顯示裝置和制造它的方法
【專(zhuān)利摘要】顯示裝置和制造它的方法。所述顯示裝置包括基板、布置在所述基板上的有機(jī)發(fā)光二極管（OLED）、布置在所述基板上以覆蓋所述OLED并包括無(wú)機(jī)材料層和有機(jī)材料層的薄膜封裝層、和布置在所述薄膜封裝層上并包括介電層和金屬層的抗反射層。
【專(zhuān)利說(shuō)明】顯示裝置和制造它的方法
[0001]優(yōu)先權(quán)要求
[0002]本申請(qǐng)并根據(jù)35U.S.C.§ 119法條所規(guī)定要求2012年10月26日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局早先遞交并正式分配給序列號(hào)10-22012-0119852的申請(qǐng)的所有權(quán)益的全部?jī)?nèi)容，該申請(qǐng)引用整合入本說(shuō)明書(shū)中。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及顯示裝置和制造它的方法。
【背景技術(shù)】
[0004]目前，隨著顯示器技術(shù)的發(fā)展，諸如筆記本電腦、移動(dòng)電話或便攜多媒體播放器(PMP)的便攜顯示裝置，及諸如電視機(jī)或顯示器的家用顯示裝置已經(jīng)在市場(chǎng)上激增。隨著朝向更輕和更薄的顯示器的趨勢(shì)，液晶顯示裝置和有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED)顯示裝置等受到廣泛關(guān)注。
[0005]這些裝置中，OLED顯示裝置為使用有機(jī)材料的自發(fā)光顯示裝置，并具有各種優(yōu)點(diǎn)，包括低能耗和高亮度。通常，用于OLED中的有機(jī)材料暴露于諸如氧和濕氣的外部因素時(shí)，會(huì)經(jīng)歷壽命的急劇縮短。因 此，用于保護(hù)有機(jī)材料免受外部因素傷害的封裝技術(shù)是必要的和需要的。在這個(gè)方面，已經(jīng)提出了使用玻璃基板的用于保護(hù)有機(jī)材料的封裝技術(shù)。然而，由于玻璃基板的厚度和重量，會(huì)增加OLED的總厚度和重量。
[0006]所述OLED通常用在便攜系統(tǒng)中。當(dāng)在戶(hù)外用OLED看圖像時(shí)，外部的光在OLED內(nèi)反射，降低了對(duì)比度和能見(jiàn)度。為克服這個(gè)問(wèn)題，可通過(guò)在所述OLED的一個(gè)表面上布置圓形偏振器而降低外部光的反射。然而，由于所述圓形偏振器的厚度，增加了 OLED的總厚度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明提供了顯示裝置和制造它的方法，其中可通過(guò)降低外部光的反射而在改善可見(jiàn)度的同時(shí)減小總厚度。
[0008]本發(fā)明提供了顯示裝置和制造它的方法，所述顯示裝置通過(guò)使用薄膜封裝層防止氧和濕氣透入有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)而變得重量輕且薄，同時(shí)具有改善的耐久性和可靠性。
[0009]從優(yōu)選的實(shí)施方式的下面說(shuō)明中，本發(fā)明的上述和其它目的將被說(shuō)明，或變得明顯。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了顯示裝置，包括基板、布置在所述基板上的有機(jī)發(fā)光二極管(0LED)、布置在所述基板上以覆蓋所述OLED的薄膜封裝層、和布置在所述薄膜封裝層上并包括介電層和金屬層的抗反射層。所述抗反射層可包括多個(gè)介電層和多個(gè)金屬層，其中，所述介電層的各個(gè)和所述金屬層的各個(gè)交替堆疊。所述介電層可包括Si02、Ti02、ZrO2, Ta2O5' HfO2, Al2O3' ZnO、Y2O3> BeO、MgO, PbO2, WO3> VOx、SiNx、AIN、ZnS, CdS, SiC、SiCN、MgF、CaF2、NaF、BaF2^PbF2, LiF、LaF3 和 GaP 的至少一種。所述金屬層可包括 Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt 和 Yb 的至少一種。
[0011]所述薄膜封裝層可包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)材料層。所述無(wú)機(jī)材料層可包括氮化硅、氮化招、氮化錯(cuò)、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化娃、氧化招、氧化鈦、氧化錫、氧化鋪和氮氧化娃(SiON)中的至少一種。所述薄膜封裝層還可包括至少一個(gè)有機(jī)材料層。所述薄膜封裝層可包括交替堆疊的多個(gè)無(wú)機(jī)材料層和多個(gè)有機(jī)材料層。所述有機(jī)材料層包括環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯醛基樹(shù)脂、茈樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的至少一種。
[0012]所述顯示裝置還可包括在所述薄膜封裝層和所述抗反射層之間布置的防干擾層。所述防干擾層可包括透明材料。所述防干擾層可具有在IOOnm至10 μ m范圍內(nèi)的厚度。所述顯示裝置還可包括薄膜晶體管(TFT)以驅(qū)動(dòng)所述0LED。所述TFT可包括由選自由非晶硅、多晶硅和氧化物組成的組中的材料構(gòu)成的有源層。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管(OLED);在所述基板上形成薄膜封裝層，以覆蓋所述OLED ;和在所述薄膜封裝層上形成抗反射層，所述抗反射層包括介電層和金屬層。所述薄膜封裝層的形成可包括形成至少一個(gè)無(wú)機(jī)材料層。所述至少一個(gè)無(wú)機(jī)材料層可包括氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化娃、氧化招、氧化鈦、氧化錫、氧化鋪和氮氧化娃(SiON)中的至少一種。所述薄膜封裝層的形成可包括以交替的方式形成多個(gè)無(wú)機(jī)材料層和多個(gè)有機(jī)材料層。所述有機(jī)材料層中的每個(gè)可包括環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯醛基樹(shù)脂、茈樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂中的至少一種。
