一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝工藝包括：形成次級(jí)封裝組件；自所述次級(jí)封裝組件的第一主面和第二主面對應(yīng)所述凸點(diǎn)進(jìn)行盲孔開窗口并鉆盲孔至所述凸點(diǎn)處；在所述次級(jí)封裝組件上開設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件；在所述盲孔以及所述通孔內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍；進(jìn)行第一外層線路層的制作。本發(fā)明解決了以往埋入結(jié)構(gòu)中大功率器件的熱管理性能問題，解決了器件的散熱，本發(fā)明利用基于有機(jī)基板工藝進(jìn)行了其散熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，能夠很好的滿足其散熱的性能。
【專利說明】一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝及封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，尤其涉及一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝及其封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著信息技術(shù)的不斷發(fā)展，手機(jī)和各種電子產(chǎn)品越來越向輕薄短小的方向發(fā)展，手機(jī)電腦的性能越來越高，體積變得越來越小，對芯片和器件的集成度要求也越來越高。隨著大規(guī)模集成電路的不斷發(fā)展和革新，線寬已經(jīng)接近22納米，集成度達(dá)到空前的水平。對于技術(shù)和設(shè)備的要求也達(dá)到了一個(gè)全新的高度。線寬進(jìn)一步變小的難度越來越大，技術(shù)和設(shè)備的加工能力的提升難度更大，技術(shù)和設(shè)備水平的發(fā)展趨于減緩。
[0003]這種情況下，3D高密度封裝受產(chǎn)業(yè)界廣泛的重視，一個(gè)器件中的芯片不再是一個(gè)，而是多個(gè)，并且不再是只在一層排列，而是堆疊成三維高密度微組裝芯片。芯片三維堆疊有效減少了器件的三維尺寸，芯片間的堆疊方式也在不斷的改進(jìn)。從FLIP CHIP到硅基TSV(Through Silicon Via)通孔互聯(lián)技術(shù),器件的三維尺寸變得越來越小。封裝工藝也從原來的鍵合、貼片、塑封，演變成引入前段工藝的RDL、Flip Chip、晶圓鍵合、TSV等等關(guān)鍵工藝技術(shù)，使得更芯片密度更大、尺寸更小的封裝結(jié)構(gòu)不斷涌現(xiàn)。
[0004]現(xiàn)有有機(jī)基板的有源芯片的埋入技術(shù)中所存在限制其大規(guī)模量產(chǎn)的關(guān)鍵問題在于，其埋入芯片的良率以及散熱可靠性的問題，尤其是對于大功率的器件來說熱管理性能制約了其有機(jī)基板有源芯片埋入的應(yīng)用。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本部分的目的在于概述本發(fā)明的實(shí)施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實(shí)施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和發(fā)明名稱中可能會(huì)做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。
[0006]鑒于上述和/或現(xiàn)有半導(dǎo)體封裝中存在的問題，提出了本發(fā)明。
[0007]因此，本發(fā)明的目的是提出一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，解決目前埋入芯片的良率以及散熱可靠性的問題。
[0008]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，包括，提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件中有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)封裝有芯片，所述初級(jí)封裝組件具有第一主面和與第一主面相對的第二主面，所述芯片的主側(cè)與所述第二主面同向，且其上設(shè)置有連接墊片；將兩個(gè)初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面相對的壓合形成次級(jí)封裝組件，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板夾持封裝于所述有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)的芯片；自所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片上的連接墊片進(jìn)行盲孔開窗口并開設(shè)盲孔至所述芯片上的連接墊片處；在所述次級(jí)封裝組件上開設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件；對所述盲孔、所述通孔以及次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍；進(jìn)行第一外層線路層的制作。