混合層壓基板、其制造方法和封裝基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種混合層壓基板、其制造方法和封裝基板?；旌蠈訅夯灏ǎ簥A芯層；至少一個(gè)第一絕緣層，其由感光性樹脂材料制成并且形成在夾芯層的上部、下部或上部和下部；以及至少一個(gè)第二絕緣層，其由非感光性樹脂材料制成并且形成在夾芯層的上部、下部或上部和下部。此外，提出了一種包括該混合層壓基板的封裝基板以及混合層壓基板的制造方法。
【專利說明】混合層壓基板、其制造方法和封裝基板
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2012年10月16日提交的題為“混合層壓基板、其制造方法和封裝基板”的韓國專利申請(qǐng)第10-2012-0114668號(hào)的權(quán)益，將其全部內(nèi)容結(jié)合于本申請(qǐng)以供參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及混合層壓基板、其制造方法以及封裝基板，并且更具體地，涉及其中以混合型層壓感光性材料的絕緣層和非感光性材料的絕緣層的混合層壓基板、其制造方法以及封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0004]在根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的PCB的情況下，通過僅使用光學(xué)通孔方法或激光通孔方法的其中一個(gè)制造層壓基板。在這種情況下，具有能夠容易地制成層壓并且可以持續(xù)使用設(shè)備等的優(yōu)勢(shì)。然而，感光性材料是昂貴的，但是能夠使用光學(xué)通孔以高密度形成并且可以根據(jù)通孔的數(shù)量減小成本負(fù)擔(dān)。在使用激光通孔的預(yù)浸料(PPG)層壓的情況下，成本負(fù)擔(dān)減小，但是由于精細(xì)圖案的限制，層壓的數(shù)量可能增加，并且隨著設(shè)備的發(fā)展，通孔的數(shù)量增加，通孔的加工成本可能增加。
[0005]通常，例如，在移動(dòng)終端的情況下，單層和底部被應(yīng)用了遮蔽物和用于SMT的圖案，使得難以執(zhí)行線路布置，并且對(duì)于每層，內(nèi)層具有每層的諸如信號(hào)傳輸線、接地(GND)、配電網(wǎng)(PDN)等的功能。在這種情況下，如在現(xiàn)有技術(shù)中，當(dāng)僅應(yīng)用光學(xué)通孔層時(shí)，通孔尺寸可能減小，并且因此，由于高密度通孔的使用可能減少層，且在光學(xué)通孔的情況下，根據(jù)掩膜圖案尺寸可以自由控制通孔尺寸以增加設(shè)計(jì)的自由度，但是成本的負(fù)擔(dān)增加了。同時(shí)，當(dāng)應(yīng)用激光通孔層時(shí)，由于精細(xì)圖案的限制，層壓的數(shù)量增加了，根據(jù)激光通孔的加工數(shù)量的增加等，成本可能增加。
[0006]此外，近來的基板市場(chǎng)需要一種具有薄型低層和低變形特性的基板。此外，為了滿足該需求，需要實(shí)現(xiàn)高密度基板的技術(shù)。然而，為了滿足高密度，需要增加層的數(shù)量，從而使基板的厚度增加。為了滿足所有的需求，基板的通孔尺寸需要減小并且圖案需要精細(xì)。在這種情況下，為了減小通孔尺寸并且微型化圖案，用于維持層壓的數(shù)量的設(shè)計(jì)的需求可能增加并且用于執(zhí)行該工藝的成本可能增加。
[0007][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009](專利文獻(xiàn)I)美國專利第US6,594，893號(hào)(2003年7月22日公開)
[0010](專利文獻(xiàn)2)美國專利第US6，270,607號(hào)(2001年8月7日公開)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的是通過在制造層壓基板時(shí)適當(dāng)?shù)鼗旌喜⑶覍訅耗苡绊懠?xì)通孔加工的感光性基板材料和非感光性基板材料來簡化基板的結(jié)構(gòu)并且最小化工藝成本。
[0012]本發(fā)明的另一目的是通過解決設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)問題實(shí)現(xiàn)最佳基板結(jié)構(gòu)和工藝。
[0013]根據(jù)本發(fā)明的第一示例性實(shí)施方式，提供了一種混合層壓基板，包括:夾芯層；至少一個(gè)第一絕緣層，其由感光性樹脂材料制成并且形成在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部；以及至少一個(gè)第二絕緣層，其由非感光性樹脂材料制成并且形成在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部。
[0014]可形成將所述第一絕緣層和所述第二絕緣層混合并層壓在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部的混合層壓結(jié)構(gòu)。
[0015]可在所述混合層壓結(jié)構(gòu)中形成通孔，從而使所述絕緣層的上部和下部相互連接。
[0016]所述第一絕緣層可包括連接形成在所述第一絕緣層的上部和下部的圖案的具有較小尺寸的至少一個(gè)細(xì)通孔，以及所述第二絕緣層可包括連接形成在所述第二絕緣層的上部和下部的圖案的具有較大尺寸的至少一個(gè)寬通孔。
[0017]所述細(xì)通孔可以是光學(xué)通孔，并且形成在所述第一絕緣層的上部的且包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層與所述光學(xué)通孔連接，以及所述寬通孔可以是激光通孔，并且形成在所述第二絕緣層的上部的且包括接地和配電網(wǎng)(PDN)中的至少任一個(gè)的寬圖案層與所述激光通孔連接。
[0018]所述細(xì)通孔可以是光學(xué)通孔并且所述寬通孔可以是激光通孔，以及可形成在所述第一絕緣層上的所述多個(gè)光學(xué)通孔具有至少兩種不同的尺寸。
[0019]所述第一絕緣層的所述感光性樹脂材料可包括選自感光性聚羥基苯乙烯(PHS)、感光性聚苯并惡唑(ΡΒ0)、感光性聚酰亞胺(PI)、感光性苯并環(huán)丁烯(BCB)、感光性聚硅氧烷、感光性環(huán)氧樹脂以及酚醛清漆樹脂中的至少任一種。