[0014]所述抗反射層的形成包括形成交替堆疊的多個(gè)介電層和多個(gè)金屬層。所述介電層中的每個(gè)可包括 SiO2、TiO2、ZrO2、Ta2O5、HfO2、A1203、ZnO、Y2O3、BeO、MgO、PbO2、WO3、VOx、SiNx、AIN、ZnS, CdS, SiC, SiCN, MgF, CaF2, NaF, BaF2, PbF2, LiF, LaF3 和 GaP 中的至少一種。所述金屬層中的每個(gè)可包括 Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt 和 Yb 中的至少一種。所述顯示裝置還可包括布置在所述薄膜封裝層和所述抗反射層之間的防干擾層。所述防干擾層可由透明材料組成。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0015]參照以下詳細(xì)說(shuō)明，同時(shí)結(jié)合附圖，本發(fā)明的更完整的理解及它隨之產(chǎn)生的許多優(yōu)點(diǎn)將顯而易見(jiàn)，同樣變得更好地被理解，附圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相同或相似的部件，其中:
[0016]圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的截面視圖；
[0017]圖2為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的截面視圖；
[0018]圖3為根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的薄膜晶體管形成部分的截面視圖；
[0019]圖4為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造顯示裝置的方法的流程圖；
[0020]圖5至圖7為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造顯示裝置的方法的加工步驟的截面視圖；
[0021]圖8為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1和對(duì)比例中光反射率的圖；
[0022]圖9為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1和對(duì)比例中透射率的圖；
[0023]圖10為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2和對(duì)比例中光反射率的圖；
[0024]圖11為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2和對(duì)比例中透射率的圖；[0025]圖12為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3和對(duì)比例中光反射率的圖；
[0026]圖13為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3和對(duì)比例中透射率的圖；
[0027]圖14為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4和對(duì)比例中光反射率的圖；
[0028]圖15為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4和對(duì)比例中透射率的圖；
[0029]圖16為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例5和對(duì)比例中光反射率的圖；
[0030]圖17為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例5和對(duì)比例中透射率的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]通過(guò)參照下面優(yōu)選的實(shí)施方式和附圖的詳細(xì)說(shuō)明，可更容易地理解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征，及實(shí)現(xiàn)它的方法。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實(shí)施且不應(yīng)理解為僅限于在此陳述的實(shí)施方式。更確切地說(shuō)，這些實(shí)施方式的提供使本公開(kāi)更為徹底和完全，并將本發(fā)明的范圍充分地呈現(xiàn)給本領(lǐng)域技術(shù)人員，并且本發(fā)明僅由所附權(quán)利要求書(shū)限定。
[0032]將理解，當(dāng)稱(chēng)元件或?qū)釉诹硪粋€(gè)元件或?qū)印吧稀睍r(shí)，它可直接在另一個(gè)元件或?qū)拥纳希蛘呖纱嬖谥虚g元件或?qū)?。相似的附圖標(biāo)記全部表示相識(shí)的元件。
[0033]將理解，雖然這里可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等說(shuō)明各個(gè)元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不被這些表示限制。這些術(shù)語(yǔ)僅用于區(qū)分一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分。因此，下面所述的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分可稱(chēng)為第二元件、部件、區(qū)域、層或部分，而不背離本發(fā)明的教導(dǎo)。
[0034]下文，將參照【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0035]下文，將參照【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。在下面的說(shuō)明中，通過(guò)實(shí)例，說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的關(guān)于OLED的顯示裝置，本發(fā)明還應(yīng)用于各種顯示裝置、包括白色0LED，目前正在開(kāi)發(fā)或可商購(gòu)白色0LED，或者根據(jù)技術(shù)的發(fā)展未來(lái)可實(shí)現(xiàn)。
[0036]圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置的截面視圖。
[0037]參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置I包括基板10、形成在基板10上的0LED30、形成在基板10上并覆蓋0LED30的薄膜封裝層50、和形成在薄膜封裝層50上的抗反射層70。
[0038]基板10可包括絕緣基板。所述絕緣基板可由包含透明SiO2作為主要成分的透明玻璃材料制造。此外，所述絕緣基板可包括由各種材料，例如塑料材料制造的基板。此外，所述絕緣基板可為柔性基板。
[0039]0LED30可形成在基板10上。0LED30可包括形成在基板10上的第一電極(未顯示)、形成在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層(未顯示)和形成在所述有機(jī)發(fā)光層上的第二電極(未顯示)。
