一種半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有源/漏區(qū)；依次執(zhí)行第一離子注入和第一退火，以在源/漏區(qū)中形成位錯；執(zhí)行第二離子注入，以使源/漏區(qū)呈非晶態(tài)；形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體襯底的應(yīng)力覆蓋層；執(zhí)行第二退火，以將應(yīng)力覆蓋層具有的拉應(yīng)力轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底的溝道區(qū)；去除應(yīng)力覆蓋層，并在源/漏區(qū)上形成自對準硅化物；形成具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層。根據(jù)本發(fā)明，通過第一離子注入在源/漏區(qū)中形成位錯以及形成具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層來提升作用于NMOS的溝道區(qū)的拉應(yīng)力的穩(wěn)定性，從而顯著增強NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率。
【專利說明】一種半導(dǎo)體器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝，具體而言涉及一種提高NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)半導(dǎo)體制造工藝的節(jié)點達到90nm及以下時，應(yīng)力技術(shù)(Stress Engineering)被廣泛使用以提高半導(dǎo)體器件溝道區(qū)中的載流子遷移率。
[0003]對于CMOS而言，實施源/漏區(qū)注入之后，通常在其襯底上形成雙應(yīng)力層來提高其溝道區(qū)中的載流子遷移率，其中，拉應(yīng)力層用于提高NMOS溝道區(qū)中的電子遷移率，壓應(yīng)力層用于提高PMOS溝道區(qū)中的空穴遷移率。然而，在形成所述雙應(yīng)力層時，構(gòu)成所述雙應(yīng)力層的拉應(yīng)力層和壓應(yīng)力層在二者的交匯處存在相互重疊的部分。所述相互重疊的部分將會產(chǎn)生一邊界鄰近效應(yīng)，該效應(yīng)將導(dǎo)致溝道區(qū)中的載流子遷移率的顯著下降。同時，所述相互重疊的部分還將對后續(xù)的接觸孔蝕刻工藝的實施造成一定程度的困擾。如果形成單一的拉應(yīng)力層，則提升NMOS溝道區(qū)中的電子遷移率的同時，降低PMOS溝道區(qū)中的空穴遷移率。
[0004]實施退火并去除上述應(yīng)力層之后，在源/漏區(qū)上形成自對準硅化物，而后，在襯底上形成具有不同應(yīng)力特性的接觸孔蝕刻停止層。由于自對準硅化物的存在，不能實施高溫退火以將接觸孔蝕刻停止層所具有的應(yīng)力轉(zhuǎn)移到溝道區(qū)，進而影響應(yīng)力記憶的效果。
[0005]因此，需要提出一種方法，以解決上述應(yīng)力記憶過程存在的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括:提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有源/漏區(qū)；依次執(zhí)行第一離子注入和第一退火，以在所述源/漏區(qū)中形成位錯；執(zhí)行第二離子注入，以使所述源/漏區(qū)呈非晶態(tài)；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體襯底的應(yīng)力覆蓋層；執(zhí)行第二退火，以將所述應(yīng)力覆蓋層具有的拉應(yīng)力轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體襯底的溝道區(qū)。
[0007]進一步，所述第一離子注入的注入離子為錫離子，其分兩步執(zhí)行:第一步，所述離子注入的入射方向垂直于所述半導(dǎo)體襯底的表面，注入劑量為3.0Xe14-L OXe15離子/平方厘米，注入能量為40-100keV;第二步，所述離子注入的入射方向相對于所述半導(dǎo)體襯底的表面的交角為7-35度，注入劑量為5.0Xe14-L 5Xe15離子/平方厘米，注入能量為60-200keVo
[0008]進一步，執(zhí)行所述第一步和所述第二步的次序互換。
[0009]進一步，所述第一退火為峰值退火或激光退火。
[0010]進一步，所述峰值退火的溫度為900-1100°C，持續(xù)時間為10-60S ;所述激光退火的溫度為1200-1350°C，持續(xù)時間為20-80ms。
[0011 ] 進一步，所述第二離子注入的注入離子為鍺離子，所述離子注入一步完成，其入射方向相對于所述半導(dǎo)體襯底的表面的交角為0-15度，注入劑量為5.0 X e14-l.0 X e15離子/平方厘米，注入能量為20-40keV。
[0012]進一步，所述應(yīng)力覆蓋層的厚度為10-100nm。