[0020]所述第二絕緣層可由預(yù)浸料(PPG)、味之素構(gòu)建膜(ABF)、樹脂包覆銅(RCC)、液晶聚合物(LCP)以及聚四氟乙烯中的任一種制成。
[0021]所述混合層壓基板可進(jìn)一步包括:形成在所述層壓基板的外層的阻焊劑(SR)層。
[0022]所述夾芯層可包括凹槽，并且所述凹槽可具有嵌入其中的電子器件，以及可嵌入有所述電子器件的所述夾芯層與所述第一絕緣層和所述第二絕緣層層壓。
[0023]混合并層壓所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的所述混合層壓結(jié)構(gòu)可設(shè)置有所述凹槽，并且所述凹槽可具有嵌入其中的電子器件。
[0024]根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式，提供了一種包含IC的封裝基板，包括:如上所述的混合層壓基板；以及IC芯片，被安裝在所述混合層壓基板上或被安裝在所述混合層壓基板中。
[0025]所述IC芯片可被安裝在將第一絕緣層和第二絕緣層混合并層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部的所述混合層壓結(jié)構(gòu)的外部，并且靠近所述IC芯片的絕緣層可以是所述第一絕緣層，并且遠(yuǎn)離所述IC芯片的所述絕緣層的內(nèi)部可設(shè)置有所述第二絕緣層。
[0026]所述IC芯片可被嵌入形成在將所述第一絕緣層和所述第二絕緣層混合并層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部的所述混合層壓結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的凹槽中。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式，提供了一種混合層壓基板的制造方法，包括:制備夾芯層并且在所述夾芯層上形成電路圖案；以及將由感光性樹脂材料制成的至少一個(gè)第一絕緣層和由非感光性材料制成的至少一個(gè)第二絕緣層層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部，并且形成圖案。
[0028]在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓中，可形成將所述第一絕緣層和所述第二絕緣層混合并層壓在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部的混合層壓結(jié)構(gòu)。
[0029]在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓以及所述圖案的形成中，可通過在所層壓的第一絕緣層上執(zhí)行曝光、顯影以及電鍍，形成連接所述第一絕緣層的上部和下部的圖案的具有較小尺寸的至少一個(gè)細(xì)光學(xué)通孔，以及可通過在所層壓的第二絕緣層上執(zhí)行激光鉆孔，形成連接形成在所述第二絕緣層的上部和下部的圖案的具有較大尺寸的至少一個(gè)寬激光通孔。
[0030]在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓以及所述圖案的形成中，可在所述第一絕緣層的上部形成包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層，以使所述精細(xì)圖案層與所述細(xì)光學(xué)通孔連接，并且可在所述第二絕緣層的上部形成包括接地和配電網(wǎng)(PDN)中的任一個(gè)的寬圖案層，以使所述寬圖案層與所述寬激光通孔連接。
[0031]所述混合層壓基板的制造方法可進(jìn)一步包括:在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓和所述圖案的形成之后，在所述混合層壓基板的外部形成阻焊劑(SR)層。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0032]圖1A是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖。
[0033]圖1B是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖。
[0034]圖2A至圖2F是示意性示出根據(jù)圖1的混合層壓基板的制造方法的示意圖。
[0035]圖3是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖。
[0036]圖4A至圖4F是示意性示出根據(jù)圖3的混合層壓基板的制造方法的視圖。
[0037]圖5是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的混合層壓基板的混合層壓結(jié)構(gòu)的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]將參照附圖來描述用于實(shí)現(xiàn)上述目的的本發(fā)明的示例性實(shí)施方式。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記將被用于描述相同的部件，且對(duì)它們的詳細(xì)描述將被省略，以允許本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易理解本發(fā)明。
[0039]在本說明書中，將理解，除非諸如“直接”的術(shù)語被用于連接、耦接、或一個(gè)組件與另一組件之間的配置關(guān)系，否則一個(gè)組件可以“直接連接至”、“直接耦接至”或“直接設(shè)置至IJ”另一元件，或者可以連接至、耦接至或設(shè)置到另一元件且其間介有插入的其他元件。
[0040]盡管在本說明書中使用了單數(shù)形式，但其也可包括復(fù)數(shù)形式，只要它不與本發(fā)明的概念相反且從解釋的角度來說不矛盾或者被用作清晰不同的含義。應(yīng)理解，在本說明書中使用的“包括”、“具有”、“包含”、“被配置為包括”等不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其他特征、組件或它們的組合。
[0041 ] 在本說明書中參照的附圖可以是理想的或理論上用于描述本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的實(shí)例。在附圖中，為了有效地描述技術(shù)特性，可能放大了形狀、尺寸、厚度等。
[0042]此外，在本說明書中，“第一”和“第二”是將一個(gè)部件與其他部件區(qū)分的表達(dá)方式，而不是表示數(shù)值或順序。