[0040]所述第一電極可通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射形成在基板10上，并可為陰極或陽(yáng)極。所述第一電極可包括透明電極、半透明電極或反射電極，并可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化錫(Sn02)、氧化鋅(ZnO)、Al、Ag或Mg制造，但是本發(fā)明的方面不限于此。此外，可以具有各種堆疊的形狀形成第一電極，包括使用兩種或更多種不同材料的兩層或更多層的堆疊。
[0041]有機(jī)發(fā)光層可形成在所述第一電極上。所述有機(jī)發(fā)光層可包括已知的發(fā)光材料。例如，所述有機(jī)發(fā)光層可包括已知的主體和已知的摻雜劑，其中所述主體包括Alq3、4,4/ -N，N' - 二咔唑-聯(lián)苯(CBP)、聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)或聯(lián)苯乙烯(DSA)和磷光有機(jī)金屬絡(luò)合物(PtOEP)，所述摻雜劑包括紅色摻雜劑，例如Ir (piq) 3、Btp2Ir(acac)或4- ( 二氰亞甲基)-2-叔丁基-6-(1, I, 7，7-四甲基久咯呢定-9-烯基)-4-吡喃(DCJTB),綠色摻雜劑，例如Ir(ppy)3 (ppy=苯基批唳)、Ir (ppy) 2 (acac)或Ir (mpyp) 3,和藍(lán)色摻雜劑，例如 F2Irpic、(F2ppy) 2Ir (tmd)、Ir (dfppz) 3 或三氟(ter-fluorine)。然而，提供所述有機(jī)發(fā)光層的上述實(shí)例材料僅用于說(shuō)明，而是目前正在開(kāi)發(fā)或商購(gòu)，或者根據(jù)技術(shù)的發(fā)展為例可實(shí)現(xiàn)的全部可能。
[0042]第二電極可通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射形成在所述有機(jī)發(fā)光層上，并可為陰極或陽(yáng)極。第二電極可包括具有低功函的金屬、合金、導(dǎo)電化合物和/或它們的混合物。例如，第二電極可包括L1、Mg、Al、Al-L1、Ca、Mg-1ruMg-Ag等,但是本發(fā)明的方面不限于此。此外，可以具有各種堆疊的形狀形成第二電極，包括使用兩種或更多種不同材料的兩層或更多層的堆疊。
[0043]除了有機(jī)發(fā)光層，可進(jìn)一步在第一電極和第二電極之間形成選自由空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中的至少一個(gè)?？赏ㄟ^(guò)已知的方法使用已知的材料形成空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層。
[0044]可將已知的空穴注入材料用作空穴注入層的材料。所述空穴注入材料的實(shí)例可包括但不限于例如銅酞菁的酞菁化合物、m-MTDATA[4，4’，4’ ’ -三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺]、NPB (N, N，- 二 (1-萘基)-N, N，- 二苯基聯(lián)苯胺)、TDATA、2-TNATA、PANI/DBSA (聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、PED0T/PSS (聚(3，4-亞乙基二氧基噻吩))/聚(4-苯乙烯磺酸酯)、PANI/CSA (聚苯胺/樟腦磺酸)或PANI/PSS (聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)。
[0045]空穴傳輸材料的實(shí)例可包括咔唑衍生物，例如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑，和具有芳香稠合環(huán)的普通胺衍生物，例如4，4’-雙[N-(l-萘基)-N-苯胺]聯(lián)苯(NPB)、N，N’-雙(3-甲基苯基)-N，N’ - 二苯基-[1，I’-聯(lián)苯基]-4，4’-二胺(TPD)或 N，N’-二(亞萘-1-基)-N，N’-二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD )。
[0046]此外，可使用，例如噁二唑衍生物、三唑衍生物或菲咯啉衍生物形成空穴阻擋層。
[0047]同時(shí)，可使用，例如喹啉衍生物，具體的，三(8-羥基喹啉)鋁(Alq3)或TAZ(3- (4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5- (4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑)形成電子傳輸層。可使用，例如LiF、NaCl.CsF, Li2O或BaO形成電子注入層，但是不限于此。
[0048]覆蓋0LED30的薄膜封裝層50可形成在基板10上。薄膜封裝層50可防止氧或濕氣透入0LED30。薄膜封裝層50的結(jié)構(gòu)可無(wú)類(lèi)型限制。例如，可配置薄膜封裝層50以使無(wú)機(jī)材料層和有機(jī)材料層交替布置。即，如圖1中顯示，第一無(wú)機(jī)材料層51、第一有機(jī)材料層52、第二無(wú)機(jī)材料層53、第二有機(jī)材料層54和第三無(wú)機(jī)材料層55可在基板10和0LED30上順序堆疊，但是本發(fā)明的方面不限于此。或者，薄膜封裝層50還可具有形成在0LED30上的層的各種組合的堆疊結(jié)構(gòu)，包括以所述順序順序堆疊的有機(jī)材料層/無(wú)機(jī)材料層/有機(jī)材料層的堆疊，以所述順序順序堆疊的無(wú)機(jī)材料層/無(wú)機(jī)材料層/有機(jī)材料層的堆疊等。此夕卜，雖然未顯示，構(gòu)成薄膜封裝層50的各種層之一可為金屬層。雖然圖1顯示薄膜封裝層50具有5層堆疊，然而，這僅為了說(shuō)明而提供，薄膜封裝層50可具有4層堆疊、六層堆疊、和各種其它類(lèi)型的堆疊。
[0049]各無(wú)機(jī)材料層51、53和55可防止外部濕氣和氧透入0LED30，并且各有機(jī)材料層52和54可減小無(wú)機(jī)材料層51、53和55的內(nèi)應(yīng)力，或可填充無(wú)機(jī)材料層51、53和55的小裂紋或小孔。
[0050]可使用非限制的材料通過(guò)非限制的方法形成所述無(wú)機(jī)材料層。
[0051]例如，無(wú)機(jī)材料層可包括分別由透明材料制造的第一無(wú)機(jī)材料層51、第二無(wú)機(jī)材料層53和第三無(wú)機(jī)材料層55，并且它的實(shí)例可包括但不限于，氮化硅、氮化鋁、氮化鋯、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化娃、氧化招、氧化鈦、氧化錫、氧化鋪和氮氧化娃(S i ON )和它們的組合。
[0052]可通過(guò)真空薄膜形成方法，例如濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電子束、熱蒸發(fā)或熱離子束輔助沉積(IBAD)，而形成第一無(wú)機(jī)材料層51、第二無(wú)機(jī)材料層53和第三無(wú)機(jī)材料層55。CVD的實(shí)例可包括ICP-CVD (感應(yīng)耦合等離子體-化學(xué)氣相沉積)、CCP (電容耦合等離子體)-CVD、SWP (電容耦合等離子體)_CVD等，然而，這些僅為說(shuō)明的目的提供，并且目前正在開(kāi)發(fā)的和市場(chǎng)上可得的或根據(jù)技術(shù)的發(fā)展在未來(lái)可實(shí)現(xiàn)的全部可能的技術(shù)可用于形成根據(jù)本發(fā)明的無(wú)機(jī)材料層。
