像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及顯示面板制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)的制造方法，用于減少第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，提高陣列基板的質(zhì)量。該像素結(jié)構(gòu)包括：設(shè)置有源漏極層的襯底基板，覆蓋源漏極層且具有第一過(guò)孔的第一鈍化層，覆蓋第一鈍化層且具有第二過(guò)孔的樹(shù)脂層，設(shè)置于樹(shù)脂層上的第一透明電極層，覆蓋樹(shù)脂層和第一透明電極層且具有第三過(guò)孔的第二鈍化層，設(shè)置于第一過(guò)孔內(nèi)的導(dǎo)電補(bǔ)償塊；設(shè)置于所述第二鈍化層上、第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)和第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層，所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
【專(zhuān)利說(shuō)明】像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示面板制造【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板、顯示裝置及像素結(jié)構(gòu)的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，高分辨率是顯示面板的一大發(fā)展趨勢(shì)，當(dāng)顯示面板的分辨率從200個(gè)像素/每英寸(pixels per inch,以下簡(jiǎn)稱(chēng) ppi)提升至 300Ppp1、400pp1、500ppi 或 500ppi 以上時(shí)，由于像素之間的間距減小使得開(kāi)口率急劇下降，為此出現(xiàn)了一種采用八次圖形化處理工藝制作的陣列基板，可以有效的補(bǔ)償開(kāi)口率。
[0003]如圖1所示，為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。該像素結(jié)構(gòu)包括:襯底基板，設(shè)置于襯底基板上的柵極層1，覆蓋柵極層I的柵極絕緣層2，設(shè)置于柵極絕緣層2上的有源層3，覆蓋有源層3的源漏極層4，覆蓋源漏極層4的第一鈍化層5，第一鈍化層5具有多個(gè)與源漏極層4連通的第一過(guò)孔，設(shè)置于第一鈍化層5上的樹(shù)脂層6，樹(shù)脂層6具有與多個(gè)第一過(guò)孔一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)第二過(guò)孔，設(shè)置于樹(shù)脂層6上的第一透明電極層7 ;覆蓋第一透明電極層7的第二鈍化層8，第二鈍化層8具有與多個(gè)第二過(guò)孔一一對(duì)應(yīng)的多個(gè)第三過(guò)孔，設(shè)置于第二鈍化層8上表面的第二透明電極層9，第二透明電極層9通過(guò)沉積在對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)和第一過(guò)孔內(nèi)的導(dǎo)電膜與源漏極層4電連接。
[0004]本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，在上述陣列基板的像素結(jié)構(gòu)的制作過(guò)程中，分別通過(guò)圖形化處理工藝在第一鈍化層5上形成的第一過(guò)孔和在樹(shù)脂層6上形成的第二過(guò)孔時(shí)，會(huì)發(fā)生第一鈍化層5側(cè)向刻蝕的現(xiàn)象，這會(huì)使第一過(guò)孔和第二過(guò)孔的孔徑不一致；因而會(huì)出現(xiàn)第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的現(xiàn)象，如圖1中A區(qū)所示第二透明電極層9與源漏極層4斷開(kāi)，進(jìn)而影響陣列基板的質(zhì)量。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種像素結(jié)構(gòu)、陣列基板及像素結(jié)構(gòu)的制造方法，用于減少第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，提高陣列基板的質(zhì)量。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供以下技術(shù)方案:
[0007]—種像素結(jié)構(gòu)，包括:設(shè)置有源漏極層的襯底基板，覆蓋所述源漏極層的第一鈍化層，所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔，覆蓋所述第一鈍化層的樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔，設(shè)置于所述樹(shù)脂層上的第一透明電極層，位于所述樹(shù)脂層上并覆蓋所述第一透明電極層的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔；以及還包括:
[0008]設(shè)置于所述第一過(guò)孔內(nèi)的導(dǎo)電補(bǔ)償塊；
[0009]設(shè)置于所述第二鈍化層上、所述第三過(guò)孔內(nèi)、所述第二過(guò)孔內(nèi)和所述第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層；所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