[0013]進一步，所述第二退火為峰值退火或瞬時退火。
[0014]進一步，所述峰值退火的溫度為950-1100°C，持續(xù)時間為20_60s ;所述瞬時退火的溫度為1000-1350°C，持續(xù)時間為10-300ms。
[0015]進一步，在所述第二退火之后，還包括下述步驟:去除所述應(yīng)力覆蓋層，并在所述源/漏區(qū)上形成自對準硅化物；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)、所述自對準硅化物和所述半導(dǎo)體襯底的具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層。
[0016]進一步，所述接觸孔蝕刻停止層的材料為TaCxNy或者TiCjiNy,其中，x的數(shù)值范圍為0.01-0.2，y的數(shù)值范圍為0.05-0.3。
[0017]進一步，所述半導(dǎo)體器件為NM0S。
[0018]進一步，所述柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上層疊的柵極介電層和柵極材料層。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，通過所述第一離子注入在所述半導(dǎo)體襯底的源/漏區(qū)中形成所述位錯以及形成所述具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層來提升作用于所述NMOS的溝道區(qū)的拉應(yīng)力的穩(wěn)定性，從而顯著增強所述NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0021]附圖中:
[0022]圖1A-圖1G為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖；
[0023]圖2為根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法依次實施的步驟的流程圖。

【具體實施方式】
[0024]在下文的描述中，給出了大量具體的細節(jié)以便提供對本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個或多個這些細節(jié)而得以實施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進行描述。
[0025]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細的步驟，以便闡釋本發(fā)明提出的提高NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率的方法。顯然，本發(fā)明的施行并不限定于半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟習(xí)的特殊細節(jié)。本發(fā)明的較佳實施例詳細描述如下，然而除了這些詳細描述外，本發(fā)明還可以具有其他實施方式。
[0026]應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時，其指明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個或多個其他特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組合。
[0027][示例性實施例]
[0028]下面，參照圖1A-圖1G和圖2來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法提高NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率的詳細步驟。
[0029]參照圖1A-圖1G，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法依次實施的步驟所分別獲得的器件的示意性剖面圖。
[0030]首先，如圖1A所示，提供半導(dǎo)體襯底100，半導(dǎo)體襯底100的構(gòu)成材料可以采用未摻雜的單晶硅、摻雜有雜質(zhì)的單晶硅、絕緣體上硅(SOI )、絕緣體上層疊硅(SSOI)、絕緣體上層疊鍺化硅(S-SiGeOI)、絕緣體上鍺化硅(SiGeOI)以及絕緣體上鍺(GeOI)等。作為示例，在本實施例中，半導(dǎo)體襯底100的構(gòu)成材料選用單晶硅。在半導(dǎo)體襯底100中形成有隔離結(jié)構(gòu)101，作為示例，隔離結(jié)構(gòu)101為淺溝槽隔離(STI)結(jié)構(gòu)或者局部氧化硅(LOCOS)隔離結(jié)構(gòu)。在本實施例中，隔離結(jié)構(gòu)101將半導(dǎo)體襯底100分為NMOS區(qū)和PMOS區(qū)，在圖示中僅示出NMOS區(qū)。半導(dǎo)體襯底100中還形成有各種阱(well)結(jié)構(gòu)，為了簡化，圖示中予以省略。
