氧化物燒結體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導電膜以及透明導電性基材的制作方法【專利摘要】本發(fā)明提供可以實現(xiàn)高速成膜和無結節(jié)的濺射用靶或離子電鍍用片料，用于得到它們的最佳氧化物燒結體及其制造方法，以及使用該氧化物燒結體得到的藍光吸收少的低電阻透明導電膜。本發(fā)明提供的氧化物燒結體等的特征在于：在含有銦和鎵作為氧化物的燒結體中，方鐵錳礦型結構的In2O3相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga2O3型結構的GaInO3相、或GaInO3相和(Ga,In)2O3相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細地分散，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10原子%以上、小于35原子%。【專利說明】氧化物燒結體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導電膜以及透明導電性基材[0001]本發(fā)明是2008年7月2日申請的發(fā)明名稱為“氧化物燒結體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導電膜以及透明導電性基材”的第200880021217.3號發(fā)明專利申請的分案申請。【
技術領域：
】[0002]本發(fā)明涉及氧化物燒結體及其制造方法、靶、使用該靶得到的透明導電膜以及透明導電性基材，更詳細地，涉及可以實現(xiàn)高速成膜和無結節(jié)的濺射用靶或者離子電鍍用片料、用于得到它們的最佳氧化物燒結體及其制造方法、使用該方法得到的藍色光吸收少、低電阻的透明導電膜?！?br>背景技術：
】[0003]透明導電膜由于具有高導電性和可見光區(qū)域的高透光率，所以除了被用于太陽能電池、液晶顯示元件和其它各種感光元件的電極等以外，還被用作為汽車窗和建筑用的熱線反射膜、抗靜電膜、冷凍陳列柜等的各種防模糊用的透明發(fā)熱體。[0004]在實際應用的透明導電膜中，已知氧化錫(Sn02)類、氧化鋅(ZnO)類、氧化銦(Ιη203)類薄膜。在氧化錫類中，已被使用的有含銻作為摻雜劑的薄膜(ΑΤ0)和含氟作為摻雜劑的薄膜(FT0)。在氧化鋅類中，已被使用的有含鋁作為摻雜劑的薄膜(ΑΖ0)和含鎵作為摻雜劑的薄膜(GZ0)。但是，工業(yè)上應用最廣泛的透明導電膜是氧化銦類薄膜。其中含錫作為摻雜物的氧化銦被稱作為ΙΤ0(銦錫氧化物)膜，特別由于其易于制得低電阻的膜而一直被廣泛地應用。[0005]低電阻的透明導電膜適用于太陽能電池、液晶、有機電致發(fā)光和無機電致發(fā)光等的表面元件和接觸面板等眾多用途中。作為這些透明導電膜的制造方法，較多采用濺射法和離子電鍍法。特別是濺射法，是低蒸氣壓材料成膜時以及需要控制精密膜厚時的有效方法，由于其操作非常簡便，因而在工業(yè)上被廣泛地應用。[0006]濺射法中采用濺射靶作為薄膜的原料。靶是構成所要形成薄膜的含金屬元素的固體，其采用金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬碳化物等的燒結體或者根據(jù)情況采用單晶。在該方法中，通常采用真空裝置，在暫時形成高真空后，通入氬氣等稀有氣體，在約10Pa以下的氣壓下，以基板為陽極、靶作為陰極，在它們之間引起輝光放電，產(chǎn)生氬等離子體，并使等離子體中的氬陽離子轟擊陰極的靶，使如此被彈出的靶成分的粒子堆積在基板上、形成膜。[0007]濺射法以氬等離子體的發(fā)生方法而進行分類，采用高頻等離子體的稱作為高頻濺射法，采用直流等離子體的稱作為直流濺射法。[0008]通常，直流濺射法由于與高頻濺射法相比成膜速率更快、電源設備更廉價、成膜操作更簡便等原因而在工業(yè)上被廣泛地應用。但是，相對于采用絕緣性靶也能成膜的高頻濺射法，直流濺射法中必須采用導電性靶。[0009]濺射的成膜速率與靶物質的化學鍵有密切的關系。濺射是利用具有動能的氬陽離子沖擊靶表面，使靶表面物質獲取能量而彈出的現(xiàn)象，靶物質的離子間的鍵或者原子間的鍵越弱，則由濺射彈出的概率就越高。[0010]在通過濺射法形成ΙΤ0等氧化物的透明導電膜時，包括使用作為膜構成金屬的合金靶(對于ΙΤ0膜的情況為In-Sn合金)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過反應性濺射法形成氧化物膜的方法，和使用作為膜構成金屬的氧化物燒結體靶(對于ΙΤ0膜的情況為In-Sn-Ο燒結體)，在氬氣和氧氣的混合氣體中通過進行濺射的反應性濺射法形成氧化物膜的方法。[0011]其中使用合金靶的方法，濺射中的氧氣供給量很大，而成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對成膜過程中通入的氧氣量的依賴性極大，因而難以穩(wěn)定地制造具有一定膜厚、性能的透明導電膜。[0012]采用氧化物靶的方法，一部分供給膜的氧是通過濺射由靶提供的，剩下的不足的氧量由以氧氣的方式提供，與使用合金靶時相比，成膜速率和膜的性能(電阻率、透光率)對成膜過程中通入的氧氣量的依賴性較小，能夠更穩(wěn)定地制造具有一定厚度、性能的透明導電膜，因此，工業(yè)上采用的是使用氧化物靶的方法。[0013]考慮到這些【
背景技術：
】，通過濺射法進行透明導電膜的量產(chǎn)成膜時，幾乎都是采用使用氧化物靶的直流濺射法。這種情況下，若考慮生產(chǎn)力和制造成本，直流濺射時的氧化物靶的性質變得很重要。也就是，如果輸入相同的功率的情況下，有用的是成膜速度更高的氧化物靶。此外，輸入越高的直流功率，成膜速度越快，因此，在工業(yè)上有用的是下述氧化物靶:即使輸入高的直流功率，也不會產(chǎn)生靶的破裂、或者產(chǎn)生結節(jié)導致飛弧等異常放電，可以穩(wěn)定地成月吳。[0014]這里所述的結節(jié)是指如果繼續(xù)濺射靶，則在靶表面的腐蝕部分中，除去腐蝕最深部的極少一部分，所產(chǎn)生的黑色的析出物(突起物)。一般來說，結節(jié)不是外來的飛濺物的堆積或表面的反應產(chǎn)物，而是濺射挖剩的部分。結節(jié)成為飛弧等異常放電的原因，減少結節(jié)可以抑制飛弧(參照非專利文獻1)。因此，適合的是沒有產(chǎn)生結節(jié)，也就是濺射產(chǎn)生的挖剩部分的氧化物靶。[0015]另一方面，離子電鍍法是在10_3~10_2Pa這樣的壓力下，通過電阻加熱或電子束加熱使金屬或金屬氧化物蒸發(fā)，進而將蒸發(fā)物和反應氣體(氧氣)一起，通過等離子活化，然后堆積在基板上的方法。形成透明導電膜使用的離子電鍍用靶(也稱作片料(tablet)或粒料(pellet))也和濺射用靶同樣地，使用氧化物片料可以穩(wěn)定地制造一定膜厚、一定性質的透明導電膜。氧化物片料要求均勻地蒸發(fā)，化學鍵穩(wěn)定且難以蒸發(fā)的物質優(yōu)選不和作為主相存在的容易蒸發(fā)的物質共存。[0016]如上文所述，直流濺射法以及離子電鍍法形成的ΙΤ0在工業(yè)上廣泛使用，但是對于近年來明顯進步的LED(LightEmittingDiode)以及有機EL(ElectroLuminescence)來說，還可能需要ΙΤ0無法獲得的性質。作為其中的一個例子，以藍色LED為例，波長400nm附近的藍光的透過性高的透明導電膜，必須要提高光的選取效率。ΙΤ0的可視區(qū)域的光吸收具有在越短波長側越大的趨勢，以紅光、綠光、藍光的順序，光吸收依次變大。因此，在使用ΙΤ0作為藍色LED透明電極使用時，光吸收產(chǎn)生損失。[0017]為了避免該問題，最近，作為各種發(fā)光設備的電極提出了可視光、特別是藍光的吸收少，代替ITO的透明導電膜，該透明導電膜由含有銦和鎵的氧化物膜形成。然而，還未充分開發(fā)出作為靶或片料使用的氧化物燒結體，因此實際上無法量產(chǎn)優(yōu)質的透明導電膜，無法實用。[0018]關于藍光吸收少的透明導電膜，提出了含有摻雜了少量四價原子這樣的異種摻雜物的鎵?銦氧化物(Galn03)的透明導電性材料(例如，參照專利文獻1)。其中，記載了該氧化物的結晶膜透明性優(yōu)異，顯示出約1.6的較低的折射率，除了改善和玻璃基板的折射率匹配以外，還可以獲得和目前使用的寬禁帶半導體相同程度的電傳導率。而且，在綠到藍的區(qū)域中，顯示出優(yōu)于銦-錫氧化物的透光率，貫穿可視光譜顯示出均勻的少量吸收，或作為該氧化物成膜使用的原料的粒料是以GaIni_xMx03表示的這種Galn03型結構的單一相材料。[0019]但是，使用6&11103型結構的單一相材料作為濺射用靶或蒸鍍用粒料時，該單一相材料具有復合氧化物特有的穩(wěn)定的化學鍵，所以濺射效率低，成膜速度為ΙΤ0的1/2左右，變得極慢，所以不適合工業(yè)生產(chǎn)。另外，由于濺射效率低，在提高濺射電壓等，選擇提高成膜速度的條件時，對可抑制成為前述飛弧原因的結節(jié)產(chǎn)生的氧化物燒結體的組成、構造等的研究還不完全。也就是，成為上述透明導電膜原料的氧化物燒結體還不能考慮用于工業(yè)實用上。[0020]另外，作為和上述專利文獻1相同的氧化物系透明導電膜和氧化物燒結體，提出了下述透明導電膜:和現(xiàn)有已知的Galn03的組成范圍極為不同，是與Galn03和Ιη203相比，導電性更好，也就是電阻率更低，而且具有優(yōu)異的光學性質的透明導電膜，在Ga203_ln203表不的模擬二兀系統(tǒng)中，含有Ga/(Ga+In)表不的Ga量為15~49原子％的透明導電膜(例如，參照專利文獻2)。[0021]但是，對成為得到上述透明導電膜的原料的氧化物燒結體的制造條件幾乎沒有詳細地記載，透明導電膜的組成可以是非晶質、或者由GaIn03、GaIn03和In203、GaIn03和Ga203等的混合相形成微晶體，但是對作為原料的氧化物燒結體沒有記載。因此，和前述內容同樣地，對成為原料的氧化物燒結體的構造沒有確認成膜速度以及抑制結節(jié)等從工業(yè)、實用的觀點組合出最佳狀態(tài)。[0022]此外，作為和上述專利文獻1相同的氧化物系透明導電膜，提出了與現(xiàn)有的ΙΤ0膜(由添加了Sn的Ιη203構成的透明導電膜)相比，電阻率更低且透光率更高，特別是能夠適應液晶顯示器(LCD)的大型化、彩色化和高精細化的透明導電膜(有時也稱作IG0膜)，該透明導電膜的特征在于:通過濺射法等成膜方法形成，由含有1~10at%Ga的Ιη203構成(例如，參照專利文獻3)。該文獻還記載了上述結構的IG0膜與現(xiàn)有的ΙΤ0膜相比，電阻率更低，即使在100°C下成膜，電阻率也為lX10_3Qcm以下，而且透光率更高，在可見光區(qū)域為85%以上，因此，特別適合作為LCD的透明電極使用，可以滿足今后的LCD的大型化、彩色化、高精細化等高功能化和品質提高的要求。但是，作為用于得到上述透明導電膜的靶只是提示了在Ιη203靶上配置Ga基片的復合靶，或者含有規(guī)定量的Ga的Ιη203靶，對氧化物燒結體的構造等沒有任何的研究，也沒有成膜速度和抑制結節(jié)等工業(yè)上、實用上的最佳狀態(tài)的組合。[0023]相對于此，本申請人:提出了和前述專利文獻相同的氧化物系的透明導電膜、透明導電膜制造用燒結體靶、透明導電膜基材以及使用該基材的顯示裝置(例如，參照專利文獻4)。其中，關于氧化物燒結體的構造記載了由Ga、In和0構成，前述Ga相對全部金屬原子，含有35原子％以上、45原子％以下，主要由β-Ga203型結構的GaIn03相和方鐵錳礦(bixbyite)型結構的In203相構成，且In203相(400)相對于β-GaIn03相(111)的X射線衍射峰強度比為50%以上、110%以下，且密度為5.8g/cm3以上。另外，氧化物燒結體的導電性是電阻率值為4.0Χ10_2Ωcm以下，如果超過該值，則即使可以進行DC磁控管濺射，也會因為成膜速度低下，導致生產(chǎn)性變差。[0024]另外，上述氧化物燒結體的組成、組織結構主要考慮到對以氧化物燒結體為原料形成的透明導電膜的電阻率或透光率的影響，在Ga量小于35原子％時，可見光短波長區(qū)域的透光性低下；如果Ga量超過45原子％，則導電性低下。作為電阻率為1.2Χ10_3Ω._以上、8.0Χ10_3Ω.cm以下，雖然小于1.2Χ10_3Ω.cm的區(qū)域是很好的，但是該透明導電膜的組成中Ga量必須小于35原子％。因此，還要從所得的膜的導電性、光學性質的觀點出發(fā)，選擇最佳組成，以氧化物燒結體的組成、構造以及產(chǎn)生結節(jié)的影響等作為課題進行研究。[0025]考慮到以上的這些問題，希望出現(xiàn)下述氧化物燒結體:能夠量產(chǎn)藍光吸收少、低電阻的含有銦和鎵的透明導電膜，而且能夠解決成膜速度的高速化以及抑制結節(jié)等重要的實用課題的含有銦和鎵的氧化物燒結體。[0026]專利文獻1:日本特開平7-182924號公報[0027]專利文獻2:日本特開平9-259640號公報[0028]專利文獻3:日本特開平9-50711號公報[0029]專利文獻4:日本特開2005-347215號公報[0030]非專利文獻1透明導電膜的技術(修訂第2版)”，才一A公司，2006年12月20日發(fā)行，第238-239頁【
