣材料160接觸。
[0103]如圖12所示，第一隔片190可以形成在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間，第二隔片195可以形成在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間。由于形成了第一隔片190和第二隔片195中的至少一者，所以隔片可以形成在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間和/或形成在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間。
[0104]第一空氣間隙170形成在第一熔絲圖案130與絕緣材料160的第一部分162之間，第二空氣間隙175形成在第二熔絲圖案140與絕緣材料160的第一部分162之間。這樣，第一空氣間隙170形成在第一熔絲圖案130與第一隔片190之間，第二空氣間隙175形成在第二熔絲圖案140與第二隔片195之間。
[0105]參考圖13至圖15描述根據(jù)另一個實施例的半導(dǎo)體器件。
[0106]圖13是示出根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的視圖，圖14是圖13的俯視圖，圖15是示出圖13所示半導(dǎo)體器件在裝配之后的視圖。
[0107]參考圖13,半導(dǎo)體器件60包括襯底100、第一金屬配線120、第二金屬配線122、第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140和第一絕緣層150。
[0108]在襯底100上可以形成第一電路圖案105和第二電路圖案110。第一金屬配線120和第二金屬配線122可以形成在第二絕緣層102上并且可以分別與第一電路圖案105和第二電路圖案110電連接。另外，第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140形成在第二絕緣層102上并且分別與第一金屬配線120和第二金屬配線122電連接。如圖13所示，在一個實施例中，第一金屬配線120、第二金屬配線122、第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140都形成在第二絕緣層102上。具體地說，第一金屬配線120、第二金屬配線122、第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140 (例如，在豎直方向上)與襯底100以相等的距離間隔開以形成在第二絕緣層102上，這與前述各實施例的情況不同。在前述那些實施例中，第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140、第一金屬配線120和第二金屬配線122與襯底100以不同的距離間隔開。然而，在圖13的實施例中，第一熔絲圖案130、第二熔絲圖案140、第一金屬配線120和第二金屬配線122以相等的距離與襯底100間隔。[0109]第一絕緣層150形成在第一金屬配線120、第二金屬配線122、第一熔絲圖案130和第二熔絲圖案140上。第一絕緣層150包括形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間的開口 155。半導(dǎo)體器件60的各種功能部件、開口 155、以及熔絲圖案130和140等之間的關(guān)系與前述那些實施例基本相同，并且省略它們的描述。
[0110]參考圖14，第一熔絲圖案130與第一金屬配線120相互連接，第二熔絲圖案140與第二金屬配線122相互連接。形成在第一絕緣層150中的開口 155位于第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。
[0111]第一熔絲圖案130的底切區(qū)域170a位于開口 155與第一熔絲圖案130之間，第二熔絲圖案140的底切區(qū)域175a位于開口 155與第二熔絲圖案140之間。
[0112]在根據(jù)圖14的實施例的半導(dǎo)體器件60中，第一熔絲圖案130直接與第一金屬配線120連接，第二熔絲圖案140直接與第二金屬配線122連接。然而，本公開不限于此。
[0113]參考圖15，半導(dǎo)體器件60還可以包括具有第一部分162和第二部分164的絕緣材料160。絕緣材料160形成在第一熔絲圖案130與第二熔絲圖案140之間。第一空氣間隙170形成在第一熔絲圖案130與絕緣材料160之間，第二空氣間隙175形成在第二熔絲圖案140與絕緣材料160之間。
[0114]圖16是示出包括根據(jù)一些示例性實施例的半導(dǎo)體器件的存儲卡的一個實例的框圖。
[0115]參考圖16，在存儲卡1200中可以采用包括根據(jù)各個示例性實施例的半導(dǎo)體器件的存儲器。存儲卡1200可以包括用于在主機與存儲器1210之間進(jìn)行一般數(shù)據(jù)交換的存儲器控制器1220。
[0116]可以使用SRAM1221作為中央處理單元(CPU)1222的操作存儲器。主機接口(I/F)1223包括對存儲卡1200所連接的主機的數(shù)據(jù)交換協(xié)議。誤差校正碼(ECC) 1224檢測和糾正從存儲器1210讀取的數(shù)據(jù)中所包含的誤差。存儲器接口(I/F) 1225可以與存儲器1210相接合，其中該存儲器1210可以采用結(jié)合圖1至圖15所述的各個實施例中的一個或多個實施例。CPU1222執(zhí)行用于存儲器控制器1220的數(shù)據(jù)交換的一般控制操作。
[0117]圖17是示出包括根據(jù)示例性實施例的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖。
[0118]參考圖17，信息處理系統(tǒng)1300可以包括具有根據(jù)上述各個實施例的半導(dǎo)體器件的存儲系統(tǒng)1310。信息處理系統(tǒng)1300可以包括與系統(tǒng)總線1360電連接的存儲系統(tǒng)1310、調(diào)制解調(diào)器1320、CPU1330、RAM1340和用戶接口 1350。