[0009]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，其中每個(gè)初級(jí)封裝組件的制作工藝包括，提供一有機(jī)基板并在有機(jī)基板的一側(cè)形成金屬槽，所述金屬槽的尺寸與待封裝的芯片的尺寸相適應(yīng)；將所述芯片的主側(cè)貼裝于所述金屬槽內(nèi)；在與所述芯片的主側(cè)相對的另一側(cè)進(jìn)行金屬制作以封裝所述芯片；進(jìn)行區(qū)域金屬蝕刻，所述區(qū)域金屬蝕刻是對有電氣連通的通孔的位置的金屬進(jìn)行蝕刻。
[0010]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:在進(jìn)行第一外層線路層的制作后，還包括，在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的壓合；互連所述外層線路介質(zhì)層上的介質(zhì)層盲孔并進(jìn)行第二外層線路層的制作。
[0011]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:在進(jìn)行第二外層線路層的制作后，還包括，在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層的制作；進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0012]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述有機(jī)基板包括有機(jī)層以及夾持所述有機(jī)層的分別位于所述有機(jī)層的兩個(gè)金屬層，在有機(jī)基板第一主面形成金屬槽之前，其還包括，對所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層進(jìn)行增金屬工藝，使得增金屬后所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層增厚。
[0013]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述將兩個(gè)初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面相對的壓合形成次級(jí)封裝組件后，其還包括，將所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面上的金屬進(jìn)行減薄。
[0014]作為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的一種優(yōu)選方案，其中:所述在所述次級(jí)封裝組件上開設(shè)通孔后，其還包括，蝕刻所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面上的金屬。
[0015]本發(fā)明的另目的是提供一種新型封裝結(jié)構(gòu)，該封裝結(jié)構(gòu)解決了在有機(jī)基板有源器件中的熱管理的散熱問題，另外還可以使所埋入器件之間進(jìn)行電磁屏蔽。
[0016]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案:一種封裝結(jié)構(gòu)，包括，次級(jí)封裝組件，所述次級(jí)封裝組件包括兩個(gè)相對壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板以及封裝于所述有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)的芯片；盲孔，自所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片上的連接墊片進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)；通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件且所述通孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)；第一外層線路層，所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0017]作為本發(fā)明所述封裝結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，其中:該封裝結(jié)構(gòu)還包括，外層線路介質(zhì)層，所述外層線路介質(zhì)層壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；介質(zhì)層盲孔，所述介質(zhì)層盲孔設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層且所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)填充有第二電鍍介質(zhì)；第二外層線路層，所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0018]作為本發(fā)明所述封裝結(jié)構(gòu)的一種優(yōu)選方案，其中:該封裝結(jié)構(gòu)還包括，阻焊層，所述阻焊層設(shè)置于所述第二外層線路層上。