[0053]如上述，薄膜封裝層50可進(jìn)一步包括與無(wú)機(jī)材料層交替布置的有機(jī)材料層，并且可使用非限制的材料通過(guò)非限制的方法形成所述有機(jī)材料層。
[0054]例如，可由透明材料制造第一有機(jī)材料層52和第二有機(jī)材料層54中的每個(gè)，并且所述透明材料的實(shí)例包括但不限于環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯醛基樹(shù)脂、茈樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂和它們的組合。
[0055]可通過(guò)旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨、滴涂(dispensing)等沉積第一有機(jī)材料層52和第二有機(jī)材料層54，但是不限于此。此外，目前正在開(kāi)發(fā)的和市場(chǎng)上可得的或根據(jù)技術(shù)的發(fā)展在未來(lái)可實(shí)現(xiàn)的全部可能的技術(shù)都可用于形成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)材料層，并且它的實(shí)例可包括濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱蒸發(fā)、熱離子束輔助沉積(IBAD)和原子層沉積(ALD)。
[0056]在根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置I中，形成薄膜封裝層50，從而有效地防止外部濕氣和氧透入0LED30。因此，可防止0LED30的劣化，從而使基于顯示裝置I的顯示質(zhì)量的缺陷最小化，同時(shí)改善顯示裝置I的耐久性和可靠性。此外，用無(wú)機(jī)材料層和有機(jī)材料層形成薄膜封裝層50，從而與用玻璃基板形成封裝部分的情況相比，減小了顯示裝置I的總厚度和重量。
[0057]用于防止外部光反射的抗反射層70可形成在薄膜封裝層50上，并可包括介電層和金屬層。
[0058]抗反射層70可具有多層結(jié)構(gòu)，但是不限于此。例如，如圖1中顯示，抗反射層70可形成在薄膜封裝層50上，以使第一金屬層71、第一介電層72、第二金屬層73和第二介電層74 一個(gè)在另一個(gè)上面地交替堆疊，但是不限于此。即，介電層可首先堆疊在薄膜封裝層50上。或者，可順序形成金屬層或介電層的兩個(gè)或多個(gè)堆疊。此外，雖然圖1顯示了抗反射層70具有四層結(jié)構(gòu)，但是，這僅為了說(shuō)明而提供，抗反射層70可具有5層結(jié)構(gòu)、6層結(jié)構(gòu)和各種類(lèi)型的堆疊?？狗瓷鋵?0可具有非限制類(lèi)型的結(jié)構(gòu)。
[0059]例如，抗反射層70的第一金屬層71和第二金屬層73中的每個(gè)可包括但不限于，選自由 Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt 和 Yb 組成的組中的一種金屬或兩種或更多種金屬的合金。[0060]可通過(guò)濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、電子束、熱蒸發(fā)或熱離子束輔助沉積(IBAD)形成第一金屬層71和第二金屬層73，但是不限于此。
[0061]由于金屬吸收光，可吸收透過(guò)金屬層的一些光。即，當(dāng)抗反射層70包括金屬層時(shí)，通過(guò)使用一些反射的光的相消干涉可減少外部光的反射。此外，當(dāng)光透過(guò)金屬層時(shí)，沒(méi)有被相消干涉完全消除的外部光可被出現(xiàn)的光吸收進(jìn)一步吸收。
[0062]如上述，抗反射層70可進(jìn)一步包括可與金屬層交替堆疊的介電層?？墒褂梅窍拗频牟牧贤ㄟ^(guò)非限制的方法形成介電層。
[0063]例如，第一介電層72和第二介電層74中的每個(gè)可包括但不限于，選自由Si02、TiO2, ZrO2, Ta2O5' HfO2, Al2O3' ZnO、Y2O3> BeO、MgO, PbO2, WO3> VOx、SiNx、AIN、ZnS, CdS, SiC、SiCN、MgF、CaF2, NaF、BaF2, PbF2, LiF、LaF3和GaP組成的組中的一種材料或兩種或更多種材料的組合。此外，第一介電層72和第二介電層74中的至少一個(gè)可由與薄膜封裝層50的有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層相同的材料形成。
[0064]可通過(guò)旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨、滴涂等沉積第一介電層72和第二介電層74，但是不限于此。此外，目前正在開(kāi)發(fā)的和市場(chǎng)上可得的或根據(jù)技術(shù)的發(fā)展在未來(lái)可實(shí)現(xiàn)的全部可能的技術(shù)都可用于形成根據(jù)本發(fā)明的介電層，并且它的實(shí)例可包括濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱蒸發(fā)、熱離子束輔助沉積(IBAD)和原子層沉積(ALD)。
[0065]抗反射層70中的介電層可調(diào)節(jié)或補(bǔ)償光的相位差。即，所述介電層使用光相消干涉消除了反射的外部光，從而防止外部光的反射。這里，術(shù)語(yǔ)“光相消干涉”是指當(dāng)從其間的界面反射的光波在具有大約180度的相位差的同時(shí)具有相同的反射振幅和頻率時(shí)，被消除的現(xiàn)象。
[0066]S卩，根據(jù)本發(fā)明的抗反射層70可通過(guò)用光相消干涉以及金屬層的光吸收來(lái)消除外部入射光，從而減少外部光的反射。因此，不使用圓形偏振器就可減少外部光的反射，從而減小顯示裝置I的總厚度，同時(shí)即使用減小厚度的顯示裝置I也改善了顯示裝置I的可見(jiàn)度。
[0067]圖2為根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置2的截面視圖。
[0068]參照?qǐng)D1和圖2，與圖1中顯示的顯示裝置不同，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置2可進(jìn)一步包括在薄膜封裝層50和抗反射層70之間形成的防干擾層60。
