Gpp二極管芯片生產(chǎn)工藝流程的制作方法
【專利摘要】GPP二極管芯片生產(chǎn)工藝流程，涉及二極管芯片制造【技術(shù)領(lǐng)域】，在整個(gè)生產(chǎn)的過程中一定要遵循：清洗硅片—噴磷—一次分離—單面吹砂—涂硼—硅片擴(kuò)散—二次分離—雙面吹砂—光刻、刻蝕—清洗烘干—表面金屬化—完成晶片的整個(gè)過程，特別對(duì)于光刻步驟需要將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準(zhǔn)掩模板并曝光，然后用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無(wú)光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層，最后去除已感光的光致抗蝕劑層。本發(fā)明在整個(gè)過程中進(jìn)過反復(fù)的分離、清洗和吹砂能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，而且自主創(chuàng)新的擴(kuò)散工藝能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量，于提高工作效率。
【專利說明】GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本發(fā)明涉及二極管芯片制造【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程。 【背景技術(shù)】:
[0002]GPP芯片主要用于SMD封裝、橋堆和高檔1N400系列整流管，其中SMD器件是滇西 信息制造業(yè)的主流技術(shù)，而國(guó)家也是對(duì)SMD進(jìn)行重點(diǎn)支持和鼓勵(lì)，二極管應(yīng)用領(lǐng)域的廣泛 性和不可替代性決定這個(gè)行業(yè)前景的廣闊性，目前GPP被廣泛應(yīng)用于整流橋堆，比普通STD 具有更高的可靠性和穩(wěn)定性，但是目前在國(guó)內(nèi)一些比較先進(jìn)的技術(shù)都被大型國(guó)有企業(yè)掌 控，在普通的生產(chǎn)企業(yè)中所采用的技術(shù)比較簡(jiǎn)單，而且生產(chǎn)成本高，生產(chǎn)效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】
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[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成 本，提高產(chǎn)品質(zhì)量增加二極管芯片穩(wěn)定性的GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程。
[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題采用以下的技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
[0005]GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下技術(shù)步驟:
[0006](I)選取質(zhì)量?jī)?yōu)異的硅片對(duì)硅片進(jìn)行清洗，將硅片放置在清洗機(jī)上對(duì)其進(jìn)行物理 清洗，在清洗完成后將其取出待用；
[0007](2)在硅片清洗完成后使用機(jī)器對(duì)其進(jìn)行帖磷和附磷操作；
[0008](3)操作完成后采用激光技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行分離；
[0009](4)分離完成后對(duì)已經(jīng)分離過的硅片進(jìn)行單面吹砂，將其放置在噴砂機(jī)中對(duì)硅片 的單面進(jìn)行噴砂，噴砂完成后進(jìn)行清洗然后待用；
[0010](5)將單面吹砂后的硅片進(jìn)行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝 酸鋁的混合溶劑；
[0011](6)將硅片放置在經(jīng)過1220°C高溫設(shè)備中2小時(shí)左右，使磷原子擴(kuò)散到硅片內(nèi)部；
[0012](7)將擴(kuò)散后的硅片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動(dòng)進(jìn)行硅片分離；
[0013](8)將分離后的硅片放置在噴砂機(jī)中，對(duì)分離后的硅片的兩面繼續(xù)進(jìn)行吹砂，噴砂 完成后進(jìn)行清洗待用；
[0014](9)將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準(zhǔn)掩模板并曝光，然后用顯影液 溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無(wú)光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層，最后去除 已感光的光致抗蝕劑層，即完成光刻；
[0015](10)對(duì)光刻完成后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗 干凈待用；
[0016](11)將已經(jīng)刻蝕之后的硅片進(jìn)行表面金屬化處理，使其看起來(lái)更加光澤亮麗，然 后再對(duì)娃片進(jìn)行一次光刻處理；
[0017](12)處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。
