一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，該封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，碳氧化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氧化硅，無機阻擋層的材質(zhì)為二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿。該封裝層可有效地防止外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，可延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機電致發(fā)光領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（0LED)是一種以有機材料為發(fā)光材料，能把施加的電能轉(zhuǎn)化為 光能的能量轉(zhuǎn)化裝置。它具有超輕薄、自發(fā)光、響應(yīng)快、低功耗等突出性能，在顯示、照明等 領(lǐng)域有著極為廣泛的應(yīng)用前景。
[0003] 有機電致發(fā)光材料對氧氣及水汽侵入特別敏感。一方面因為氧氣是淬滅劑，會 使發(fā)光的量子效率顯著下降，氧氣對空穴傳輸層的氧化作用也會使其傳輸能力下降；另一 方面，水汽會對有機化合物產(chǎn)生水解作用，使其穩(wěn)定性大大下降，從而導(dǎo)致器件失效，縮短 0LED器件的壽命。因此，常常需要對0LED進行封裝保護處理，使發(fā)光器件與外界環(huán)境隔離， 以防止水分、有害氣體等的侵入，進而提高0LED的穩(wěn)定性和使用壽命。
[0004] 對于0LED產(chǎn)品來說，若使用傳統(tǒng)的0LED封裝技術(shù)，在器件背部加上封裝蓋板，會 產(chǎn)生重量大、造價高、機械強度差等問題，限制了 0LED產(chǎn)品的性能發(fā)揮。目前，多數(shù)0LED的 防水氧能力不強，且使用壽命較短，制備工藝復(fù)雜、成本高。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 為了解決上述問題，本發(fā)明旨在提供一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件， 該封裝層可有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，從而對器件有 機功能材料及電極形成有效的保護，延長有機電致發(fā)光器件的使用壽命。本發(fā)明還提供了 一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料廉價，易于大面積制備。
[0006] 第一方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、 發(fā)光功能層、陰極和封裝層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā) 光層、電子傳輸層和電子注入層，所述封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋 層；
[0007] 所述碳氧化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氧化硅；
[0008] 所述無機阻擋層的材質(zhì)為二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿。
[0009] 在陰極外側(cè)設(shè)置封裝層，封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層。優(yōu) 選地，與陰極相鄰的是碳氧化硅阻擋層。
[0010] 氮氧化硅阻擋層和無機阻擋層經(jīng)過多次交替層疊可獲得更好的水氧阻隔效果。優(yōu) 選地，封裝層為交替層疊3?5次的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層。
[0011] 優(yōu)選地，碳氧化娃阻擋層的厚度為200?300nm。
[0012] 無機阻擋層的材質(zhì)為Ti02、Zr02或Hf02。
[0013] 優(yōu)選地，無機阻擋層的厚度為15?20nm。
[0014] 碳氧化硅兼具SiC和Si02優(yōu)點性質(zhì)，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和較高的阻水性。碳氧 化硅阻擋層薄膜致密性好，幾乎沒有空洞，同時膜層內(nèi)應(yīng)力較佳。氧化物層起主要的水氧 阻隔作用，碳氧化硅阻擋層與氧化物層結(jié)合，能有效延長水氧滲透路徑，達到良好的封裝效 果。
[0015] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板。更優(yōu)選地，陽 極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物（IT0)。
[0016] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的厚度為100nm。
[0017] 發(fā)光功能層設(shè)置在陽極導(dǎo)電基板上。
[0018] 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層。
[0019] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03與NPB按照質(zhì)量比1:3混合形成的混合物。
[0020] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為l〇nm。
[0021] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0022] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0023] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)與1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0024] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0025] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)
[0026] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為30nm。
[0027] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫（CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比1:3混合形成 的混合物。
[0028] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0029] 陰極設(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0030] 優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁（A1)。
[0031] 優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0032] 第二方面，本發(fā)明提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0033] S1、提供清潔的陽極導(dǎo)電基板，并對所述陽極導(dǎo)電基板進行活化處理；