[0119]存儲系統(tǒng)1310可以包括存儲器1311和存儲器控制器1312，并且可以具有與圖16所示存儲卡1200基本相同的構(gòu)造。存儲系統(tǒng)1310存儲由CPU1330處理的數(shù)據(jù)或從外部輸入的數(shù)據(jù)。信息處理系統(tǒng)1300可以應(yīng)用于存儲卡、SSD、相機圖像處理器(CIS)以及其他各種應(yīng)用芯片組。例如，存儲系統(tǒng)1310可以構(gòu)造成應(yīng)用于SSD。在這種情況下，信息處理系統(tǒng)1300可以穩(wěn)定而可靠地儲存高容量數(shù)據(jù)。
[0120]圖18是包括根據(jù)一些示例性實施例的半導(dǎo)體器件的電子設(shè)備的框圖。
[0121]參考圖18，電子設(shè)備1400可以包括根據(jù)上述各個實施例的半導(dǎo)體器件。電子設(shè)備1400可以用于無線通訊系統(tǒng)(例如，個人數(shù)字助理(PDA)、筆記本電腦、便攜式計算機、網(wǎng)絡(luò)平板電腦、無線電話或數(shù)字音樂系統(tǒng))或者可以用于在無線通訊環(huán)境中的各種信息發(fā)送/接收系統(tǒng)。[0122]電子設(shè)備1400可以包括控制器1410、輸入/輸出(I/O)裝置1420、存儲器1430和無線接口 1440。這里，存儲器1430可以包括根據(jù)上述各個實施例的半導(dǎo)體器件?？刂破?410可以包括微處理器、數(shù)字信號處理器等。存儲器1430可以用于存儲由控制器1410處理的命令(或用戶數(shù)據(jù))。無線接口 1440可以用于通過無線通訊網(wǎng)絡(luò)發(fā)送/接收數(shù)據(jù)。無線接口 1440可以通過有線或無線連接方式與網(wǎng)絡(luò)連接。例如，無線接口 1440可以包括天線或有線/無線收發(fā)器。例如，電子設(shè)備1400可以使用例如針對第三代通訊系統(tǒng)的通訊接口協(xié)議，例如，碼分多址(Code Division Multiple Access, CDMA)、全球移動通訊系統(tǒng)(Global System for Mobile Communications, GSM)、北美數(shù)字蜂窩(North AmericanDigital Cellular, NADC)、擴(kuò)展時分多址(Extended-Time Division Multiple Access,E-TDMA)、寬帶碼分多址(Wideband Code Division Multiple Access，WCDMA)和CDMA2000。
[0123]雖然已經(jīng)參考示例性實施例示出并描述了本公開，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，在不脫離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行各種修改。因此，無論從哪方面看，本發(fā)明的實施例都需要被認(rèn)為是說明性的而不是限制性的，并且應(yīng)當(dāng)參考所附權(quán)利要求而不是上述說明書來指明本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同水平面上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開，使得所述熔絲中的間隙位于所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的第一位置；以及 第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且所述第一絕緣層包括開口，所述開口位于所述第一位置上方并具有小于所述第一寬度的第二寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述開口不與所述第一熔絲圖案或所述第二熔絲圖案重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案彼此電絕緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的絕緣材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，還包括空氣間隙，所述空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間，并且/或者形成在所述第二熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述空氣間隙包括第一空氣間隙和第二空氣間隙，所述第一空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間，所述第二空氣間隙形成在所 述第二熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第二絕緣層，其中，所述第二絕緣層包括與所述開口重疊的溝槽。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的導(dǎo)電顆粒。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，還包括空氣間隙，所述空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述導(dǎo)電顆粒之間，并且形成在所述第二熔絲圖案與所述導(dǎo)電顆粒之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述導(dǎo)電顆粒包括所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案所含有的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述開口之間的第一隔片。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第二熔絲圖案與所述開口之間的第二隔片，其中，在所述第一隔片與所述第一熔絲圖案之間形成第一空氣間隙。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第二隔片與所述第二熔絲圖案之間的第二空氣間隙。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，在所述開口的正上方不形成導(dǎo)電圖案。