[0069]防干擾層60為一類(lèi)緩沖層，用于防止由于薄膜封裝層50和抗反射層70之間的折射率的差異而產(chǎn)生的光干涉，并可通過(guò)調(diào)節(jié)它的厚度或材料而使光干涉最小化。可使用非限制的材料形成防干擾層60。例如，防干擾層60可由包括已知的有機(jī)材料或已知的無(wú)機(jī)材料的透明材料制造。例如，用于形成薄膜封裝層50的有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層的材料還可用于形成防干擾層60。此外，用于形成抗反射層70的介電層的材料可用于形成防干擾層60。可通過(guò)非限制的方法形成防干擾層60。例如，用于形成薄膜封裝層50的有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層的方法還可用于形成防干擾層60。可適當(dāng)調(diào)節(jié)防干擾層60的厚度以使其大于或等于光光相干長(zhǎng)度，例如將厚度調(diào)節(jié)為在IOOnm至10 μ m的范圍內(nèi)，但不限于此。
[0070]圖3為根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的薄膜晶體管形成部分的截面視圖。
[0071]參照?qǐng)D1至3，根據(jù)本發(fā)明的每個(gè)顯示裝置可包括形成在基板10上的薄膜晶體管T、0LED30、薄膜封裝層50和抗反射層70。防干擾層(未顯示)可進(jìn)一步形成在薄膜封裝層50和抗反射層70之間。
[0072]0LED30可包括第一電極32、第二電極36和形成在第一電極32和第二電極36之間的有機(jī)發(fā)光層34。雖然未顯示，除了有機(jī)發(fā)光層34外，可進(jìn)一步在第一電極32和第二電極36之間形成選自由空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層和電子注入層組成的組中的至少一個(gè)，所述第一電極和第二電極與結(jié)合圖1的上述說(shuō)明大體相同，并將省略它的詳細(xì)說(shuō)明。
[0073]用于分隔像素的像素限定膜80可在形成了有機(jī)發(fā)光層34的外部部分處形成?？墒褂梅窍拗频牟牧希缬袡C(jī)材料，形成像素限定膜80。
[0074]薄膜晶體管T可形成在基板10上。薄膜晶體管T是給0LED30提供電流以驅(qū)動(dòng)所述0LED30的部分。薄膜晶體管T可包括柵極92、源極94和漏極96，并且0LED30的第一電極32可與薄膜晶體管T的漏極96連接。
[0075]薄膜晶體管T的類(lèi)型無(wú)限制，并可包括，例如非晶硅TFT (a-Si TFT)、多晶硅TFT(poly-Si TFT)和氧化物TFT，但是不限于此。
[0076]薄膜封裝層50可形成在基板10上以覆蓋0LED30。因此，薄膜封裝層50可有效防止?jié)駳夂脱跬溉?LED30。薄膜封裝層50的其它細(xì)節(jié)與結(jié)合圖1的上述說(shuō)明的相同，將不給出重復(fù)的說(shuō)明。
[0077]抗反射層70可形成在薄膜封裝層50上。抗反射層70防止外部光的反射，而不需要使用圓形偏振器，從而在改善顯示裝置的可見(jiàn)度的同時(shí)減小顯示裝置的的總厚度。
[0078]現(xiàn)轉(zhuǎn)向圖4?7，圖4為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式制造顯示裝置的方法的流程圖，并且圖5至圖7為說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造顯示裝置的方法的加工步驟的截面視圖。
[0079]參照?qǐng)D4，制造顯示裝置的方法包括(SlO)在基板上形成OLED、(S20)在所述基板上形成薄膜封裝層以覆蓋0LED，和(S30 )在薄膜封裝層上形成包括介電層和金屬層的抗反射層。此外，雖然未顯示，制造顯示裝置的方法可進(jìn)一步包括在(S20)形成薄膜封裝層和(S30)形成抗反射層之間在所述薄膜封裝層上形成防干擾層。
[0080]可如下實(shí)現(xiàn)(SlO)在基板上形成0LED。參照?qǐng)D1和圖5，第一電極(圖3中#32)首先形成在基板10上。所述第一電極可通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射形成在基板上，并可為陰極或陽(yáng)極。所述第一電極可包括透明電極、半透明電極或反射電極，并可由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化錫(SnO2)、氧化鋅(ZnO)、Al、Ag或Mg形成,但是本發(fā)明的方面不限于此。所述第一電極的其它細(xì)節(jié)與結(jié)合圖1和圖3中上述說(shuō)明的相同，將不給出重復(fù)的說(shuō)明。
[0081]然后，有機(jī)發(fā)光層(圖3中#34)形成在第一電極上。所述有機(jī)發(fā)光層可包括已知的發(fā)光材料，并可通過(guò)非限制的方法形成，與參照?qǐng)D1和圖3的上述說(shuō)明相同。
[0082]在形成所述有機(jī)發(fā)光層后，第二電極(圖3中#36)形成在所述有機(jī)發(fā)光層上。所述第二電極可通過(guò)蒸發(fā)或?yàn)R射形成在有機(jī)發(fā)光層上，并且所述第二電極可為陰極或陽(yáng)極。所述第二電極可包括具有低功函的金屬，合金、導(dǎo)電化合物和/或它們的混合物。所述第二電極的其它細(xì)節(jié)與圖1和圖3中說(shuō)明的相同，將不給出重復(fù)的說(shuō)明。
[0083]0LED30可通過(guò)上述方法形成在包括第一電極、有機(jī)發(fā)光層和第二電極的基板10上。
[0084]然后，(S20)覆蓋0LED30的薄膜封裝層50形成在基板10上以覆蓋所述0LED，如下實(shí)現(xiàn)薄膜封裝層50。
[0085]參照?qǐng)D1和圖6，覆蓋0LED30的薄膜封裝層50可形成在基板10和0LED30上。薄膜封裝層50可包括以所述順序而順序堆疊的第一無(wú)機(jī)材料層51、第一有機(jī)材料層52、第二無(wú)機(jī)材料層53、第二有機(jī)材料層54和第三無(wú)機(jī)材料層55。
[0086]無(wú)機(jī)材料層51、53和55中的每個(gè)可由透明材料制造,并可通過(guò)真空薄膜形成方法形成，例如濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、電子束、熱蒸發(fā)或熱離子束輔助沉積(IBAD)，但是不限于此，這與圖1中的上述說(shuō)明相同。
[0087]可由透明材料形成各個(gè)有機(jī)材料層52和54中的每個(gè)，并且所述透明材料的實(shí)例可包括但不限于環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯醛基樹(shù)脂、茈樹(shù)脂、聚酰亞胺樹(shù)脂和它們的組合。
[0088]可通過(guò)旋涂、噴涂、絲網(wǎng)印刷、噴墨、滴涂等沉積各個(gè)有機(jī)材料層52和54，但是不限于此。此外，在形成根據(jù)本發(fā)明的有機(jī)材料層中，可使用目前正在開(kāi)發(fā)的和市場(chǎng)上可得的或根據(jù)技術(shù)的發(fā)展在未來(lái)可實(shí)現(xiàn)的全部可能的技術(shù)，它們的實(shí)例包括濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱蒸發(fā)、熱離子束輔助沉積(IBAD)和原子層沉積(ALD)，與圖1中的上述說(shuō)明相同。
