一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，包括以下步驟，步驟一：在硅襯底上注入?yún)㈦s離子，得到參雜硅襯底；步驟二：在所述參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜；步驟三：對(duì)經(jīng)過步驟二的參雜硅襯底進(jìn)行退火處理；步驟四：去除所述參雜硅襯底表面的非晶碳薄膜；步驟五：清洗所述參雜硅襯底。在在參雜硅襯底便面淀積一層非晶碳薄膜，由于非晶碳具有優(yōu)異的阻隔性和穩(wěn)定性，因此非晶碳薄膜在進(jìn)行熱退火工藝時(shí)能有效阻止摻雜離子發(fā)生釋氣現(xiàn)象，從而能有效避免在退火過程中摻雜區(qū)由于沒有硅化金屬阻止層而造成釋氣現(xiàn)象的發(fā)生，從而保證摻雜的硅襯底的電阻值和電學(xué)性能，進(jìn)而提高產(chǎn)品的性能。
【專利說明】一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種離子注入的方法，具體的涉及一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]硅襯底中的摻雜離子（如B，P)在高溫退火工藝過程中，容易發(fā)生釋氣的問題，從而影響硅襯底中的摻雜濃度，從而導(dǎo)致硅襯底的電阻值變化，同時(shí)擴(kuò)散出來的參雜離子會(huì)進(jìn)入本來不需要摻雜的區(qū)域。隨著對(duì)器件性能的進(jìn)一步提高，會(huì)造成相應(yīng)區(qū)域電學(xué)性能的失效，迫切需要解決摻雜離子在硅襯底中釋氣。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法。
[0004]本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，包括以下步驟，
[0005]步驟一：在硅襯底上注入?yún)㈦s離子，得到參雜硅襯底；
[0006]步驟二 ：在所述參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜；
[0007]步驟三：對(duì)經(jīng)過步驟二的參雜硅襯底進(jìn)行退火處理；
[0008]步驟四：去除所述參雜硅襯底表面的非晶碳薄膜；
[0009]步驟五：清洗所述參雜硅襯底。
[0010]本發(fā)明的有益效果是：在在參雜硅襯底便面淀積一層非晶碳薄膜，由于非晶碳具有優(yōu)異的阻隔性和穩(wěn)定性，因此非晶碳薄膜在進(jìn)行熱退火時(shí)能有效阻止摻雜離子發(fā)生釋氣現(xiàn)象，從而能有效避免在退火過程中摻雜區(qū)由于沒有硅化金屬阻止層而造成釋氣現(xiàn)象的發(fā)生，從而保證摻雜的硅襯底的電阻值和電學(xué)性能，進(jìn)而提高產(chǎn)品的性能。
[0011]在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本發(fā)明還可以做如下改進(jìn)。
[0012]進(jìn)一步，所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜的厚度范圍為100A?IOOOOAo
[0013]進(jìn)一步，所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜是通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法實(shí)現(xiàn)的。
[0014]進(jìn)一步，在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法中采用的溫度范圍為200°C?500。。。
[0015]進(jìn)一步，在所述退火處理過程中，將附有非晶碳薄膜的參雜硅襯底放入N2或Ar或He中進(jìn)行退火處理，退火溫度范圍為700°C?1050°C，退火時(shí)間范圍為5s?400s。
[0016]進(jìn)一步，所述去除硅襯底表面的非晶碳薄膜具體采用的是等離子體灰化工藝方法。
[0017]進(jìn)一步，所述清洗參雜硅襯底采用的是濕法清洗方法?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0018]圖I為本發(fā)明一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本發(fā)明，并非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0020]如圖I所示，首先在硅襯底上注入?yún)㈦s離子，在硅襯底中需要參雜的區(qū)域進(jìn)行離子參雜，得到參雜硅襯底；然后在所述參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積工藝在200°C?500°C溫度范圍內(nèi)在參雜硅片襯底上淀積一層厚度范圍為100A?10000A的非晶碳薄膜；其次退火處理，在所述退火處理過程中，將附有非晶碳薄膜的參雜硅襯底放入N2或Ar或He中進(jìn)行退火處理，退火溫度范圍為700°C?1050°C，退火時(shí)間范圍為5s?400s ;再次去除參雜硅襯底表面的非晶碳薄膜，采用等離子體灰化方法去除硅襯底表面的非晶碳薄膜；最后清洗參雜硅襯底，采用濕法清洗方法清洗參雜硅襯底。[0021 ] 以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：包括以下步驟， 步驟一：在硅襯底上注入?yún)㈦s離子，得到參雜硅襯底； 步驟二 ：在所述參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜； 步驟三：對(duì)經(jīng)過步驟二的參雜硅襯底進(jìn)行退火處理； 步驟四：去除所述參雜硅襯底表面的非晶碳薄膜； 步驟五：清洗所述參雜硅襯底。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜的厚度范圍為IOOA?10000A。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述在參雜硅襯底表面淀積一層非晶碳薄膜是通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法實(shí)現(xiàn)的。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：在所述等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積方法中采用的溫度范圍為200°C?500°C。
5.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：在所述退火處理過程中，將附有非晶碳薄膜的參雜硅襯底放入N2或Ar或He中進(jìn)行退火處理，退火溫度范圍為700°C?1050°C，退火時(shí)間范圍為5s?400s。
6.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述去除硅襯底表面的非晶碳薄膜具體采用的是等離子體灰化方法。
7.根據(jù)根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的一種避免離子注入摻雜離子釋氣的方法，其特征在于：所述清洗參雜硅襯底采用的是濕法清洗方法。
【文檔編號(hào)】H01L21/265GK103489763SQ201310459703
【公開日】2014年1月1日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】洪齊元, 黃海 申請(qǐng)人:武漢新芯集成電路制造有限公司