一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

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一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽極基板和依次層疊設(shè)置在透明導(dǎo)電陽極基板上的發(fā)光功能層和陰極，陰極包括依次層疊設(shè)置的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括依次層疊的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；金屬氧化物層的材料為Nb2O5、V2O5和Ta2O5中的至少兩種，合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層，金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、Ca或Ba。該有機(jī)電致發(fā)光器件在未點(diǎn)亮?xí)r能作為透明產(chǎn)品，而在正常工作時(shí)陽極和陰極出光對比度為50～60:1。本發(fā)明還提供了該有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，具體涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機(jī)電致發(fā)光（Organic Light Emission Diode)，以下簡稱0LED，具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動通信和信息顯示的發(fā) 展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003] 透明有機(jī)電致發(fā)光器件（T0LED)是0LED的一種，它在加電時(shí)陽極和陰極兩面都可發(fā)射光，而不加電時(shí)成透明狀的特性，開辟了顯示領(lǐng)域的一個(gè)特殊應(yīng)用方向。但在有些實(shí)際應(yīng)用中，需要有機(jī)電致發(fā)光器件在不加電時(shí)成透明狀的特性，而在加電時(shí)不需要兩面都高效出光，陽極和陰極出光保持合適的對比度即可，這樣的情況下，現(xiàn)有兩面高效出光的透明有機(jī)電致發(fā)光器件將導(dǎo)致較大的光損失。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。通過制備復(fù)合結(jié) 構(gòu)的陰極，且將第二陰極層設(shè)置成條狀間隔分布，最終獲得到了在未點(diǎn)亮?xí)r可作為透明產(chǎn) 品，而在正常工作時(shí)陽極和陰極出光對比度為50?60:1的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0005] -方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽極基板和依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的發(fā)光功能層和陰極，所述陰極包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的第一陰極層和第二陰極層；
[0006] 所述第一陰極層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V20 5和Ta205中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0007] 所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層，所述金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、Ca或Ba。
[0008] 本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件將陰極設(shè)置成上述的復(fù)合結(jié)構(gòu)，可以使得器件在未點(diǎn)亮時(shí)呈透明狀，將金屬層呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上，當(dāng)器件點(diǎn)亮?xí)r，能夠使陰極面的部分光出射，而另一部分光被反射回器件內(nèi)部，從而減少不必要的光損失，獲得合適的陽極陰極出光對比度。金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層的設(shè)置可以增加電子注入，其中，金屬氧化物層的Nb205、V205和Ta 205具有散射作用，因此金屬氧化物層可作為內(nèi)散射層增強(qiáng)出光效率，合金層的鎂_銀合金或鋰-鋁合金功函低，化學(xué)穩(wěn)定性好，可提高電子注入能力；導(dǎo)電氧化物薄膜層與陰極金屬層之間可形成相對局域高場，增加了金屬層到有機(jī)發(fā)光功能層的電子隧穿。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件陽極面采用高出光材質(zhì)，陰極面出光率相對較差、陰極面透明第一陰極層對光的透射和不透明第二陰極層對光的反射和相應(yīng)參數(shù)的設(shè)置共同決定了出光對比度。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件在正常工作時(shí)陽極和陰極出光對比度為50?60:1。
[0009] 優(yōu)選地，所述金屬層的寬度為100 U m?150 ii m，相鄰兩個(gè)所述金屬層之間的距離為 100 U m ?150 u m。
[0010] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為30nm?50nm。
[0011] 優(yōu)選地，所述他205、^05和Ta 205在金屬氧化物層中的摩爾用量相等。
[0012] 優(yōu)選地，所述合金層的厚度為10nm?20nm。
[0013] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為8?13:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0. 5?1%。更優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為10:1，所述鋰_鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 6%。
[0014] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm?40nm。
[0015] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為lOOnm?200nm。
[0016] 優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電陽極基板為IT0玻璃基板、AZ0玻璃基板或IZ0玻璃基板。
[0017] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0018] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為 M〇03、W03、V205和Re03中的至少一種，所述空穴傳輸材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二 (9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基）-N, N' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TPD)和1， 1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中的一種，空穴注入層的厚度為10nm?15nm。
