一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法【專利摘要】本發(fā)明涉及一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法，包括以下步驟：提供一設(shè)有字線的襯底，在所述字線上制備若干導(dǎo)電通孔下電極；在所述導(dǎo)電通孔下電極層上制備選擇開關(guān)器件；繼續(xù)制備與選擇開關(guān)器件接觸的導(dǎo)電互連通孔電極；接著制備與其接觸的半導(dǎo)體激光器；在所述半導(dǎo)體激光器層上制備與其接觸的導(dǎo)電透明電極；繼續(xù)制備與其接觸的相變材料層；繼續(xù)在所述相變材料層上制備導(dǎo)電反射層；接著在所述導(dǎo)電反射層上制備導(dǎo)電通孔上電極并形成位線。該相變存儲器單元的特點是利用激光信號實現(xiàn)信息的寫入和擦除，利用電信號實現(xiàn)信息的讀出，從而充分利用了激光寫入的高速特性和電信號讀出的高信噪比特性，實現(xiàn)高速的相變存儲器。【專利說明】一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明屬于微納電子【
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】。本發(fā)明具體涉及一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法?！?br>背景技術(shù)：
】[0002]相變存儲器技術(shù)是基于Ovshinsky在20世紀60年代末(Phys.Rev.Lett.，21，1450?1453，1968)70年代初(App1.Phys.Lett.，18，254?257，1971)提出的相變薄膜可以應(yīng)用于相變存儲介質(zhì)的構(gòu)想建立起來的，是一種價格便宜、性能穩(wěn)定的存儲器件。相變存儲器可以做在硅晶片襯底上，其關(guān)鍵材料是可記錄的相變薄膜、加熱電極材料、絕熱材料和引出電極材料等。相變存儲器的基本原理是利用電脈沖信號作用于器件單元上，使相變材料在非晶態(tài)與多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變，通過分辨非晶態(tài)時的高阻與多晶態(tài)時的低阻，可以實現(xiàn)信息的寫入、擦除和讀出操作。[0003]相變存儲器的關(guān)鍵材料是硫系化合物合金材料，它的特點是當給它一個電脈沖或采用激光加熱的方法時可以使材料在非晶態(tài)與多晶態(tài)之間發(fā)生可逆相變。伴隨著材料結(jié)構(gòu)的可逆相變，材料的光學(xué)和電學(xué)等性能發(fā)生可逆相變，處于非晶態(tài)時呈現(xiàn)高阻(低反射率)，多晶態(tài)時呈現(xiàn)低阻(高反射率)，電阻變化幅度可達幾個數(shù)量級，這樣就可以作為一個非揮發(fā)性存儲器。硫系化合物光學(xué)性能的可逆變化特性已成功用于CD-RW(CompactDiskRewritable)、DVD土RW(DigitalVersatileDiskRewritable)>DVD-RAM(DigitalVersatileDiskRandomAccessMemory)和HD-DVD(High-DensityDigitalVersatileDisk)等系列可擦重寫相變光盤。而利用其電阻性能的相變存儲器技術(shù)也已進入市場。[0004]存儲器的研究一直朝著高速的方向發(fā)展。但是相變存儲器的擦除過程涉及相變材料的結(jié)晶，所需時間往往在幾百甚至幾千納秒，是制約相變存儲器速度的瓶頸所在。利用激光誘導(dǎo)相變材料發(fā)生結(jié)晶可以在皮秒甚至飛秒量級時間內(nèi)完成，但是結(jié)晶前后相變材料的光學(xué)性能差異太小，信息存儲的載噪比很低；而利用脈沖電信號誘導(dǎo)相變材料發(fā)生結(jié)晶，結(jié)晶前后相變材料的電學(xué)性能差異非常大，可獲得很高的信息存儲載噪比，但是發(fā)生結(jié)晶的時間太長，無法滿足高速存儲要求。如果利用激光誘導(dǎo)相變材料相變實現(xiàn)信息的寫入和擦除，而利用測量相變材料的電阻變化可實現(xiàn)信息的準確無誤讀出，這就是所謂的光寫入、電讀出的光電混合存儲相變存儲器技術(shù)，借此可充分發(fā)揮傳統(tǒng)意義的光存儲和相變存儲器的各自優(yōu)勢，實現(xiàn)高速存儲的目的。但如何實現(xiàn)光電混合存儲的器件結(jié)構(gòu)設(shè)計是一大難題，為此，本發(fā)明提出一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)解決上述技術(shù)問題?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0005]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)及其制備方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中信息存儲速度慢或載噪比低的問題。