[0089]作為實(shí)例，在形成第一有機(jī)材料層52時(shí)，通過(guò)包括熱蒸發(fā)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)或原子層沉積(ALD)的干法將用于形成聚酰亞胺的單體沉積在第一無(wú)機(jī)材料層51上。然后，使所得產(chǎn)物退火，從而形成基于聚酰亞胺樹(shù)脂的第一有機(jī)材料層52?？赏ㄟ^(guò)與第一有機(jī)材料層52相同的方法形成第二有機(jī)材料層54。當(dāng)通過(guò)例如熱蒸發(fā)的干法工藝形成第一有機(jī)材料層52時(shí),在沉積第一無(wú)機(jī)材料層51后,順序交替沉積第一有機(jī)材料層52。此外，可易于調(diào)節(jié)第一有機(jī)材料層52的厚度，并且干法比濕法的優(yōu)點(diǎn)為更簡(jiǎn)單，從而增加產(chǎn)率。用于形成聚酰亞胺的單體可包括選自由PTCDA (茈四羧酸二酐)、BPDA (聯(lián)苯基四羧酸二酐)和PMDA (苯均四酸二酐)組成的組中的一種或多種酸性組分，和選自由DADD(二氨基十二烷)、0DA (氧化二苯胺)和PDA (苯二胺)組成的組中的一種或多種胺，然而，提供它們僅用于說(shuō)明，在形成聚酰亞胺時(shí)可使用能夠形成已知的聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂的非限制性單體。
[0090]酸性組分和胺組分可通過(guò)熱蒸發(fā)、PECVD或ALD沉積在第一無(wú)機(jī)材料層51上，然后通過(guò)退火聚合成聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂。
[0091]同時(shí)，雖然未顯示，薄膜封裝層50可具有各種結(jié)構(gòu)，與圖1中的上述說(shuō)明相同。
[0092]然后，(S30)抗反射層70可形成在薄膜封裝層50上，可如下獲得抗反射層70。
[0093]參照?qǐng)D1和圖7，形成在薄膜封裝層50上的抗反射層70可包括以所述順序而順序堆疊的第一金屬層71、第一介電層72、第二金屬層73和第二介電層74。
[0094]可使用非限制的材料通過(guò)非限制的方法形成第一金屬層71和第二金屬層73。
[0095]例如，第一金屬層71和第二金屬層73中的每個(gè)可包括但不限于，選自由Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt和Yb組成的組中的一種金屬或兩種或更多種的合金。
[0096]此外，可通過(guò)濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、電子束、熱蒸發(fā)或熱離子束輔助沉積(IBAD)形成第一金屬層71和第二金屬層73，但是不限于此。所述抗反射層70的其它細(xì)節(jié)與圖1中說(shuō)明的相同，將不給出重復(fù)的說(shuō)明。
[0097]還可使用非限制的材料通過(guò)非限制的方法形成第一介電層72和第二介電層74。[0098]例如，第一介電層72和第二介電層74中的每個(gè)可包括但不限于，選自由Si02、TiO2, ZrO2, Ta2O5' HfO2, Al2O3' ZnO、Y2O3> BeO、MgO, PbO2, WO3> VOx、SiNx、AIN、ZnS, CdS, SiC、SiCN、MgF、CaF2, NaF、BaF2, PbF2, LiF、LaF3和GaP組成的組中的一種材料或兩種或更多種材料的組合。此外，第一介電層72和第二介電層74中的至少一個(gè)可由與薄膜封裝層50的有機(jī)材料層或無(wú)機(jī)材料層相同的材料形成。在形成根據(jù)本發(fā)明的介電層時(shí)，可通過(guò)目前正在開(kāi)發(fā)的和市場(chǎng)上可得的或根據(jù)技術(shù)的發(fā)展在未來(lái)可實(shí)現(xiàn)的全部可能的技術(shù)形成第一介電層72和第二介電層74，并且它的實(shí)例包括濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、熱蒸發(fā)、熱離子束輔助沉積(IBAD)和原子層沉積(ALD)，與結(jié)合圖1的上述說(shuō)明相同。
[0099]同時(shí)，雖然未顯示，在形成薄膜封裝層50后和形成抗反射層70前，可在薄膜封裝層50上進(jìn)一步形成防干擾層。所述防干擾層可由透明材料通過(guò)非限制的方法制造。所述防干擾層的厚度可大約調(diào)節(jié)至大于或等于光相干長(zhǎng)度，例如，在IOOnm至10 μ m的范圍內(nèi)，但不限于此。所述防干擾層的其它細(xì)節(jié)與圖1中說(shuō)明的相同，將不給出重復(fù)的說(shuō)明。
[0100]下文，提供具體的實(shí)施例，以更好地理解本發(fā)明的方面。然而，提供這些實(shí)施例僅促進(jìn)對(duì)本發(fā)明的理解，而非限制本發(fā)明。
[0101]對(duì)比例
[0102]OLED (圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。用封裝玻璃基板代替薄膜封裝層(圖1的50)封裝0LED30。將圓形偏振器附著到所述封裝玻璃基板上。所述封裝玻璃基板具有大約500um的厚度，并且所述圓形偏振器具有大約150um的厚度。
[0103]實(shí)施例1
[0104]OLED(圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。形成薄膜封裝層(圖1的50)，薄膜封裝層50具有包括無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)、無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)和無(wú)機(jī)材料層(Al2O3)五個(gè)層的堆疊，并且形成具有6um的總厚度的薄膜封裝層(圖1的50)。形成具有包括金屬層(Cr, 7nm)、介電層(SiO2, 50nm)、金屬層(Cr, 7nm)和介電層(SiO2, 70nm)的層的堆疊的抗反射層(圖1的70)。
[0105]圖8為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1和對(duì)比例中光反射率的圖，并且圖9為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例1和對(duì)比例中透射率的圖。
[0106]參照?qǐng)D8，在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中，實(shí)施例1 (B)中的光反射率與對(duì)比例(A)中的光反射率大體相同。詳細(xì)地，對(duì)比例(A)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.6%，而實(shí)施例I (B)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.7%，暗示對(duì)比例(A)中光反射率水平與實(shí)施例1 (B)彼此大體相同。此外，參照?qǐng)D9，實(shí)施例1 (B)中的透射率和對(duì)比例(A)中的透射率彼此大體相同。