發(fā)明內容】[0031]本發(fā)明的目的在于提供能實現(xiàn)高速成膜和無結節(jié)的濺射用靶或離子電鍍用片料，用于得到它們的最佳氧化物燒結體及其制造方法，使用該氧化物燒結體得到的藍光吸收少的低電阻的透明導電膜。[0032]本發(fā)明人對由含有銦和鎵的氧化物形成的氧化物燒結體的結構相和構造對氧化物透明導電膜的成膜速度等制造條件，以及成為形成飛弧的原因的結節(jié)產(chǎn)生有何種影響，進行了詳細地研究，其中該氧化物透明導電膜通過使用以該氧化物燒結體為原料的濺射用靶的濺射法或使用離子電鍍用片料的離子電鍍法形成。結果是，發(fā)現(xiàn)了一種含有銦和鎵的氧化物燒結體，(1)由固體溶了鎵的方鐵錳礦型結構的1n203相和由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的GaIn03相，或者由固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的In203相和由鎵和銦構成的β-Ga203型結構的GaIn03相、(Ga,In)203相構成，由GaIn03相或由GaIn03相和(Ga,In)203相構成的晶粒的平均粒徑為5μm以下；(2)通過使氧化物燒結體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10原子％以上、小于35原子％，在基板上形成透明導電膜時，即使增大輸入功率，提高成膜速度，也可以抑制成為飛弧原因的結節(jié)產(chǎn)生，得到藍光吸收少、低電阻的透明導電膜；而且還發(fā)現(xiàn)⑶鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~30原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為1~11原子％，同樣地可以抑制成為飛弧原因的結節(jié)的產(chǎn)生，可以得到藍光吸收少、低電阻的透明導電膜，從而完成本發(fā)明。[0033]也就是，根據(jù)本發(fā)明的第1發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細地分散，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10原子％以上、小于35原子％。[0034]另外，根據(jù)本發(fā)明的第2發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在第1發(fā)明中，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10~25原子％。[0035]另外，根據(jù)本發(fā)明的第3發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在第1或第2發(fā)明中，下式定義的X射線衍射峰強度比為8%~58%，[0036]I[GaIn03相(111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(111)]}X100[%][0037](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(111)]表示0-Ga2O3型結構的復合氧化物P-GalnOjg(111)的峰強度)。[0038]另外，根據(jù)本發(fā)明的第4發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細地分散，除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~30原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為1~11原子0/ο。[0039]此外，根據(jù)本發(fā)明的第5發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在第4發(fā)明中，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~20原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~10原子％。`[0040]另外，根據(jù)本發(fā)明的第6發(fā)明，提供一種氧化物燒結體，其特征在于:在第4或第5發(fā)明中，下式定義的X射線衍射峰強度比為4%~84%。[0041]I[GaIn03相(-111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(-111)]}X100[%][0042](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(-111)]表示0-Ga2O3型結構的復合氧化物P-GalnOjg(-111)峰強度)。[0043]另外，根據(jù)本發(fā)明的第7發(fā)明，提供上述第1~6任一項記載的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:該方法是混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結，來制造第1~6任一發(fā)明中的氧化物燒結體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為1μm以下而形成氧化物燒結體，該氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主晶相，在主晶相中，由Galn03相或由Galn03相和(Ga，Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細微分散。[0044]另外，根據(jù)本發(fā)明的第8發(fā)明，提供一種氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:在第7發(fā)明中，采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在1250~1450°C下燒結10~30小時。[0045]另外，根據(jù)本發(fā)明的第9發(fā)明，提供一種氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:在第7發(fā)明中，采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在1000~1200°C下燒結10~30小時。[0046]另外，根據(jù)本發(fā)明的第10發(fā)明，提供一種氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:在第7發(fā)明中，采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.45~29.40MPa的壓力下，在700~950°C下、進行1~10小時成形、燒結。[0047]此外，根據(jù)本發(fā)明的第11發(fā)明，提供對前述第1~6任何一項發(fā)明中的前述氧化物燒結體進行加工而得到的靶。[0048]此外，根據(jù)本發(fā)明的第12發(fā)明，提供一種靶，其特征在于:該靶是對第8或第10發(fā)明任一方法制造的氧化物燒結體進行加工而得到的，氧化物燒結體的密度為6.3g/cm3以上，該靶在用濺射法形成透明導電膜時使用。[0049]另外，根據(jù)本發(fā)明的第13發(fā)明，提供一種靶，其特征在于:該靶是對第9發(fā)明制造的氧化物燒結體進行加工而得到的，氧化物燒結體的密度是3.4~5.5g/cm3，該靶在用離子電鍍法形成透明導電膜時使用。[0050]此外，根據(jù)本發(fā)明的第14發(fā)明，提供一種非晶質透明導電膜，其使用第11~13任一發(fā)明的靶，通過濺射法或離子電鍍法形成在基板上而得到。[0051]另外，根據(jù)本發(fā)明的第15發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14發(fā)明中，膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％。[0052]另外，根據(jù)本發(fā)明的第16發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14發(fā)明中，膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％。[0053]另外，根據(jù)本發(fā)明的第17發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14發(fā)明中，濺射是在即使輸入電流的直流功率密度為1.10~3.29W/cm2，也不會產(chǎn)生飛弧的條件下進行的。[0054]另外，根據(jù)本發(fā)明的第18發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14~17任一發(fā)明中，算術平均高度Ra為1.0nm以下。[0055]另外，根據(jù)本發(fā)明的第19發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14~18任一發(fā)明中，波長400nm時的衰減系數(shù)為0.04以下。[0056]另外，根據(jù)本發(fā)明的第20發(fā)明，提供一種透明導電膜，其特征在于:在第14~19任一發(fā)明中，電阻率為2X103Ω.cm以下。[0057]另一方面，根據(jù)本發(fā)明的第21發(fā)明，提供一種透明導電性基材，通過在透明基板的一面或兩面上形成第14~20任一發(fā)明的透明導電膜而成。[0058]另外，根據(jù)本發(fā)明的第22發(fā)明，提供一種透明導電性基材，其特征在于:在第21發(fā)明中，透明基板是玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜中的任意一種。[0059]另外，根據(jù)本發(fā)明的第23發(fā)明，提供一種透明導電性基材，其特征在于:在第22發(fā)明中，樹脂板或樹脂膜是選用以聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚芳酯或聚碳酸酯為材料的單成分單層結構體，或者是在單成分單層結構體表面覆蓋丙烯酸類有機物而形成的層疊結構體。[0060]另外，根據(jù)本發(fā)明的第24發(fā)明，提供一種透明導電性基材，其特征在于:在第22或23發(fā)明中，樹脂板或樹脂膜是一面或兩面被隔氣膜覆蓋，或者是在中間插入隔氣膜而形成的層疊體。[0061]此外，根據(jù)本發(fā)明的第25發(fā)明，提供一種透明導電性基材，其特征在于:在第24發(fā)明中，前述隔氣膜是選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫系膜或金剛石狀碳膜的1種以上的隔氣膜。[0062]本發(fā)明的由鎵和銦形成的氧化物燒結體以方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相或Galn03相和(Ga，In)203相以平均粒徑5ym以下的晶粒微細地分散，氧化物燒結體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％，或者鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％，通過濺射法或離子電鍍法，得到氧化物透明導電膜時，可以提高成膜速度，還可以抑制成為飛弧原因的結節(jié)的產(chǎn)生，還可以轉為提高成膜速度這種成膜條件，從而可以得到藍光吸收少、含有銦和鎵的低電阻的透明導電膜，在工業(yè)上極為有用。【專利附圖】【附圖說明】[0063]圖1是通過掃描型電子顯微鏡(SEM)觀察本發(fā)明的氧化物燒結體的SEM圖像。