兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法
【專利摘要】一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法，可供在承載晶舟中汲取單片太陽(yáng)能晶圓，且承載晶舟都形成有多個(gè)水平置放槽，供太陽(yáng)能晶圓水平置放在水平置放槽內(nèi)，而水平取放系統(tǒng)包括，吸附取放裝置、驅(qū)動(dòng)裝置及處理裝置，吸附取放裝置是供吸附/去除吸附太陽(yáng)能晶圓，當(dāng)吸附取放裝置受驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，汲取或放置太陽(yáng)能晶圓至水平置放槽內(nèi)時(shí)，會(huì)受處理裝置控制，對(duì)太陽(yáng)能晶圓的吸附程度會(huì)維持低壓吸力狀態(tài)，當(dāng)太陽(yáng)能晶圓從承載晶舟汲取出，或是尚未進(jìn)入承載晶舟的移載過(guò)程中，則對(duì)太陽(yáng)能晶圓的吸附程度會(huì)維持高壓吸力狀態(tài)。
【專利說(shuō)明】?jī)啥问教?yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是關(guān)于一種具有高壓吸附狀態(tài)及低壓吸附狀態(tài)的取放系統(tǒng)，尤其是一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法。
【背景技術(shù)】
[0002]潔凈能源如太陽(yáng)能等的需求日增，目前太陽(yáng)能的主要轉(zhuǎn)換方式是透過(guò)太陽(yáng)能電池將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)換成電能以供使用，隨著太陽(yáng)能電池的普及，在封裝成太陽(yáng)能電池模組前，必須先進(jìn)行嚴(yán)格的品質(zhì)檢測(cè)，太陽(yáng)能電池的檢測(cè)也成為業(yè)界的重要課題。
[0003]上述太陽(yáng)能電池的制作過(guò)程依序包括:清洗、表面結(jié)構(gòu)化處理、擴(kuò)散制程、邊緣蝕亥IJ、抗反射層鍍膜、網(wǎng)印制成及高溫?zé)Y(jié)。其中擴(kuò)散制程的流程，如圖1及圖2所例示，在本例中是先將太陽(yáng)能晶圓2放置在一個(gè)供承載上述晶圓的承載晶舟1，且承載晶舟I形成有多個(gè)置放槽11，以供上述太陽(yáng)能晶圓2置放在置放槽11內(nèi)，再將承載晶舟I輸送進(jìn)擴(kuò)散爐中，并加入三氯氧磷于擴(kuò)散爐內(nèi)，經(jīng)由高溫?cái)U(kuò)散的方式，令產(chǎn)生的磷原子(P)附著在太陽(yáng)能晶圓的表面，使得磷原子與太陽(yáng)能晶圓接界處形成有P-N介面，而氧氣和氮?dú)獾牧髁浚约皵U(kuò)散爐的溫度控制，會(huì)決定最終的擴(kuò)散結(jié)果。
[0004]在制作程中，磷原子僅須附著在太陽(yáng)能晶圓2其中一面，為了能方便進(jìn)行作業(yè)，通常會(huì)先將太陽(yáng)能晶圓2兩兩配對(duì)，彼此以一面相互緊貼，僅各有一面暴露于外側(cè)，再將兩兩配對(duì)的太陽(yáng)能晶圓2重迭置放在同一個(gè)置放槽11，令每個(gè)太陽(yáng)能晶圓2僅有一面會(huì)被暴露，因此在進(jìn)行擴(kuò)散制程時(shí)，磷原子便可附著在太陽(yáng)能晶圓2的暴露面，最后只需將太陽(yáng)能晶圓2汲取出便可完成。
[0005]但是，汲取上述太陽(yáng)能晶圓具有相當(dāng)難度，無(wú)論是將太陽(yáng)能晶圓放置入承載晶舟的過(guò)程中，或是將太陽(yáng)能晶圓取出的過(guò)程，若是要以?shī)A臂夾置的方式汲取，一方面太陽(yáng)能晶圓的厚度極薄，尤其是兩片彼此緊貼的情況，難以單片夾取，但要同時(shí)將配對(duì)的太陽(yáng)能晶圓取出，再另外逐一分離，又造成作業(yè)上的耽擱，并且使得刮傷、受損、以及破片的風(fēng)險(xiǎn)大增。要改善上述問(wèn)題，也有人提出利用具有吸嘴施加負(fù)壓，以真空吸附汲取太陽(yáng)能晶圓，藉以降低夾取過(guò)程摩擦與碰撞的風(fēng)險(xiǎn)。
[0006]但受限于承載晶舟的結(jié)構(gòu)，太陽(yáng)能晶圓能汲取或放置搬移的動(dòng)線，只能依置放槽的方向水平移動(dòng)太陽(yáng)能晶圓進(jìn)出。不幸地，一般吸嘴為確保搬移過(guò)程中，被搬移的太陽(yáng)能晶圓可以穩(wěn)固地隨機(jī)械臂移動(dòng)，通常是將吸嘴的真空吸力調(diào)至較強(qiáng)，以增加附著時(shí)的摩擦力，提升移載時(shí)的穩(wěn)固效果。因此也同樣地，在移動(dòng)的過(guò)程中，一旦太陽(yáng)能晶圓擦或撞到周圍環(huán)境，仍將使得太陽(yáng)能晶圓因摩擦或碰撞而受損、甚至破裂。