[0019]本發(fā)明相對于現(xiàn)有技術(shù)而言主要優(yōu)勢有以下幾點(diǎn):
[0020](I)有機(jī)基板工藝成熟和材料工藝成本低適合于大規(guī)模化量產(chǎn)的需要，本發(fā)明的實(shí)施工藝全部基于有機(jī)基板的工藝方法和材料開展的，能夠滿足功能基板的可靠性等要求；
[0021](2)本發(fā)明的主要優(yōu)勢在于解決了以往埋入結(jié)構(gòu)中大功率器件的熱管理性能問題，解決了器件的散熱，本發(fā)明利用基于有機(jī)基板工藝進(jìn)行了其散熱結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，能夠很好的滿足其散熱的性能；
[0022](3)本發(fā)明提供的封裝結(jié)構(gòu)中包含有兩層的多芯片的埋入，適用于系統(tǒng)級(jí)集成封裝，滿足了其現(xiàn)在封裝系統(tǒng)中的小型化集成化要求，另外在芯片的之間有金屬屏蔽層，減少了其芯片之間的電磁干擾提高系統(tǒng)模塊的電磁兼容的性能。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。其中:
[0024]圖1?圖11為本發(fā)明所述一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝的各步驟得到的產(chǎn)品的示意圖；
[0025]圖12為本發(fā)明中的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝在一個(gè)實(shí)施方式中的流程不意圖；
[0026]圖13為本發(fā)明中的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝在另一個(gè)實(shí)施方式中的流程示意圖；
[0027]圖14為本發(fā)明中的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝在再一個(gè)實(shí)施方式中的流程示意圖；
[0028]同時(shí)，其中，
[0029]圖7為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的剖面示意圖；
[0030]圖9為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖；
[0031]圖10為本發(fā)明所述嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝制作的封裝結(jié)構(gòu)的第三實(shí)施例的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
[0033]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0034]其次，本發(fā)明結(jié)合示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0035]另，本發(fā)明中提出的術(shù)語“第一主面”、“第二主面”、“主側(cè)”或“一側(cè)”以及“表面”等指示方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，基于此種理解，若針對特定部件或組件“面”或“側(cè)”的減薄或增厚，亦可以指代基于此特定部件或組件“面”或“側(cè)”的延伸，而不是要求本發(fā)明必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0036]本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中提出了一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝700，請參考圖12所示，該封裝工藝包括如下步驟:
[0037]步驟710，如圖1所示，并參見圖la，提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件中有機(jī)基板101的金屬槽103內(nèi)封裝有芯片102，所述初級(jí)封裝組件具有第一主面SI和與第一主面SI相對的第二主面S2，所述芯片102的主側(cè)M與所述第二主面S2同向，且其上設(shè)置有連接墊片102a。
[0038]具體的，參見圖1a?圖1d以及圖1，所述初級(jí)封裝組件的形成方法包括:
[0039]步驟一，結(jié)合圖1a和圖lb，提供一有機(jī)基板101，并在有機(jī)基板101的一側(cè)形成金屬槽103，所述金屬槽103的尺寸與待封裝的芯片102的尺寸相適應(yīng)，即金屬槽103的長寬高與芯片102的長寬高相匹配。
[0040]需要指出的是，所述有機(jī)基板101包括了有機(jī)層以及夾持所述有機(jī)層的分別位于所述有機(jī)層的兩個(gè)金屬層。在這一實(shí)施方式中，在有機(jī)基板101的一側(cè)進(jìn)行圖像曝光，并進(jìn)行金屬層金屬的蝕刻，制作出貼裝芯片102以及電氣連接過孔的圖形，主要是在貼裝芯片102以及有電氣過孔的位置將銅蝕刻干凈，在制作過程中要對用于曝光的資料進(jìn)行處理，并根據(jù)工藝條件進(jìn)行圖像的補(bǔ)償。這一實(shí)施方式是基于有機(jī)基板101上的金屬層厚度足夠，例如，所述金屬層的厚度大于待封裝的芯片102厚度和貼片膠(用以貼裝芯片102)的厚度之和，那么，如此就可以直接在所述有機(jī)基板101的一側(cè)形成金屬槽103，以安裝芯片102。
[0041]步驟二，如圖1b所示，將所述芯片102的主側(cè)M貼裝于所述金屬槽103內(nèi)。具體為，用貼片膠(填孔膠)進(jìn)行芯片102的主側(cè)M上設(shè)置的連接墊片102a的貼裝，并且要求貼片膠充滿芯片102的底部以及芯片102的邊緣；另外為了能夠后續(xù)的有機(jī)基板101工藝過程進(jìn)行化金屬在芯片102背面進(jìn)行處理，一方面可以進(jìn)行金屬化處理，金屬化的材料可以為金、銅、鎳等能夠化銅的金屬，或者是進(jìn)行非金屬化處理，可以在其芯片102的背面進(jìn)行旋涂膠。
[0042]步驟三，參見圖lc，在與所述芯片102的主側(cè)M相對的另一側(cè)進(jìn)行金屬制作以封裝所述芯片102。具體為，在芯片102的主側(cè)M對應(yīng)的一面表面進(jìn)行化金屬，化金屬層一般在I μ m之下，然后進(jìn)行整個(gè)面的電鍍，要求電鍍后的金屬層厚大于50 μ m。
[0043]步驟四，如圖1d所示，進(jìn)行區(qū)域金屬蝕刻E，所述區(qū)域金屬蝕刻E是對有電氣連通的通孔的位置的金屬進(jìn)行蝕刻。區(qū)域金屬蝕刻E要求將對有電氣連通的通孔的位置的金屬蝕刻干凈，得到初級(jí)封裝組件。對比圖1c與圖1d可知，圖1d在有電氣連通的通孔的位置進(jìn)行了區(qū)域金屬蝕刻E，將此位置的金屬蝕刻掉。
[0044]步驟720，如圖2所示，將兩個(gè)初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面SI相對的壓合形成次級(jí)封裝組件100，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板101夾持封裝于所述有機(jī)基板101的金屬槽103內(nèi)的芯片102。
[0045]具體為，將同樣的初級(jí)封裝組件應(yīng)用半固化片或ABF (Ajinomoto Bond Film)等進(jìn)行壓合。其中，若應(yīng)用半固化片比如PP(Pr印reg，是多層板生產(chǎn)中的主要材料之一，主要由樹脂和增強(qiáng)材料組成)時(shí)候，要先在對應(yīng)芯片102貼裝的位置進(jìn)行機(jī)械開窗，然后再進(jìn)行高溫壓合；假如采用的為ABF，則需要足夠厚的ABF直接進(jìn)行真空層壓。
[0046]上述步驟710以及步驟720實(shí)現(xiàn)了在一個(gè)實(shí)施方式中形成次級(jí)封裝組件100的方式。
[0047]在另一個(gè)實(shí)施方式中，形成次級(jí)封裝組件100的方式可以為:
[0048]第一步,如圖2a所不,提供一有機(jī)基板101,若有機(jī)基板101上的金屬層厚度不足以形成金屬槽103以封裝所述芯片102，那么，如圖2a所示，本實(shí)施例中所采用的有機(jī)基板101可以為雙面覆銅芯(Core)板或者是半固化片和銅箔壓合形成的雙面覆銅板。然后，參見圖2b，圖2b為對雙面覆銅芯(Core)板或者是半固化片和銅箔壓合形成的雙面覆銅板進(jìn)行雙面的全板電鍍，電鍍的厚度大于待封裝的芯片102厚度，并且要求具有比較好的均勻性。在采用點(diǎn)膠倒裝貼芯片的方式進(jìn)行芯片的封裝時(shí)，電鍍的厚度大于芯片厚度和貼片膠的厚度之和，即要求其電鍍的金屬的厚度與芯片102與貼片膠的厚度和相近，精度誤差控制在20 μ m以下。如圖2a和圖2b所示，圖2b相對于圖2a，所述有機(jī)基板101的金屬層進(jìn)行增金屬工藝后，覆金屬層明顯加厚。
[0049]第二步，如圖2c所示，在增金屬工藝后的有機(jī)基板101的一側(cè)形成金屬槽103，所述金屬槽103的尺寸與待封裝的芯片102的尺寸相適應(yīng)，即金屬槽103的長寬高與芯片102的長寬高相匹配。
[0050]第三步，如圖2d所示，將所述芯片102的主側(cè)M貼裝于所述金屬槽103內(nèi)。即用貼片膠(填孔膠)進(jìn)行芯片102的主側(cè)M上設(shè)置的連接墊片102a的貼裝，并且要求貼片膠充滿芯片102的底部以及芯片102的邊緣。
[0051]第四步，如圖2e所示，在與所述芯片102的主側(cè)M相對的另一側(cè)進(jìn)行金屬制作以封裝所述芯片102。