[0031]在半導(dǎo)體襯底100上形成有柵極結(jié)構(gòu)102，作為示例，柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上依次層疊的柵極介電層102a和柵極材料層102b。柵極介電層102a包括氧化物層，例如二氧化硅(S12)層。柵極材料層102b包括多晶硅層、金屬層、導(dǎo)電性金屬氮化物層、導(dǎo)電性金屬氧化物層和金屬硅化物層中的一種或多種，其中，金屬層的構(gòu)成材料可以是鎢(W)、鎳(Ni)或鈦(Ti);導(dǎo)電性金屬氮化物層包括氮化鈦(TiN)層；導(dǎo)電性金屬氧化物層包括氧化銥(IrO2)層；金屬硅化物層包括硅化鈦(TiSi)層。柵極介電層102a和柵極材料層102b的形成方法可以采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)的任何現(xiàn)有技術(shù)，優(yōu)選化學(xué)氣相沉積法(CVD)，如低溫化學(xué)氣相沉積(LTCVD)、低壓化學(xué)氣相沉積(LPCVD)、快熱化學(xué)氣相沉積(RTCVD)、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)。
[0032]此外，作為示例，在柵極結(jié)構(gòu)102的兩側(cè)形成有緊靠柵極結(jié)構(gòu)102的偏移側(cè)墻103。偏移側(cè)墻103由氧化物、氮化物或者二者的組合構(gòu)成，在本實施例中，偏移側(cè)墻103的構(gòu)成材料為氧化物。形成偏移側(cè)墻103的工藝過程為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)，在此不再加以贅述。
[0033]在偏移側(cè)墻103的兩側(cè)形成有側(cè)墻104。形成側(cè)墻104的工藝步驟包括:在半導(dǎo)體襯底100上形成完全覆蓋柵極結(jié)構(gòu)102和偏移側(cè)墻103的側(cè)墻材料層，其構(gòu)成材料優(yōu)選氮化娃；采用側(cè)墻蝕刻(blanket etch)工藝蝕刻側(cè)墻材料層，以形成側(cè)墻104。
[0034]接下來，執(zhí)行源/漏區(qū)注入105并退火，以在半導(dǎo)體襯底100中形成源/漏區(qū)，為了簡化，圖示中予以省略。形成源/漏區(qū)105的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟習(xí)，在此不再加以贅述。為了降低熱預(yù)算，所述退火可以移至后續(xù)實施應(yīng)力記憶時執(zhí)行。在實施源/漏區(qū)注入105之前或者同時，可選地，實施預(yù)非晶化注入，以降低短溝道效應(yīng)。預(yù)非晶化注入的注入離子包括鍺、碳等III族和V族離子。
[0035]接著，如圖1B所示，去除側(cè)墻105，并執(zhí)行第一離子注入106。在本實施例中，第一離子注入106的注入離子為錫(Sn)離子，其分兩步執(zhí)行:第一步，所述離子注入的入射方向垂直于半導(dǎo)體襯底100的表面，注入劑量為3.0Xe14-L OXe15離子/平方厘米，注入能量為40-100keV ;第二步，所述離子注入的入射方向相對于半導(dǎo)體襯底100的表面具有交角，所述交角優(yōu)選7-35度，注入劑量為5.0Xe14-L 5Xe15離子/平方厘米，注入能量為60-200keV。需要說明的是，執(zhí)行所述第一步和所述第二步的次序可以互換。
[0036]接著，如圖1C所示，執(zhí)行第一退火，以在半導(dǎo)體襯底100的源/漏區(qū)中形成位錯107。以第一離子注入106的注入離子為錫離子為例，位錯107是由錫離子注入?yún)^(qū)和半導(dǎo)體襯底100中的硅之間的界面處產(chǎn)生的晶格錯位缺陷構(gòu)成的，其可以顯著增強作用于半導(dǎo)體襯底100的溝道區(qū)的應(yīng)力。執(zhí)行第一離子注入106之后，離子注入?yún)^(qū)中的硅呈非晶態(tài)，晶格體積增大(幅度大約為6-8%);執(zhí)行第一退火之后，離子注入?yún)^(qū)中的硅重新晶態(tài)化，晶格體積恢復(fù)到執(zhí)行第一離子注入106之前的狀態(tài)，上述硅晶格體積的變化導(dǎo)致所述晶格錯位缺陷的產(chǎn)生。在本實施例中，所述第一退火為峰值退火或激光退火。所述峰值退火的溫度為900-1100°C，持續(xù)時間為10-60s ;所述激光退火的溫度為1200_1350°C，持續(xù)時間為20_80ms。
[0037]接著，如圖1D所示，執(zhí)行第二離子注入108，以使所述源/漏區(qū)呈非晶態(tài)。在本實施例中，第二離子注入108的注入離子為鍺(Ge)離子，所述離子注入一步完成，其入射方向相對于半導(dǎo)體襯底100的表面的交角為0-15度，注入劑量為5.0 X e14-l.0 X e15離子/平方厘米，注入能量為20-40keV。執(zhí)行第二離子注入108之后，離子注入?yún)^(qū)中的硅再次呈非晶態(tài)，晶格體積增大所產(chǎn)生的拉應(yīng)力被位錯107鎖定，此過程相當(dāng)于一次應(yīng)力記憶過程。