[0064]圖2是表示本發(fā)明的氧化物燒結體的X射線衍射結果圖。[0065]圖3是表示對加工氧化物燒結體形成的靶，進行濺射時，輸入的直流功率和飛弧產(chǎn)生的次數(shù)的關系的圖?！揪唧w實施方式】[0066]在下文中，對本發(fā)明的氧化物燒結體及其制造方法、靶、使用靶得到的透明導電膜以及透明導電性基材，進行詳細說明。[0067]1.氧化物燒結體[0068]到目前為止，雖然已經(jīng)提出了由含有銦和鎵的氧化物形成的透明導電膜濺射用靶或離子電鍍用片料，但是對于形成該材料的氧化物燒結體，對在通過濺射法或離子電鍍法得到氧化物透明導電膜時的制造條件`和氧化物燒結體的組成相和構造的最佳配比等沒有充分研究。在本發(fā)明中，明確了氧化物燒結體的組成相和構造涉及的成膜速度以及成為飛弧原因的結節(jié)產(chǎn)生的影響。[0069]在本發(fā)明中，含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體包括具有特定相結構，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％的氧化物燒結體(在下文中，將其稱作第一氧化物燒結體)；以及除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％的氧化物燒結體(在下文中，將其稱作第二氧化物燒結體)這兩類氧化燒結體。[0070](I)第一氧化物燒結體[0071]本發(fā)明的第一氧化物燒結體的特征是在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體中，JCPDS卡06-0416記載的方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，JCPDS卡21-0334記載的β-Ga203型結構的Galn03相、或由Galn03相和JCPDS卡14-0564記載的(Ga，Ιη)203相以平均粒徑5μπι以下的晶粒微細地分散在主結晶相中，鎵的含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％。[0072](a)組成和燒結體的構造[0073]在本發(fā)明中，為了使用第一氧化物燒結體，通過濺射法或離子電鍍法得到的透明導電膜的藍光吸收少、顯示出低電阻，第一氧化物燒結體的組成必須是鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％。[0074]氧化物燒結體不僅是上述組成范圍，而且燒結體的構造是以方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga，Ιη)203相以平均粒徑5μm以下的晶粒微細地分散在主結晶相中。[0075]上述固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相、(Ga，In)203相可以用鎵替換一部分銦，或者鎵的一部分用銦替換，可以包含和化學計量組成有一定偏差的金屬元素的缺失或者氧的缺失。另外，(Ga，ln)203相是在常壓燒結時燒結溫度為1500°C以上的高溫下形成的相。(Ga，Ιη)203相與Galn0j@相比，電阻略高，成膜速度略慢，但是只是少量存在的話，就沒有問題。[0076]可是，如果大量存在，則產(chǎn)生成膜速度低下，生產(chǎn)性低下等問題。為了減少透明導電膜的藍光吸收，如前述專利文獻1所記載，必須在得到透明導電膜的靶中使用的氧化物燒結體中，含有由銦和鎵構成的i3-Ga203型結構的Galn0d@，此外還可以含有(Ga，Ιη)203相。[0077]另外，本發(fā)明的第一氧化物燒結體如上所述，特征是固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的111203相為主相，由于由銦和鎵構成的i3_Ga203型結構的Galn03相少，所以下式⑴定義的X射線衍射峰強度比為8%~58%。X射線衍射峰強度比如果小于8%，則氧化物燒結體中的Galn03相過少，透明導電膜對藍光的吸收變大；另一方面，如果超過58%，則出現(xiàn)形成的透明導電膜的電阻率過高，或者濺射時，大量產(chǎn)生飛弧等問題，所以不合適。[0078]I[GaIn03相(111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(111)]}X100[%](1)[0079](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(111)]表示0-Ga2O3型結構的復合氧化物P-GalnOjg(111)的峰強度)。[0080](b)鎵含量[0081]第一氧化物燒結體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％。[0082]鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計小于10原子％時,氧化物燒結體幾乎只由固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相構成。因此，無法形成不含上述復合氧化物，而具有上述光學性質的透明導電膜。[0083]另一方面，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計超過35原子％時，氧化物燒結體中含有由銦和鎵構成的i3_Ga203型結構的Galn03相以及(Ga，In)203相，但是該比例增加了上述2相作為主相存在，在它們之中，存在固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相。這種氧化物燒結體和專利文獻4的已有的燒結體相同，在通過濺射法等形成時，由于成膜速度慢，i3-Ga203型結構的Galn03相以及(Ga，In)203相增多，所以成膜速度低下，工業(yè)生產(chǎn)效率低下。另外，形成的透明導電膜的電阻率難以顯示為2Χ10_3Ω._以下，進而難以實現(xiàn)本發(fā)明的基本目標，也就是104Ω.cm等級的電阻率。[0084](c)燒結體構成和結節(jié)[0085]加工本發(fā)明的氧化物燒結體，例如形成直流濺射用靶時，在靶表面存在Ιη203相和Galn03相、和/或(Ga，Ιη)203相的晶粒，如果以體積比例進行比較，氧化物燒結體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計如果在10原子％以上、小于35原子％，則如上所述，Ιη203相的晶粒的體積比例高。假設是這種靶，通常不會在靶表面產(chǎn)生結節(jié)。但是，即使是銦和鎵為上述組成范圍的氧化物燒結體，也可能會出現(xiàn)在祀表面產(chǎn)生結節(jié)的問題。[0086]這是大量存在Galn03相以及(Ga，Ιη)203相的情形。Galn03相以及(Ga，Ιη)203相如果和Ιη203相相比，電阻更高，而且具有復合氧化物所特有的強力化學鍵，所以難以濺射。一般的ΙΤ0氧化物燒結體由平均粒徑為10μm這樣的粗大的Ιη203相的晶粒構成，但是含有上述組成范圍的銦和鎵氧化物燒結體由和ΙΤ0同樣粗大的晶粒構成時，Ιη203相的晶粒優(yōu)先被濺射，另一方面，Galn03相或Galn03相和(Ga，Ιη)203相的晶粒無法濺射，Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相的粗大晶粒挖剩在靶表面。以該挖剩部為起點，馬上就產(chǎn)生結節(jié)，頻繁產(chǎn)生飛弧等異常發(fā)電。[0087]為了抑制上述挖剩效果、也就是結節(jié)，必須使含有上述組成范圍的銦和鎵的氧化物燒結體的構造微細化。也就是，有效的是使該氧化物燒結體中的Galn03相或Galn03相和(Ga,Ιη)203相的晶粒微細地分散。由于Galn03相和(Ga，Ιη)203相最初是導電體，其本身不會成為異常放電的原因，微細分散也難以成為結節(jié)生長的起點。[0088]在圖1中表示鎵以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計含有20原子％的氧化物燒結體的掃描型電子顯微鏡(SEM)的SEM圖像，其中該氧化物燒結體是使6&11103相、或Galn03相和(Ga，ln)203相的晶粒微細分散的一個例子。在白色陣列中，存在無定形的黑色的粒點。從EDS(能量散射光譜，EnergyDispersiveSpectroscopy)分析的結果可以知道黑色的晶粒是Galn03相、或Galn03相和(Ga,In)203相，周圍的白色晶粒是Ιη203的晶粒。GalnOjg、或Galn03相和(Ga，In)203相的晶粒平均粒徑為5μm以下，而且如果使用加工該燒結體形成的靶，則濺射時，幾乎不會以挖剩部為起點產(chǎn)生結節(jié)。由此表明只要是如圖1所示在111203相中微細分散Galn03相的構造，在濺射時可以有效抑制結節(jié)。[0089]因此，為了抑制結節(jié)，由Galn0d@、或由Galn03相和(Ga，In)203相形成的晶粒的平均粒徑必須是5μπι以下。更優(yōu)選控制為3μπι以下。另外，氧化物燒結體中的鎵含量小于10原子％時,如上所述，由于是Ιη203單相結構,所以本發(fā)明的通過分散Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相的微細晶粒來抑制結節(jié)的方法是無效的。[0090]這樣，在規(guī)定氧化物燒結體中的Galn03相、或Galn03相和(Ga，Ιη)203相的分散狀態(tài)的同時，還要規(guī)定和Ιη203相的構成比。本發(fā)明的氧化物燒結體中，主相Ιη203相和分散相Galn03的構成比以前述(1)式定義的X射線衍射峰強度比計為8~58%。相對于此，本申請人:的專利文獻4中，記載了透明導電膜制造用燒結體靶的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為35原子％以上、45原子％以下，和本發(fā)明的組成范圍雖不同，下式(2)定義的X射線衍射峰強度比為50~110%，也就是如果換算為前述(1)式定義的X射線衍射峰強度比，為48~67%，和本發(fā)明的X射線衍射峰強度比的范圍部分重疊。這可以推測主要是由于原料粉末的平均粒徑的差異產(chǎn)生的Galn03相的粒徑和分散性不同，以及燒結反應中擴散行為不同的影響。[0091]Ι[1η203相(400)]/I[GaIn03相(111)]X100[%](2)[0092](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(111)]表示0-Ga2O3型結構的復合氧化物P-GalnOjg(111)的峰強度)。[0093]一般來說，通過使構成氧化物燒結體的晶粒微細化，可以提高強度。在本發(fā)明中，由于具有上述燒結體的構造，通過提高輸入的直流功率，即使受到熱等的沖擊，氧化物燒結體也難以破裂。[0094](II)第二氧化物燒結體[0095]另外，本發(fā)明的第二氧化物燒結體的特征是在含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μm以下的晶粒微細地分散，除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~30原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為1~11原子％。[0096]也就是說，在本發(fā)明中，在含有銦和鎵的氧化物燒結體中，可以進一步含有選自錫、鍺、硅、鈮、鈦、鋯、鉿、鈰、鑰或鎢的1種以上的添加成分。作為添加成分特別有效的是錫、鍺。添加成分的含量沒有特別的限定，以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，優(yōu)選為1~11原子％。添加成分的含量更優(yōu)選為2~10原子％。[0097]氧化物燒結體由于含有選自錫、鍺的1種以上的添加成分，所以氧化物燒結體不僅電阻率降低，成膜速度提高，而且形成的透明導電膜的電阻率也進一步降低。在這種情況下，選自錫、鍺的1種以上的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計小于1原子％時，無法得到這樣的效果；如果超出11原子％，反而有損本發(fā)明的目的。另外，如果考慮到形成的透明導電膜的低電阻率化，選自錫、鍺的1種以上的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計更優(yōu)選為2~10原子％。