[0052]第五步，如圖2f所示，進(jìn)行區(qū)域金屬蝕刻E，所述區(qū)域金屬蝕刻E是對有電氣連通的通孔的位置的金屬進(jìn)行蝕刻，以形成一側(cè)金屬層較厚的初級(jí)封裝組件，所述一側(cè)金屬層較厚的初級(jí)封裝組件具有第一主面SI和與第一主面SI相對的第二主面S2。
[0053]第六步，如圖2g所示，將兩個(gè)一側(cè)金屬層較厚的初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面SI相對的壓合形成兩個(gè)外側(cè)較厚的次級(jí)封裝組件。
[0054]第七步，參見圖2以及圖2g，將所述兩個(gè)外側(cè)較厚的次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面(即第二主面S2)上的金屬進(jìn)行減薄，以形成最終適合后續(xù)工序的次級(jí)封裝組件100。
[0055]具體為，將對應(yīng)的芯片102背面的外層金屬進(jìn)行蝕刻減薄至2.5 μ m?3.5 μ m，要求對金屬的厚度的一直性比較高，主要為了能夠更好的控制激光鉆孔的參數(shù)。
[0056]步驟730，如圖3所示，并參見圖4，自所述次級(jí)封裝組，100的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片102上的連接墊片102a進(jìn)行盲孔開窗口 201并開設(shè)盲孔202至所述芯片102上的連接墊片102a處。具體為，進(jìn)行激光開孔的開窗口 201，主要是為了能夠更好的對激光盲孔202進(jìn)行控制，達(dá)到比較好的一致性，通過激光鉆孔機(jī)在對應(yīng)的開窗口 201的位置進(jìn)行盲孔202的制作，要求盲孔202小于芯片102上連接墊片102a的尺寸，并且能夠?qū)⒕瓤刂圃诿た?02落在連接墊片102a上的要求的范圍之內(nèi)。
[0057]步驟740，如圖5所示，在所述次級(jí)封裝組件100上開設(shè)通孔301，所述通孔301貫穿所述次級(jí)封裝組件100。具體為，應(yīng)用機(jī)械鉆孔進(jìn)行電氣連通的通孔301以及用于散熱的散熱通孔301的制作，一方面要求電氣連通的通孔301制作在上面圖形制作的預(yù)留空間內(nèi)，另一方面要求散熱通孔301要求與埋入芯片102內(nèi)部的金屬層進(jìn)行連通更好的起到散熱的作用。
[0058]步驟750，如圖6a和圖6b所示，對所述盲孔202、所述通孔301以及次級(jí)封裝組件100的兩個(gè)外側(cè)面進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍。
[0059]這一工藝過程包括兩步:
[0060]第一步，刻蝕掉所述次級(jí)封裝組件100上的金屬層。也即在所述盲孔202以及所述通孔301內(nèi)進(jìn)行化金屬作為種子層，如圖6a所示。
[0061]第二步，參見圖6a和圖6b，將所述盲孔202以及所述通孔301內(nèi)非導(dǎo)電的基材上，通過金屬化處理來完成雙面或多層印制線路板各層間導(dǎo)線的連接，即通過PTH (platedthrough hole，鍍通孔工藝)進(jìn)行填孔電鍍。填孔電鍍后，盲孔202以及通孔301內(nèi)皆填充有第一電鍍介質(zhì)401。即對盲孔202、通孔301以及兩個(gè)外側(cè)表面進(jìn)行電鍍，對盲孔202以及通孔301孔壁進(jìn)行化銅作為電鍍的種子層，要求孔內(nèi)能夠有比較均勻的銅層。
[0062]步驟760，如圖7所示，進(jìn)行第一外層線路層的制作。形成能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球的第一外層線路層。具體為，通過曝光顯影蝕刻進(jìn)行第一外層線路層的制作。
[0063]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中提出了另一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝800，請參考圖13所示，該封裝工藝除了包括了上一實(shí)施方式封裝工藝700外還包括如下步驟:
[0064]步驟810，如圖8所示，在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層501的壓合。具體為，應(yīng)用半固化片或ABF (Ajinomoto Bond Film)板等進(jìn)行壓合。
[0065]步驟820，如圖9所示，互連所述外層線路介質(zhì)層上的介質(zhì)層盲孔并進(jìn)行第二外層線路層的制作。即進(jìn)行第二外層線路的激光介質(zhì)層盲孔、化金屬以及圖形電鍍等工藝步驟進(jìn)行第二外層線路的制作。具體為，先通過激光鉆外層線路介質(zhì)層501的介質(zhì)層盲孔。所述介質(zhì)層盲孔與所述盲孔202內(nèi)的電鍍介質(zhì)401相連通；然后進(jìn)行外層線路介質(zhì)層501的介質(zhì)層盲孔填孔電鍍。填孔電鍍后，介質(zhì)層盲孔內(nèi)以及外層線路介質(zhì)層501表面上皆填充有第二電鍍介質(zhì)；最后，進(jìn)行第二外層線路層的制作。形成能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球的第二外層線路層。