[0010]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度、第二透明電極層的厚度、第一鈍化層的厚度滿足以下關(guān)系式:
[0011]T1+T2 ≥ T3
[0012]其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度，T2為第二透明電極層的厚度，T3為第一鈍化層的厚度。
[0013]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度、第二透明電極層的厚度、第一鈍化層的厚度滿足以下關(guān)系式:
[0014]T1+T2 ≥ 1.4XT3
[0015]其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度，T2為第二透明電極層的厚度，T3為第一鈍化層的厚度。
[0016]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊為氧化銦錫補(bǔ)償塊、鑰補(bǔ)償塊或鑰鋁合金補(bǔ)償塊。
[0017]優(yōu)選地，所述第二鈍化層包括:設(shè)置于所述樹(shù)脂層、所述第一透明電極層、所述第一過(guò)孔內(nèi)和所述第二過(guò)孔內(nèi)的透明氧化物層，設(shè)置于所述透明氧化物層上的氮化硅層；
[0018]所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度與所述透明氧化物層的厚度相等。
[0019]進(jìn)一步地，上述像素結(jié)構(gòu)還包括:位于所述襯底基板和所述源漏極層之間的柵極層、柵極絕緣層和有源層；其中，
[0020]所述柵極層設(shè)置于所述襯底基板上；
[0021 ] 所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極層；
[0022]所述有源層設(shè)置于所述柵極絕緣層上。
[0023]本發(fā)明同時(shí)還提供了一種陣列基板，包括多個(gè)具有上述技術(shù)方案所提的像素結(jié)構(gòu)。
[0024]本發(fā)明同時(shí)還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提的陣列基板。
[0025]該顯示裝置可以為:手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。該顯示裝置的實(shí)施可以參見(jiàn)上述實(shí)施例，重復(fù)之處不再贅述。
[0026]本發(fā)明同時(shí)還提供了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0027]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在襯底基板的上表面形成圖形化的柵極層；
[0028]形成覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層；
[0029]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述柵極絕緣層的上表面形成圖形化的有源層；
[0030]通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述有源層的源漏極層；
[0031]通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層；其中，所述第一鈍化層覆蓋所述源漏極層，且所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔；所述樹(shù)脂層設(shè)置于所述第一鈍化層上表面，且所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔；
[0032]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在樹(shù)脂層的上表面形成圖形化的第一透明電極層，以及在所述第一過(guò)孔內(nèi)形成一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊；
[0033]通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述樹(shù)脂層和所述第一透明電極層的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔；
[0034]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述第二鈍化層的上表面、所述第三過(guò)孔內(nèi)、所述第二過(guò)孔內(nèi)和所述第一過(guò)孔內(nèi)形成第二透明電極層，所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
[0035]優(yōu)選地，通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層，具體包括:
[0036]在所述源漏極層上涂覆鈍化材料形成第一鈍化層；
[0037]在第一鈍化層上涂覆樹(shù)脂形成樹(shù)脂層；
[0038]通過(guò)掩膜、刻蝕、剝離工序在樹(shù)脂層上形成第二過(guò)孔，在第一鈍化層上形成第一過(guò)孔，且所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)。
[0039]本發(fā)明同時(shí)還提供了一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:
[0040]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在襯底基板的上表面形成圖形化的柵極層；