另外，在工業(yè)有用的低溫成膜條件下，必須降低可視區(qū)域短波長側、也就是藍光的吸收，在這種情況下，如果添加選自錫、鍺的1種以上，則可能損害上述性質。這是因為考慮到下述場合，在低溫成膜時，從形成的非晶質膜的錫、鍺選出的1種以上的一部分有可能形成光吸收大的Sn0、Ge0。[0098]在含有上述原子比范圍的選自錫、鍺的1種以上時，鎵的含量以Ge/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計優(yōu)選為2~30原子％。鎵含量更優(yōu)選為2~20原子％。與不含錫、鍺的情形相比，在本發(fā)明的組成范圍中含有更低的Ga原子比的理由是:在含有錫、鍺時，即使是相同的Ga原子比，也可`以大量形成前述Galn03相和(Ga,Ιη)203相。Ga原子比低于該范圍時，和不含錫、鍺的情形同樣地，氧化物燒結體只由固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相構成，所以不合適。另一方面，如果超過該范圍，則Galn03相和(Ga，Ιη)203相成為主相，Ιη203相成為分散相。在將這種燒結體在濺射靶等中使用進行成膜時，沒有產(chǎn)生起初擔心的結節(jié)問題。另外，不僅成膜速度低下，而且形成的透明導電膜也難以顯示出低電阻率。[0099]另外，在含有上述原子比范圍的選自錫、鍺的1種以上的情況下，也就是，在第二氧化物燒結體中，和第一氧化物燒結體同樣地，以固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相作為主相，以由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相為分散相。但是，和第一氧化物燒結體不同的是，通過添加選自錫、鍺的1種以上，在Galn03相中產(chǎn)生取向性。因此，X射線衍射峰強度比優(yōu)選不是前述式(1)，而是由下式(3)定義。此時，下式(3)定義的X射線衍射峰強度比優(yōu)選為4~84%。[0100]I[GaIn03相(-111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(-111)]}X100[%](3)[0101](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(-111)]表示0-Ga2O3型結構的復合氧化物P-GalnOjg(-111)峰強度)。[0102]可以推測在第二氧化物燒結體中，由于選自錫、鍺的1種以上固溶在Galn03相中，所以產(chǎn)生(-111)面優(yōu)先成長這樣的取向性。由于有取向性，所以在表觀上，式⑶定義的X射線衍射峰強度比選取的值范圍比前述式⑴的更寬。另外，X射線衍射峰強度比如果小于4%，則氧化物燒結體中的Galn03相過少，透明導電膜對藍光的吸收變大；另一方面，如果超過84%，則產(chǎn)生形成的透明導電膜的電阻率過高，或者濺射時大量產(chǎn)生飛弧等問題，所以不合適。[0103]另外，為了抑制飛弧，第二氧化物燒結體中，由Galn03相、或由Galn03相和(Ga,In)203相形成的晶粒的平均粒徑也必須是5μm以下，更優(yōu)選為控制在3μηι以下，這方面和第一氧化物燒結體相同。[0104]另外，通過添加選自錫、鍺的1種以上，有可能在一定程度上產(chǎn)生不同的復合氧化物相。例如，可以列舉出JCPDS卡51-0204記載的Ga2.4In5.6Sn2016相、JCPDS卡51-0205記載的Ga2In6Sn2016相或JCPDS卡51-0206記載的GaL6In6.4Sn2016相等通式Ga3_xIn5+xSn2016(0.3<χ<1.5)所示的四方晶的復合氧化物相等。這些復合氧化物相的導電性等各種性質不會影響Ιη203相，但由于具有和Galn03相同等的性質，所以即使在氧化物燒結體中少量分散，在濺射等成膜時也不會有任何問題。另外，形成的透明導電膜也顯示出相同的各種性質，沒有任何問題。當然，為了抑制結節(jié)，氧化物燒結體中的這些復合氧化物相的晶粒的平均粒徑和Galn03相同樣地,必須是5μm以下,更優(yōu)選為控制為3μm以下。[0105]另外，本發(fā)明的氧化物燒結體希望基本上不含Zn。因為在含鋅時，以其作為原料形成透明導電膜對可見光的吸收變大。還可以認為因為低溫成膜時，透明導電膜中，鋅以金屬的狀態(tài)存在。[0106]另外，雖然描述的是錫、鍺和鋅，但是以它們?yōu)榇恚部梢砸噪s質元素的形式含有娃、銀、欽、錯、給、鋪、鑰、鶴，以及依、釘、鍊等。[0107]2.氧化物燒結體的制造方法`[0108]本發(fā)明的氧化物燒結體的制造方法的特征在于:混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結，來制造氧化物燒結體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為1μm以下而形成氧化物燒結體，該氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主晶相，在主晶相中，由Galn03相或由Galn03相和(Ga，Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細微分散。[0109]也就是，具有上述的相結構以及各相組成的氧化物燒結體的性能極大依賴于氧化物燒結體的制造條件，例如原料粉末的粒徑、混合條件和燒制條件。[0110]本發(fā)明的氧化物燒結體必須使用平均粒徑調節(jié)為1μm以下的氧化銦粉末和氧化鎵粉末作為原料粉末。作為本發(fā)明的氧化物燒結體的構造必須同時存在下述構造:111203相為主相，由6&1]103相、或由Galn03相和(Ga,In)203相形成的晶粒的平均粒徑為5μηι以下。更優(yōu)選為由Galn03相、或由Galn03相和(Ga，Ιη)203相形成的晶粒在主相中微細分散，平均粒徑為3μπι以下的構造。另外，有可能在第二氧化物燒結體中產(chǎn)生的其它復合氧化物，例如Ga2.4In5.6Sn2016相、Ga2In6Sn2016相以及GauInj^SnjAj；相等也優(yōu)選為同樣的微細構造。[0111]為了形成這樣的微細構造，必須將原料粉末的平均粒徑調節(jié)為lym以下。如果使用平均粒徑超過1μm的氧化銦粉末和氧化鎵粉末為原料粉末，則所得的氧化物燒結體中，和作為主相的Ιη203相一起存在的由Galn03相、或由Galn03相和(Ga,In)203相形成的晶粒的平均粒徑超過5μm。如前所述,Galn03相、或Galn03相和(Ga,Ιη)203相的平均粒徑超過5μm的大晶粒難以濺射，如果連續(xù)地濺射，則成為靶表面比較大的殘留物，其成為結節(jié)的起點，成為飛弧等異常放電的原因。在前述專利文獻4中，雖然顯示了存在由6&11103相、或由Galn03相和(Ga,In)203相形成的晶粒，但是并未關注晶粒的構造和抑制結節(jié)的關系。[0112]氧化銦粉末是ΙΤ0(銦-錫氧化物)的原料，燒結性優(yōu)異的微細氧化銦粉末的開發(fā)隨著ΙΤ0的改良進行。而且，到目前為止氧化銦粉末一直作為ΙΤ0原料大量使用，所以容易獲得平均粒徑1μm以下的原料粉末。然而，使用氧化鎵粉末時，與氧化銦粉末相比，由于用量少，所以難以獲得平均粒徑lym以下的原料粉末。因此，必須將粗大的氧化鎵粉末粉碎到平均粒徑為Ιμπ?下。另外，用于得到第二氧化物燒結體添加的氧化錫粉末和氧化鍺粉末的情況分別和氧化銦粉末、氧化鈣粉末的情況相同，對氧化鍺也必須將粗大粉末粉碎到平均粒徑1μm以下。[0113]為了得到本發(fā)明的氧化物燒結體，將含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法，將成形物燒結，或者通過熱壓法將混合粉末成形燒結。常壓燒制法是簡單且工業(yè)有利的方法，是優(yōu)選的方法，但是根據(jù)需要也可以使用熱壓法。[0114]使用常壓燒制法時，首先制造成形體。將原料粉末放入樹脂制的瓶中，和粘合劑(例如，PVA)—起，用濕式球磨等混合。本發(fā)明的和作為主相的Ιη203相一起存在的由Galn03相、或由Galn03相和(Ga，Ιη)203相形成的晶粒的平均粒徑為5μm以下，為了得到晶粒微細分散的氧化物燒結體，優(yōu)選進行18小時以上的上述球磨混合。此時，作為混合使用的球可以使用硬質的Zr02球。混合后，取出漿液，過濾、干燥、制粒。之后，將所得的制粒顆粒通過冷等靜壓壓機施加9.8MPa(0.lton/cm2)~294MPa(3ton/cm2)這樣的壓力，成形，作為成形體。[0115]常壓燒制法的燒結工序中，在存在氧氣的氣氛下，加熱到規(guī)定的溫度范圍。溫度范圍根據(jù)是將燒結體在濺射時使用，或者在離子電鍍中使用來決定。假設是濺射使用，在1250~1450°C，更優(yōu)選在燒結爐內的空氣中導入氧氣形成的氣氛中，在1300~1400°C下燒結。燒結時間優(yōu)選為10~30小時，更優(yōu)選為15~25小時。[0116]另一方面，假設是離子電鍍使用，在存在氧氣的氣氛中，在1000~1200°C下，將成形體燒結10~30小時。更優(yōu)選的是在燒結內的空氣中導入氧氣的形成的氣氛中，在1000~1100°C下燒結。燒結時間優(yōu)選為15~25小時。[0117]燒結溫度選取上述范圍，使用前述平均粒徑調節(jié)為lym以下的氧化銦粉末和氧化鎵粉末作為原料粉末，可以得到在Ιη203相陣列中，由晶粒平均粒徑為5μπι以下，更優(yōu)選為3μπι以下的6&11103相，或者Galn03相和(Ga，In)203相形成的晶粒微細分散的致密的氧化物燒結體。[0118]如果燒結溫度過低，則燒結反應無法充分進行。特別是為了得到密度6.0g/cm3以上的氧化物燒結體，希望燒結溫度是1250°C以上。另一方面，如果燒結溫度超過1450°C，則明顯形成(Ga，Ιη)203相，Ιη203相和Galn03相的體積比例減少，難以將氧化物燒結體控制為上述微細分散的構造。[0119]燒結氣氛優(yōu)選為存在氧氣的氣氛，更優(yōu)選燒結爐內的空氣導入氧氣形成的氣氛。通過在燒結時存在氧氣，可以使氧化物燒結體的密度很高。升溫到燒結溫度時，為了防止燒結體破裂，脫去粘合劑，升溫速度優(yōu)選為0.2~5°C/分鐘的范圍。另外，根據(jù)需要，可以組合不同的升溫速度，升溫到燒結溫度。在升溫過程中，基于脫去粘合劑和進行燒結的目的，可以在特定溫度下保持一定時間。優(yōu)選在燒結后，冷卻時，停止輸入氧氣，以0.2~5°C/分鐘、特別是0.2V/分鐘以上、小于1°C/分鐘范圍的降溫速度，降溫到1000°C。[0120]在本發(fā)明中，采用熱壓法的情形，將混合粉末在不活潑氣體氣氛或真空中，在2.45~29.40MPa的壓力下、700~950°C下成形、燒結1~10小時。熱壓法與上述常壓燒制法相比，在還原氣氛下，將氧化物燒結體的原料粉末成形、燒結，所以可以降低燒結體中的含氧量。但是，在超過950°C的高溫下，氧化銦被還原，以金屬銦的形式熔融，所以要注意。[0121]舉出本發(fā)明通過熱壓法制造氧化物燒結體的條件的一個例子。也就是，以平均粒徑1μm以下的氧化銦粉末以及平均粒徑1μm以下的氧化鎵粉末，或者平均粒徑1μm以下的氧化錫粉末或平均粒徑lym以下的氧化鍺粉末為原料粉末，將這些粉末調配為規(guī)定比例。[0122]調配的原料粉末和常壓燒制法的球磨混合同樣地，優(yōu)選的混合時間是18小時以上，充分混合、制粒。接著，將制粒的混合粉末供應給碳容器中，通過熱壓法燒結。燒結溫度是700~950°C，壓力是2.45MPa~29.40MPa(25~300kgf/cm2)，燒結時間是1~10小時。熱壓時的氣氛優(yōu)選為氬氣等不活潑氣體氣氛或者真空。[0123]得到濺射用靶時，更優(yōu)選的燒結溫度是800~900°C，壓力是9.80~29.40MPa(100~300kgf/cm2)，燒結時間為1~3小時。另外，得到離子電鍍用靶時，更優(yōu)選的燒結溫度是700~800°C，壓力是2.45~9.80MPa(25~100kfg/cm2)，燒結時間為1~3小時。[0124]另外，在前述專利文獻2中，記載的主旨是氧化物燒結體的制造條件為將Ga203和Ιη203各種粉末分別以33.0、67mol%的摩爾比例均勻地混合后，在氬氣中、1000°C燒制5小時(實施例1)。然而，沒有記載Ga203和Ιη203粉末的平均粒徑，而且是在1000°C這樣比較低的溫度下燒制。這樣制造的靶無法燒結，而且是低密度的，所以如果在濺射時輸入高直流功率，則大量產(chǎn)生飛弧。另外，特別是沒有記載將Ga203粉末調節(jié)為微細粉末等內容，所以推測使用的是平均粒徑超過1μm的粗大粉末，在這種情況下，作為原料的氧化物燒結體的構造是由Galn03相、或由Galn03相和(Ga,Ιη)203相形成的晶粒的平均粒徑大幅度地超過5μm,提高成膜速度進行濺射，從而產(chǎn)生結節(jié)。