[0066]本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式中提出了另一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝900，請參考圖14所示，該封裝工藝除了包括了上一實(shí)施方式封裝工藝700以及封裝工藝800外還包括如下步驟:
[0067]步驟910，如圖10所示，在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層601的制作。具體為，進(jìn)行外層阻焊層601綠油的制作，該綠油可以為油墨也可以為干膜型的綠油阻焊。
[0068]步驟920，如圖11所示，進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。即進(jìn)行微組裝，以上述步驟制作的功能基板作為封裝基板進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球等。
[0069]第一實(shí)施例，通過封裝工藝700制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見圖7并結(jié)合圖1?圖6a和圖6b，該封裝結(jié)構(gòu)包括了次級(jí)封裝組件100、盲孔202、通孔301以及第一外層線路層，而次級(jí)封裝組件100包括兩個(gè)相對壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板101以及封裝于所述有機(jī)基板101的金屬槽103內(nèi)的芯片102 ;所述盲孔202自所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片102上的連接墊片102a進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔202內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)401 ;所述通孔301貫穿所述次級(jí)封裝組件100且所述通孔301內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)401,同時(shí)第一電鍍介質(zhì)401覆蓋所述次級(jí)封裝組件100的兩個(gè)外側(cè)面；所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0070]第二實(shí)施例，通過封裝工藝700和封裝工藝800制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見圖9并結(jié)合圖1?圖8，該封裝結(jié)構(gòu)除了包括根據(jù)封裝工藝700制作的相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)外，還包括，外層線路介質(zhì)層501、介質(zhì)層盲孔以及第二外層線路層，所述外層線路介質(zhì)層501壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；所述介質(zhì)層盲孔設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層501且所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)以及外層線路介質(zhì)層501表面上皆填充有第二電鍍介質(zhì)；所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
[0071]第三實(shí)施例，通過封裝工藝700、封裝工藝800以及封裝工藝900制作的封裝結(jié)構(gòu)，參見圖10并結(jié)合圖1?圖9，該封裝結(jié)構(gòu)除了包括根據(jù)封裝工藝700和封裝工藝800制作的相應(yīng)封裝結(jié)構(gòu)外，還包括，阻焊層801，所述阻焊層801設(shè)置于所述第二外層線路層上。
[0072]應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
【權(quán)利要求】
1.一種嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于:包括， 提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，每個(gè)初級(jí)封裝組件中有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)封裝有芯片，所述初級(jí)封裝組件具有第一主面和與第一主面相對的第二主面，所述芯片的主側(cè)與所述第二主面同向，且其上設(shè)置有連接墊片； 將兩個(gè)初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面相對的壓合形成次級(jí)封裝組件，壓合后兩個(gè)初級(jí)封裝組件中的兩個(gè)有機(jī)基板夾持封裝于所述有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)的芯片； 自所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片上的連接墊片進(jìn)行盲孔開窗口并開設(shè)盲孔至所述芯片上的連接墊片處； 在所述次級(jí)封裝組件上開設(shè)通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件； 對所述盲孔、所述通孔以及次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面進(jìn)行化金屬作為種子層，然后進(jìn)行填孔電鍍； 進(jìn)行第一外層線路層的制作。