[0043]首先，將參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的一種示例性實(shí)施方式的混合層壓基板。在該情況下，未在附圖中示出的附圖標(biāo)記可能是在其他附圖中示出相同配置的附圖標(biāo)記。
[0044]圖1A是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖，圖1B是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖，圖3是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式的混合層壓基板的截面視圖，圖5是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施方式的混合層壓基板的混合層壓結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0045]參照?qǐng)D1A、圖1B、圖3以及圖5，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式的混合層壓基板可被設(shè)置為包括夾芯層10、至少一個(gè)第一絕緣層30以及至少一個(gè)第二絕緣層50。此外，在一個(gè)實(shí)例中，如圖1A、圖1B、圖3和/或圖5所示，混合層壓基板可進(jìn)一步包括阻焊劑層70。此外，在一個(gè)實(shí)例中，混合層壓基板可以是其中嵌入電子器件15的混合層壓基板?；旌蠈訅夯宓氖纠詫?shí)施方式可被應(yīng)用于移動(dòng)裝置，但是不限于此。
[0046]例如，參照?qǐng)D1A、圖1B、圖3和/或圖5，夾芯層10被形成在層壓基板的中間并且維持抗層壓基板變形的穩(wěn)定性。例如，如圖1A、圖1B和圖3所示，可在夾芯層10上形成電路圖案。在這種情況下，電路圖案可以是諸如信號(hào)傳輸線等的精細(xì)圖案20，或/和諸如接地、配電網(wǎng)等的寬圖案40。通常，夾芯層10可以由使用被用于基板的預(yù)浸料的CCL或被用于插入層等的諸如硅、玻璃、陶瓷制品等的材料制成，但是夾芯層10的材料不限于此。此夕卜，例如，參照?qǐng)D5，夾芯層10可設(shè)置有使形成在其上部和下部的電路圖案相互連接的通孔
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[0047]接下來，將參照?qǐng)D1Α、圖1Β、圖3和/或圖5描述第一絕緣層30和第二絕緣層50。至少一個(gè)第一絕緣層30可被布置在夾芯層10的上部、下部或上部和下部。圖1Α、圖1B以及圖3僅示出了其每一個(gè)被布置在夾芯層10的上部和下部的第一絕緣層30 ;并且如圖5所示，多個(gè)第一絕緣層30可被布置在夾芯層10的上部、下部或上部和下部。進(jìn)一步地，至少一個(gè)第二絕緣層50也可被布置在夾芯層10的上部、下部或上部和下部。在這種情況下，夾芯層10的上部、下部或上部和下部可直接接觸夾芯層10，但是也可在其間具有另一絕緣層或多個(gè)絕緣層地接觸夾芯層10。夾芯層10的上部、下部或上部和下部可設(shè)置有至少一個(gè)第一絕緣層30和至少一個(gè)第二絕緣層50，從而能夠滿足基板制造成本、基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及高密度需求。在這種情況下，第一絕緣層30可由感光性樹脂材料制成。例如，可通過層壓感光性樹脂膜或涂覆感光性樹脂膏劑或液相形成第一絕緣層30。在這種情況下，在一個(gè)實(shí)例中，感光性樹脂材料可包括選自感光性聚羥基苯乙烯(PHS )、感光性聚苯并惡唑(PBO )、感光性聚酰亞胺(ΡΙ)、感光性苯并環(huán)丁烯(BCB)、感光性聚硅氧烷、感光性環(huán)氧樹脂、以及酚醛清漆樹脂中的至少任意一種。第一絕緣層30由感光性樹脂材料制成，從而可以通過例如曝光和顯影在第一絕緣層30上形成具有小尺寸的細(xì)光學(xué)通孔。
[0048]同時(shí)，第二絕緣層50可由非感光性樹脂材料制成。例如，第二絕緣層50可由諸如液晶聚合物(LCP)、PPG (FRU FR2、FR3、FR4)、聚四氟乙烯、味之素構(gòu)建薄膜(ABF)、樹脂包覆銅(RCC)等的材料制成，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。在一個(gè)實(shí)例中，第二絕緣層50可以由預(yù)浸料(PPG)、味之素構(gòu)建薄膜(ABF)、樹脂包覆銅(RCC)、液晶聚合物(LCP )以及聚四氟乙烯中的任一種制成。例如，第二絕緣層50可通過層壓諸如預(yù)浸料(PPG)的構(gòu)建膜而形成。第二絕緣層50使用非感光性樹脂材料，從而可以比使用感光性材料更節(jié)省成本，并且可以通過使用CNC或激光形成合適的通孔45。例如，可通過激光鉆孔在第二絕緣層50上形成具有大尺寸的寬激光通孔45。
[0049]進(jìn)一步地，參照?qǐng)D1A、圖1B、圖3和/或圖5，在一個(gè)實(shí)例中，第一絕緣層30和第二絕緣層50形成混合層壓結(jié)構(gòu)。在夾芯層10的上部、下部或上部和下部上形成第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)。在這種情況下，第一絕緣層30可以與第二絕緣層50交替地層壓并且可以其中至少一個(gè)第一絕緣層30被安插在多個(gè)第二絕緣層50的中間的形式來層壓(盡管并未示出)。例如，如圖1A所示，第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)可包括其中第二絕緣層50形成在第一絕緣層30上的混合結(jié)構(gòu)。在這種情況下，如圖5所示，可將第一絕緣層30層壓在其中第二絕緣層50形成在第一絕緣層30上的混合結(jié)構(gòu)上?？商娲兀鐖D3所示，第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)可包括其中第一絕緣層30形成在第二絕緣層50上的混合結(jié)構(gòu)；并且如圖5所示，也可將其中第二絕緣層50形成在第一絕緣層30上的混合結(jié)構(gòu)與其中第一絕緣層30形成在第二絕緣層50上的混合結(jié)構(gòu)相混合。根據(jù)第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)高密度并且可獲得抗層壓基板的變形的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性等。此外，由于必要時(shí)會(huì)改變層壓結(jié)構(gòu)，所以可非對(duì)稱地層壓材料。