[0041 ] 形成覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層；
[0042]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述柵極絕緣層的上表面形成圖形化的有源層；
[0043]通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述有源層的源漏極層；
[0044]通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層；其中，所述第一鈍化層覆蓋所述源漏極層，且所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔；所述樹(shù)脂層設(shè)置于所述第一鈍化層的上表面，且所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔；
[0045]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述樹(shù)脂層上形成第一透明電極層；
[0046]在所述第一透明電極層上、所述樹(shù)脂層上、所述第一過(guò)孔中和所述第二過(guò)孔中形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包括:形成在所述第一透明電極層上、所述樹(shù)脂層上以及所述第一過(guò)孔中、所述第二過(guò)孔中的透明氧化層，形成在所述透明氧化層上的氮化硅層；
[0047]通過(guò)掩膜、刻蝕工序，在所述氮化硅層與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成與所述透明氧化層連通的第三過(guò)孔；
[0048]通過(guò)等離子處理工藝，使所述透明氧化層與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域變成導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體即為所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊；
[0049]通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述第二鈍化層的上表面、所述第三過(guò)孔內(nèi)壁上、所述第二過(guò)孔內(nèi)壁上、所述第一過(guò)孔內(nèi)壁上和所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊上形成第二透明電極層，所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
[0050]在本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)中，通過(guò)在第一過(guò)孔內(nèi)增設(shè)一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊，使第二透明電極層通過(guò)導(dǎo)電補(bǔ)償塊與源漏極層電連接，以減少沉積在第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層斷開(kāi)的機(jī)率，即減少了第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，從而提高陣列基板的質(zhì)量。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0051]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0052]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0053]圖3為第二鈍化層具有兩層結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0054]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作流程圖；
[0055]圖5a為對(duì)第一鈍化層和樹(shù)脂層中樹(shù)脂層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0056]圖5b為對(duì)第一鈍化層和樹(shù)脂層中第一鈍化層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0057]圖5c為在第一過(guò)孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電補(bǔ)償塊的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；[0058]圖5d為形成有第二鈍化層的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0059]圖5e為對(duì)第二鈍化層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0060]圖5f為形成有第二透明電極層的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0061]圖6a為第二鈍化層具有兩層結(jié)構(gòu)時(shí)的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0062]圖6b為對(duì)第二鈍化層的上層結(jié)構(gòu)刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；
[0063]圖6c為對(duì)第二鈍化層下層結(jié)構(gòu)等離子處理后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0064]附圖標(biāo)記:
[0065]1-柵極層，2-柵極絕緣層，3-有源層，
[0066]4-源漏極層，5第一鈍化層，6-樹(shù)脂層，
[0067]7-第一透明電極層， 8-第二鈍化層，9-第二透明電極層，
[0068]10-導(dǎo)電補(bǔ)償塊，81-透明氧化層，82-氮化硅層。
【具體實(shí)施方式】
[0069]為了減少第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，提高陣列基板的質(zhì)量，本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)，通過(guò)在第一過(guò)孔內(nèi)增設(shè)一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊，使第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與源漏極層電連接，以減少沉積在第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層斷開(kāi)的機(jī)率，即減少了第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，從而提高陣列基板的質(zhì)量。
[0070]為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好的理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0071]如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)包括:設(shè)置有源漏極層4的襯底基板；覆蓋源漏極層4的第一鈍化層5，第一鈍化層5具有與源漏極層4連通的第一過(guò)孔；覆蓋第一鈍化層5的樹(shù)脂層6，樹(shù)脂層6具有與第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔；設(shè)置于樹(shù)脂層6上的第一透明電極層7 ;位于樹(shù)脂層6上并覆蓋第一透明電極層7的第二鈍化層8，第二鈍化層8具有與第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔；以及，
[0072]設(shè)置于第一過(guò)孔內(nèi)的導(dǎo)電補(bǔ)償塊10 ；
[0073]設(shè)置于第二鈍化層8上、第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)以及第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層9，第二透明電極層9通過(guò)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10與源漏極層4電連接。
[0074]在本發(fā)明實(shí)施例中，第一過(guò)孔內(nèi)對(duì)應(yīng)設(shè)置一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10，當(dāng)在第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)和第一過(guò)孔內(nèi)沉積鍍膜形成第二透明電極層9時(shí)，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的存在可以有效的降低第一過(guò)孔內(nèi)的側(cè)向刻蝕產(chǎn)生的影響，可以有效的減少沉積在第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層9的斷開(kāi)機(jī)率，從而減少了第二透明電極層9與源漏極層4斷開(kāi)的機(jī)率，進(jìn)而提高陣列基板的質(zhì)量。值得一提的是，上述第二透明電極層9包括:位于第二鈍化層8上表面的膜層和位于第三過(guò)孔內(nèi)壁上、第二過(guò)孔內(nèi)壁上、第一過(guò)孔內(nèi)壁上、導(dǎo)電補(bǔ)償塊10上表面的膜層。
[0075]具體實(shí)施時(shí)，為了有效的消除第一過(guò)孔內(nèi)側(cè)向刻蝕對(duì)第二透明電極層9產(chǎn)生的影響，提高像素結(jié)構(gòu)的合格率；優(yōu)選地，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度、第二透明電極層9的厚度和第一鈍化層5的厚度滿足以下關(guān)系式:
[0076]T1+T2 ≥ T3[0077]其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度，T2為第二透明電極層9的厚度，T3為第一鈍化層5的厚度。如此設(shè)置，使得導(dǎo)電補(bǔ)償塊10和第二透明電極層9的厚度之和大于等于第一鈍化層5的厚度，從而消除側(cè)向刻蝕的影響，減少沉積在第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層9的斷開(kāi)機(jī)率，從而減少了第二透明電極層9與源漏極層4斷開(kāi)的機(jī)率，進(jìn)而提高陣列基板的質(zhì)量。
[0078]然而，有時(shí)因制作工藝的不穩(wěn)定或其他因素影響，使得導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度、第二透明電極層9的厚度、第一鈍化層5的厚度不是很均勻，因此，為了增加像素結(jié)構(gòu)的可靠性，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度、第二透明電極層9的厚度、第一鈍化層5的厚度滿足以下關(guān)系式:
[0079]T1+T2 ≥ 1.4XT3