[0034] S2、在所述陽極導(dǎo)電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極，所述發(fā)光功能層 包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；
[0035] S3、在所述陰極表面采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法制備碳氧化硅阻擋層；
[0036] S4、在所述碳氧化硅阻擋層表面采用原子層沉積法制作無機阻擋層，將制備有碳 氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后往所述沉積 室中分別注入金屬源和氧源，所述金屬源為四（二甲基胺基）鈦、四（二甲基胺基）鋯或四（二 甲基胺基）鉿，所述氧源為水蒸氣，反應(yīng)后得到所述無機阻擋層，所述無機阻擋層的材質(zhì)為 二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿；
[0037] 重復(fù)步驟S3?S4制得交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到所述 有機電致發(fā)光器件。
[0038] 步驟S1中，通過對陽極導(dǎo)電基板的清洗，除去陽極導(dǎo)電基板表面的有機污染物。
[0039] 具體地，陽極導(dǎo)電基板的清潔操作為：將陽極導(dǎo)電基板依次用丙酮、乙醇、去離子 水、乙醇在超聲波清洗機中清洗，然后用氮氣吹干，烘箱烤干，得到清潔的陽極導(dǎo)電基板。
[0040] 對洗凈后的陽極導(dǎo)電基板進行表面活化處理，以增加導(dǎo)電表面層的含氧量，提高 導(dǎo)電層表面的功函數(shù)。
[0041] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的材質(zhì)為導(dǎo)電玻璃基板或?qū)щ娪袡C薄膜基板。更優(yōu)選地，陽 極導(dǎo)電基板為銦錫氧化物（IT0)。
[0042] 優(yōu)選地，陽極導(dǎo)電基板的厚度為100nm。
[0043] 步驟S2中，發(fā)光功能層通過真空蒸鍍設(shè)置在陽極導(dǎo)電基板上。
[0044] 優(yōu)選地，真空蒸鍍發(fā)光功能層時條件為真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度 0? 1 A/s ?0.2A/s。
[0045] 發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層。
[0046] 優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為M〇03與NPB按照質(zhì)量比1:3混合形成的混合物。
[0047] 優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10nm。
[0048] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的材質(zhì)為4,4'，4"-三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0049] 優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0050] 優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir(ppy)3)與1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物。
[0051] 優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0052] 優(yōu)選地，電子傳輸層的材質(zhì)為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)
[0053] 優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為30nm。
[0054] 優(yōu)選地，電子注入層的材質(zhì)為疊氮化銫（CsN3)與Bphen按照質(zhì)量比1:3混合形成 的混合物。
[0055] 優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20nm。
[0056] 陰極通過真空蒸鍍設(shè)置在發(fā)光功能層上。
[0057] 優(yōu)選地，真空蒸鍍陰極時條件為真空度3X l(T5Pa，蒸發(fā)速度5人/S。
[0058] 優(yōu)選地，陰極的材質(zhì)為鋁（A1)。
[0059] 優(yōu)選地，陰極的厚度為lOOnm。
[0060] 步驟S3中，碳氧化硅阻擋層通過真空蒸鍍設(shè)置在陰極表面。
[0061] 采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法（PECVD)制備碳氧化硅阻擋層，制得的碳氧化 硅的膜層應(yīng)力小，不容易有剝離現(xiàn)象發(fā)生，具有良好的致密性。優(yōu)選地，以六甲基二硅氧烷 (HMDSO)、四甲基硅烷（TMS)或四乙氧基硅烷（TEOS)為源，通入一氧化二氮和氬氣的混合氣 體，制備工藝條件為六甲基二硅氧烷流量20?25sccm，四甲基硅烷流量20?25sccm，四乙 氧基娃燒流量20?25sccm，混合氣體流量為20?50sccm。
[0062] 優(yōu)選地，一氧化二氮占混合氣體的體積分數(shù)為40%?60%。
[0063] 優(yōu)選地，碳氧化硅阻擋層的厚度為200?300nm。
[0064] 步驟S4中，無機阻擋層通過原子層沉積法設(shè)置在碳氧化硅阻擋層表面，通過單個 原子層沉積，薄膜材料以穩(wěn)定的形式緊密排列，得到致密性好的薄膜，且表面光滑平整。 [0065] 具體地，將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子層沉積系統(tǒng) 的沉積室中，然后往沉積室中分別注入金屬源和氧源，交替暴露在樣品表面而進行反應(yīng)，經(jīng) 過多個原子層沉積生長周期后，得到無機阻擋層。
[0066] 原子層沉積生長周期分為四步：
[0067] 第一步：將金屬源隨載氣注入所述沉積室中，并吸附在所述碳氧化硅阻擋層上，注 入時間為0? 2?ls，載氣流量為10?20sccm ;
[0068] 第二步：注入載氣凈化沉積室，移除多余的前驅(qū)體，注入時間為5?10s，流量為 10 ?20sccm ;
[0069] 第三步：將水蒸氣隨載氣注入沉積室中，并與所述金屬源發(fā)生反應(yīng)，直到表面的金 屬源完全消耗，注入時間為20?40ms，載氣流量為10?20sccm ;
[0070] 第四步：注入載氣凈化沉積室，避免副產(chǎn)物的氣相反應(yīng)，注入時間為5?10s，流量 為 10 ?20sccm。
[0071] 優(yōu)選地，載氣為惰性氣體。
[0072] 優(yōu)選地，無機阻擋層的厚度為15?20nm。
[0073] 完成步驟S3?S4后，制得交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到所 述有機電致發(fā)光器件。
[0074] 優(yōu)選地，將步驟S3?S4實施3?5次，得到交替層疊3?5次的碳氧化硅阻擋層 和無機阻擋層。
[0075] 本發(fā)明具有如下有益效果：