[0007]更進(jìn)一步，當(dāng)吸嘴吸取上方的太陽(yáng)能晶圓吸力過(guò)強(qiáng)時(shí)，會(huì)因兩片過(guò)于緊貼，空氣無(wú)法輕易進(jìn)入晶圓間的狹縫，令太陽(yáng)能晶圓之間接近真空，連帶使迭在底下的另一片太陽(yáng)能晶圓因?yàn)槭艿酵獠靠諝鈮毫?，貼附至上方被汲取的太陽(yáng)能晶圓，造成吸嘴吸取太陽(yáng)能晶圓的過(guò)程中，下方太陽(yáng)能晶圓會(huì)同時(shí)被汲取，而此種連動(dòng)并不是穩(wěn)固結(jié)合，下方的晶圓隨時(shí)會(huì)掉落造成困擾，必須額外增加流程，以分離成對(duì)緊鄰的太陽(yáng)能晶圓，造成整體作業(yè)流程上的困擾。
[0008]因此，如何能提供一種從承載晶舟取出或放置太陽(yáng)能晶圓時(shí)，安全且可靠的取放系統(tǒng)及取放方法，提供較大的彈性緩沖，令太陽(yáng)能晶圓在汲取或放置過(guò)程中，與取放的機(jī)械臂間并非完全剛性結(jié)合，即使些許碰撞到晶舟周圍，仍可依碰撞程度而稍有調(diào)整及偏移，并藉由此提供緩沖，同時(shí)避免一次汲取兩片太陽(yáng)能晶圓的問(wèn)題，都是本發(fā)明所要重視的焦點(diǎn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的一目的在提供一種能向承載晶舟以低摩擦力汲取或放置太陽(yáng)能晶圓的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)。
[0010]本發(fā)明的另一目的在提供一種具有碰撞緩沖的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)，藉以降低碰撞破片的風(fēng)險(xiǎn)。
[0011]本發(fā)明的再一目的在提供一種具有低壓吸力狀態(tài)及高壓吸力狀態(tài)的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放方法。
[0012]本發(fā)明的又一目的在提供一種避免從承載晶舟中同時(shí)汲取兩片太陽(yáng)能晶圓的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放方法。
[0013]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明公開(kāi)了一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)，供由至少一個(gè)承載晶舟中汲取單片太陽(yáng)能晶圓，且每一前述承載晶舟都形成有多個(gè)水平置放槽，每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽(yáng)能晶圓，其特征在于該水平取放系統(tǒng)包括:
[0014]一個(gè)供吸附/去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓的吸附取放裝置，其中該吸附取放裝置具有一個(gè)吸附程度等于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態(tài)，以及一個(gè)吸附程度大于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態(tài)的高壓吸力狀態(tài)；
[0015]一個(gè)驅(qū)動(dòng)該吸附取放裝置在一個(gè)承載位置及一個(gè)汲放區(qū)之間移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置；其中上述承載位置是對(duì)應(yīng)于上述承載晶舟的上述水平置放槽；以及上述汲放區(qū)是遠(yuǎn)離上述承載晶舟的區(qū)域 '及
[0016]一個(gè)控制該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)的處理裝置，以及當(dāng)該吸附取放裝置位置對(duì)應(yīng)于上述承載位置時(shí)，該處理裝置使該吸附取放裝置呈低壓吸力狀態(tài)汲取上述太陽(yáng)能晶圓，且當(dāng)該吸附取放裝置在遠(yuǎn)離該承載晶舟的汲放區(qū)時(shí)，改換至上述高壓吸力狀態(tài)。
[0017]其中，上述吸附取放裝置包括一組真空吸引/去除吸引上述待測(cè)太陽(yáng)能晶圓的吸嘴。
[0018]其中，該驅(qū)動(dòng)裝置包括一組供該吸附取放裝置平行移動(dòng)的致動(dòng)滑軌。