[0019] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材料為N，N'_二苯基_N，N'_二（1-萘基）_1，1'-聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯 (〇8?)、1^-二（3-甲基苯基）州州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（丁卩0)和1，1-二[4-[1 N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒（TAPC)中的一種，厚度為30?50nm。
[0020] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，發(fā)光層的厚度為10nm?30nm。
[0021] 優(yōu)選地，所述綠光主體材料為4,4'，4''-三(咔唑-9-基）三苯胺（1'(^八)、 9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（1?0)、1，1-二[4-[1以-二（?-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)或9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN);所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir (ppy)2(acac))或三[2_(對甲苯基）批陡]合銥（Ir(mppy)3)。
[0022] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)中的一種，厚度為1〇11111?6〇11111。
[0023] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述堿金屬硫酸鹽為Li2S04、Na2S04、K 2S04、Rb2S04和Cs2S04中的任一種，所述鋰鹽為LiF、LiN3和Li 3N中的任一種，所述銫鹽為CsF、CsN3、Cs3N 中的任一種，所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基一1， 10-鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁 (Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
[0024] 另一方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0025] 采用真空蒸發(fā)的方式在透明導(dǎo)電陽極基板上制備發(fā)光功能層，真空度為 1 X 1(T5 ?1 X l(T3Pa ;
[0026] 再在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；所述陰極包括第一陰極層和第二陰極層；所述第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；具體地：
[0027] 先采用磁控濺射的方式在所述發(fā)光功能層上制備金屬氧化物層；然后采用真空蒸發(fā)的方式在所述金屬氧化物層上制備合金層，真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度 0.5 A ~ 3A/S;再采用磁控濺射的方式在所述合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層；上述磁控濺射過程中的本底真空度為1 X 1(T5?1 X l(T3Pa，加速電壓為300?800V，磁場為50? 200G，功率密度為10?40W/cm2 ;所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V205和Ta 205中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；
[0028] 最后提供一掩膜板，將所述掩膜板覆蓋在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā)的方式在未被覆蓋的所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，真空度為IX l(T5Pa?IX l(T3Pa，蒸發(fā)速度lA ~ 5A/s;所述金屬層的材料為Al、Ag、 Au、Cu、Ca 或 Ba。
[0029] 優(yōu)選地，所述金屬層的寬度為100 U m?150 m，相鄰兩個(gè)所述金屬層之間的距離為 100 U m ?150 u m。
[0030] 優(yōu)選地，所述金屬氧化物層的厚度為30nm?50nm。
[0031] 優(yōu)選地，所述Nb205、V20jP Ta205在金屬氧化物層中的摩爾用量相等。
[0032] 優(yōu)選地，所述合金層的厚度為10nm?20nm。
[0033] 優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為8?13:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0. 5?1%。更優(yōu)選地，所述鎂-銀合金的鎂、銀質(zhì)量比為10:1，所述鋰-鋁合金中鋰的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為〇. 6%。
[0034] 優(yōu)選地，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm?40nm。
[0035] 優(yōu)選地，所述金屬層的厚度為lOOnm?200nm。
[0036] 優(yōu)選地，所述透明導(dǎo)電陽極基板為IT0玻璃基板、AZ0玻璃基板或IZ0玻璃基板。
[0037] 優(yōu)選地，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
[0038] 優(yōu)選地，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為 M〇03、W03、V205和Re03中的至少一種，所述空穴傳輸材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián)苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二 (9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基）-N, N' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TPD)和1， 1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中的一種，空穴注入層的厚度為10nm?15nm。制備過程中真空度為1 X 10_5Pa?1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A ~ lA/s。
[0039] 優(yōu)選地，所述空穴傳輸層的材料為N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián) 苯（〇8?)、1^-二（3-甲基苯基）州州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（丁卩0)、1，1-二[4-[1 N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒（TAPC)中的一種，厚度為30?50nm。制備過程中真空度為1 X l(T5Pa?1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A ~ 2A/S。
[0040] 優(yōu)選地，所述發(fā)光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料,所述綠光客體材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，發(fā)光層的厚度為10nm?30nm ;制備過程中真空度為 1 X 10_5Pa ?1 X 10_3Pa，蒸發(fā)速度〇. 1A ~ 1A/S。