[0076] (1)本發(fā)明提供的一種具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，可有效地防止外部 水、氧等活性物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0077] (2)碳氧化硅兼具SiC和Si02優(yōu)點性質(zhì)，具有穩(wěn)定的化學(xué)性質(zhì)和較高的阻水性。碳 氧化硅阻擋層薄膜致密性好，幾乎沒有空洞，同時膜層內(nèi)應(yīng)力較佳。氧化物層起主要的水氧 阻隔作用，碳氧化硅阻擋層與氧化物層結(jié)合，能有效延長水氧滲透路徑，達到良好的封裝效 果。
[0078] (3)本發(fā)明提供的一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，該制備方法工藝簡單，原料 廉價，易于大面積制備。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0079] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本 發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以 根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0080] 圖1是本發(fā)明實施例6提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖。
【具體實施方式】
[0081] 下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完 整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于 本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他 實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0082] 實施例1 :
[0083] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0084] ( 1)提供清潔的陽極導(dǎo)電基板：
[0085] 將IT0玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去離子水、乙醇在超聲波清洗機中清洗，單項 洗滌清洗5分鐘，然后用氮氣吹干，烘箱烤干待用；對洗凈后的IT0玻璃進行表面活化處理； IT0厚度為100nm ;
[0086] (2)在IT0玻璃基板上真空蒸鍍發(fā)光功能層：
[0087] 具體地，發(fā)光功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注 入層；
[0088] 空穴注入層的制備：將M〇03與NPB按照質(zhì)量比1:3混合得到的混合物作為空穴注 入層的材質(zhì)，厚度l〇nm，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.1 A/s;
[0089] 空穴傳輸層的制備：采用4,4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)作為空穴傳 輸材料，真空度3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度0.1A/S，蒸發(fā)厚度40nm ;
[0090] 發(fā)光層的制備：采用Ir (ppy)3與TPBi按照質(zhì)量比5:95混合形成的混合物作為發(fā) 光層的材質(zhì)，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.2人/S,蒸發(fā)厚度20nm ;
[0091] 電子傳輸層的制備：蒸鍍一層4, 7-二苯基-1, 10-菲羅啉（Bphen)作為電子傳輸 材料，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A/S,蒸發(fā)厚度30nm ;
[0092] 電子注入層的制備：將CsN3與Bphen按照質(zhì)量比1:3混合形成的混合物作為電子 注入層的材質(zhì)，真空度3 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S，蒸發(fā)厚度20nm ;
[0093] (3)在發(fā)光功能層表面制備陰極：
[0094] 金屬陰極采用鋁（A1)，厚度為100nm，真空度3Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S;
[0095] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0096] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0097] 碳氧化硅阻擋層的制作：以HMDS0為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積 室中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為HMDS0流量22sCCm，混合氣體 流量為3〇SCCm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為50%，生成的碳氧化硅膜層厚度300nm ;
[0098] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0099] (a)將金屬源Ti(N(CH3)2)4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為0. 5s，氮氣流量為20sccm ;
[0100] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為7s，流量為2〇SCCm ;
[0101] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為30ms，氮 氣流量為20sccm ;
[0102] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為7s，流量為2〇SCCm ;
[0103] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為20nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Ti02;
[0104] 交替制備5次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0105] 實施例2 :
[0106] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0107] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0108] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0109] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0110] 碳氧化硅阻擋層的制作：以TMS為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積室 中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為TMS流量25SCCm，混合氣體流量 為50sccm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為60%，生成的碳氧化娃膜層厚度280nm ;