[0050]在這種情況下，參照?qǐng)D5來描述一個(gè)實(shí)例，可形成通過CNC或激光打孔的通孔65、65’以及65”，從而使第一絕緣層30和第二絕緣層50的上部和下部在混合層壓結(jié)構(gòu)內(nèi)彼此相互連接。因此，第一絕緣層30可進(jìn)一步通過例如曝光和顯影而設(shè)置有細(xì)光學(xué)通孔25和通過CNC或激光打孔的通孔65、65’以及65”。在圖5中，附圖標(biāo)記65’表示通過激光打孔的通孔，附圖標(biāo)記65”表示通過CNC打孔的通孔，并且通孔可通過電鍍等充分地填充，且通孔的上部和下部可通過諸如外壁電鍍等的工藝彼此相互連接。
[0051]盡管并未示出，但是根據(jù)另一實(shí)例，在第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)中，可以在第一絕緣層30與第二絕緣層50之間安插粘合層(未示出)從而穩(wěn)固不同種類的絕緣體之間的耦接。
[0052]進(jìn)一步地，根據(jù)一個(gè)實(shí)例，將參照?qǐng)D1A、圖1B、圖3和/或圖5更加詳細(xì)地描述第
一絕緣層30和第二絕緣層50。
[0053]首先，第一絕緣層30可設(shè)置有使形成在其上部和下部的圖案相互連接的具有小尺寸的至少一個(gè)細(xì)通孔25。在本發(fā)明中，細(xì)通孔25是指具有小于寬通孔45的直徑的結(jié)構(gòu)的通孔，并且可通過使用例如曝光/顯影工藝的光學(xué)方法形成。
[0054]在一個(gè)實(shí)例中，形成在第一絕緣層30上的細(xì)通孔25可以是通過例如光學(xué)方法形成的細(xì)光學(xué)通孔25。當(dāng)感光性樹脂材料的第一絕緣層30通過使用曝光/顯影工藝的光學(xué)方法而設(shè)置有通孔或被物理地加工時(shí)，可形成具有小于通過使用例如CNC或激光打孔而形成的通孔的尺寸的細(xì)通孔。通過在第一絕緣層30上形成細(xì)光學(xué)通孔25，能夠?qū)崿F(xiàn)高密度，并且因此，第一絕緣層30可形成在第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)中需要高密度的部分中。在這種情況下，可自由地在第一絕緣層30上形成具有較大尺寸的通孔，并且必要時(shí)，除了如圖5所示的細(xì)通孔25或通過CNC或激光加工的通孔65、65’以及65”之外，也可以在第一絕緣層30上通過例如激光加工形成寬通孔。在另一實(shí)例中，可應(yīng)用具有至少兩種不同尺寸并且形成在第一絕緣層30上的多個(gè)光學(xué)通孔25。可根據(jù)掩膜圖案尺寸控制光學(xué)通孔25的尺寸。[0055]進(jìn)一步地，在一個(gè)實(shí)例中，可在第一絕緣層30的上部形成精細(xì)圖案層20。形成在第一絕緣層30的上部的精細(xì)圖案層20可包括信號(hào)傳輸線并且可與光學(xué)通孔25連接。即，形成在第一絕緣層30的上部的圖案可以是諸如信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層20 ;并且形成在第一絕緣層30上的與形成在第一絕緣層30的上部的諸如信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層20連接的細(xì)通孔25以及形成在第一絕緣層30的上部的精細(xì)圖案層20可以是精細(xì)圖案20的一部分。同時(shí)，形成在第一絕緣層30的下部的與第一絕緣層30的細(xì)通孔25連接的圖案可以是形成在夾芯層10的上部的圖案，該夾芯層10形成圖1示出的第一絕緣層30、圖3示出的第二絕緣層50或另一第一絕緣層30 (未示出)的下層。例如，圖1A示出了諸如信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案20形成在形成第一絕緣層30的下層的夾芯層10的上部，但是如圖3所示，諸如接地、配電網(wǎng)等的寬圖案40也可形成在第一絕緣層30的下部的夾芯層10上。
[0056]例如，可使用例如覆銅層(CCL)并且可通過例如MSAP或者AMSAP工藝來形成諸如信號(hào)傳輸線的形成在第一絕緣層30的上部的精細(xì)圖案層20。在這種情況下，使用光學(xué)方法在第一絕緣層30的上部形成精細(xì)圖案層20以及穿透第一絕緣層30內(nèi)部的光學(xué)通孔25，從而可以形成高密度圖案層。同時(shí)，即使當(dāng)需要在第一絕緣層30的上部形成精細(xì)圖案層20以及低密度圖案(必要時(shí))時(shí)，也可自由地形成寬圖案層40。
[0057]繼續(xù)地，參照?qǐng)D1A、圖1B、圖3和/或圖5，第二絕緣層50可包括使形成在其上部和下部的圖案相互連接的具有較大尺寸的至少一個(gè)寬通孔45。在這種情況下，由于第二絕緣層50是由非感光性樹脂材料制成的，因此難以通過使用曝光/顯影工藝的光學(xué)方法形成在第二絕緣層50上形成的寬通孔45，從而寬通孔45可以是通過使用例如激光鉆孔形成的寬激光通孔45。使用激光鉆孔的寬激光通孔45具有比通常由感光性樹脂材料制成的并且通過光學(xué)方法形成的細(xì)光學(xué)通孔25的直徑更大的直徑。
[0058]進(jìn)一步地，在另一實(shí)例中，可在第二絕緣層50的上部形成寬圖案層40。形成在第二絕緣層50的上部的寬圖案層40可包括接地和配電網(wǎng)(PDN)中的至少任意一種。在這種情況下，寬圖案層40可與形成在第二絕緣層50上的具有較大尺寸的寬通孔45(例如，激光通孔45)連接。例如，通過激光加工的激光通孔45穿透第二絕緣層50的內(nèi)部以使形成在其上部的寬圖案層40與形成在其下部的圖案相連接。接地、配電網(wǎng)(PDN)線路等不需要高密度，因此激光通孔45和寬圖案層40可形成在第二絕緣層50上，而該第二絕緣層50形成在諸如例如預(yù)浸料的非感光性材料的構(gòu)建膜中。即，形成在第二絕緣層50上的激光通孔45和形成在第二絕緣層50的上部的諸如例如接地、配電網(wǎng)(PDN)圖案等的寬圖案層40可以是寬圖案40的一部分。進(jìn)一步地，形成在第二絕緣層50的下部的圖案可以是形成在夾芯層10的上部的圖案，該夾芯層10形成圖3示出的第二絕緣層50、圖1A示出的第一絕緣層30或另一第二絕緣層(未示出)的下層。