[0006]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，該相變存儲結(jié)構(gòu)包括上表面制備有若干字線的襯底；位于所述字線上表面的若干導(dǎo)電通孔下電極；所述導(dǎo)電通孔下電極上表面設(shè)有選擇開關(guān)器件；所述選擇開關(guān)器件上設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電互連通孔電極；所述導(dǎo)電通互連孔電極上設(shè)有與其接觸的半導(dǎo)體激光器；所述半導(dǎo)體激光器上方設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電透明電極；所述導(dǎo)電透明電極上方設(shè)有與其接觸的相變材料層；所述相變材料層上表面設(shè)有導(dǎo)電反射層；所述導(dǎo)電反射層上表面設(shè)有若干導(dǎo)電通孔上電極；所述導(dǎo)電通孔上電極上表面設(shè)有若干位線。[0007]優(yōu)選地，所述字線為導(dǎo)電連線，其材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。[0008]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電通孔下電極的材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。[0009]優(yōu)選地，所述選擇開關(guān)器件為用于尋址、單向?qū)щ婇_關(guān)和提供驅(qū)動電流的單向?qū)щ婇_關(guān)。[0010]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電互連通孔電極的材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。[0011]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電反射層用于反射半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的激光和導(dǎo)通選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的電流，其材料選自鋁、銀、金、銅、鎢或鈦。[0012]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電通孔上電極材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。[0013]優(yōu)選地，所述位線為導(dǎo)電連線，材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。[0014]本發(fā)明還包括一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)制備方法，該方法包括以下步驟:[0015]a)提供一襯底，在該襯底內(nèi)制備嵌于其中的若干字線；[0016]b)在所述字線層上制備若干導(dǎo)電通孔下電極；[0017]c)在所述導(dǎo)電通孔下電極層上制備選擇開關(guān)器件；[0018]d)繼續(xù)在所述選擇開關(guān)器件層上制備與其接觸的導(dǎo)電互連通孔電極；[0019]e)接著在所述導(dǎo)電通互連孔電極層上制備與其接觸的半導(dǎo)體激光器；[0020]f)在所述半導(dǎo)體激光器層上制備與其接觸的導(dǎo)電透明電極；[0021]g)在所述導(dǎo)電透明電極層上制備與其接觸的相變材料層；[0022]h)繼續(xù)在所述相變材料層上制備導(dǎo)電反射層；[0023]i)接著在所述導(dǎo)電反射層上制備導(dǎo)電通孔上電極；[0024]j)在所述導(dǎo)電通孔上電極層形成位線；[0025]k)把所有字線和位線與外圍電路相連，形成完整的光電混合存儲的相變存儲器芯片。[0026]優(yōu)選地，所述半導(dǎo)體激光器用于產(chǎn)生激光，其波長涵蓋紅外到紫外，功率為0.5-15mff,脈沖激光的寬度涵蓋飛秒到納秒。[0027]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電透明電極用于傳輸半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的激光和選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的電流，其透光率大于80%、電阻值小于100000歐姆。[0028]如上所述，本發(fā)明的相變存儲器單元的特點是利用激光信號實現(xiàn)信息的寫入和擦除，利用電信號實現(xiàn)信息的讀出，從而充分利用了激光寫入的高速特性和電信號讀出的高信噪比特性，實現(xiàn)高速的相變存儲器?！