[0111] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0112] (a)將金屬源Zr(N(CH3)2)4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為ls，氮氣流量為20sccm ;
[0113] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為10s，流量為2〇SCCm;
[0114] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為40ms，氮 氣流量為20sccm ;
[0115] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為10s，流量為2〇SCCm;
[0116] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為19nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Zr02 ;
[0117] 交替制備4次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0118] 實施例3:
[0119] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0120] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0121] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0122] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0123] 碳氧化硅阻擋層的制作：以TE0S為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積 室中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為TE0S流量2〇SCCm，混合氣體 流量為2〇SCCm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為40%，生成的碳氧化硅膜層厚度250nm ;
[0124] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0125] (a)將金屬源Hf(N(CH3)2)4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為0. 2s，氮氣流量為lOsccm ;
[0126] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為5s，流量為lOsccm;
[0127] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為20ms，氮 氣流量為lOsccm ;
[0128] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為5s，流量為lOsccm ;
[0129] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為15nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Hf02 ;
[0130] 交替制備3次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0131] 實施例4:
[0132] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0133] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0134] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0135] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0136] 碳氧化硅阻擋層的制作：以HMDSO為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積 室中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為HMDSO流量23SCCm，混合氣體 流量為4〇SCCm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為55%，生成的碳氧化硅膜層厚度260nm ;
[0137] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0138] (a)將金屬源Ti(N(CH3)2)4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為0. 3s，氮氣流量為lOsccm ;
[0139] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為5s，流量為lOsccm;
[0140] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為30ms，氮 氣流量為lOsccm ;
[0141] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為5s，流量為lOsccm;
[0142] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為17nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Ti02 ;
[0143] 交替制備3次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0144] 實施例5 :
[0145] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0146] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0147] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0148] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0149] 碳氧化硅阻擋層的制作：以TMS為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積室 中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為TMS流量22sCCm，混合氣體流量 為25sccm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為45%，生成的碳氧化娃膜層厚度240nm ;
[0150] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0151] (a)將金屬源Zr (N (CH3) 2) 4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為0. 4s，氮氣流量為15sccm ;
[0152] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為10s，流量為15sCCm;
[0153] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為25ms，氮 氣流量為15sccm ;