[0125]3.革巴[0126]本發(fā)明的靶是將上述氧化物燒結體切斷為規(guī)定大小，對表面研磨加工，粘合到支撐板上得到。本發(fā)明中，靶包含濺射用靶和離子電鍍用靶。[0127]在為濺射用靶時，密度優(yōu)選為6.3g/cm3以上。在密度小于6.3g/cm3時，成為產(chǎn)生裂紋、破碎、結節(jié)的原因。另外，作為離子電鍍用靶使用時，密度優(yōu)選控制為3.4~5.5g/cm3。如果低于3.4g/cm3，則由于燒結體自身的強度差，所以僅僅由于局部的熱膨脹，就容易產(chǎn)生裂紋、破碎。如果密度超過5.5g/cm3，則輸入電子束時，無法吸收局部產(chǎn)生的應力和扭曲，容易產(chǎn)生裂紋。[0128]在上述氧化物燒結體的制造方法中，濺射用靶和離子電鍍用靶的燒結條件不同就是因為這個原因。濺射使用時，優(yōu)選的是采用常壓燒制法，將成形體在存在氧氣的氣氛下，在1250~1450°C下燒結10~30小時，或者采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.45~29.40MPa的壓力、700~950°C下，成形燒結1~10小時。另外，在離子電鍍使用時，優(yōu)選采用常壓燒制法，將成形體在存在氧氣的氣氛下，在1000~1200°C下燒結10~30小時，使密度范圍比如上述的濺射用靶的更低。[0129]4.含銦和鎵的透明導電膜及其成膜方法[0130]本發(fā)明的透明導電膜是使用上述靶，通過濺射法或離子電鍍法，在基板上形成得到的非晶質的透明導電膜。[0131]本發(fā)明的透明導電膜包括下述這兩類:鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％的透明導電膜(以下，將其稱作第一透明導電膜)，或者除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％的透明導電膜(以下，稱作第二透明導電膜)。[0132]對于形成透明導電膜的濺射法等來說，為了提高成膜速度，一般是提高輸入的直流功率。在本發(fā)明中，含有銦和鎵的第一氧化物燒結體如上所述，是將該氧化物燒結體中的Ιη203相和Galn03相，或Ιη203相和Galn03相、(Ga,Ιη)203相的晶粒細微化，該氧化物燒結體中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10~30原子％;而且第二氧化物燒結體是鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％。[0133]由于Galn03相和(Ga，ln)203相在Ιη203相中微細地分散，所以難以成為結節(jié)的起點，即使提高輸入的直流功率，也可以抑制結節(jié)產(chǎn)生，從而可以抑制飛弧等異常放電。[0134]通過濺射法在基板上形成本發(fā)明的透明導電膜時，特別是，直流(DC)濺射法，成膜時的熱影響小，可以高速成膜，所以在工業(yè)上有利。通過直流濺射法形成本發(fā)明的透明導電膜時，作為濺射氣體優(yōu)選使用不活潑氣體和氧氣，特別是由氬氣和氧氣形成的混合氣體。另外，更優(yōu)選使濺射裝置的腔室內壓力為0.1~IPa，特別是0.2~0.8Pa，進行濺射。[0135]在本發(fā)明中，例如真空抽氣到2X10_4Pa以下后，導入由氬氣和氧氣形成的混合氣體，使氣壓為0.2~0.5Pa，施加直流功率以使直流功率相對于靶的面積，也就是直流功率密度為1~3W/cm2這樣范圍，產(chǎn)生直流等離子體，進行預濺射。優(yōu)選進行5~30分鐘該濺射后，根據(jù)需要修正基板位置后，進行濺射。[0136]在本發(fā)明中，可以不加熱基板在室溫下成膜，也可以將基板加熱到50~300°C，特別是80~200°C?；迨菢渲濉渲∧さ鹊腿埸c基板時，希望是在不加熱下成膜。使用由上述本發(fā)明的氧化物燒結體制造的濺射靶的話，可以通過直流濺射法，以比較高的成膜速度，在基板上制造光學性質、導電性優(yōu)異的透明導電膜。[0137]另外，使用從上述氧化物燒結體制造的離子電鍍用靶(也稱作片料或粒料)時，也可以同樣地形成透明導電膜。如前所述，在使用離子電鍍法時，如果對作為蒸發(fā)源的靶，照射電子束或電弧放電的熱量等，照射的部分局部形成高溫，蒸發(fā)粒子蒸發(fā)，在基板上堆積。此時，蒸發(fā)粒子由于電子束和電弧放電離子化。離子化的方法包括各種方法，但是使用等離子體發(fā)生裝置(等離子體槍)的高密度等離子體加速蒸鍍法(HDPE法)適合形成優(yōu)質的透明導電膜。在該方法中，利用使用等離子體槍進行電弧放電。該等離子體槍內藏的陰極和蒸發(fā)源的坩堝(陽極)間，保持電弧放電。從陽極放出的電子通過磁場轉向，引入坩堝內，集中照射在裝在坩堝內的靶的局部位置。從通過該電子束局部形成高溫的部分蒸發(fā)粒子蒸發(fā)，堆積在基板上。作為氣化的蒸發(fā)粒子和反應氣體輸入的02氣用于在該等離子體內離子化和活化，可以制造優(yōu)質的透明導電膜。[0138]本發(fā)明的透明導電膜使用加工本發(fā)明的氧化物燒結體制造的靶，如上所述，通過濺射法或離子電鍍法制造，與基板溫度無關，以非晶質狀態(tài)存在。[0139]一般來說，ΙΤ0膜在室溫下是非晶質的，在基板溫度為200°C左右時，為晶體。但是，本發(fā)明的透明導電膜即使基板溫度為300°C，也可以保持非晶質。作為在高溫下也保持非晶質的理由，可以認為是在作為原料的本發(fā)明的氧化物燒結體中，存在微細分散為5μπι以下、優(yōu)選為3μπι以下的GalnOjg、或者Galn03相和(Ga，Ιη)203相。可以認為在本發(fā)明的透明導電膜中，混合存在來自這些微細分散的復合氧化物相的非晶質部分和來自Ιη203相的非晶質部分。可以推測因為前者即使是超過400°C的高溫，也不能簡單地形成結晶，所以本來容易形成結晶的后者也無法形成結晶。[0140]由于本發(fā)明的透明導電膜如上所述是非晶質膜，所以表示膜的表面粗糙度的算術平均高度Ra為l.0nm以下，非常平坦。如上所述，表面是平坦的膜適合避免膜的凹凸產(chǎn)生的漏電的有機EL等用途。另外，非晶質的透明導電膜具有在濕法蝕刻時，不會產(chǎn)生殘渣的優(yōu)點。因此，在要求透明導電膜的布線圖案細線化的液晶顯示器的TFT的用途等中特別有用。[0141]本發(fā)明的透明導電膜的膜厚根據(jù)用途而異，沒有特別的規(guī)定，可以是10~500nm，優(yōu)選為50~300nm。如果小于10nm,則無法保證有足夠的電阻率；另一方面，如果超過500nm，則膜的著色產(chǎn)生問題，所以不優(yōu)選。[0142]另外，本發(fā)明的透明導電膜的可視區(qū)域(400~800nm)下的平均透光率為80%以上，優(yōu)選為85%以上，更優(yōu)選為90%以上。如果平均透光率小于80%，則對有機EL元件的應用產(chǎn)生問題。[0143]本發(fā)明的透明導電膜特別是在可視區(qū)域短波長側的光吸收少，透光率高。通常，室溫下成膜的IT0膜，與波長400nm附近相比，短波長側的吸收更大，波長400nm時的衰減系數(shù)超過0.04。相對于此，本發(fā)明的透明導電膜在波長400nm時的衰減系數(shù)顯示為0.04以下，對于第一透明導電膜來說，在鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為20原子％以上、小于35原子％時，為0.03以下。因此，適合作為輸出波長400nm左右的光的藍色LED的透明電極。[0144]一般來說，為了在寬范圍用途中使用透明導電膜，電阻率優(yōu)選為2Χ10_3Ω.cm以下。在上述的液晶顯示器和藍色LED等用途中，要求電阻率小于1Χ10_3Ω*cm.使用本發(fā)明的含銦和鎵的氧化物燒結體得到的透明導電膜的電阻率由于In成分增加而降低。由于本發(fā)明的透明導電膜顯示出2Χ10_3Ω.cm以下的電阻率，所以可以適合各種裝置使用。此外，對于第一透明導電膜來說，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10~25原子％的組成范圍顯示出小于1Χ10_3Ω.cm的電阻率，而且，對第二透明導電膜來說，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~20原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~10原子％時，同樣顯示出小于1X10-3Ω.cm的電阻率，在上述可視區(qū)域短波長側的光學性質也有優(yōu)越性，所以特別適合藍色LED等用途使用。[0145]5.透明導電性基材[0146]本發(fā)明的透明導電性基材是在透明基板的一面或兩面上形成上述透明導電膜。透明基板通常選自玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜。[0147]該透明導電性基材是使前述透明導電膜起到IXD、PDP或EL元件等顯示板的陽極和/或陰極功能的基材。作為基材由于兼作透光性的支持體，所以必須具有一定強度和透明性。[0148]作為構成樹脂板或樹脂膜的材料，可以列舉出例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚醚砜(PES)、聚芳酯(PAR)、聚碳酸酯(PC)等，可以是在它們的表面覆蓋丙烯酸樹脂的結構的樹脂板或樹脂膜。[0149]基材的厚度沒有特別的限定，只要是玻璃板或石英板，可以是0.5~10mm，優(yōu)選為1~5mm,為樹脂板或樹脂膜時，為0.1~5mm,優(yōu)選為1~3mm。如果厚度比該范圍更薄，貝丨J強度差，使用也困難。另一方面，如果比該范圍更厚，則不僅透明性差，而且重量也變大，不優(yōu)選。[0150]在上述基材上，可以形成單層或多層構成的絕緣層、半導體層、隔氣層或保護層的任意的層。作為絕緣層包括氧化硅(S1-Ο)膜或氮化氧化硅(S1-0-Ν)膜等，作為半導體層，包括薄膜晶體管(TFT)等，主要在玻璃基板上形成；隔氣層作為水蒸氣隔氣膜等，在樹脂板或樹脂膜上形成氧化硅(S1-Ο)膜、氮化氧化硅(S1-0-Ν)膜、鋁酸鎂(Al-Mg-Ο)膜或氧化錫類(例如，Sn-S1-Ο)膜等。保護層是用于防止基材表面的損傷或沖擊的層，可以使用Si系、Ti系、丙烯酸樹脂系等各種涂層。另外，能在基材上形成的層沒有特別的限定，還可以設置具有導電性的薄金屬膜等。[0151]根據(jù)本發(fā)明得到的透明導電性基材可以形成在電阻率、透光率、表面平整性等方面具有優(yōu)異的性質的透明導電膜，所以作為各種顯示板的構成部件極為有用。另外，作為具有上述透明導電性基材的電子電路的封裝部件，除了有機EL元件以外，還可以列舉出激光部件等。[0152]實施例[0153]在下文中，使用本發(fā)明的實施例，進行更詳細地說明，但是本發(fā)明并不受到這些實施例的限定。[0154]<氧化物燒結體的評價>[0155]使用所得的氧化物燒結體的端材，通過阿基米德法求得燒結體的密度。接著，將端材的一部分粉碎，使用X射線衍射裝置(飛利浦制造)，通過粉末法對生成相鑒定。然后，對含有氧化物形式的銦和鎵的氧化物燒結體，求得通過下述式(1)定義的X射線衍射峰強度比。[0156]I[GaIn03相(111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(111)]}X100[%](1)[0157]但是，對除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的添加成分的氧化物燒結體(實施例8、11~15)，求得下述式(3)定義的X射線衍射峰強度比。[0158]I[GaIn03相(-111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(-111)]}X100[%](3)[0159](式中，I[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(111)]或I[GaIn03相(-111)]表示β_Ga203型結構的復合氧化物β-Galn03相(111)或(-111)峰強度)。[0160]使用一部分粉末，通過氧化物燒結體的ICP發(fā)光分光法，進行組成分析。此外，使用SEM(力一了4^制造)，觀察氧化物燒結體的構造。從SEM圖像的圖像分析結果，求得由Galn03相形成的晶粒的平均粒徑。[0161]〈評價透明導電膜的基本性質〉[0162]通過ICP發(fā)光分光法，研究所得的透明導電膜的組成。透明導電膜的膜厚通過表面粗糙度計(今一力公司制造)測定。成膜速度從膜厚和成膜時間算出。膜的電阻率由通過四探針法測定的表面電阻和膜厚的積算出。