[0019]其中，更包括一個(gè)翻面裝置。
[0020]還公開(kāi)了一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放方法，供從至少一個(gè)承載晶舟中汲取單片太陽(yáng)能晶圓，且每一前述承載晶舟都形成有多個(gè)水平置放槽，每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽(yáng)能晶圓，該水平取放系統(tǒng)包括一個(gè)供吸附/去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓的吸附取放裝置、一個(gè)驅(qū)動(dòng)該吸附取放裝置在一個(gè)承載位置及一個(gè)汲放區(qū)之間移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置及一個(gè)控制該驅(qū)動(dòng)裝置與吸附取放裝置驅(qū)動(dòng)的處理裝置，其中上述承載位置是對(duì)應(yīng)于上述承載晶舟的上述水平置放槽；以及上述汲放區(qū)是遠(yuǎn)離上述承載晶舟的區(qū)域，其特征在于該取放方法包括:[0021]a)該吸附取放裝置位于上述承載位置汲取置放于該水平置放槽的上述太陽(yáng)能晶圓，并受該處理裝置控制，令該吸附取放裝置維持一個(gè)吸附程度等于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態(tài)；
[0022]b)該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，遠(yuǎn)離該承載晶舟的承載位置 '及
[0023]c)該吸附取放裝置受該處理裝置控制，令吸附取放裝置維持一個(gè)吸附程度大于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、與上述太陽(yáng)能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態(tài)的高壓吸力狀態(tài)。
[0024]其中，更包括該步驟c)后的步驟d)，該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，吸附上述太陽(yáng)能晶圓并移動(dòng)至一個(gè)位于對(duì)應(yīng)該汲放區(qū)的承載裝置時(shí)，去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓。
[0025]其中，更包括該步驟c)后的步驟d)，該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，吸附上述太陽(yáng)能晶圓并移動(dòng)至一個(gè)位于對(duì)應(yīng)該汲放區(qū)、供將上述太陽(yáng)能晶圓翻面的翻面裝置時(shí)，去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓。
[0026]通過(guò)上述記載，本發(fā)明的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法，是供吸附取放裝置從承載晶舟中，汲取或放置太陽(yáng)能晶至水平置放槽內(nèi)時(shí)，可藉由處理裝置的控制，使得太陽(yáng)能晶圓暫時(shí)維持在一個(gè)受低壓吸力汲取的狀態(tài)，由于吸取力量較低，下方太陽(yáng)能晶圓受到自身重力拉扯，不易隨上方太陽(yáng)能晶圓一并移動(dòng)，可以降低一次帶出兩片太陽(yáng)能晶圓的風(fēng)險(xiǎn)；且移載過(guò)程中，即使些許碰撞到承載晶舟的周圍，仍可藉由吸附取放裝置與太陽(yáng)能晶圓間的少量相對(duì)運(yùn)動(dòng)，吸收部份碰撞能量而作為緩沖保護(hù)，減少碰撞破片的機(jī)率。當(dāng)太陽(yáng)能晶圓確實(shí)從承載晶舟汲取出后，或是尚未進(jìn)入承載晶舟范圍前的移載過(guò)程當(dāng)中，則提升對(duì)太陽(yáng)能晶圓的吸附力量到高壓吸力狀態(tài)，以避免因吸力不足而造成的吸附不穩(wěn)定，讓被移轉(zhuǎn)的太陽(yáng)能晶圓相對(duì)吸附取放裝置移動(dòng)時(shí)，發(fā)生脫落的問(wèn)題，并達(dá)成上述所有的目的。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1:是一般具有多個(gè)置放槽的承載晶舟的側(cè)視圖；
[0028]圖2:是圖1的承載晶舟置放太陽(yáng)能晶圓的俯視圖；
[0029]圖3:是本發(fā)明的一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法的第一較佳實(shí)施例的流程圖；