[0038]接著，如圖1E所示，形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)102和半導(dǎo)體襯底100的應(yīng)力覆蓋層109。在本實施例中，采用共形沉積工藝形成應(yīng)力覆蓋層109，以使形成的應(yīng)力覆蓋層109具有良好的階梯覆蓋特性。應(yīng)力覆蓋層109具有的應(yīng)力的大小與形成應(yīng)力覆蓋層109所采用的沉積工藝的工藝條件有關(guān)，在此不做具體限定，其構(gòu)成材料優(yōu)選氮化硅，其厚度為10-100nm。需要說明的是，在形成應(yīng)力覆蓋層109之前，可以先形成一薄層氧化物層，以防止后續(xù)去除應(yīng)力覆蓋層109時對半導(dǎo)體襯底100造成損傷，為了簡化，圖示中未示出所述薄層氧化物層。
[0039]然后，執(zhí)行第二退火，將應(yīng)力覆蓋層109具有的拉應(yīng)力轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底100中的溝道區(qū)。上述應(yīng)力的轉(zhuǎn)移是通過位錯107實現(xiàn)的，執(zhí)行第二退火后，離子注入?yún)^(qū)中的硅重新晶態(tài)化，晶格體積的減小廣生的拉應(yīng)力(晶格體積減小6%誘導(dǎo)廣生4GPa的拉應(yīng)力)被位錯107鎖定。由于應(yīng)力覆蓋層109的存在，離子注入?yún)^(qū)中的硅的晶格體積不會完全恢復(fù)到執(zhí)行第二離子注入108之前的狀態(tài)。在本實施例中，所述第二退火為峰值退火或瞬時退火。所述峰值退火的溫度為950-1100°C，持續(xù)時間為20-60s ;所述瞬時退火的溫度為1000-1350°C，持續(xù)時間為10-300ms。
[0040]接著，如圖1F所示，去除應(yīng)力覆蓋層109，并在半導(dǎo)體襯底100中的源/漏區(qū)上形成自對準硅化物110。在本實施例中，采用濕法蝕刻工藝去除應(yīng)力覆蓋層109。形成自對準硅化物110的工藝為本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再加以贅述。
[0041]接著，如圖1G所示，形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)102、自對準硅化物110和在半導(dǎo)體襯底100的具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層111。在本實施例中，采用共形沉積工藝形成接觸孔蝕刻停止層111，以使形成的接觸孔蝕刻停止層111具有良好的階梯覆蓋特性。接觸孔蝕刻停止層111的材料優(yōu)選TaCxNy或者TiCxNy,以增強NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率和飽和電流，其中，X的數(shù)值范圍為0.01-0.2，y的數(shù)值范圍為0.05-0.3。
[0042]至此，完成了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法實施的工藝步驟，接下來，可以通過后續(xù)工藝完成整個半導(dǎo)體器件的制作，包括:在接觸孔蝕刻停止層111上形成層間介電層，在層間介電層中形成連通自對準硅化物110的接觸孔，在接觸孔中填充構(gòu)成接觸塞的金屬材料等。根據(jù)本發(fā)明，通過第一離子注入106在半導(dǎo)體襯底100的源/漏區(qū)中形成位錯107以及形成具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層111來提升作用于NMOS的溝道區(qū)的拉應(yīng)力的穩(wěn)定性，從而顯著增強NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率。
[0043]參照圖2，其中示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的方法提高NMOS的溝道區(qū)載流子遷移率的流程圖，用于簡要示出整個制造工藝的流程。
[0044]在步驟201中，提供半導(dǎo)體襯底，在半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有源/漏區(qū)；
[0045]在步驟202中，依次執(zhí)行第一離子注入和第一退火，以在源/漏區(qū)中形成位錯；
[0046]在步驟203中，執(zhí)行第二離子注入，以使源/漏區(qū)呈非晶態(tài)；
[0047]在步驟204中，形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)和半導(dǎo)體襯底的應(yīng)力覆蓋層；
[0048]在步驟205中，執(zhí)行第二退火，以將應(yīng)力覆蓋層具有的拉應(yīng)力轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體襯底的溝道區(qū)；