膜的生成相和氧化物燒結體同樣地，通過X射線衍射測定鑒定。另外，衰減系數(shù)通過分光偏振光橢圓率測量儀(ellipsometer)(J.A.ffoolam制造)測定，特別是為了評價藍光的吸收性質，和波長400nm時的衰減系數(shù)進行比較。[0163](實施例1)[0164]將氧化銦粉末和氧化鎵粉末調節(jié)為平均粒徑為1μm以下，作為原料粉末。調合這些粉末以使鎵含量以Ga/(In+Ga)所示的原子數(shù)比計為10原子％，和水一起加入樹脂制的罐中，通過濕式球磨混合。此時,使用硬質的Zr02球，混合時間為18小時?；旌虾?，取出漿液，過濾、干燥、制粒。將制粒的粒子通過冷等靜壓壓機，施加3ton/cm2的壓力成形。[0165]接著，如下燒結成形體。以每0.lm3的爐內面積，5L/分鐘的比例，往燒結爐內的空氣中導入氧氣，在形成氣氛中，在1400°C的燒結溫度下，燒結20小時。此時，以1°C/分鐘升溫，燒結后冷卻時，停止輸入氧氣，以10°C/分鐘降溫到1000°C。[0166]將所得的氧化物燒結體加工為直徑152mm、厚度5mm的大小，用杯形(力)砂輪，研磨濺射面以使最大高度Rz為3.0μm以下。加工的氧化物燒結體在無氧銅制的支持片上，使用金屬銦粘結，形成濺射靶。[0167]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，Ιη)203相構成。前述式⑴所示的Galn0j@(111)的X射線衍射峰強度比為8%。[0168]測定氧化物燒結體的密度時，為6.97g/cm3。接著，通過SHM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.9μm。[0169]接著，在裝備了沒有抑制飛弧功能的直流電源的直流磁控管濺射裝置(7木力〃制造)的非磁性靶用陰極上，安裝上述濺射靶?；迨褂脽o堿玻璃基板(-一-#7059)，以靶-基板間的距離固定為60mm。真空抽氣到小于1X10_4Pa后，導入氬氣和氧氣的混合氣體以使氧氣比例為1.5%，將氣壓調節(jié)為0.5Pa。另外，上述氧氣比例為1.5%時，顯示為最低電阻率。[0170]施加直流功率200W(1.lOW/cm2)，產(chǎn)生直流等離子體，進行濺射。繼續(xù)進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh,其中累積輸入功率是從輸入的直流功率和濺射時間的乘積算出的。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定飛弧產(chǎn)生的次數(shù)。任何的功率下，都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0171]接著，通過直流濺射成膜。在10分鐘的預濺射后，在濺射靶正上方，也就是在靜止相對的位置上配置基板，不加熱，在室溫下進行濺射，形成膜厚200nm的透明導電膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為93nm/min。接著，測定膜的電阻率為4.9Χ10_4Ω.cm0膜的生成相通過X射線衍射測定調查的結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03198。以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所[0172](實施例2)[0173]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的方法制造氧化物燒結體。[0174]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，ln)203相構成。接著，在圖2中表示氧化物燒結體的X射線衍射圖。前述式(1)所示的6&11103相(111)的X射線衍射峰強度比為30%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.84g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.6μm。[0175]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。在圖3中表示各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)。無論哪個功率均沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率的每一分鐘的飛弧發(fā)生平均次數(shù)為零。[0176]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著，測定膜的電阻率為7.8X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02769。[0177]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0178](實施例3)[0179]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?5原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的方法制造氧化物燒結體。[0180]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為39%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.77g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.5μπι。[0181]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0182]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著，測定膜的電阻率為8.8X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02591。[0183]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0184](實施例4)[0185]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的方法制造氧化物燒結體。[0186]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為49%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.70g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.8μπι。[0187]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0188]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為84nm/min。接著，測定膜的電阻率為1.4Χ10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定而調查的結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02361。[0189]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0190](實施例5)[0191]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?4原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的`方法制造氧化物燒結體。[0192]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，Ιη)203相構成。前述式(1)所示的Galn0j@(111)的X射線衍射峰強度比為58%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.63g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為4.1μm。[0193]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0194]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為81nm/min。接著，測定膜的電阻率為2.0X10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02337。[0195]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0196](實施例6)[0197]除了將燒結溫度改變?yōu)?250°C以外，條件不變，通過和實施例2相同的方法制造氧化物燒結體。[0198]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為28%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.33g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.4μπι。[0199]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0200]接著，通過直流濺射成膜。確認為所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為83nm/min。接著，測定膜的電阻率為9.1X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02743。[0201]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0202](實施例7)[0203]除了將燒結溫度改變?yōu)?450°C以外，條件不變，通過和實施例2相同的方法制造氧化物燒結體。[0204]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式(1)所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為31%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.88g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為3.3μπι。[0205]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0206]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為87nm/min。接著，測定膜的電阻率為8.0X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02776。[0207]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0208](實施例8)[0209]除了采用和實施例2相同的鎵原子數(shù)比，也就是使Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為20原子％，進而，作為添加成分，添加了平均粒徑lym以下的氧化錫粉末以Sn/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為6原子％以外，條件不變，通過和實施例2相同的方法制造氧化物燒結體。[0210]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式(3)所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為51%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.71g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.9μπι。