[0018]本發(fā)明的有益效果是:在整個(gè)過程中進(jìn)過反復(fù)的分離、清洗和吹砂能夠有效提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本，而且自主創(chuàng)新的擴(kuò)散工藝能夠提高產(chǎn)品質(zhì)量，于提高工作效率。 【具體實(shí)施方式】:
[0019]為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié) 合具體示例，進(jìn)一步闡述本發(fā)明。
[0020]GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下方法進(jìn)行加工:
[0021]選取質(zhì)量?jī)?yōu)異的硅片對(duì)硅片進(jìn)行清洗，將硅片放置在清洗機(jī)上對(duì)其進(jìn)行物理清 洗，在清洗完成后將其取出待用，在硅片清洗完成后使用涂磷機(jī)器對(duì)其進(jìn)行帖磷和附磷操 作，操作完成后采用激光技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行分離，分離完成后對(duì)已經(jīng)分離過的硅片進(jìn)行單面 吹砂，將其放置在噴砂機(jī)中對(duì)硅片的單面進(jìn)行噴砂，噴砂完成后進(jìn)行清洗然后待用，將單面 吹砂后的硅片進(jìn)行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝酸鋁的混合溶劑，將 硅片放置在經(jīng)過1220°C高溫設(shè)備中2小時(shí)左右，使磷原子擴(kuò)散到硅片內(nèi)部，將擴(kuò)散后的硅 片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動(dòng)進(jìn)行娃片分離，將分離后的硅片放置在噴砂機(jī)中，對(duì)分 離后的硅片的兩面繼續(xù)進(jìn)行吹砂，噴砂完成后進(jìn)行清洗待用，將清洗完成后的硅片涂布光 致抗蝕劑然后套準(zhǔn)掩模板并曝光，然后用顯影液溶解未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶 解掉無(wú)光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層，最后去除已感光的光致抗蝕劑層，即完成光刻，對(duì)光 刻完成后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗干凈待用，將已經(jīng)刻 蝕之后的硅片進(jìn)行表面金屬化處理，使其看起來(lái)更加光澤亮麗，然后再對(duì)硅片進(jìn)行一次光 刻處理，處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。
[0022]在整個(gè)生產(chǎn)的過程中一定要遵循:清洗硅片一噴磷一一次分離一單面吹砂一涂 硼一硅片擴(kuò)散一二次分離一雙面吹砂一光刻、刻蝕一清洗烘干一表面金屬化一完成晶片的 整個(gè)過程，這樣生產(chǎn)出來(lái)的GPP 二極管芯片才會(huì)更加穩(wěn)定，同時(shí)效率也提高了成本也相對(duì) 有所降低。
[0023]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù) 人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本 發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變 化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其 等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程其特征在于:GPP 二極管芯片生產(chǎn)工藝流程主要包括以下技術(shù)步驟:(1)選取質(zhì)量?jī)?yōu)異的硅片對(duì)硅片進(jìn)行清洗，將硅片放置在清洗機(jī)上對(duì)其進(jìn)行物理清洗， 在清洗完成后將其取出待用；(2)在硅片清洗完成后使用機(jī)器對(duì)其進(jìn)行帖磷和附磷操作；(3)操作完成后采用激光技術(shù)對(duì)硅片進(jìn)行分離；(4)分離完成后對(duì)已經(jīng)分離過的硅片進(jìn)行單面吹砂，將其放置在噴砂機(jī)中對(duì)硅片的單 面進(jìn)行噴砂，噴砂完成后進(jìn)行清洗然后待用；(5)將單面吹砂后的硅片進(jìn)行噴硼操作，在噴砂面涂覆一層溶有三氧化二硼和硝酸鋁 的混合溶劑；(6)將硅片放置在1220°C高溫設(shè)備中2小時(shí)左右，使磷原子擴(kuò)散到硅片內(nèi)部；(7)將擴(kuò)散后的娃片放置在氫氟酸中數(shù)天后使其自動(dòng)進(jìn)行娃片分離；(8)將分離后的硅片放置在噴砂機(jī)中，對(duì)分離后的硅片的兩面繼續(xù)進(jìn)行吹砂，噴砂完成 后進(jìn)行清洗待用；(9)將清洗完成后的硅片涂布光致抗蝕劑然后套準(zhǔn)掩模板并曝光，然后用顯影液溶解 未感光的光致抗蝕劑層、用腐蝕液溶解掉無(wú)光致抗蝕劑保護(hù)的二氧化硅層，最后去除已感 光的光致抗蝕劑層，即完成光刻；(10)對(duì)光刻完成后的硅片進(jìn)行濕法刻蝕，使其去除遮蔽膜的材料，然后將其清洗干凈 待用；(11)將已經(jīng)刻蝕之后的硅片進(jìn)行表面金屬化處理，使其看起來(lái)更加光澤亮麗，然后再 對(duì)硅片進(jìn)行一次光刻處理；(12)處理完成后即便完成晶片的生產(chǎn)。
【文檔編號(hào)】H01L21/329GK103606523SQ201310545387
【公開日】2014年2月26日 申請(qǐng)日期:2013年11月6日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月6日
【發(fā)明者】楊威, 樊玉, 楊躍武, 楊學(xué)勤 申請(qǐng)人:蚌埠天宇機(jī)械工具有限公司