[0059]進(jìn)一步地，可在第二絕緣層50的上部形成諸如接地或配電網(wǎng)(PDN)的寬圖案層40或者加工覆銅層(CCL)，并且因此，可例如通過MSAP或AMSAP工藝自由地形成諸如信號(hào)線的精細(xì)圖案。例如，可在第二絕緣層50上形成寬圖案層40和精細(xì)圖案20。然而，第二絕緣層50可由非感光性材料制成，并且因此，難以通過光學(xué)方法形成作為光學(xué)通孔的穿透第二絕緣層50的通孔，從而寬通孔45可通過例如激光打孔形成。
[0060]如上所述，根據(jù)第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)，僅未將在其上形成光學(xué)通孔25 (其是細(xì)通孔25)的第一絕緣層30層壓在夾芯層10上，但是混合并層壓了在其上形成激光通孔45 (其是寬通孔45)的第一絕緣層30和第二絕緣層50，所以可以節(jié)省成本并且可以獲得層壓基板的抗變形等的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。即，在需要高密度的部分使用在其上形成細(xì)光學(xué)通孔25和精細(xì)圖案層20的第一絕緣層30，并且可以低密度形成的部分(例如接地、配電網(wǎng)(PDN)圖案等)使用在其上形成寬激光通孔45和寬圖案層40的第二絕緣層50，因此可滿足制造成本、基板的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及高密度需求。
[0061]接下來，將參照?qǐng)D1A、圖1B和圖3描述另一實(shí)例。
[0062]在這種情況下，如圖1A、圖1B和圖3所示，可進(jìn)一步在混合層壓基板的外部(例如，第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)的外部)設(shè)置阻焊劑(SR)層70。阻焊劑層70用來保護(hù)在其上形成電路圖案的配線層。阻焊劑層70可由例如感光性樹脂材料制成。進(jìn)一步地，盡管并未示出，但阻焊劑層70也可設(shè)置有通孔等，從而與層壓基板的外部電連接。
[0063]接下來，將參照?qǐng)D1B描述混合層壓基板的另一實(shí)例。
[0064]根據(jù)一個(gè)實(shí)例，在根據(jù)前述示例性實(shí)施方式的混合層壓基板中，夾芯層10包括凹槽11且電子器件15可被嵌入凹槽中。嵌入的電子器件15可以是諸如電容器等的無源器件或有源器件。通常，可使用任何可以應(yīng)用于基板(電子器件嵌入其中)的電子器件。進(jìn)一步地，可將第一絕緣層30和第二絕緣層50層壓在其中嵌入電子器件15的夾芯層10上。例如，可將其中混合并層壓了第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)層壓在其中嵌入電子器件15的夾芯層10的上部、下部或上部和下部。
[0065]可替代地，在另一實(shí)例中，盡管并未示出，但在根據(jù)前述示例性實(shí)施方式的混合層壓基板中，在其中混合并層壓了第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)中形成凹槽(未示出)，并且電子器件(未示出)可被嵌入該凹槽中。
[0066]接下來，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第二示例性實(shí)施方式的封裝基板。在這種情況下，可參照根據(jù)前述示例性實(shí)施方式和圖1A、圖1B、圖3以及圖5的混合層壓基板，并且因此，將省略其重復(fù)的描述。
[0067]盡管并未示出，但根據(jù)一個(gè)實(shí)例的包括IC的封裝基板包括根據(jù)前述第一示例性實(shí)施方式的任一個(gè)的混合層壓基板和IC芯片(未不出)。在這種情況下，IC芯片(未不出)被嵌入在根據(jù)前述第一示例性實(shí)施方式的混合層壓基板上或在該混合層壓基板中。
[0068]例如，盡管未示出，但是在一個(gè)實(shí)例中，IC芯片(未示出)可被安裝在其中混合了第一絕緣層30和第二絕緣層50并將該第一絕緣層30和第二絕緣層50層壓在夾芯層10的上部、下部或上部和下部的混合層壓結(jié)構(gòu)的外部。在這種情況下，靠近IC芯片(未示出)的絕緣層可以是第一絕緣層30，并且遠(yuǎn)離IC芯片(未示出)的絕緣層的內(nèi)部可設(shè)置有第二絕緣層50。S卩，IC芯片(未示出)以高密度形成，并且因此，第一絕緣層30可被布置在靠近IC芯片(未示出)的可形成高密度圖案的位置，以及可以低密度圖案形成的部分(即，第二絕緣層50)形成有圖案，因此可以滿足封裝基板的制造成本、結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性以及高密度。
[0069]進(jìn)一步地，盡管并未示出，但在一個(gè)實(shí)例中，IC芯片(未示出)可被嵌入形成在其中混合了第一絕緣層30和第二絕緣層50并且將該第一絕緣層30和第二絕緣層50層壓在夾芯層10的上部、下部或上部和下部的混合層壓結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的凹槽(未示出)中。在這種情況下，與IC芯片(未示出)電連接的部分可以是例如在其上形成精細(xì)圖案20的第一絕緣層30。[0070]接下來，將參照附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第三示例性實(shí)施方式的混合層壓基板的制造方法。在這種情況下，可參照根據(jù)前述示例性實(shí)施方式和圖1A、圖1B、圖3以及圖5的混合層壓基板，并且因此，將省略其重復(fù)的描述。
[0071]圖2A至圖2F是示意性示出根據(jù)圖1A的混合層壓基板的制造方法的示意圖，并且圖4A至圖4F是示意性示出根據(jù)圖3的混合層壓基板的制造方法的示意圖。
[0072]詳細(xì)地，圖2A和圖4A示出了在其上形成電路圖案的夾芯層10 ;圖2B示出了被層壓在夾芯層10上的第一絕緣層30，并且圖4B示出了被層壓在夾芯層10上的第二絕緣層50。圖2C和圖4C各自示出了其中在第一絕緣層30和第二絕緣層50上形成電路圖案并且在其內(nèi)部形成通孔的外觀，并且圖2D和圖4D各自示出了其中在形成電路圖案的下層上分別示出第二絕緣層50和第一絕緣層30的外觀。圖2E和圖4E各自示出其中在第二絕緣層50和第一絕緣層30上形成電路圖案并且在其內(nèi)部形成通孔的外觀，以及圖2F和圖4F示出了其中加入阻焊劑層70的結(jié)構(gòu)。