[0041] 優(yōu)選地，所述綠光主體材料為4,4'，4''-三(咔唑-9_基）三苯胺（1'(^八)、 9, 9' -(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯（CBP)、N, N' -二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺（1?0)、1，1-二[4-[1以-二（?-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)或9, 10-雙（1-萘基）蒽（ADN);所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy)3)、乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir (ppy)2(acac))或三[2_(對甲苯基）批陡]合銥（Ir(mppy)3)。
[0042] 優(yōu)選地，所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)、4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁（Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5-(4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3,5-三（1-苯基-111-苯并咪唑-2-基）苯（了?81)中的一種，厚度為1〇11111?6〇11111;制備過程中真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.lA~ 2A/S。
[0043] 優(yōu)選地，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述堿金屬硫酸鹽為1^23044&2304、1( 2304、他2304和 Cs2S04中的任一種，所述鋰鹽為LiF、LiN3和Li3N中的任一種，所述銫鹽為CsF、CsN 3和Cs3N 中的任一種，所述電子傳輸材料為4,7-二苯基-1，10-菲羅啉（8?1^11)、4,7-二苯基一1， 10-鄰菲羅啉（BCP)、4_聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（BAlq)、8_羥基喹啉鋁 (Alq3)、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)和 1，3, 5-三 (1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm;制備過程中真空度為lXl(T5Pa?lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度〇.lA~2A/s。
[0044] 本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法具有以下有益效果：
[0045] (1)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件，陰極為復(fù)合結(jié)構(gòu)，包括第一陰極層和第二陰極層，第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，該器件在未點(diǎn)亮?xí)r能作為透明產(chǎn)品，而在正常工作時(shí)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層能有效減少陰極出光面的光損失，陽極和陰極出光對比度為50?60:1 ;
[0046] (2)本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件的制備工藝簡單，易大面積制備，適于工業(yè)化大規(guī)模使用。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0047] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0048] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件的金屬層的設(shè)置示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0049] 下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0050] 實(shí)施例1
[0051] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0052] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 150nm ;
[0053] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0054] 空穴注入層的制備：將M〇03摻雜入N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)中作為空穴注入層材料，M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為12. 5nm，真空度lX10_5Pa，蒸發(fā)速度.0.5A/S;
[0055] 空穴傳輸層的制備：采用乂^-二苯基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)，厚度為40nm，真空度為1 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S,;
[0056] 發(fā)光層的制備：采用4, 4'，4'' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)為主體材料；采用三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy) 3)為綠光客體材料，Ir (ppy) 3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，厚度 20nm ;真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0057] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)，真空度1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度1A/S，蒸發(fā)厚度35nm ;
[0058] 電子注入層的制備：采用LiF和Li2S04摻雜到電子傳輸材料4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉（Bphen)中形成的混合材料，Li2S〇d#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，LiF摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為35nm，真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0059] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0060] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為Nb20 5和V205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過程中的本底真空度為 lX10_4Pa，加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為10W/cm2 ;
[0061] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為15nm，真空度為1 X l(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0062] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IZ0,厚度 30nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lXl(T4Pa，加速電壓為300V，磁場為50G，功率密度為 10W/cm2 ;