[0080]其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度，T2為第二透明電極層的厚度，T3為第一鈍化層的厚度。
[0081]例如，當(dāng)?shù)谝烩g化層5的厚度為1000A時(shí)，需要導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度為700A，第二透明電極層9的厚度為700A。需要說(shuō)明的是，第一鈍化層5的厚度一般為500-1500A，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度一般為400-800A，與第一透明電極層7相等，第二透明電極層9的厚度一般為 400-800A。
[0082]因此，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度可通過(guò)上述兩個(gè)關(guān)系式設(shè)定，具體可根據(jù)實(shí)際情況選擇。
[0083]在上述像素結(jié)構(gòu)中，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10可以與第一透明電極層7同時(shí)形成，也可以在第一鈍化層5形成后、在樹(shù)脂層6形成后或在第二鈍化層8形成后形成，具體可通過(guò)沉積、掩膜、刻蝕、剝離等工序在第一過(guò)孔內(nèi)形成所需的導(dǎo)電補(bǔ)償塊10 ;繼續(xù)參見(jiàn)圖2，為了簡(jiǎn)化像素結(jié)構(gòu)的制作工藝，優(yōu)選地，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10與第一透明電極層7同時(shí)成型；因此，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度與第一透明電極層7的厚度相等。此外，因第一透明電極層7通常是由氧化銦錫(ΙΤ0)、鑰補(bǔ)償塊或鑰鋁合金材料制成的，所以優(yōu)選地，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10為氧化銦錫補(bǔ)償塊、鑰補(bǔ)償塊或鑰鋁合金補(bǔ)償塊。
[0084]但不限于上述兩種實(shí)施方式，也可以采用如下方式實(shí)現(xiàn)，如圖3所示，為第二鈍化層具有兩層結(jié)構(gòu)的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；在本實(shí)施方式中，第二鈍化層8包括:設(shè)置于樹(shù)脂層
6、第一透明電極層7以及第一過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)的透明氧化層81，設(shè)置于透明氧化層81上的氮化硅層82 ;導(dǎo)電補(bǔ)償塊10的厚度與透明氧化物層81的厚度相等。透明氧化層81和氮化硅層82具體可通過(guò)沉積方式形成，而導(dǎo)電補(bǔ)償塊10首先通過(guò)掩膜、刻蝕等工序在氮化硅層82與第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)區(qū)域形成與透明氧化層81連通的第三過(guò)孔，然后通過(guò)等離子處理工藝將透明氧化層81與第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)區(qū)域變成導(dǎo)電體，該導(dǎo)電體即可當(dāng)做導(dǎo)電補(bǔ)償塊10，然后進(jìn)行剝離工序。
[0085]繼續(xù)參見(jiàn)圖2，進(jìn)一步地，上述像素結(jié)構(gòu)還包括:位于襯底基板和源漏極層4之間的柵極層1、柵極絕緣層2和有源層3 ;其中，柵極層I設(shè)置于襯底基板上；柵極絕緣層2覆蓋柵極層I ;有源層3設(shè)置于柵極絕緣層2上。
[0086]本發(fā)明實(shí)施例同時(shí)還提供了一種陣列基板，包括:多個(gè)具有上述技術(shù)方案所描述的像素結(jié)構(gòu)。
[0087]本發(fā)明實(shí)施例同時(shí)還提供了一種顯示裝置，包括上述技術(shù)方案所提的陣列基板。[0088]如圖4所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作流程圖。本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制造方法包括:
[0089]步驟101、通過(guò)一次圖形化處理工藝，在襯底基板的上表面形成圖形化的柵極層I;
[0090]步驟102、形成覆蓋柵極層I的柵極絕緣層2 ；
[0091]步驟103、通過(guò)一次圖形化處理工藝，在柵極絕緣層2的上表面形成圖形化的有源層3;
[0092]步驟104、通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋有源層3的源漏極層4 ；
[0093]上述步驟101?步驟104，的具體制作過(guò)程為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，這里不再詳細(xì)描述了。