[0030]圖4:是圖3的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)的側(cè)視圖；
[0031]圖5:是圖4的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)的方塊圖；
[0032]圖6:是圖5的水平取放系統(tǒng)的吸附取放裝置汲取太陽(yáng)能晶圓并移載的側(cè)視圖；
[0033]圖7:是圖6的太陽(yáng)能晶圓移載至汲放區(qū)并放置在承載裝置內(nèi)的側(cè)視圖；
[0034]圖8:是圖4的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)將太陽(yáng)能晶圓吸附移載至承載晶舟的側(cè)視圖；
[0035]圖9:是本發(fā)明的一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法的第二較佳實(shí)施例，是說(shuō)明增設(shè)一個(gè)翻面裝置 '及
[0036]圖10:是圖9的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】[0037]本發(fā)明的一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法的第一較佳實(shí)施例，如圖3、圖4及圖5所示，主要是供汲取及放置太陽(yáng)能晶圓5，包括吸附取放裝置31、驅(qū)動(dòng)裝置32及處理裝置33進(jìn)行控制，其中驅(qū)動(dòng)裝置32包括一組致動(dòng)滑軌321，吸附取放裝置31包括一組吸嘴311，并透過(guò)吸嘴311以真空吸引/去除吸引的方式，取放太陽(yáng)能晶圓5，在本例中，水平取放系統(tǒng)是從承載晶舟4中汲取單片太陽(yáng)能晶圓5，再移載至一個(gè)承載裝置6上，并在本發(fā)明中定義承載裝置6的位置為汲放區(qū)60，而承載晶舟4的內(nèi)部則形成有多個(gè)呈水平走向的水平置放槽41，并在本發(fā)明中定義水平置放槽41對(duì)應(yīng)的位置為承載位置40。
[0038]進(jìn)行擴(kuò)散作業(yè)時(shí)，一開(kāi)始如步驟201，將太陽(yáng)能晶圓5依水平置放槽41的置入方向，以每?jī)善?yáng)能晶圓5為一組，分別置入各個(gè)水平置放槽41內(nèi)，再如步驟202，將載有太陽(yáng)能晶圓5的承載晶舟4輸送進(jìn)擴(kuò)散爐中，并加入三氯氧磷于擴(kuò)散爐內(nèi)，經(jīng)由高溫?cái)U(kuò)散的方式，令產(chǎn)生的磷原子(P)附著在各個(gè)太陽(yáng)能晶圓5相互迭合后，保持暴露在外的表面，使得磷原子與太陽(yáng)能晶圓5接界處形成P-N介面。
[0039]接著如步驟203，將承載晶舟4從擴(kuò)散爐中取出，再透過(guò)處理裝置33控制驅(qū)動(dòng)裝置32的致動(dòng)滑軌321，使得吸附取放裝置31受驅(qū)動(dòng)裝置32驅(qū)動(dòng)而平行移動(dòng)至承載位置40，再如步驟204，下降吸嘴311，吸附置放于水平置放槽41的太陽(yáng)能晶圓5，并受處理裝置33控制，令吸附取放裝置31的吸嘴311維持在一個(gè)較弱的低壓吸力狀態(tài)，其中低壓吸力狀態(tài)的吸附程度，是大致相當(dāng)于一片太陽(yáng)能晶圓5的重量，使吸嘴311在一開(kāi)始的汲取過(guò)程中，與太陽(yáng)能晶圓5之間能保持低摩擦力。
[0040]接下來(lái)如步驟205，一并參考圖6所示，處理裝置33控制驅(qū)動(dòng)裝置32，令吸附取放裝置31受驅(qū)動(dòng)裝置32驅(qū)動(dòng)，平移太陽(yáng)能晶圓5且逐漸離開(kāi)承載位置40，在此過(guò)程中，即使些許碰撞到承載晶舟4的周圍，仍可藉由吸嘴311與太陽(yáng)能晶圓間的少量相對(duì)運(yùn)動(dòng)，吸收部份碰撞能量而作為緩沖保護(hù)，當(dāng)太陽(yáng)能晶圓5被汲取且已離開(kāi)承載位置40，如步驟206，吸附取放裝置31受處理裝置33控制，令吸附取放裝置31的吸嘴311從原本的低壓吸力狀態(tài)切換成一個(gè)高壓吸力狀態(tài)，而吸附程度可以是大于一片太陽(yáng)能晶圓5的重量，此時(shí)吸嘴311與太陽(yáng)能晶圓5的摩擦力，會(huì)大于前述低壓吸力狀態(tài)時(shí)的摩擦力，使附著更加穩(wěn)固。
[0041]再如步驟207，一并參考圖7所示，吸附取放裝置31持續(xù)移動(dòng)，將吸附的太陽(yáng)能晶圓5移動(dòng)至汲放區(qū)60，再由處理裝置33控制吸附取放裝置31下降，并控制吸嘴311去除吸附太陽(yáng)能晶圓5，令太陽(yáng)能晶圓5被置放在承載裝置6內(nèi)。