緦＠綀D】【附圖說明】[0029]圖1顯示為本發(fā)明制備成的字線層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0030]圖2顯示為本發(fā)明在字線層上制備的若干導(dǎo)電通孔下電極層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0031]圖3顯示為本發(fā)明在導(dǎo)電通孔下電極層上制備的選擇開關(guān)器件層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0032]圖4顯示為本發(fā)明在選擇開關(guān)器件層上制備的導(dǎo)電互連通孔電極層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0033]圖5顯示為本發(fā)明在導(dǎo)電通互連孔電極層上制備的半導(dǎo)體激光器層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0034]圖6顯示為本發(fā)明在半導(dǎo)體激光器層上制備的導(dǎo)電透明電極層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0035]圖7顯示為本發(fā)明在導(dǎo)電透明電極層上制備的相變材料層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0036]圖8顯示為本發(fā)明在相變材料層上制備的導(dǎo)電反射層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0037]圖9顯示為本發(fā)明在電反射層上制備的導(dǎo)電通孔上電極層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0038]圖10顯示為本發(fā)明在電通孔上電極層制備的位線層的結(jié)構(gòu)示意圖。[0039]元件符號說明[0040]IO—襯底；[0041]20-介質(zhì)層[0042]100—字線；[0043]200-導(dǎo)電通孔下電極；[0044]300—選擇開關(guān)器件；[0045]400-導(dǎo)電互連通孔電極；[0046]500一半導(dǎo)體激光器；[0047]600—導(dǎo)電透明電極；[0048]700—相變材料層；[0049]800—導(dǎo)電反射層；[0050]900-導(dǎo)電通孔上電極；[0051]110—位線【具體實施方式】[0052]以下通過特定的具體實例說明本發(fā)明的實施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的【具體實施方式】加以實施或應(yīng)用，本說明書中的各項細節(jié)也可以基于不同觀點與應(yīng)用，在沒有背離本發(fā)明的精神下進行各種修飾或改變。[0053]請參閱附圖所示。需要說明的是，本實施例中所提供的圖示僅以示意方式說明本發(fā)明的基本構(gòu)想，遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實際實施時的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制，其實際實施時各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變，且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。[0054]請參閱圖10所示，一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，該相變存儲結(jié)構(gòu)包括制備有若干字線100的襯底10;位于所述字線上的若干導(dǎo)電通孔下電極200;所述導(dǎo)電通孔下電極上方設(shè)有選擇開關(guān)器件300;所述選擇開關(guān)器件上方設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電互連通孔電極400;所述導(dǎo)電通互連孔電極上方設(shè)有與其接觸的半導(dǎo)體激光器500;所述半導(dǎo)體激光器上方設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電透明電極600;所述導(dǎo)電透明電極上方設(shè)有與其接觸的相變材料層700;所述相變材料層上設(shè)有導(dǎo)電反射層800;所述導(dǎo)電反射層上設(shè)有導(dǎo)電通孔上電極900;所述導(dǎo)電通孔上電極上設(shè)有位線110。[0055]具體的，本發(fā)明光電混合存儲的相變存儲器具體制備方法如下:[0056]步驟1:在襯底10上采用CVD法制備多晶硅作為字線100，多晶硅線寬為lOOnm，厚度為200nm，如圖1所示。本發(fā)明中，制備字線層100所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；字線層材料可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu和Ni中的任一種,或其組合成合金材料,或由所述單金屬材料的氮化物或氧化物。[0057]步驟2:采用CVD法制備SiO2介質(zhì)層20，利用光刻方法在SiO2介質(zhì)層中制備出通孔，并在通孔內(nèi)采用CVD法制備W下電極層200，W電極的直徑為70nm，高度為200nm，如圖2所示。