[0073]參照?qǐng)D2A至圖2E或/和圖4A至圖4E，根據(jù)一個(gè)實(shí)例的混合層壓基板的制造方法可包括在夾芯層10上形成電路圖案(見圖2A或/和圖4A)并且形成混合層壓結(jié)構(gòu)(見圖2B至圖2E或/和圖4B至圖4E)。進(jìn)一步地，參照?qǐng)D2F或/和圖4F，在另一示例性實(shí)施方式中，混合層壓基板的制造方法可進(jìn)一步包括形成阻焊劑層70。
[0074]參照?qǐng)D2A或/和圖4A,首先制備夾芯層10并且在夾芯層10上形成電路圖案。在這種情況下，形成在夾芯層10上的電路圖案可以是諸如信號(hào)傳輸線等的精細(xì)圖案20 (見圖4A)或/和諸如接地、配電網(wǎng)等的寬圖案40 (見圖2A)?？赏ㄟ^例如在夾芯層10上形成覆銅層(CCL)并且隨后在夾芯層10上形成刻蝕的或圖案化的覆銅層(CCL)來實(shí)現(xiàn)夾芯層10的電路圖案。通常可通過基于CCL刻蝕和改良半添加工藝(MSAP)、先進(jìn)改良半添加工藝(AMSAP)等的蓋孔法形成在夾芯層10上具有覆銅層(CCL)的電路圖案，蓋孔法通過將CCL用作種子層的電鍍來形成圖案。在這種情況下，通過MSAP或AMSAP形成的電路圖案可被形成為比蓋孔法更精細(xì)?？筛鶕?jù)在層中需要的設(shè)計(jì)性能選擇性地應(yīng)用夾芯層10的表面的電路圖案化工藝。例如，可通過例如半添加工藝(SAP)形成在圖4A中示出的精細(xì)圖案20，并且盡管并未示出，例如，可通過諸如無電鍍工藝或?yàn)R射工藝等的方法形成種子層。在電路圖案化工藝中，根據(jù)絕緣層的表面確定SAP工藝的圖案微型化，并且因此，當(dāng)絕緣體的表面粗糙度很大時(shí)，難以在絕緣體的表面上形成精細(xì)圖案，且可以根據(jù)工藝的選擇性等，甚至通過電鍍(例如，層壓Cu后的蓋孔法)形成圖案。
[0075]接下來，將參照?qǐng)D2B至圖2E或/和圖4B至圖4E描述層壓第一絕緣層與第二絕緣層以及圖案化圖案的工藝。
[0076]在通過層壓第一絕緣層與第二絕緣層的圖案的形成中，將由感光性樹脂材料制成的至少一個(gè)第一絕緣層30和由非感光性樹脂材料制成的至少一個(gè)第二絕緣層50層壓在夾芯層10的上部、下部或上部和下部，并且形成圖案。第一絕緣層30由感光性樹脂材料制成，因此可通過例如光學(xué)曝光和顯影形成精細(xì)圖案。另一方面，第二絕緣層50由非感光性材料制成，并且當(dāng)形成通孔時(shí)，應(yīng)用激光打孔，因此可通過光學(xué)方法形成具有比細(xì)光學(xué)通孔25更大的尺寸的寬通孔45。
[0077]在這種情況下，可通過層壓感光性樹脂膜或涂覆感光性樹脂膏劑或液相形成第一絕緣層30。例如，可通過在夾芯層10 (在其上形成圖2B中示出的電路圖案)上或第二絕緣層50 (在其上形成圖4D中示出的寬圖案層40)上層壓感光性樹脂膜或涂覆感光性樹脂膏劑或液相來形成第一絕緣層30。在一個(gè)實(shí)例中，用于第一絕緣層30的感光性樹脂材料可包括選自感光性聚羥基苯乙烯(PHS)、感光性聚苯并惡唑(PBO)、感光性聚酰亞胺(PI)、感光性苯并環(huán)丁烯(BCB)、感光性聚硅氧烷、感光性環(huán)氧樹脂以及酚醛清漆樹脂中的至少任意一種。
[0078]進(jìn)一步地，第二絕緣層50可由例如諸如液晶聚合物(LCP)、PPG (FRU FR2、FR3、FR4 )、聚四氟乙烯、味之素構(gòu)建膜(ABF)、樹脂包覆銅(RCC)等的材料制成，但是本發(fā)明的示例性實(shí)施方式不限于此。
[0079]參照?qǐng)D2B至圖2E或/和圖4B至圖4E，在一個(gè)實(shí)例中，在層壓第一絕緣層和第二絕緣層的工藝中，其中混合并層壓了第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)可形成在夾芯層10的上部、下部或上部和下部。在這種情況下，第一絕緣層30和第二絕緣層50可被交替地層壓，但是可以其中至少一個(gè)第一絕緣層30被安插在多個(gè)第二絕緣層50之間的形式來層壓，或者如圖5所示，也可以其中至少第二絕緣層50被安插在多個(gè)第一絕緣層30的中間的形式來層壓。例如，參照?qǐng)D2B至圖2E，混合層壓結(jié)構(gòu)可形成為具有其中第二絕緣層50形成在第一絕緣層30上的混合結(jié)構(gòu)，或者參照?qǐng)D4B至圖4E，混合層壓結(jié)構(gòu)可形成為具有其中第一絕緣層30形成在第二絕緣層50上的混合結(jié)構(gòu)。盡管并未示出，但在混合層壓結(jié)構(gòu)中，可在第一絕緣層30與第二絕緣層50之間安插粘合層(未示出)，從而穩(wěn)固不同種類絕緣體之間的耦接。
[0080]進(jìn)一步地，盡管并未示出，但參照?qǐng)D5，在通過層壓第一絕緣層和第二絕緣層形成圖案的工藝中，第一絕緣層30和第二絕緣層50通過CNC或激光被打孔以形成通孔65、65’以及65”，從而使第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)的上部和下部相互連接。
[0081]進(jìn)一步地，根據(jù)一個(gè)實(shí)例，將描述層壓第一絕緣層和第二絕緣層以及形成圖案的工藝。參照?qǐng)D2C或/和圖4E，在第一絕緣層30上形成具有較小尺寸的至少一個(gè)細(xì)通孔25 ；并且參照?qǐng)D2E或/和圖4C，可在第二絕緣層50上形成具有較大尺寸的至少一個(gè)寬通孔45。即，參照?qǐng)D2C或/和圖4E，可通過在層壓的第一絕緣層30上執(zhí)行曝光、顯影以及電鍍形成細(xì)通孔25 ;并且參照?qǐng)D2E或/和圖4C，可通過在第二絕緣層50上執(zhí)行例如激光鉆孔形成寬通孔45。
[0082]第一絕緣層30由感光性材料制成，因此通過涂覆光致抗蝕劑并且執(zhí)行曝光、顯影以及電鍍工藝形成具有較小尺寸的細(xì)通孔25，從而實(shí)現(xiàn)高密度。此外，第一絕緣層30也可設(shè)置有細(xì)通孔25，并且必要時(shí)，可通過在可以低密度形成的部分上執(zhí)行例如激光打孔而設(shè)置有具有比細(xì)光學(xué)通孔25更大的尺寸的寬激光通孔45，或者如圖5所示，也可通過使用CNC或激光而設(shè)置有通孔65、65’以及65”。使用光學(xué)方法的細(xì)光學(xué)通孔25通常形成為具有比使用激光鉆孔的物理加工的通孔更小的尺寸。此外，可根據(jù)光學(xué)掩膜圖案尺寸控制光學(xué)通孔25的尺寸。
[0083]同時(shí)，形成在第二絕緣層50上的寬激光通孔45使用Yag激光、CO2激光等來打孔，并隨后可通過電鍍或填充導(dǎo)電材料來形成。在這種情況下，第二絕緣層50由非感光性材料制成，因此難以使用光學(xué)方法形成細(xì)光學(xué)通孔。