[0094]步驟105、通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層5和圖形化的樹(shù)脂層6 ;其中，第一鈍化層5覆蓋源漏極層4，且第一鈍化層5具有與源漏極層4連通的第一過(guò)孔；樹(shù)脂層6設(shè)置于第一鈍化層5上表面，且樹(shù)脂層6具有與第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔；參見(jiàn)圖5a和圖5b，其中，圖5a為對(duì)第一鈍化層和樹(shù)脂層中的樹(shù)脂層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5b為對(duì)第一鈍化層和樹(shù)脂層中的第一鈍化層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層5和圖形化的樹(shù)脂層6，具體包括:在源漏極層4上涂覆鈍化材料形成第一鈍化層5 ;在第一鈍化層5上涂覆樹(shù)脂形成樹(shù)脂層6 ;通過(guò)掩膜、刻蝕、剝離工序在樹(shù)脂層6上形成第二過(guò)孔，在第一鈍化層5上形成第一過(guò)孔，且第一過(guò)孔與第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)。如此設(shè)計(jì)，通過(guò)一次圖形化處理工藝，即可在第一鈍化層5中形成第一過(guò)孔，在樹(shù)脂層6中形成第二過(guò)孔，可以省去后續(xù)偏移樹(shù)脂層6或第一鈍化層5，使第一過(guò)孔與第二過(guò)孔相對(duì)的過(guò)程，不會(huì)影響像素結(jié)構(gòu)的開(kāi)口率，從而有利于制作具有高分別率的陣列基板。
[0095]步驟106、通過(guò)一次圖形化處理工藝，在樹(shù)脂層6的上表面形成圖形化的第一透明電極層7，以及在第一過(guò)孔內(nèi)形成一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10 ;參見(jiàn)圖5c，為在第一過(guò)孔內(nèi)設(shè)置有導(dǎo)電補(bǔ)償塊的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。可見(jiàn)，通過(guò)一次圖形化處理工藝，在樹(shù)脂層6的上表面形成圖形化的第一透明電極層7，以及在第一過(guò)孔內(nèi)形成一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10，具體包括:在樹(shù)脂層6的上表面和第一過(guò)孔內(nèi)沉積一層透明導(dǎo)電膜；通過(guò)掩膜、刻蝕、剝離工序在樹(shù)脂層6上形成第二透明電極層7，在第一過(guò)孔內(nèi)形成一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10。
[0096]步驟107、通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋樹(shù)脂層6和第一透明電極層7的第二鈍化層8，第二鈍化層8具有第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔；參見(jiàn)圖5d和圖5e，其中，圖5d為形成有第二鈍化層的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖5e為對(duì)第二鈍化層刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。
[0097]步驟108、通過(guò)一次圖形化處理工藝，在第二鈍化層8的上表面、第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)以及第一過(guò)孔內(nèi)形成第二透明電極層9，第二透明電極層9通過(guò)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10與源漏極層4電連接。參見(jiàn)圖5f，為形成有第二透明電極層的陣列基板的剖視圖。通過(guò)一次圖形化處理工藝，在第二鈍化層8的上表面形成第二透明電極層9，具體包括:在第二鈍化層8的上表面，第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)和第一過(guò)孔內(nèi)沉積一層透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜覆蓋導(dǎo)電補(bǔ)償塊10，具體包括:位于第二鈍化層8的上表面的透明導(dǎo)電膜，位于第三過(guò)孔內(nèi)、第二過(guò)孔內(nèi)、第一過(guò)孔內(nèi)和導(dǎo)電補(bǔ)償塊10上的透明導(dǎo)電膜，使得第二透明電極層9通過(guò)導(dǎo)電補(bǔ)償塊10與源漏極層4電連接。
[0098]在上述實(shí)施例中，導(dǎo)電補(bǔ)償塊10與第一透明電極層7同時(shí)形成，但不限于此，還可以通過(guò)對(duì)第二鈍化層8進(jìn)行等離子處理形成，具體地，請(qǐng)參見(jiàn)圖6a、圖6b和圖6c，其中，圖6a為第二鈍化層具有兩層結(jié)構(gòu)時(shí)的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6b為對(duì)第二鈍化層的上層結(jié)構(gòu)刻蝕后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖；圖6c為對(duì)第二鈍化層下層結(jié)構(gòu)等離子處理后的像素結(jié)構(gòu)的剖視圖。在通過(guò)一次圖形化處理工藝，在樹(shù)脂層6上形成第一透明電極層7之后，在第一透明電極層7上、樹(shù)脂層6上以及第一過(guò)孔中、第二過(guò)孔中形成第二鈍化層8，第二鈍化層8包括:形成在第一透明電極層7上、樹(shù)脂層6上以及第一過(guò)孔中、第二過(guò)孔中的透明氧化層81，形成在透明氧化層81上的氮化硅層82。該第二鈍化層8的具體制作過(guò)程包括:
[0099]在第一透明電極層7、樹(shù)脂層6上以及第一過(guò)孔中、第二過(guò)孔中形成一透明氧化層81，透明氧化層81可以為氧化銦氚鋅(ΙΤΖ0)、氧化銦鎵鋅(IGZ0)、氧化鋅(ZnO)等材料通過(guò)濺射沉積的方式制成的，沉積時(shí)選擇合適的參數(shù)可以得到絕緣性的透明氧化物薄膜，例如，當(dāng)采用氧化銦鎵鋅(IGZO)時(shí)，沉積氣體采用氧氣(02)，當(dāng)氧氣含量在60?200SCCm時(shí)，可以得到絕緣性的氧化銦鎵鋅(IGZO)透明氧化物膜層。