[0211]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0212]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為89nm/min。接著，測定膜的電阻率為9.1X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定調查結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03482。[0213]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。另外，在使用氧化鍺粉末代替氧化錫粉末時，或者同時使用氧化錫粉末和氧化鍺粉末時，確認可以得到大致相同的結果。[0214](實施例9)[0215]將成膜方法改變?yōu)殡x子電鍍法，使用由和實施例2相同組成的氧化物燒結體形成的靶成膜。[0216]氧化物燒結體的制造方法是和實施例2的濺射靶的情形相同的制造方法，但是如前所述，在作為離子電鍍用片料使用時，由于必須降低密度，所以燒結溫度為1100°C以上。將片料預先成形，以使燒結后的尺寸為直徑30mm，高度40mm。所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的i3_Ga203型結構的Galn03相和(Ga，In)203相構成。前述式⑴所示的Galn0j@(111)的X射線衍射峰強度比為27%。測定氧化物燒結體的密度時，為4.79g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.1μm。[0217]使用這種氧化物燒結體為片料，通過離子電鍍法持續(xù)使用等離子體槍進行放電，直到片料無法使用。作為離子電鍍裝置使用可以進行高密度等離子體加速蒸鍍法(HDPE法)的反應性等離子體蒸鍍裝置。作為成膜條件是使蒸發(fā)源和基板間距為0.6m，等離子體槍的放電電流為100A，Ar流量為30SCCm，02流量為lOsccm。直到片料無法使用這期間，也沒有產(chǎn)生飛濺等問題。[0218]交換片料后，進行成膜。所得的透明導電膜的組成確認和片料大致相同。成膜速度可以為122nm/min，已知是和IT0相當?shù)母咚俪赡?。接著，測定膜的電阻率為6.5Χ10-4Ω.cm。膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.02722。以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0219](實施例10)[0220]在厚度100μm的PES(聚醚砜)膜基板上預先形成厚度lOOnm的氧化氮化硅膜作為隔氣膜，在該隔氣膜上通過和實施例2相同的工序，形成膜厚lOOnm的由含有銦和鎵的氧化物形成的透明導電膜，制作透明導電性基材。[0221]研究所得的透明導電性基材時，和實施例2同樣地形成的透明導電膜是非晶質的，電阻率為?.5Χ10_4Ω.cm，可視區(qū)域的平均透光率顯示為85%以上，所以確認獲得良好的性質。[0222](實施例11)[0223]除了將實施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?原子％，將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為10原子％以外，條件不變，通過和實施例8相同的方法制造氧化物燒結體。[0224]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式(3)所示的GalnOjH(-111)的X射線衍射峰強度比為4%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.87g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.8μπι。[0225]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0226]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，測定膜的電阻率為5.2X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定的調查結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03891。[0227]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。另外，在使用氧化鍺粉末代替氧化錫粉末時，或者同時使用氧化錫粉末和氧化鍺粉末時，確認可以得到大致相同的結果。[0228](實施例⑵[0229]除了將實施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為10原子％以外，條件不變，通過和實施例8相同的方法制造氧化物燒結體。[0230]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式(3)所示的GalnOjH(-111)的X射線衍射峰強度比為7%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.90g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.7μπι。[0231]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，沒有發(fā)現(xiàn)特別結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0232]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，測定膜的電阻率為5.ΟX10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03711。[0233]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0234](實施例13)[0235]除了將實施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?0原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為10原子％以外，條件不變，通過和實施例8相同的方法制造氧化物燒結體。[0236]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，Ιη)203相構成。前述式(3)所示的GaInOj@(-111)的X射線衍射峰強度比為48%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.99g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.5μm。[0237]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0238]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為90nm/min。接著，測定膜的電阻率為6.4X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03663。[0239]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。`[0240](實施例14)[0241]除了將實施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?5原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為2原子％以外，條件不變，通過和實施例8相同的方法制造氧化物燒結體。[0242]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認主要由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，Ιη)203相構成。另外，雖然很微弱，但是還確認有一部分Ga2In6Sn2016相存在。前述式(3)所示的6&11103相(-111)的X射線衍射峰強度比為32%。測定氧化物燒結體的密度時，為7.01g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時,GaInOd@的平均粒徑為2.6μm。另外，Ga2In6Sn2016相的結晶粒徑確認為3μm以下。[0243]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0244]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為89nm/min。接著，測定膜的電阻率為6.2X10_4Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03402。[0245]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0246](實施例15)[0247]除了將實施例8的鎵含量，也就是以Ga/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比改變?yōu)?0原子％，以及將錫改變?yōu)橐許n/(In+Ga+Sn)表示的原子數(shù)比計為3原子％以外，條件不變，通過和實施例8相同的方法制造氧化物燒結體。[0248]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga，Ιη)203相構成。前述式(3)所示的6&11103相(-111)的X射線衍射峰強度比為84%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.71g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.8μm。[0249]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，沒有特別發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，在各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0250]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為85nm/min。接著，測定膜的電阻率為1.8Χ10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定的調查結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03213。[0251]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0252](比較例1)[0253]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的方法制造氧化物燒結體。[0254]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。測定氧化物燒結體的密度時，為7.06g/cm3。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認只由方鐵錳礦型結構的Ιη203相構成。也就是，可以判定在該組成中，無法得到本發(fā)明的實質上由固溶了鎵的方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和/或(Ga，Ιη)203相構成的氧化物燒結體。因此，無法進行上述的靶評價，只能通過直流濺射成膜。[0255]通過直流濺射得到的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為86nm/min。接著，測定膜的電阻率為8.3X10_4Ω.cm。膜的生成相通過X射線衍射測定的調查結果，確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.04188。