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一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

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一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板以及在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層,所述封裝層包括在金屬陰極上依次層疊設(shè)置的氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層;所述第一阻擋層材料為氯摻雜的R2O3,其中R為ⅢA族元素;所述第二阻擋層材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種。該封裝結(jié)構(gòu)對(duì)氧氣及水汽具有優(yōu)良的阻隔性能,可以有效緩釋膜層應(yīng)力,顯著提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,該方法適用于封裝以導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件,尤其適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝領(lǐng)域,具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封 裝結(jié)構(gòu)及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光器件(0LED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典 型結(jié)構(gòu)是在IT0玻璃上制備一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方為金屬 電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí),發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003] 有機(jī)電致發(fā)光材料對(duì)氧氣及水汽侵入特別敏感,一方面因?yàn)檠鯕馐谴銣鐒?,?huì)使 發(fā)光的量子效率顯著下降,氧氣對(duì)空穴傳輸層的氧化作用也會(huì)使其傳輸能力下降;另一方 面,水汽的主要破壞方式是有機(jī)化合物的水解作用,使其穩(wěn)定性大大下降,從而導(dǎo)致器件失 效。因而,有效抑制0LED在長(zhǎng)期工作過(guò)程中的退化和失效,使其穩(wěn)定工作達(dá)到足夠的壽 命,這對(duì)封裝材料的阻隔性提出了極高的要求;而起密封保護(hù)作用的封裝技術(shù)就成了解決 0LED器件壽命問(wèn)題的一個(gè)突破點(diǎn)。
[0004] 封裝技術(shù)是通過(guò)形成結(jié)構(gòu)致密的隔層,對(duì)封裝區(qū)內(nèi)的核心部件實(shí)現(xiàn)物理保護(hù)。柔 性產(chǎn)品是有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)展趨勢(shì),柔性有機(jī)電致發(fā)光器件與普通的有機(jī)電致發(fā)光器 件的不同在于采用塑料作為基底,而塑料基底平整度差,導(dǎo)致器件膜層結(jié)構(gòu)缺陷多,引起器 件損壞;再就是,通常所用的塑料基底的阻隔性能都無(wú)法達(dá)到0LED封裝的要求,因此柔性 有機(jī)電致發(fā)光器件普遍存在壽命短的問(wèn)題。目前,已有報(bào)道介紹將SiNx或SiOx等無(wú)機(jī)材料 通過(guò)磁控濺射等方法設(shè)置在金屬陰極表面,用作有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝層,但在磁控濺 射的高溫操作條件下,金屬陰極表面易遭到破壞。鑒于此,解決柔性有機(jī)電致發(fā)光器件封裝 過(guò)程中面臨的問(wèn)題,是促進(jìn)柔性0LED產(chǎn)品發(fā)展的關(guān)鍵。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),該封裝結(jié)構(gòu)可有效地減少氧氣 及水汽對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕,顯著地提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。