[0084]第一絕緣層30的上部圖案和下部圖案可通過形成在第一絕緣層30上的細(xì)光學(xué)通孔25彼此連接；并且第二絕緣層50的上部圖案和下部圖案可通過形成在第二絕緣層上的寬激光通孔45彼此連接。
[0085]進(jìn)一步地，將參照?qǐng)D2C或/和圖4E描述一個(gè)實(shí)例。在第一絕緣層和第二絕緣層的層壓以及圖案的形成中，可在第一絕緣層30的上部形成包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層20。在這種情況下，包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層20可與形成在第一絕緣層30上的細(xì)光學(xué)通孔25連接。同時(shí)，在第一絕緣層30的下部形成的與形成在第一絕緣層30上的細(xì)光學(xué)通孔25連接的圖案可以是形成在夾芯層10的上部的圖案，該夾芯層10形成圖2示出的第一絕緣層30、圖4D示出的第二絕緣層50或另一第一絕緣層30 (未示出)的下層。例如，可通過例如覆銅層(CCL)的加工并且通過例如MSAP、AMSAP工藝等形成在第一絕緣層30上的精細(xì)圖案層20。同時(shí)，即使當(dāng)需要在第一絕緣層30的上部形成精細(xì)圖案層20以及低密度圖案(必要時(shí))時(shí)，也可形成寬圖案層40。
[0086]繼續(xù)地，參照?qǐng)D2E或/和圖4C，在第一絕緣層和第二絕緣層的層壓以及圖案的形成中，可在層壓的第二絕緣層50的上部形成至少包括接地和配電網(wǎng)(PDN)的寬圖案層40。在這種情況下，可形成在第二絕緣層50的上部形成的寬圖案層40從而使其與寬激光通孔45連接。進(jìn)一步地，穿透第二絕緣層50的內(nèi)部的寬激光通孔45與形成在第二絕緣層50的下部的圖案連接?？赏ㄟ^例如覆銅層(CCL)的刻蝕并且通過例如蓋孔法形成在第二絕緣層50上的寬圖案層40，并且在有些情況下，也可通過使用MSAP或AMSAP工藝來形成。
[0087]接下來，將參照?qǐng)D2F或/和圖4F描述另一實(shí)例。
[0088]在這種情況下，如圖2F或/和圖4F所示，在第一絕緣層和第二絕緣層的層壓以及圖案的形成之后，混合層壓基板的制造方法可進(jìn)一步包括在層壓結(jié)構(gòu)的外部形成阻焊劑(SR)層70。S卩，如圖2F所示，可在其上形成寬激光通孔45的第二絕緣層50上形成阻焊劑層70 ;或如圖4F所示，可在其上形成了細(xì)光學(xué)通孔25的第一絕緣層30上形成阻焊劑層70。在這種情況下，阻焊劑層70用于保護(hù)在第一絕緣層30上的電路圖案。例如，阻焊劑層70可由感光性樹脂制成。
[0089]進(jìn)一步地，當(dāng)混合層壓基板是其中嵌入電子器件的層壓基板時(shí)，在夾芯層10上的電路圖案的形成中，可在夾芯層10上形成凹槽11，并且電子器件15可被嵌入凹槽中。
[0090]可替代地，盡管并未示出，但在第一絕緣層和第二絕緣層的層壓以及圖案的形成中，混合并層壓了第一絕緣層30和第二絕緣層50，并且層壓的第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)可以是其中通過例如CNC打孔或其他方法形成凹槽(未示出)并且在該凹槽(未示出)中嵌入電子器件(未示出)的第一絕緣層30和第二絕緣層50的混合層壓結(jié)構(gòu)。
[0091]如以上所闡述，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施方式，當(dāng)使用混合層壓基板的結(jié)構(gòu)和其制造方法時(shí)，可以通過實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的最優(yōu)化來減少層壓的厚度并且通過有效地使用昂貴的層壓材料和工藝來減少層壓基板的成本。
[0092]此外，在制造層壓基板時(shí)，通過適當(dāng)?shù)卣{(diào)整細(xì)通孔層(例如，光學(xué)通孔層)和寬通孔層(例如，激光通孔層)，可以減少層壓層。
[0093]此外，通過混合感光性材料和諸如預(yù)浸料(PPG)的普通非感光性基板材料，可以減少工藝成本。此外，通過使用感光性材料和普通非感光性基板材料，可以將最佳圖案寬度應(yīng)用至每層。
[0094]此外，根據(jù)在配置基板時(shí)每層的每個(gè)主要作用，通過適當(dāng)?shù)貙?yīng)用寬圖案(諸如接地GND、配電網(wǎng)(PDN)等)的層和需要精細(xì)圖案(諸如信號(hào)傳輸線等)的層相結(jié)合，可以減少層壓層并且最優(yōu)化基板制造工藝和基板層壓結(jié)構(gòu)。
[0095]已示例性提供了附圖和上述示例性實(shí)施方式以幫助本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員的理解，而不是限定本發(fā)明的范圍。此外，根據(jù)上述配置的結(jié)合的示例性實(shí)施方式可由本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯實(shí)施。因此，本發(fā)明的各種示例性實(shí)施方式可在不脫離本發(fā)明的基本特征的情況下以修改的形式來實(shí)施。此外，本發(fā)明的范圍應(yīng)根據(jù)權(quán)利要求來解釋，且包括由本領(lǐng)域技術(shù)人員所做的各種修改、變更和等同。
【權(quán)利要求】
1.一種混合層壓基板，包括: 夾芯層； 至少一個(gè)第一絕緣層，其由感光性樹脂材料制成并且形成在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部；以及 至少一個(gè)第二絕緣層，其由非感光性樹脂材料制成并且形成在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合層壓基板，其中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層被混合并被層壓在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部的混合層壓結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的混合層壓基板，其中，通孔形成在所述混合層壓結(jié)構(gòu)中，從而使所述絕緣層的上部和下部相互連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合層壓基板，其中，所述第一絕緣層包括連接形成在所述第一絕緣層的上部和下部上的圖案的具有較小尺寸的至少一個(gè)細(xì)通孔，以及 