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括分別形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第一金屬配線和第二金屬配線，所述第一金屬配線通過第一通路與所述第一熔絲圖案電連接，所述第二金屬配線通過第二通路與所述第二熔絲圖案電連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括與所述第一熔絲圖案電連接的第一金屬配線、和與所述第二熔絲圖案電連接的第二金屬配線，其中，所述第一熔絲圖案、所述第二熔絲圖案、所述第一金屬配線和所述第二金屬配線以相等的距離與所述襯底間隔開。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括分別形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第一電路圖案和第二電路圖案，所述第一熔絲圖案與所述第一電路圖案電連接，所述第二熔絲圖案與所述第二電路圖案電連接。
18.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開； 第一絕緣層，所述第一絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且所述第一絕緣層包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的開口； 絕緣材料，所述絕緣材料形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間；以及 空氣間隙，所述空氣間隙至少形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的間隙大于所述開口的寬度。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述空氣間隙包括第一空氣間隙和第二空氣間隙，所述第一空氣間隙形成在所述第一熔絲圖案與所述絕緣材料之間，所述第二空氣間隙形成在所述第二熔絲圖案與所述絕緣材料之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案下方的第二絕緣 層，其中，所述第二絕緣層包括與所述開口重疊的溝槽。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的導(dǎo)電顆粒，所述導(dǎo)電顆粒被所述絕緣材料包圍。
23.一種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 熔絲，所述熔絲包括第一熔絲圖案和第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開；以及 絕緣層，所述絕緣層形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上，并且所述絕緣層包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的開口， 其中，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案中的至少一者在所述絕緣層下面被底切。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的絕緣材料。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述熔絲是經(jīng)修復(fù)的熔絲。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述半導(dǎo)體器件是存儲器裝置。
27.—種半導(dǎo)體器件，包括: 襯底； 熔絲的第一熔絲圖案和熔絲的第二熔絲圖案，所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案形成在所述襯底上并位于相同的平面處，并且所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案以第一寬度彼此間隔開；以及 絕緣圖案，所述絕緣圖案形成在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間并位于與所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案相同的平面處， 其中，所述絕緣圖案包括由固體材料形成的至少第一部分、和不允許導(dǎo)電材料在所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間進(jìn)行電化遷移的至少第二部分。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二部分由空氣形成。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的半導(dǎo)體器件，還包括形成在所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案上的絕緣層，所述絕緣層包括與所述第一熔絲圖案與所述第二熔絲圖案之間的空間重疊的開口，其中，所述絕緣層從所述第一熔絲圖案和所述第二熔絲圖案伸出。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的半導(dǎo)體器件，還包括第一配線層、第二配線層和第二絕緣層，所述第一配線層與所述第一熔絲圖案電連接并位于所述絕緣層下方，所述第二配線層與所述第二熔絲圖案電連接并位于所述絕緣層下方，所述第二絕緣層位于所述第一熔絲圖案和所述第 二熔絲圖案中的每一者的下方并位于所述襯底上方。
【文檔編號】H01L23/62GK103855133SQ201310646036
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2013年12月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月4日
【發(fā)明者】趙文祺, 安殷徹, 金相榮, 辛周源, 李旼鎬 申請人:三星電子株式會社