[0063] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 A1，厚度為200nm，金屬層寬度為lOOiim，相鄰兩金屬層的間距為lOOiim，真空蒸發(fā)過程的真空度為lXl(T5Pa，蒸發(fā)速度5A/S。
[0064] 圖1是本發(fā)明實(shí)施例1制得的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，本實(shí) 施例有機(jī)電致發(fā)光器件，依次包括透明導(dǎo)電陽極基板10、發(fā)光功能層20和陰極30。所述陰極30包括第一陰極層31和第二陰極層32,第一陰極層31包括一層厚度為40nm的金屬氧化物層311、一層厚度為15nm的合金層312和一層厚度為30nm的導(dǎo)電氧化物薄膜層313，第二陰極層32厚度為200nm。
[0065] 圖2是本發(fā)明實(shí)施例1有機(jī)電致發(fā)光器件的金屬層的設(shè)置示意圖。第二陰極層32 包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在第一陰極層31上的金屬層321，金屬層321的寬度為100 ym，相鄰兩金屬層的間距為100 um。
[0066] 實(shí)施例2
[0067] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0068] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 120nm ;
[0069] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0070] 空穴注入層的制備：將W03摻雜入4, 4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)中作為空穴注入層材料，W03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚度為10nm，真空度5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度_0.lA/s;
[0071] 空穴傳輸層的制備：采用4, 4'，4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)，厚度為30nm，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S，；
[0072] 發(fā)光層的制備：采用9, 9' _(1，3-苯基）二-9H-咔唑（mCP)為主體材料；采用乙酰丙酮酸二（2-苯基批陡）銥（Ir(ppy)2(acac))為綠光客體材料，Ir(ppy)2(acac)摻雜質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為2%，厚度lOnm ;真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為〇. 1 A/s;
[0073] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉（BCP)，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度.().1A/S,蒸發(fā)厚度l〇nm ;
[0074] 電子注入層的制備：采用1^3和似2504摻雜到電子傳輸材料4,7-二苯基一1， 10 -鄰菲羅啉（BCP)中形成的混合材料，Na2S〇j#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，1^隊(duì)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為 25%，蒸發(fā)厚度為45nm，真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1A/S;
[0075] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0076] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為Ta20 5和V205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為30nm，磁控濺射過程中的本底真空度為 lX10_5Pa，加速電壓為800V，磁場為200G，功率密度為40W/cm2 ;
[0077] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為20nm，真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度3A/S;
[0078] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IT0,厚度 20nm，磁控濺射過程中的本底真空度為1 X l(T5Pa，加速電壓為800V，磁場為200G，功率密度為 40W/cm2 ;
[0079] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 Ag，厚度為120nm，金屬層寬度為120iim，相鄰兩金屬層的間距為120iim，真空蒸發(fā)過程的真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度.2A/S。
[0080] 實(shí)施例3
[0081] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0082] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 lOOnm ;
[0083] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0084] 空穴注入層的制備：將V205摻雜入4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)中作為空穴注入層材料，V205的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%，空穴注入層的厚度為15nm，真空度5Xl(T 5Pa，蒸發(fā) 速度1 A/s;
[0085] 空穴傳輸層的制備：采用4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)，厚度為50nm，真空度為 5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S;
[0086] 發(fā)光層的制備：采用4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯（CBP)為主體材料；采用三[2-(對甲苯基）批陡]合銥（Ir(mppy)3)為綠光客體材料，Ir(mppy)d#雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，厚度 30nm ;真空度為5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為1 A/s;
[0087] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（Balq)，真空度5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S，蒸發(fā)厚度60nm ;
[0088] 電子注入層的制備：采用1^#和1(2504摻雜到電子傳輸材料4-聯(lián)苯酚基一二 (2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁（Balq)中形成的混合材料，K2S04摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，Li 3N摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為35%，蒸發(fā)厚度為15nm，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為2人/S;