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于:所述提供兩個(gè)初級(jí)封裝組件，其中每個(gè)初級(jí)封裝組件的制作工藝包括， 提供一有機(jī)基板并在有機(jī)基板的一側(cè)形成金屬槽，所述金屬槽的尺寸與待封裝的芯片的尺寸相適應(yīng)； 將所述芯片的主側(cè)貼裝于所述金屬槽內(nèi)； 在與所述芯片的主側(cè)相對的另一側(cè)進(jìn)行金屬制作以封裝所述芯片； 進(jìn)行區(qū)域金屬蝕刻，所述區(qū)域金屬蝕刻是對有電氣連通的通孔的位置的金屬進(jìn)行蝕刻。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于:在進(jìn)行第一外層線路層的制作后，還包括， 在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面進(jìn)行外層線路介質(zhì)層的壓合； 互連所述外層線路介質(zhì)層上的介質(zhì)層盲孔并進(jìn)行第二外層線路層的制作。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于:在進(jìn)行第二外層線路層的制作后，還包括， 在所述第二外層線路層進(jìn)行外層阻焊層的制作； 進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于: 所述有機(jī)基板包括有機(jī)層以及夾持所述有機(jī)層的分別位于所述有機(jī)層的兩個(gè)金屬層，在有機(jī)基板第一主面形成金屬槽之前，其還包括， 對所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層進(jìn)行增金屬工藝，使得增金屬后所述有機(jī)基板的兩個(gè)金屬層增厚。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于: 所述將兩個(gè)初級(jí)封裝組件的兩個(gè)第一主面相對的壓合形成次級(jí)封裝組件后，其還包括， 將所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面上的金屬進(jìn)行減薄。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的嵌入式有源埋入功能基板的封裝工藝，其特征在于: 所述在所述次級(jí)封裝組件上開設(shè)通孔后，其還包括，蝕刻所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面上的金屬。
8.—種封裝結(jié)構(gòu),其特征在于:包括， 次級(jí)封裝組件，所述次級(jí)封裝組件包括兩個(gè)相對壓合的初級(jí)封裝組件，所述初級(jí)封裝組件包括有機(jī)基板以及封裝于所述有機(jī)基板的金屬槽內(nèi)的芯片； 盲孔，自所述次級(jí)封裝組件的兩個(gè)外側(cè)面對應(yīng)所述芯片上的連接墊片進(jìn)行設(shè)置且所述盲孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)； 通孔，所述通孔貫穿所述次級(jí)封裝組件且所述通孔內(nèi)填充有第一電鍍介質(zhì)； 第一外層線路層，所述第一外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)還包括， 外層線路介質(zhì)層，所述外層線路介質(zhì)層壓合在所述第一外層線路層的兩個(gè)表面上；介質(zhì)層盲孔，所述介質(zhì)層盲孔設(shè)置于所述外層線路介質(zhì)層且所述介質(zhì)層盲孔內(nèi)填充有第二電鍍介質(zhì)； 第二外層線路層，所述第二外層線路層能夠進(jìn)行后續(xù)的芯片的組裝或植球。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:該封裝結(jié)構(gòu)還包括， 阻焊層，所述阻焊層設(shè).置于所述第二外層線路層上。
【文檔編號(hào)】H01L21/50GK103474361SQ201310457111
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】郭學(xué)平, 謝慧琴, 于中堯, 劉豐滿 申請人:華進(jìn)半導(dǎo)體封裝先導(dǎo)技術(shù)研發(fā)中心有限公司