[0100]在透明氧化層81上形成氮化硅層82 ;通過(guò)掩膜、刻蝕、剝離工序，在氮化硅層82與各個(gè)第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成與透明氧化層81連通的第三過(guò)孔；通過(guò)等離子處理工藝，使透明氧化層81與第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域變成導(dǎo)電體，導(dǎo)電體即為導(dǎo)電補(bǔ)償塊10。上述透明氧化層81的厚度一般為600-1500A，氮化硅層82的厚度一般為300?1000A，優(yōu)選地，透明氧化層81的厚度為1000A，氮化硅層82的厚度為500A，如此保證第一透明電極層9和源漏極層4通過(guò)透明氧化層81的導(dǎo)電體連接。
[0101]需要說(shuō)明的是，等離子處理可以在干刻蝕(Dry Etch)設(shè)備或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PEVCD)設(shè)備中進(jìn)行，具體為本領(lǐng)域技術(shù)人員所述熟知，因此等離子處理的具體過(guò)程在此不再詳細(xì)描述。
[0102]從上述技術(shù)方案可知，在本發(fā)明實(shí)施例提供的像素結(jié)構(gòu)的制造方法中，制作像素結(jié)構(gòu)采用了七次圖形化處理工藝，與現(xiàn)有技術(shù)中采用八次圖形化處理工藝相比，減少了掩模板的使用數(shù)量，簡(jiǎn)化了生產(chǎn)工藝，從而提高了像素結(jié)構(gòu)基板的良品率；此外，采用一次圖形化處理工藝即可在樹(shù)脂層6上形成第二過(guò)孔，在第一鈍化層5上形成第一過(guò)孔，這樣不需要第三過(guò)孔與第二過(guò)孔進(jìn)行一定的偏移距離以形成第二透明電極層9和源漏極層4的半接觸，可以使第一過(guò)孔與第二過(guò)孔直接相對(duì)，節(jié)省的偏移距離對(duì)掩模設(shè)計(jì)非常有益，從而有利于制作具有高分辨率的陣列基板。
[0103]綜上所述，在本發(fā)明實(shí)施例提供像素結(jié)構(gòu)中，通過(guò)在第一過(guò)孔內(nèi)增設(shè)的一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊，使第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與源漏極層電連接，以減少沉積在第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層斷開(kāi)的機(jī)率，即減少了第二透明電極層與源漏極層斷開(kāi)的機(jī)率，從而提聞陣列基板的質(zhì)量。
[0104]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種像素結(jié)構(gòu)，包括:設(shè)置有源漏極層的襯底基板，覆蓋所述源漏極層的第一鈍化層，所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔，覆蓋所述第一鈍化層的樹(shù)脂層，所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔，設(shè)置于所述樹(shù)脂層上的第一透明電極層，位于所述樹(shù)脂層上并覆蓋所述第一透明電極層的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔；其特征在于，還包括: 設(shè)置于所述第一過(guò)孔內(nèi)的導(dǎo)電補(bǔ)償塊； 設(shè)置于所述第二鈍化層上、所述第三過(guò)孔內(nèi)、所述第二過(guò)孔內(nèi)和所述第一過(guò)孔內(nèi)的第二透明電極層；所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度、第二透明電極層的厚度、第一鈍化層的厚度滿足以下關(guān)系式:
T1+T2 ≥ T3 其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度，T2為第二透明電極層的厚度，T3為第一鈍化層的厚度。
3.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度、第二透明電極層的厚度、第一鈍化層的厚度滿足以下關(guān)系式:
T1+T2 ≥ 1.4XT3 其中，Tl為導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度，T2為第二透明電極層的厚度，T3為第一鈍化層的厚度。
4.如權(quán)利要求1-3任一所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊為氧化銦錫補(bǔ)償塊、鑰補(bǔ)償塊或鑰鋁合金補(bǔ)償塊。
5.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二鈍化層包括:設(shè)置于所述樹(shù)脂層、所述第一透明電極層、所述第一過(guò)孔內(nèi)和所述第二過(guò)孔內(nèi)的透明氧化物層，設(shè)置于所述透明氧化物層上的氮化硅層； 所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊的厚度與所述透明氧化物層的厚度相等。
6.如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括:位于所述襯底基板和所述源漏極層之間的柵極層、柵極絕緣層和有源層；其中， 所述柵極層設(shè)置于所述襯底基板上； 所述柵極絕緣層覆蓋所述柵極層； 所述有源層設(shè)置于所述柵極絕緣層上。