[0154] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為10s，流量為15sCCm;
[0155] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為20nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Zr02 ;
[0156] 交替制備3次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0157] 實施例6:
[0158] 一種有機電致發(fā)光器件，通過以下操作步驟制得：
[0159] (1)、（2)、（3)同實施例 1 ;
[0160] (4)在陰極外側(cè)制備封裝層：
[0161] 封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層；
[0162] 碳氧化硅阻擋層的制作：以TEOS為源，通入N20與Ar的混合氣體，在PECVD沉積 室中制備碳氧化硅膜，得到碳氧化硅阻擋層，制備工藝條件為TEOS流量2〇SCCm，混合氣體 流量為3〇SCCm，N20占混合氣體的體積分數(shù)為50%，生成的碳氧化硅膜層厚度230nm ;
[0163] 無機阻擋層的制作：將制備有碳氧化硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子 層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后，
[0164] (a)將金屬源Hf(N(CH3)2)4隨氮氣注入沉積室中并在氮氧化硅阻擋層上沉積，注入 時間為0. 6s，氮氣流量為llsccm ;
[0165] (b)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為8s，流量為llsccm;
[0166] (c)然后將水蒸氣隨氮氣注入沉積室中，與金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為20ms，氮 氣流量為llsccm ;
[0167] (d)注入氮氣沖洗沉積室，注入時間為8s，流量為llsccm;
[0168] 重復(fù)周期（a)?（d)步驟，得到厚度為15nm的無機阻擋層，材質(zhì)為Hf02 ;
[0169] 交替制備3次碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到有機電致發(fā)光器件。
[0170] 圖1是本實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā) 光器件的結(jié)構(gòu)包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板10、發(fā)光功能層20、陰極30、封裝層40 (包括 碳氧化硅阻擋層401、無機阻擋層402、碳氧化硅阻擋層403、無機阻擋層404、碳氧化硅阻擋 層405、無機阻擋層406)。
[0171] 效果實施例
[0172] 測試有機電致發(fā)光器件的壽命（T70@1000cd/m2)，從初始亮度lOOOcd/m 2衰減到 70%所需的時間。本發(fā)明實施例1?6制備的有機電致發(fā)光器件的壽命如表1所不。從表 中可以看出，有機電致發(fā)光器件的壽命時間保持在14800以上，最長可達到14895小時。這 說明，本發(fā)明制備的具有封裝層結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件可有效地防止外部水、氧等活性 物質(zhì)對有機電致發(fā)光器件的侵蝕，具有較好的密封性和較長的使用壽命。
[0173] 表 1
[0174]
【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極導(dǎo)電基板、發(fā)光功能層、陰極和封裝 層，所述發(fā)光功能層包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子 注入層，其特征在于，所述封裝層為交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層； 所述碳氧化硅阻擋層的材質(zhì)為碳氧化硅； 所述無機阻擋層的材質(zhì)為二氧化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝層為交替層疊3?5 次的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述碳氧化硅阻擋層的厚度 為 200 ?300nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機阻擋層的厚度為 15 ?20nm〇
5. -種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： 51、 提供清潔的陽極導(dǎo)電基板，并對所述陽極導(dǎo)電基板進行活化處理； 52、 在所述陽極導(dǎo)電基板表面真空蒸鍍制備發(fā)光功能層和陰極，所述發(fā)光功能層包括 依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層； 53、 在所述陰極表面采用等離子體增強化學(xué)氣相沉積法制備碳氧化硅阻擋層； 54、 在所述碳氧化硅阻擋層表面采用原子層沉積法制作無機阻擋層，將制備有碳氧化 硅阻擋層的有機電致發(fā)光器件樣品置于原子層沉積系統(tǒng)的沉積室中，然后往所述沉積室中 分別注入金屬源和氧源，所述金屬源為四（二甲基胺基）鈦、四（二甲基胺基）鋯或四（二甲基 胺基）鉿，所述氧源為水蒸氣，反應(yīng)后得到所述無機阻擋層，所述無機阻擋層的材質(zhì)為二氧 化鈦、二氧化鋯或二氧化鉿； 重復(fù)步驟S3?S4制得交替層疊的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層，最終得到所述有機 電致發(fā)光器件。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟S3中的等離 子體增強化學(xué)氣相沉積法以六甲基二硅氧烷、四甲基硅烷、四乙氧基硅烷為源，通入一氧化 二氮和氬氣的混合氣體，制備工藝條件為六甲基二硅氧烷流量20?25sCCm，四甲基硅烷流 量20?25sccm，四乙氧基娃燒流量20?25sccm，混合氣體流量為20?50sccm。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，步驟S4的原子層 沉積法的一個制備周期為： (a)將金屬源隨載氣注入所述沉積室中并在所述碳氧化硅阻擋層上沉積，注入時間為 0? 2?ls，載氣流量為10?20sccm ; (b) 注入載氣沖洗沉積室，注入時間為5?10s，流量為10?2〇SCCm; (c) 然后將水蒸氣隨載氣注入沉積室中，與所述金屬源發(fā)生反應(yīng)，注入時間為20? 40ms，載氣流量為10?20sccm; (d) 注入載氣沖洗沉積室，注入時間為5?10s，流量為10?2〇SCCm。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述封裝層為交 替層疊3?5次的碳氧化硅阻擋層和無機阻擋層。
9. 如權(quán)利要求5所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述碳氧化硅阻 擋層的厚度為200?300nm。
【文檔編號】H01L51/52GK104518114SQ201310455014
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司