[0107]實(shí)施例2
[0108]OLED (圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。形成薄膜封裝層(圖1的50)，薄膜封裝層50具有包括無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)、無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)和無(wú)機(jī)材料層(Al2O3)五個(gè)層的堆疊。形成具有包括金屬M(fèi) (Ti, 4nm)、介電層(SiO2, 50nm)、金屬層(Ti, 3nm)和介電層(SiO2, 70nm)的層的堆疊的抗反射層(圖1的70)。
[0109]圖10為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2和對(duì)比例中光反射率的圖，并且圖11為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例2和對(duì)比例中透射率的圖。
[0110]參照?qǐng)D10，在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中，實(shí)施例2 (C)中的光反射率與對(duì)比例(A)的光反射率大體相同。詳細(xì)地，對(duì)比例(A)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.6%，而實(shí)施例2 (C)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.7%，暗示對(duì)比例(A)中光反射率水平與實(shí)施例2 (C)彼此大體相同。此外，參照?qǐng)D11，實(shí)施例2 (B)中的透射率和對(duì)比例(A)中的透射率彼此大體相同。
[0111]實(shí)施例3
[0112]OLED (圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。形成薄膜封裝層(圖1的50)，薄膜封裝層50具有包括無(wú)機(jī)材料層(SiNx)、無(wú)機(jī)材料層(SiCN)、無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)和無(wú)機(jī)材料層(Al2O3)五個(gè)層的堆疊。此外，增加防干擾層(圖1的60)，并且將Ium厚的丙烯酸樹(shù)脂層用作防干擾層(圖1的60)。形成具有包括金屬層(Ag，7nm)、介電層(SiO2, 30nm)、金屬層(Cr, 5nm)和介電層(SiO2, 50nm)的層的堆疊的抗反射層(圖1的 70)。
[0113]圖12為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3和對(duì)比例中光反射率的圖，并且圖13為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例3和對(duì)比例中透射率的圖。
[0114]參照?qǐng)D12，在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中，實(shí)施例3 (D)中的光反射率與對(duì)比例(A)的光反射率大體相同。詳細(xì)地，對(duì)比例(A)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.6%，而實(shí)施例3 (D)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為1.1%，高于對(duì)比例(A)中光反射率水平。此外，參照?qǐng)D11，實(shí)施例3 (D)中的透射率和對(duì)比例(A)中的透射率彼此大體相同。
[0115]實(shí)施例4
[0116]OLED (圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。形成薄膜封裝層(圖1的50)，薄膜封裝層50具有包括無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)、無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)和無(wú)機(jī)材料層(Al2O3)五個(gè)層的堆疊。形成具有包括金屬M(fèi) (Cr, 7nm)、介電層(SiO2, 30nm)、金屬層(Cr, 6nm)、介電層(SiO2, 40nm)、金屬層(Cr, 4nm)和介電層(SiO2, 70nm)的層的堆疊的抗反射層(圖1的70)。
[0117]圖14為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4和對(duì)比例中光反射率的圖，并且圖15為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例4和對(duì)比例中透射率的圖。
[0118]參照?qǐng)D14，在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中，實(shí)施例4 (E)中的光反射率與對(duì)比例(A)的光反射率大體相同。詳細(xì)地，對(duì)比例(A)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.6%，而實(shí)施例4 (E)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.1%，暗示對(duì)比例(A)中光反射率水平與實(shí)施例4 (E)彼此大體相同。此外，參照?qǐng)D15，實(shí)施例4 (E)中的透射率和對(duì)比例(A)中的透射率彼此大體相同。
[0119]實(shí)施例5
[0120]OLED (圖1的30)形成在玻璃基板(圖1的10)上。形成薄膜封裝層(圖1的50)，薄膜封裝層50具有包括無(wú)機(jī)材料層(A1203)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)、無(wú)機(jī)材料層(A1A)、有機(jī)材料層(丙烯酸樹(shù)脂)和無(wú)機(jī)材料層(Al2O3)五個(gè)層的堆疊。形成具有包括介電層(SiO2, 50nm)、介電層(TiO2, 30nm)、金屬層(Ag, 10nm)、介電層(SiO2, 30nm)、金屬層(Cr, 9nm)和介電層(SiO2, 50nm)的層的堆疊的抗反射層(圖1的70)。
[0121]圖16為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例5和對(duì)比例中光反射率的圖，并且圖17為說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例5和對(duì)比例中透射率的圖。