7.—種陣列基板，其特征在于，包括:多個(gè)如權(quán)利要求1-6任一所述的像素結(jié)構(gòu)。
8.—種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求7所述的陣列基板。
9.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在襯底基板的上表面形成圖形化的柵極層； 形成覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述柵極絕緣層的上表面形成圖形化的有源層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述有源層的源漏極層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層；其中，所述第一鈍化層覆蓋所述源漏極層，且所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔；所述樹(shù)脂層設(shè)置于所述第一鈍化層的上表面，且所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在樹(shù)脂層的上表面形成圖形化的第一透明電極層，以及在所述第一過(guò)孔內(nèi)形成一個(gè)導(dǎo)電補(bǔ)償塊； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述樹(shù)脂層和所述第一透明電極層的第二鈍化層，所述第二鈍化層具有與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第三過(guò)孔； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述第二鈍化層的上表面、所述第三過(guò)孔內(nèi)、所述第二過(guò)孔內(nèi)和所述第一過(guò)孔內(nèi)形成第二透明電極層，所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
10.如權(quán)利要求9所述的像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層，具體包括: 在所述源漏極層上涂覆鈍化材料形成第一鈍化層； 在第一鈍化層上涂覆樹(shù)脂形成樹(shù)脂層； 通過(guò)掩膜、刻蝕、剝離工序在樹(shù)脂層上形成第二過(guò)孔，在第一鈍化層上形成第一過(guò)孔，且所述第一過(guò)孔與所述第二過(guò)孔對(duì)應(yīng)。
11.一種像素結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于，包括: 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在襯底基板的上表面形成圖形化的柵極層； 形成覆蓋所述柵極層的柵極絕緣層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述柵極絕緣層的上表面形成圖形化的有源層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成覆蓋所述有源層的源漏極層； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，形成圖形化的第一鈍化層和圖形化的樹(shù)脂層；其中，所述第一鈍化層覆蓋所述源漏極層，·且所述第一鈍化層具有與所述源漏極層連通的第一過(guò)孔；所述樹(shù)脂層設(shè)置于所述第一鈍化層的上表面，且所述樹(shù)脂層具有與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的第二過(guò)孔； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述樹(shù)脂層上形成第一透明電極層； 在所述第一透明電極層上、所述樹(shù)脂層上、所述第一過(guò)孔中和所述第二過(guò)孔中形成第二鈍化層，所述第二鈍化層包括:形成在所述第一透明電極層上、所述樹(shù)脂層上以及所述第一過(guò)孔中、所述第二過(guò)孔中的透明氧化層，形成在所述透明氧化層上的氮化硅層； 通過(guò)掩膜、刻蝕工序，在所述氮化硅層與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成與所述透明氧化層連通的第三過(guò)孔； 通過(guò)等離子處理工藝，使所述透明氧化層與所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)的區(qū)域變成導(dǎo)電體，所述導(dǎo)電體即為所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊； 通過(guò)一次圖形化處理工藝，在所述第二鈍化層的上表面、所述第三過(guò)孔內(nèi)壁上、所述第二過(guò)孔內(nèi)壁上、所述第一過(guò)孔內(nèi)壁上和所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊上形成第二透明電極層，所述第二透明電極層通過(guò)所述導(dǎo)電補(bǔ)償塊與所述源漏極層電連接。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK103531593SQ201310522155
【公開(kāi)日】2014年1月22日 申請(qǐng)日期:2013年10月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月29日
【發(fā)明者】曹占鋒, 谷敬霞, 姚琪, 張峰, 丁錄科 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司