所述第二絕緣層包括連接形成在所述第二絕緣層的上部和下部上的圖案的具有較大尺寸的至少一個(gè)寬通孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合層壓基板，其中，所述細(xì)通孔是光學(xué)通孔，并且形成在所述第一絕緣層的上部上的且包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層與所述光學(xué)通孔連接，以及 所述寬通孔是激光通孔，并且形成在所述第二絕緣層的上部上的且包括接地和配電網(wǎng)(PDN)中的至少任一個(gè)的寬圖案層與所述激光通孔連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的混合層壓基板，其中，所述細(xì)通孔是光學(xué)通孔并且所述寬通孔是激光通孔，以及 形成在所述第一絕緣層上的所述多個(gè)光學(xué)通孔具有至少兩種不同的尺寸。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合層壓基板，其中，所述第一絕緣層的所述感光性樹脂材料包括選自感光性聚羥基苯乙烯(PHS)、感光性聚苯并惡唑(PBO)、感光性聚酰亞胺(PI)、感光性苯并環(huán)丁烯(BCB)、感光性聚硅氧烷、感光性環(huán)氧樹脂以及酚醛清漆樹脂中的至少任一種。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合層壓基板，其中，所述第二絕緣層由預(yù)浸料(PPG)、味之素構(gòu)建膜(ABF)、樹脂包覆銅(RCC)、液晶聚合物(LCP)以及聚四氟乙烯中的任一種制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的混合層壓基板，進(jìn)一步包括: 形成在所述層壓基板的外層處的阻焊劑(SR)層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的混合層壓基板，其中，所述夾芯層包括凹槽，并且 所述凹槽具有嵌入其中的電子器件，以及 嵌入有所述電子器件的所述夾芯層與所述第一絕緣層和所述第二絕緣層層壓。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的混合層壓基板，其中，混合并層壓所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的所述混合層壓結(jié)構(gòu)設(shè)置有所述凹槽，并且 所述凹槽具有嵌入其中的電子器件。
12.—種包含IC的封裝基板，包括: 根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的混合層壓基板；以及IC芯片，被安裝在所述混合層壓基板上或被安裝在所述混合層壓基板中。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝基板，其中，所述IC芯片被安裝在將第一絕緣層和第二絕緣層混合并層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部的所述混合層壓結(jié)構(gòu)的外部，并且 靠近所述IC芯片的絕緣層是所述第一絕緣層，并且遠(yuǎn)離所述IC芯片的所述絕緣層的內(nèi)部設(shè)置有所述第二絕緣層。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的封裝基板，其中，所述IC芯片被嵌入形成在所述混合層壓結(jié)構(gòu)的內(nèi)部的凹槽中，在所述混合層壓結(jié)構(gòu)中，所述第一絕緣層和所述第二絕緣層被混合并被層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部。
15.—種混合層壓基板的制造方法,包括: 制備夾芯層并且在所述夾芯層上形成電路圖案；以及 將由感光性樹脂材料制成的至少一個(gè)第一絕緣層和由非感光性材料制成的至少一個(gè)第二絕緣層層壓在所述夾芯層的上部、下部或上部和下部，并且形成圖案。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓中，形成所述第一絕緣層和所述第二絕緣層被混合并被層壓在所述夾芯層的所述上部、所述下部或所述上部和所述下部上的混合層壓結(jié)構(gòu)。
17.根 據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，其中，在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓以及所述圖案的形成中， 通過在所層壓的第一絕緣層上執(zhí)行曝光、顯影以及電鍍，形成連接所述第一絕緣層的上部和下部圖案的具有較小尺寸的至少一個(gè)細(xì)光學(xué)通孔，以及 通過在所層壓的第二絕緣層上執(zhí)行激光鉆孔，形成連接形成在所述第二絕緣層的上部和下部上的圖案的具有較大尺寸的至少一個(gè)寬激光通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的制造方法，其中，在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓以及所述圖案的形成中， 在所述第一絕緣層的上部形成包括信號(hào)傳輸線的精細(xì)圖案層，以使所述精細(xì)圖案層與所述細(xì)光學(xué)通孔連接，并且 在所述第二絕緣層的上部形成包括接地和配電網(wǎng)(PDN)中的任一個(gè)的寬圖案層，以使所述寬圖案層與所述寬激光通孔連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造方法，進(jìn)一步包括: 在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層的層壓和所述圖案的形成之后，在所述混合層壓基板的外部形成阻焊劑(SR)層。
【文檔編號(hào)】H01L23/498GK103731979SQ201310482153
【公開日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2013年10月15日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月16日
【發(fā)明者】樸昇旭, 李東煥, 羅梅羅·克里斯蒂安, 權(quán)寧度, 金鎮(zhèn)求 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社