本發(fā)明中，制備下電極層200所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；下電極材料可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu和Ni中的任一種,或其組合成合金材料,或由所述電極單金屬材料的氮化物或氧化物。[0058]步驟3:在導(dǎo)電通孔下電極層200上制備選擇開關(guān)二極管器件300，二極管的特征尺寸(直徑)為80nm，高度為2000nm，如圖3所示。本發(fā)明中，制備的所述選擇開關(guān)二極管器件為同質(zhì)型二極管、異質(zhì)型二極管、晶體管、雙極結(jié)型晶體管中任一種。選擇開關(guān)器件的制備屬于本領(lǐng)域的公知常識，在此不再贅述。[0059]步驟4:在選擇開關(guān)二極管器件層上采用CVD法制備SiO2介質(zhì)層，利用光刻方法在SiO2介質(zhì)層中制備出通孔，并在通孔內(nèi)采用CVD法制備W互連通孔電極層，W電極的直徑為70nm，高度為lOOnm，如圖4所示。本發(fā)明中，制備互連通孔電極層400所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；下電極材料可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu和Ni中的任一種,或其組合成合金材料,或由所述電極單金屬材料的氮化物或氧化物。[0060]步驟5:在互連通孔電極層400上制備半導(dǎo)體激光器500，如圖5所示。本發(fā)明中，制備的所述半導(dǎo)體激光器為激光二極管激光器、量子阱激光器、應(yīng)變量子阱激光器、量子級聯(lián)激光器、單異質(zhì)結(jié)二極管激光器、雙異質(zhì)結(jié)二極管激光器、電子束激勵半導(dǎo)體激光器、自組裝量子點激光器、面發(fā)射激光器中任一種。半導(dǎo)體激光器的制備屬于本領(lǐng)域的公知常識，在此不再贅述。[0061]步驟6:在半導(dǎo)體激光器500上采用CVD法制備SiO2介質(zhì)層，利用光刻方法在SiO2介質(zhì)層中制備出通孔，并在通孔內(nèi)采用磁控濺射法制備ITO導(dǎo)電透明電極層600，ITO的直徑為lOOnm，高度為50nm，如圖6所示。[0062]步驟7:在導(dǎo)電透明電極層600上采用磁控濺射法、Ge2Sb2Te5合金靶制備Ge2Sb2Te5相變材料層700，工藝參數(shù)為:本底氣壓為IX10_5Pa，濺射時Ar氣氣壓為0.2Pa，濺射功率為200W，襯底溫度為25°C，薄膜厚度為50nm，如圖7所示。所采用的方法為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；相變材料為硫系化合物、GeSb>SiSb和金屬氧化物中的任一種,相變材料層結(jié)構(gòu)的制備方法為光刻。[0063]步驟8:在相變材料層700上采用磁控濺射法、高純Al靶制備Al導(dǎo)電反射層800，工藝參數(shù)為:本底氣壓為IX10?,濺射時Ar氣氣壓為0.5Pa，濺射功率為2000W，襯底溫度為25°C，薄膜厚度為70nm，如圖8所示。所采用的方法為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；導(dǎo)電反射層為鋁、銀、金、銅、鎢、鈦及其合金中的任一種，導(dǎo)電反射層結(jié)構(gòu)的制備方法為光刻。[0064]步驟9:在導(dǎo)電反射層800上采用CVD法制備SiO2介質(zhì)層，利用光刻方法在SiO2介質(zhì)層中制備出通孔，并在通孔內(nèi)采用CVD法制備W互連通孔上電極層，W電極的直徑為70nm，高度為lOOnm，如圖9所示。本發(fā)明中，制備導(dǎo)電通孔上電極層900所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；上電極材料可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu和Ni中的任一種,或其組合成合金材料，或由所述電極單金屬材料的氮化物或氧化物。[0065]步驟10:在導(dǎo)電通孔上電極上采用磁控濺射法、高純Al靶制備Al位線層110，工藝參數(shù)為:本底氣壓為IX10?,濺射時Ar氣氣壓為0.5Pa，濺射功率為2000W，襯底溫度為25°C，薄膜厚度為500nm，如圖10所示。本發(fā)明中，制備位線層110所采用的方法可以選為濺射法、蒸發(fā)法、化學(xué)氣相沉積法、等離子體增強化學(xué)氣相沉積法、低壓化學(xué)氣相沉積法、金屬化合物氣相沉積法、分子束外延法、原子氣相沉積法和原子層沉積法中任一種；位線層材料可以為單金屬材料W、Pt、Au、T1、Al、Ag、Cu和Ni中的任一種,或其組合成合金材料,或由所述單金屬材料的氮化物或氧化物。[0066]步驟11:最后把所有字線和位線與外圍電路相連，形成完整的光電混合存儲的相變存儲器芯片。[0067]本發(fā)明的特點是利用激光信號實現(xiàn)信息的寫入和擦除，利用電信號實現(xiàn)信息的讀出，從而充分利用了激光寫入的高速特性和電信號讀出的高信噪比特性，實現(xiàn)高速的相變存儲器。綜上所述，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。[0068]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【