[0089] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0090] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、Ta205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為50nm，磁控濺射過程中的本底真空度為 lX10_3Pa，加速電壓為600V，磁場為100G，功率密度為20W/cm2 ;
[0091] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Li-Al (Li的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)0. 6%)合金，厚度為10nm，真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0092] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為AZ0,厚度 40nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lXl(T3Pa，加速電壓為600V，磁場為100G，功率密度為 20W/cm2 ;
[0093] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 Au，厚度為150nm，金屬層寬度為150ii m，相鄰兩金屬層的間距為150ii m，真空蒸發(fā)過程的真空度為lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度3A/S。
[0094] 實(shí)施例4
[0095] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0096] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 lOOnm ;
[0097] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0098] 空穴注入層的制備：將Re03摻雜入N，N' -二（3-甲基苯基）-N，N' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺（TTO)中作為空穴注入層材料，Re03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為13nm，真空度5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度0.5A/S;
[0099] 空穴傳輸層的制備：采用N，N' -二（3-甲基苯基）_N，N' -二苯基_4,4' -聯(lián)苯二胺（TH))，厚度為40nm，真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s，；
[0100] 發(fā)光層的制備：米用N, N' -二（3_甲基苯基）-N, N' -二苯基_4, 4' -聯(lián)苯二胺 (TPD)為主體材料；采用三（2-苯基吡啶）合銥（Ir (ppy) 3)為綠光客體材料，Ir (mppy) 3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%，厚度20nm ;真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0101] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料8-羥基喹啉鋁（Alq3)，真空度5Xl(T 5Pa，蒸發(fā)速度lA/s，蒸發(fā)厚度30nm ;
[0102] 電子注入層的制備：采用CsF和Rb2S04摻雜到電子傳輸材料8-羥基喹啉鋁（Alq 3) 中形成的混合材料，他2304摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，CsF摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;
[0103] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0104] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、V205、Ta20 5以摩爾比1:1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lX10_5Pa，加速電壓為400V，磁場為100G，功率密度為30W/cm2 ;
[0105] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為l〇nm，真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0106] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IZ0,厚度 20nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lXl(T5Pa，加速電壓為400V，磁場為100G，功率密度為 30W/cm2 ;
[0107] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 Cu，厚度為lOOnm，金屬層寬度為lOOiim，相鄰兩金屬層的間距為lOOiim，真空蒸發(fā)過程的真空度為lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度1A/S。
[0108] 實(shí)施例5
[0109] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0110] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 lOOnm ;
[0111] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0112] 空穴注入層的制備：將M〇03摻雜入1，1_二[4_[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)中作為空穴注入層材料，M〇03的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%，空穴注入層的厚度為10nm，真空度5X10_5Pa，蒸發(fā)速度0.2A/S;
[0113] 空穴傳輸層的制備：采用1，1-二[4-[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)，厚度為40nm，真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S,;
[0114] 發(fā)光層的制備：采用1，1-二[4_[N，N'-二（p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷（TAPC)為主體材料；采用乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥（Ir(ppy)2(acaC))為綠光客體材料，Ir(ppy)2(acaC)摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為7%，厚度20nm ;真空度為5Xl(T5Pa，蒸發(fā)速度為 0,5A/s;
[0115] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)，真空度5 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度1A/S,蒸發(fā)厚度50nm ;
[0116] 電子注入層的制備：米用CsN3和Cs2S04摻雜到電子傳輸材料3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑（TAZ)中形成的混合材料，Cs2S04摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，CsN3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm，真空度為5 X l(T5Pa，蒸發(fā) 速度為lA/s;