以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0256](比較例2)[0257]除了將以Ga/(In+Ga)表示的原子數(shù)比計的鎵含量改變?yōu)?0原子％以外，條件不變，通過和實施例1相同的方法制造氧化物燒結體。[0258]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為74%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.54g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為4.2μπι。[0259]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。在此期間，不產(chǎn)生飛弧，穩(wěn)定地放電。濺射結束后，觀察靶表面，特別是沒有發(fā)現(xiàn)結節(jié)的產(chǎn)生。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(直流功率密度為1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。任何功率下都沒有產(chǎn)生飛弧，各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)為零。[0260]接著，通過直流濺射成膜。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為62nm/min。接著，測定膜的電阻率為3.5X10_3Ω.Cm0膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.01811。[0261]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0262](比較例3)[0263]除了使用平均粒徑為3μm的氧化銦粉末和氧化鎵粉末以外，條件不變，通過和實施例2相同的方法制造氧化物燒結體。[0264]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,Ιη)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為42%。測定氧化物燒結體的密度時，為6.23g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為5.8μm。[0265]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。濺射開始后，暫時沒有產(chǎn)生飛弧，但是在接近累積時間時，立即產(chǎn)生飛弧。到達累積時間后，觀察靶表面時，確認產(chǎn)生大量結節(jié)。接著，將直流功率改變?yōu)?00、400、500、600W(1.10~3.29W/cm2)，在各功率下分別進行10分鐘的濺射，測定產(chǎn)生飛弧的次數(shù)。在圖3中和實施例2同樣地，表示各直流功率下，每1分鐘產(chǎn)生的飛弧的平均次數(shù)。從圖3表明隨著直流功率的增加，飛弧頻發(fā)。[0266]以該氧化物燒結體為濺射靶，直流濺射成膜。成膜時，經(jīng)常產(chǎn)生飛弧。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為71nm/min。接著，膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。測定膜的電阻率為4.1X10_3Ω.cm。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.03323。以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0267](比較例4)[0268]除了將燒結溫度改變?yōu)?000°C以外，條件不變，通過和實施例2相同的方法制造氧化物燒結體。[0269]所得的氧化物燒結體通過ICP發(fā)光分光法進行組成分析的話，可以確認和混合原料粉末時的加入組成大致相同。接著，通過X射線衍射測定對氧化物燒結體進行相鑒定時，可以確認由方鐵錳礦型結構的Ιη203相、由銦和鎵構成的β-Ga203型結構的Galn03相和(Ga,ln)203相構成。前述式⑴所示的GalnOjH(111)的X射線衍射峰強度比為26%。測定氧化物燒結體的密度時，為5.73g/cm3。接著，通過SEM觀察氧化物燒結體的構造時，Galn03相的平均粒徑為2.Ιμπι。[0270]以該氧化物燒結體為濺射靶，進行直流濺射。開始濺射后，在早期產(chǎn)生飛弧，無法持續(xù)濺射直到累積輸入功率值為12.8kwh。觀察靶表面，確認產(chǎn)生裂紋。因此，放棄測定飛弧產(chǎn)生的次數(shù)，嘗試在低功率下進行直流濺射。在到輸入功率為30W左右，可以濺射，但是如果超過50W，則產(chǎn)生飛弧。由此，可以判定無法實際成膜。[0271]以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0272](比較例5)[0273]使用市售的ΙΤ0靶(In203-10wt%Sn02，住友金屬礦山制造)，通過直流濺射成膜。測定ΙΤ0靶的密度時，為7.llg/cm3。所得的透明導電膜的組成確認和靶大致相同。測定成膜速度為92nm/min。接著，膜的生成相通過X射線衍射測定確認為非晶質。測定膜的電阻率為4.9Χ10_4Ω.cm。另外，測定波長400nm時的衰減系數(shù)為0.04308。以上的靶的評價結果和成膜評價結果如表1所示。[0274]【權利要求】1.一種氧化物燒結體，其特征在于:在含有銦和鎵的氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga,In)203相以平均粒徑為5μπι以下的晶粒微細地分散，不含有氧化鍺相，鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10原子％以上、小于35原子％。2.根據(jù)權利要求1所記載的氧化物燒結體，其特征在于:鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計，為10~25原子％。3.根據(jù)權利要求1或2所記載的氧化物燒結體，其特征在于:下式定義的X射線衍射峰強度比為8%~58%，I[GaIn03相(111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(111)]}X100[%]式中，Ι[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(111)]表示P_Ga203型結構的復合氧化物3-6&11103相(111)的峰強度。4.一種氧化物燒結體，其特征在于:在含有氧化物形式的銦和鎵的燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主結晶相，在主結晶相中，β-Ga203型結構的Galn03相、或Galn03相和(Ga，In)203相以平均粒徑為5μπι以下的晶粒微細地分散，不含有氧化鍺相，除了銦和鎵以外，進一步含有選自錫及/或鍺的一種以上的添加成分，鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~30原子％，而且添加成分的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為1~11原子％。5.根據(jù)權利要求4所記載的氧化物燒結體，其特征在于:鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~20原子％，且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計，為2~10原子％。6.根據(jù)權利要求4或5所記載的氧化物燒結體，其特征在于:下式定義的X射線衍射峰強度比為4%~84%，I[GaIn03相(-111)]/{I[Ιη203相(400)]+1[Galn03相(-111)]}X100[%]式中，Ι[Ιη203相(400)]是方鐵錳礦型結構的Ιη203相的(400)峰強度，I[Galn03相(-111)]表示P_Ga203型結構的復合氧化物3-6&11103相(-111)峰強度。7.權利要求1~6任一項記載的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:該方法是混合含有氧化銦粉末和氧化鎵粉末的原料粉末后，或者在該原料粉末中添加氧化錫粉末和/或氧化鍺粉末混合后，將混合粉末成形，通過常壓燒制法將成形物燒結，或者通過熱壓法將混合粉末成形、燒結來制造氧化物燒結體的方法，其中通過使原料粉末的平均粒徑為1μm以下而形成氧化物燒結體，該氧化物燒結體中，方鐵錳礦型結構的Ιη203相為主晶相，在主晶相中，由Galn03相或由Galn03相和(Ga,Ιη)203相形成的平均粒徑為5μm以下的晶粒細微分散。8.根據(jù)權利要求7所記載的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在1250~1450°C下燒結10~30小時。9.根據(jù)權利要求7所記載的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:采用常壓燒制法，在存在氧氣的氣氛下，將成形體在1000~1200°C下燒結10~30小時。10.根據(jù)權利要求7所記載的氧化物燒結體的制造方法，其特征在于:采用熱壓法，在不活潑氣體氣氛或真空中，將混合粉末在2.45~29.40MPa的壓力下，在700~950°C下、進行1~10小時成形、燒結。11.對權利要求1~6任一項記載的氧化物燒結體進行加工而得到的靶。12.一種靶，其特征在于:該靶是對根據(jù)權利要求8或10記載的方法制造的氧化物燒結體進行加工而得到的，氧化物燒結體的密度為6.3g/cm3以上，該靶在用濺射法形成透明導電膜時使用。13.—種靶，其特征在于:該靶是對根據(jù)權利要求9記載的方法制造的氧化物燒結體進行加工而得到的，氧化物燒結體的密度是3.4~5.5g/cm3，該靶在用離子電鍍法形成透明導電膜時使用。14.一種非晶質透明導電膜，其特征在于，使用權利要求11~13任一項所記載的靶，通過濺射法或離子電鍍法形成在基板上而得到。15.根據(jù)權利要求14記載的透明導電膜，其特征在于:膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga)原子數(shù)比計為10原子％以上、小于35原子％。16.根據(jù)權利要求14所記載的透明導電膜，其特征在于:膜中的鎵含量以Ga/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為2~30原子％，而且選自錫及/或鍺的的含量以(Sn+Ge)/(In+Ga+Sn+Ge)原子數(shù)比計為1~11原子％。17.根據(jù)權利要求14所記載的透明導電膜，其特征在于:濺射是在即使輸入電流的直流功率密度為1.10~3.29W/cm2，也不會產(chǎn)生飛弧的條件下進行的。18.根據(jù)權利要求14~17任一項所記載的透明導電膜，其特征在于:算術平均高度Ra為1.0nm以下。19.根據(jù)權利要求14~18任一項所記載的透明導電膜，其特征在于:波長400nm時的衰減系數(shù)為0.04以下。20.根據(jù)權利要求14~19任一項所記載的透明導電膜，其特征在于:電阻率為2X103Ω.cm以下。21.一種透明導電性基材，通過在透明基板的一面或兩面上形成權利要求14~20任一項所記載的透明導電膜而成。22.根據(jù)權利要求21所記載的透明導電性基材，其特征在于:透明基板是玻璃板、石英板、樹脂板或樹脂膜中的任意一種。23.根據(jù)權利要求22所記載的透明導電性基材，其特征在于:樹脂板或樹脂膜是選用以聚對苯二甲酸乙二酯、聚醚砜、聚芳酯或聚碳酸酯為材料的單成分單層結構體，或者是在單成分單層結構體表面覆蓋丙烯酸類有機物而形成的層疊結構體。24.根據(jù)權利要求22或23所記載的透明導電性基材，其特征在于:樹脂板或樹脂膜是一面或兩面被隔氣膜覆蓋，或者是在中間插入隔氣膜而形成的層疊體。25.根據(jù)權利要求24所記載的透明導電性基材，其特征在于:前述隔氣膜是選自氧化硅膜、氧化氮化硅膜、鋁酸鎂膜、氧化錫系膜或金剛石狀碳膜的1種以上的隔氣膜?！疚臋n編號】H01B13/00GK103641449SQ201310524759【公開日】2014年3月19日申請日期:2008年7月2日優(yōu)先權日:2007年7月6日【發(fā)明者】中山德行,阿部能之申請人:住友金屬礦山株式會社