[0042]此外，本發(fā)明的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)，除了可應(yīng)用在將承載有多片太陽(yáng)能晶圓的承載晶舟的承載位置移載至汲放區(qū)，一開(kāi)始太陽(yáng)能晶圓預(yù)備移載至承載晶舟的水平置放槽時(shí)，亦可利用本發(fā)明的水平取放系統(tǒng)，一并參考如圖5及圖8所示，將準(zhǔn)備進(jìn)行擴(kuò)散作業(yè)的太陽(yáng)能晶圓5預(yù)先迭放在另一個(gè)預(yù)備位置，并同樣將此預(yù)備位置定義為汲放區(qū)60，吸附取放裝置31會(huì)先移動(dòng)至對(duì)應(yīng)汲放區(qū)60的位置，將能太陽(yáng)能晶圓5汲取出，且在移載過(guò)程中，會(huì)先將維持在高壓吸力狀態(tài)，準(zhǔn)備放進(jìn)水平置放槽41時(shí)，再切換成低壓吸力狀態(tài)，將太陽(yáng)能晶圓5放進(jìn)水平置放槽41中。
[0043]本發(fā)明的一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法的第二較佳實(shí)施例，如圖9所示，在本例中，水平取放系統(tǒng)更包括一個(gè)翻面裝置34’及一個(gè)輸送帶8’，由輸送帶8，移載被汲取的太陽(yáng)能晶圓5’，為了方便說(shuō)明，在此將翻面裝置34’及輸送帶8，供放置太陽(yáng)能晶圓5’放置的位置，分別定義為汲放區(qū)70’、80’。[0044]由于相疊的太陽(yáng)能晶圓5’進(jìn)行擴(kuò)散作業(yè)后，其P-N介面的方向位置不同.，為求方向統(tǒng)一，可如圖10的流程所示，如步驟301，由處理裝置(圖未示)控制驅(qū)動(dòng)裝置32’，令驅(qū)動(dòng)裝置32’驅(qū)動(dòng)吸附取放裝置31’所吸附的太陽(yáng)能晶圓5’依各P-N介面的方向，分別移動(dòng)至對(duì)應(yīng)汲放區(qū)70’、80’，先去除對(duì)太陽(yáng)能晶圓5’的吸附并置放，如步驟302，置放在汲放區(qū)70’的太陽(yáng)能晶圓5’由翻面裝置34’進(jìn)行翻轉(zhuǎn)使其翻面，并放置在汲放區(qū)80’，使得輸送帶8’上的太陽(yáng)能晶圓5’的P-N介面都能朝向同一方向，最后如步驟303，由輸送帶8’將太陽(yáng)能晶圓5’輸送進(jìn)另一承載裝置6’內(nèi)。
[0045]本發(fā)明的兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)及其取放方法，是供吸附取放裝置從承載晶舟中，汲取或放置太陽(yáng)能晶圓至水平置放槽內(nèi)時(shí)，可受處理裝置控制，并對(duì)太陽(yáng)能晶圓的吸附程度能維持低壓吸力狀態(tài)，由于吸取力量較低，下方太陽(yáng)能晶圓受到自身重力拉扯，不易隨上方太陽(yáng)能晶圓一并移動(dòng)，可以降低一次帶出兩片太陽(yáng)能晶圓的風(fēng)險(xiǎn)，且太陽(yáng)能晶圓移載過(guò)程中，即使些許碰撞到承載晶舟的周圍，仍可藉由吸附取放裝置與太陽(yáng)能晶圓間的少量相對(duì)運(yùn)動(dòng)，吸收部份碰撞能量而作為緩沖保護(hù)，可減少碰撞破片的風(fēng)險(xiǎn)，當(dāng)太陽(yáng)能晶圓確實(shí)從承載晶舟汲取出后，或是尚未進(jìn)入承載晶舟范圍前的移載過(guò)程當(dāng)中，可受處理裝置控制，使得對(duì)太陽(yáng)能晶圓的吸附程度能維持在高壓吸力狀態(tài)，以避免因吸力不足，造成吸附不穩(wěn)定，而使得被移轉(zhuǎn)的太陽(yáng)能晶圓發(fā)生掉落的問(wèn)題，并達(dá)成上述所有的目的。
[0046]惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即大凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍及發(fā)明說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放系統(tǒng)，供由至少一個(gè)承載晶舟中汲取單片太陽(yáng)能晶圓，且每一前述承載晶舟都形成有多個(gè)水平置放槽，每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽(yáng)能晶圓，其特征在于該水平取放系統(tǒng)包括: 