[0049]在步驟206中，去除應(yīng)力材料層，并在源/漏區(qū)上形成自對準硅化物；
[0050]在步驟207中，形成覆蓋柵極結(jié)構(gòu)、自對準硅化物和半導(dǎo)體襯底的具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層。
[0051]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實施例進行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體器件的制造方法，包括: 提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有柵極結(jié)構(gòu)，在所述柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的半導(dǎo)體襯底中形成有源/漏區(qū)； 依次執(zhí)行第一離子注入和第一退火，以在所述源/漏區(qū)中形成位錯； 執(zhí)行第二離子注入，以使所述源/漏區(qū)呈非晶態(tài)； 形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)和所述半導(dǎo)體襯底的應(yīng)力覆蓋層； 執(zhí)行第二退火，以將所述應(yīng)力覆蓋層具有的拉應(yīng)力轉(zhuǎn)移到所述半導(dǎo)體襯底的溝道區(qū)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一離子注入的注入離子為錫離子，其分兩步執(zhí)行:第一步，所述離子注入的入射方向垂直于所述半導(dǎo)體襯底的表面，注入劑量為3.0 X e14-l.0 X e15離子/平方厘米，注入能量為40_100keV ;第二步，所述離子注入的入射方向相對于所述半導(dǎo)體襯底的表面的交角為7-35度，注入劑量為5.0 X e14-l.5 X e15離子/平方厘米，注入能量為60-200keV。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，執(zhí)行所述第一步和所述第二步的次序互換。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一退火為峰值退火或激光退火。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述峰值退火的溫度為900-1100C，持續(xù)時間為10-60s ;所述激光退火的溫度為1200-1350°C，持續(xù)時間為20_80ms。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二離子注入的注入離子為鍺離子，所述離子注入一步完成，其入射方向相對于所述半導(dǎo)體襯底的表面的交角為0-15度，注入劑量為5.0 X e14-l.0 X e15離子/平方厘米，注入能量為20_40keV。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述應(yīng)力覆蓋層的厚度為10-100nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二退火為峰值退火或瞬時退火。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述峰值退火的溫度為950-1100C，持續(xù)時間為20-60s ;所述瞬時退火的溫度為1000-1350°C，持續(xù)時間為10_300ms。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二退火之后，還包括下述步驟:去除所述應(yīng)力覆蓋層，并在所述源/漏區(qū)上形成自對準硅化物；形成覆蓋所述柵極結(jié)構(gòu)、所述自對準硅化物和所述半導(dǎo)體襯底的具有可調(diào)節(jié)的高應(yīng)力的接觸孔蝕刻停止層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述接觸孔蝕刻停止層的材料為TaCxNy或者TiCxNy，其中，X的數(shù)值范圍為0.01-0.2，y的數(shù)值范圍為0.05-0.3。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件為NM0S。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述柵極結(jié)構(gòu)包括自下而上層疊的柵極介電層和柵極材料層。
【文檔編號】H01L21/265GK104517846SQ201310459557
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月27日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】趙猛 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司