技術(shù)領(lǐng)域：
】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。【權(quán)利要求】1.一種光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，該相變存儲結(jié)構(gòu)包括上表面制備有若干字線的襯底；位于所述字線上表面的若干導(dǎo)電通孔下電極；所述導(dǎo)電通孔下電極上表面設(shè)有選擇開關(guān)器件；所述選擇開關(guān)器件上設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電互連通孔電極；所述導(dǎo)電通互連孔電極上設(shè)有與其接觸的半導(dǎo)體激光器；所述半導(dǎo)體激光器上方設(shè)有與其接觸的導(dǎo)電透明電極；所述導(dǎo)電透明電極上方設(shè)有與其接觸的相變材料層；所述相變材料層上表面設(shè)有導(dǎo)電反射層；所述導(dǎo)電反射層上表面設(shè)有若干導(dǎo)電通孔上電極；所述導(dǎo)電通孔上電極上表面設(shè)有若干位線。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線為導(dǎo)電連線，其材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電通孔下電極的材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述選擇開關(guān)器件為用于尋址、單向?qū)щ婇_關(guān)和提供驅(qū)動電流的單向?qū)щ婇_關(guān)。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電互連通孔電極的材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電反射層用于反射半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的激光和導(dǎo)通選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的電流，其材料選自鋁、銀、金、銅、鶴或欽。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電通孔上電極材料選自多晶娃、招、銅、鶴、欽、氣化欽、氣化招欽或氣化組。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電混合存儲的相變存儲器結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述位線為導(dǎo)電連線，材料選自多晶硅、鋁、銅、鎢、鈦、氮化鈦、氮化鋁鈦或氮化鉭。9.一種光電混合存儲的相變存儲器制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟:a)提供一襯底，在該襯底內(nèi)制備嵌于其中的若干字線；b)在所述字線層上制備若干導(dǎo)電通孔下電極；c)在所述導(dǎo)電通孔下電極層上制備選擇開關(guān)器件；d)繼續(xù)在所述選擇開關(guān)器件層上制備與其接觸的導(dǎo)電互連通孔電極；e)接著在所述導(dǎo)電通互連孔電極層上制備與其接觸的半導(dǎo)體激光器；f)在所述半導(dǎo)體激光器層上制備與其接觸的導(dǎo)電透明電極；g)在所述導(dǎo)電透明電極層上制備與其接觸的相變材料層；h)繼續(xù)在所述相變材料層上制備導(dǎo)電反射層；i)接著在所述導(dǎo)電反射層上制備導(dǎo)電通孔上電極；j)在所述導(dǎo)電通孔上電極層形成位線；k)把所有字線和位線與外圍電路相連，形成完整的光電混合存儲的相變存儲器芯片。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電混合存儲的相變存儲器制備方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體激光器用于產(chǎn)生激光，其波長涵蓋紅外到紫外，功率為0.5-15mW，脈沖激光的寬度涵蓋飛秒到納秒。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光電混合存儲的相變存儲器制備方法，其特征在于，所述導(dǎo)電透明電極用于傳輸半導(dǎo)體激光器產(chǎn)生的激光和選擇開關(guān)器件產(chǎn)生的電流，其透光率大于80%、電阻值小于100000歐姆。【文檔編號】H01L27/24GK103559909SQ201310534339【公開日】2014年2月5日申請日期:2013年10月31日優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日【發(fā)明者】劉波,宋志棠,封松林申請人:中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所