一個(gè)供吸附/去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓的吸附取放裝置，其中該吸附取放裝置具有一個(gè)吸附程度等于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態(tài)，以及一個(gè)吸附程度大于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態(tài)的高壓吸力狀態(tài)； 一個(gè)驅(qū)動(dòng)該吸附取放裝置在一個(gè)承載位置及一個(gè)汲放區(qū)之間移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置；其中上述承載位置是對(duì)應(yīng)于上述承載晶舟的上述水平置放槽；以及上述汲放區(qū)是遠(yuǎn)離上述承載晶舟的區(qū)域 '及 一個(gè)控制該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)的處理裝置，以及當(dāng)該吸附取放裝置位置對(duì)應(yīng)于上述承載位置時(shí)，該處理裝置使該吸附取放裝置呈低壓吸力狀態(tài)汲取上述太陽(yáng)能晶圓，且當(dāng)該吸附取放裝置在遠(yuǎn)離該承載晶舟的汲放區(qū)時(shí)，改換至上述高壓吸力狀態(tài)。
2.如權(quán)利要求1所述的水平取放系統(tǒng)，其特征在于，上述吸附取放裝置包括一組真空吸引/去除吸引上述待測(cè)太陽(yáng)能晶圓的吸嘴。
3.如權(quán)利要求1所述的水平取放系統(tǒng)，其特征在于，該驅(qū)動(dòng)裝置包括一組供該吸附取放裝置平行移動(dòng)的致動(dòng)滑軌。
4.如權(quán)利要求1所述的水平取放系統(tǒng)，其特征在于，更包括一個(gè)翻面裝置。
5.一種兩段式太陽(yáng)能晶圓水平取放方法，供從至少一個(gè)承載晶舟中汲取單片太陽(yáng)能晶圓，且每一前述承載晶舟都形成有多個(gè)水平置放槽，每一前述水平置放槽供水平置放至少一片太陽(yáng)能晶圓，該水平取放系統(tǒng)包括一個(gè)供吸附/去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓的吸附取放裝置、一個(gè)驅(qū)動(dòng)該吸附取放裝置在一個(gè)承載位置及一個(gè)汲放區(qū)之間移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)裝置及一個(gè)控制該驅(qū)動(dòng)裝置與吸附取放裝置驅(qū)動(dòng)的處理裝置，其中上述承載位置是對(duì)應(yīng)于上述承載晶舟的上述水平置放槽；以及上述汲放區(qū)是遠(yuǎn)離上述承載晶舟的區(qū)域，其特征在于該取放方法包括: a)該吸附取放裝置位于上述承載位置汲取置放于該水平置放槽的上述太陽(yáng)能晶圓，并受該處理裝置控制，令該吸附取放裝置維持一個(gè)吸附程度等于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、并與上述太陽(yáng)能晶圓保持低磨擦力的低壓吸力狀態(tài)； b)該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，遠(yuǎn)離該承載晶舟的承載位置'及 c)該吸附取放裝置受該處理裝置控制，令吸附取放裝置維持一個(gè)吸附程度大于上述各個(gè)太陽(yáng)能晶圓的重量、與上述太陽(yáng)能晶圓磨擦力大于該低壓吸力狀態(tài)的高壓吸力狀態(tài)。
6.如權(quán)利要求5所述的水平取放系統(tǒng)的取放方法，其特征在于，更包括該步驟c)后的步驟d)，該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，吸附上述太陽(yáng)能晶圓并移動(dòng)至一個(gè)位于對(duì)應(yīng)該汲放區(qū)的承載裝置時(shí)，去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓。
7.如權(quán)利要求5所述的水平取放系統(tǒng)的取放方法，其特征在于，更包括該步驟c)后的步驟d)，該吸附取放裝置受該驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)，吸附上述太陽(yáng)能晶圓并移動(dòng)至一個(gè)位于對(duì)應(yīng)該汲放區(qū)、供將上述太陽(yáng)能晶圓翻面的翻面裝置時(shí)，去除吸附上述太陽(yáng)能晶圓。
【文檔編號(hào)】H01L31/18GK103700614SQ201310540721
【公開(kāi)日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】陳瑞雄, 李耕毅 申請(qǐng)人:致茂電子(蘇州)有限公司