[0122]參照?qǐng)D16，在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中，實(shí)施例5 (F)中的光反射率與對(duì)比例(A)的光反射率大體相同。詳細(xì)地，對(duì)比例(A)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.6%，而實(shí)施例5 (F)中在整個(gè)光波長(zhǎng)區(qū)域中的平均光反射率為4.7%，暗示對(duì)比例(A)中光反射率水平與實(shí)施例5 (F)彼此大體相同。此外，參照?qǐng)D17，實(shí)施例5 (F)中的透射率和對(duì)比例(A)中的透射率彼此大體相同。
[0123]S卩，如上述，根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置可防止外部光的反射，不需要單獨(dú)的圓形偏振器，從而獲得重量輕和薄的顯示裝置。
[0124]盡管參照其示例性實(shí)施方式具體示出并說(shuō)明了本發(fā)明，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可在不違背由以下權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的前提下載其中進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)的改動(dòng)。因此，要求本實(shí)施方式在所有方面認(rèn)為是說(shuō)明性，而非限制性，參照所附權(quán)利要求書(shū)而非上述說(shuō)明以表明本發(fā)明的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 基板； 布置在所述基板上的有機(jī)發(fā)光二極管； 布置在所述基板上以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜封裝層；和 布置在所述薄膜封裝層上并包括介電層和金屬層的抗反射層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述抗反射層包括多個(gè)介電層和多個(gè)金屬層，其中，所述介電層的各個(gè)和所述金屬層的各個(gè)交替堆疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述介電層包括選自由Si02、TiO2,ZrO2,Ta2O5' HfO2, Al2O3' ZnO、Y2O3> BeO、MgO, PbO2, WO3> VOx、SiNx、AIN、ZnS, CdS, SiC、SiCN、MgF、CaF2, NaF、BaF2, PbF2, LiF、LaF3和GaP組成的組中的至少一種材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述金屬層包括選自由Al、Ag、Mg、Cr、T1、N1、Au、Ta、Cu、Ca、Co、Fe、Mo、W、Pt和Yb組成的組中的至少一種金屬。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述薄膜封裝層包括至少一個(gè)無(wú)機(jī)材料層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述無(wú)機(jī)材料層包括選自由氮化硅、氮化招、氮化錯(cuò)、氮化鈦、氮化鉿、氮化鉭、氧化娃、氧化招、氧化鈦、氧化錫、氧化鋪和氮氧化娃組成的組中的至少一種材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述薄膜封裝層進(jìn)一步包括至少一個(gè)有機(jī)材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述薄膜封裝層包括多個(gè)無(wú)機(jī)材料層和多個(gè)有機(jī)材料層，其中，所述無(wú)機(jī)材料層的各個(gè)和所述有機(jī)材料層的各個(gè)交替堆疊。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，其中，所述有機(jī)材料層包括選自由環(huán)氧樹(shù)脂、丙烯醛基樹(shù)脂、茈樹(shù)脂和聚酰亞胺樹(shù)脂組成的組中的至少一種材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括在所述薄膜封裝層和所述抗反射層之間布置的防干擾層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述防干擾層由透明材料組成。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示裝置，其中，所述防干擾層具有在IOOnm至10μ m范圍內(nèi)的厚度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，進(jìn)一步包括薄膜晶體管，以驅(qū)動(dòng)所述有機(jī)發(fā)光二極管。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的顯示裝置，其中，所述薄膜晶體管包括由選自由非晶硅、多晶硅和氧化物組成的組中的材料構(gòu)成的有源層。
15.一種制造如權(quán)利要求1至14中任一項(xiàng)所述的顯示裝置的方法，包括: 在基板上形成有機(jī)發(fā)光二極管； 在所述基板上形成薄膜封裝層，以覆蓋所述有機(jī)發(fā)光二極管；和 在所述薄膜封裝層上形成抗反射層，所述抗反射層包括介電層和金屬層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述薄膜封裝層的形成包括形成至少一個(gè)無(wú)機(jī)材料層。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述薄膜封裝層的形成包括形成多個(gè)無(wú)機(jī)材料層和多個(gè)有機(jī)材料層，其中，所述無(wú)機(jī)材料層的各個(gè)和所述有機(jī)材料層的各個(gè)彼此堆疊。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述抗反射層的形成包括形成多個(gè)介電層和多個(gè)金屬層，其中，所述介電層的各個(gè)和所述金屬層的各個(gè)彼此堆疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進(jìn)一步包括形成布置在所述薄膜封裝層和所述抗反射層之間的防干擾層。`
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK103794734SQ201310513427
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月26日
【發(fā)明者】曺尚煥, 全震煥, 金秀燕, 樸相炫, 趙尹衡, 宋昇勇 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司