本發(fā)明還提供 了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,該方法工藝簡(jiǎn)單,易大面積制備和量產(chǎn)化,并且可以 保護(hù)金屬陰極免遭破壞;制備的膜層均勻致密,阻隔性能優(yōu)良;本發(fā)明方法適用于封裝以 導(dǎo)電玻璃基板制備的有機(jī)電致發(fā)光器件,也適用于封裝以塑料或金屬為基底制備的柔性有 機(jī)電致發(fā)光器件,尤其適用于封裝柔性有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0006] 第一方面,本發(fā)明提供了 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板 以及在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層,所述封裝層 包括在金屬陰極上依次層疊設(shè)置的氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層;所述氮氧化鍺 層的材料為鍺氧氮化合物;所述第一阻擋層的材料為氯摻雜的R2〇3(R2〇 3:Cl),其中R為III A 族元素;所述第二阻擋層的材料為氯摻雜的氧化鈦(Ti02:Cl)、氯摻雜的氧化鋯(Zr02:Cl) 和氯摻雜的氧化鉿(Hf02:Cl)中的一種。
[0007] 優(yōu)選地,所述氮氧化鍺層的厚度為150nm?200nm,所述氮氧化鍺層的材料為鍺氧 氮化合物(GeOxNy,其中 0? 01 < x 彡 1. 5,0. 01 < y 彡 1. 3,0. 5 < x+y < 2. 5)所述氮氧化 鍺層為具有類(lèi)金剛石結(jié)構(gòu)的非晶態(tài)薄膜,所述鍺氧氮化合物具有無(wú)機(jī)物和有機(jī)物的雙重特 性,兼具無(wú)機(jī)物的高阻水性和有機(jī)物的柔韌性;氮氧化鍺結(jié)構(gòu)中〇、N原子與毗鄰Ge原子呈 四面體鍵合,結(jié)構(gòu)致密且穩(wěn)定性強(qiáng),耐腐蝕能力強(qiáng),所以具有優(yōu)良的阻隔性能;氮氧化鍺層 的柔韌性可以消耗膜層應(yīng)力,避免空隙、裂縫等缺陷的出現(xiàn),有利于柔性封裝的實(shí)現(xiàn)。
[0008] 優(yōu)選地,所述第一阻擋層厚度為15?20nm,第一阻擋層材料本身的水汽滲透率 低,摻雜的氯元素可以使膜層致密度提高,還可以通過(guò)與水形成水合物將進(jìn)入阻擋層的水 汽吸收,從而對(duì)水汽的阻隔性能大大提升。
[0009] 優(yōu)選地,所述第二阻擋層厚度為15nm?20nm,第二阻擋層材料摻雜的氯元素可以 使膜層致密度提高,從而提高膜層的阻隔性能;摻雜的氯元素還可以通過(guò)與水形成水合物, 將進(jìn)入阻擋層的水汽吸收;材料內(nèi)部的氧離子空位可以捕獲氧氣,從而具有良好的水汽和 氧氣的阻隔性能。
[0010] 所述第一阻擋層與第二阻擋層材料之間具有良好的化學(xué)穩(wěn)定性和粘著性,使得封 裝層結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定,阻隔性能增強(qiáng)。
[0011] 優(yōu)選地,所述氮氧化鍺層/第一阻擋層/第二阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu),所述封裝 層為3?5個(gè)基本結(jié)構(gòu)層疊而成的多層交替復(fù)合膜結(jié)構(gòu)。采用所述多層交替結(jié)構(gòu)一方面可 以增加水汽和氧氣滲透"通道"的長(zhǎng)度,填補(bǔ)單膜層缺陷對(duì)于整個(gè)封裝效果的不良影響,有 效增強(qiáng)阻擋層的作用;另一方面,氮氧化鍺層、第一阻擋層以及第二阻擋層之間都有匹配的 界面,界面具有阻斷效應(yīng),可以阻止裂紋擴(kuò)展,減緩應(yīng)力集中;界面還具有傳遞效應(yīng),可以將 殘余應(yīng)力傳遞到氮氧化鍺層進(jìn)行消耗,從而有效釋緩膜層應(yīng)力,有利于器件壽命的延長(zhǎng)。
[0012] 優(yōu)選地,陽(yáng)極導(dǎo)電基板為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板,更優(yōu)選地,所述導(dǎo)電 玻璃基板材料為銦錫氧化物(IT0)、鋁鋅氧化物(AZ0)或銦鋅氧化物(IZ0)中的一種;所述 導(dǎo)電有機(jī)薄膜基板材料為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚砜醚(PES)、聚對(duì)萘二甲酸乙二 醇酯(PEN)、聚酰亞胺(PI)中的一種。
[0013] 優(yōu)選地,所述有機(jī)發(fā)光功能層包括發(fā)光層,以及包括空穴注入層、空穴傳輸層、電 子傳輸層和電子注入層中的至少一種。
[0014] 另一方面,本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,包括以下步驟:
[0015] (1)在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極 圖形;
[0016] (2)通過(guò)真空蒸鍍的方式在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和金屬陰 極,蒸鍍速率為0.丨~ 2 A/S,真空度為1 x 10_5Pa?1 X 10_3Pa ;
[0017] (3)封裝層的制備方法如下:
[0018] (a)通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式在金屬陰極表面制備氮氧化鍺層,采 用六甲基二鍺胺(HMDG)、順3和02為反應(yīng)氣體,以Ar氣為載氣,控制六甲基二鍺胺流量為 6?14sccm,Ar流量70?80sccm,NH3流量2?18sccm,02流量2?18sccm,控制工作壓 強(qiáng)為10?80Pa,沉積溫度為30?60°C,射頻功率為0. 1?lW/cm2 ;所述六甲基二鍺胺的結(jié) 構(gòu)式如P1所示:
[0019]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),包括陽(yáng)極導(dǎo)電基板以及在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次 層疊設(shè)置的有機(jī)發(fā)光功能層、金屬陰極和封裝層,其特征在于,所述封裝層包括在金屬陰極 上依次層疊設(shè)置的氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層;所述氮氧化鍺層的材料為鍺氧 氮化合物;所述第一阻擋層的材料為氯摻雜的R 2O3,其中R為III A族元素;所述第二阻擋層 的材料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氮氧化鍺 層厚度為150nm?200nm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第一阻擋 層厚度為15nm?20nm。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述第二阻擋 層厚度為15nm?20nm。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于,所述氮氧化鍺 層、第一阻擋層和第二阻擋層形成一個(gè)基本結(jié)構(gòu),所述封裝層為3?5個(gè)基本結(jié)構(gòu)層疊而 成。
6. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,包括以下步驟: (1) 在潔凈的導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C(jī)薄膜基板上制備有機(jī)電致發(fā)光器件的陽(yáng)極圖 形; (2) 通過(guò)真空蒸鍍的方式在陽(yáng)極導(dǎo)電基板上依次制備有機(jī)發(fā)光功能層和金屬陰極,蒸 鍍速率為0.1 ~ 2 Α/s,真空度為I X l〇_5Pa?I X KT3Pa ; (3) 封裝層的制備方法如下: (a) 通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式在金屬陰極表面制備氮氧化鍺層,采用六 甲基二鍺胺、順3和02為反應(yīng)氣體,以Ar氣為載氣,控制六甲基二鍺胺流量為6?14s CCm,Ar 流量70?80sccm,NH3流量2?18sccm,O2流量2?18sccm,控制工作壓強(qiáng)為10?80Pa, 沉積溫度為30?60°C,射頻功率為0. 1?lW/cm2 ; (b) 通過(guò)原子層沉積的方式在氮氧化鍺層表面制備第一阻擋層,所述第一阻擋層的材 料氯摻雜的R2O3,其中R為III A族元素;采用R(CH2Cl)3和水蒸氣作為前驅(qū)物,其中R為III A 族元素,N2作為凈化氣體;控制R(CH2Cl)3和水蒸氣分別注入10?20ms,兩者之間間隔5? IOs的N2,流量均為10?20sccm,控制工作壓強(qiáng)為10?80Pa,沉積溫度為40?60°C ; (c) 通過(guò)原子層沉積的方式在第一阻擋層表面制備第二阻擋層,所述第二阻擋層的材 料為氯摻雜的氧化鈦、氯摻雜的氧化鋯和氯摻雜的氧化鉿中的一種,分別采用四(二氯甲基 胺基)鈦、四(二氯甲基胺基)鋯、四(二氯甲基胺基)鉿和水蒸氣作為前驅(qū)物,N 2作為凈化氣 體;控制金屬胺基物注入0. 2?Is,水蒸氣注入20?40ms,兩者之間間隔5?IOs的N2,流 量均為10?20sccm,控制工作壓強(qiáng)為10?80Pa,沉積溫度為40?60°C。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,所述步驟(a)中 氮氧化鍺層的沉積厚度為150nm?200nm。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,所述步驟(b)中 第一阻擋層的沉積厚度為15nm?20nm。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,所述步驟(c)中 第二阻擋層的沉積厚度為15nm?20nm。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法,其特征在于,在所述步驟 (c)后采用和步驟(a)相同的方法和材料在第二阻擋層上制備氮氧化鍺層,再在所述氮氧化 鍺層上采用步驟(b)相同的方法和材料制備第一阻擋層,在所述的第一阻擋層上采用和步 驟(c)相同的方法和材料制備第二阻擋層,所述氮氧化鍺層、第一阻擋層和第二阻擋層形成 一個(gè)基本結(jié)構(gòu),制備得到3?5個(gè)所述基本結(jié)構(gòu)重復(fù)形成的封裝層。
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK104518119SQ201310456895
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
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