[0117] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0118] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 Nb205、V205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為35nm，磁控濺射過程中的本底真空度為 lX10_5Pa，加速電壓為400V，磁場為100G，功率密度為30W/cm2 ;
[0119] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Mg:Ag (質(zhì)量比 10:1)合金，厚度為16nm，真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0120] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為IT0,厚度 30nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lXl(T5Pa，加速電壓為400V，磁場為100G，功率密度為 30W/cm2 ;
[0121] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 Ca，厚度為llOnm，金屬層寬度為120iim，相鄰兩金屬層的間距為llOiim，真空蒸發(fā)過程的真空度為lXl(T4Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0122] 實(shí)施例6
[0123] 一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟：
[0124] (1)將透明IT0玻璃基板依次進(jìn)行洗潔精清洗、去離子水清洗、丙酮清洗、乙醇清洗，均用超聲波清洗機(jī)進(jìn)行清洗，每次洗滌5分鐘，分別重復(fù)3次，然后再用烘箱烘干；并對洗凈后的IT0玻璃進(jìn)行表面活化處理，以增加IT0表面的含氧量，提高IT0表面的功函數(shù)； IT0 厚度 lOOnm ;
[0125] (2)采用真空熱阻蒸發(fā)的方式在IT0玻璃基板表面制備發(fā)光功能層，依次包括空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層；具體地：
[0126] 空穴注入層的制備：將W03摻雜入N，N' -二苯基_N，N' -二（1-萘基）_1，1' -聯(lián) 苯-4, 4' -二胺（NPB)中作為空穴注入層材料，V205的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，空穴注入層的厚度為12nm，真空度lX10_3Pa，蒸發(fā)速度0.3A/S;
[0127] 空穴傳輸層的制備：采用乂^-二苯基4州'-二（1-萘基）-1，1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺（NPB)，厚度為50nm，真空度為lX10_3Pa，蒸發(fā)速度為2A/S，；
[0128] 發(fā)光層的制備：采用9, 10-雙（1-萘基）蒽（AND)為主體材料；采用三[2_(對甲苯基）批陡]合銥（Ir (mppy) 3)為綠光客體材料，Ir (mppy) 3摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%，厚度20nm ; 真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S;
[0129] 電子傳輸層的制備：采用電子傳輸材料1，3, 5-三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)，真空度lX10_3Pa a，蒸發(fā)速度2A/S，蒸發(fā)厚度60nm;
[0130] 電子注入層的制備：采用&#和&2504摻雜到電子傳輸材料1，3,5_三（1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBI)中形成的混合材料，&4〇4摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，Cs3N 摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，蒸發(fā)厚度為30nm，真空度為1 X l(T3Pa，蒸發(fā)速度為1A/S;
[0131] (3)在電子注入層上制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；陰極包括依次層疊的第一陰極層和第二陰極層；第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；
[0132] 具體地：先采用磁控濺射的方式在電子注入層上制備金屬氧化物層，材料為 V205、Ta205以摩爾比1:1形成的混合材料，厚度為40nm，磁控濺射過程中的本底真空度為 lX10_5Pa，加速電壓為600V，磁場為100G，功率密度為20W/cm2 ;
[0133] 然后采用真空蒸發(fā)的方式在金屬氧化物層上制備合金層，材料為Li-Al (Li的質(zhì) 量分?jǐn)?shù)0. 6%)合金，厚度為15nm，真空度為1 X l(T5Pa，蒸發(fā)速度2A/S;
[0134] 再采用磁控濺射的方式在合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層，材料為AZ0,厚度 30nm，磁控濺射過程中的本底真空度為lXl(T5Pa，加速電壓為600V，磁場為100G，功率密度為 20W/cm2 ;
[0135] 最后提供一掩膜板，將掩膜板覆蓋在導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā) 的方式在未被覆蓋的導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，材料為 Au，厚度為llOnm，金屬層寬度為110 iim，相鄰兩金屬層的間距為110 iim，真空蒸發(fā)過程的真空度為lXl(T3Pa，蒸發(fā)速度2A/S。
[0136] 效果實(shí)施例
[0137] 本發(fā)明測試與制備設(shè)備為高真空鍍膜系統(tǒng)(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司），美國海洋光學(xué)Ocean Optics的USB4000光纖光譜儀測試電致發(fā)光光譜，美國吉時(shí)利公司的 Keithley2400測試電學(xué)性能，日本柯尼卡美能達(dá)公司的CS-100A色度計(jì)測試亮度和色度。
[0138] 將本發(fā)明實(shí)施例1?6所制得的有機(jī)電致發(fā)光器件在lOOOcd/m2亮度下進(jìn)行流明效率測試，測試結(jié)果如表1所示：
[0139] 表 1
[0140]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括透明導(dǎo)電陽極基板和依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的發(fā)光功能層和陰極，其特征在于，所述陰極包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的第一陰極層和第二陰極層；所述第一陰極層包括依次層疊設(shè)置在所述發(fā)光功能層上的金屬氧化物層、合金層和導(dǎo) 電氧化物薄膜層；所述金屬氧化物層的材料為Nb205、％05和Ta 2O5中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層，所述金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、Ca或Ba。
2. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬層的寬度為 100 μ m?150 μ m，相鄰兩個(gè)所述金屬層之間的距離為100 μ m?150 μ m。
3. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述金屬氧化物層的厚度為 30nm?50nm，所述合金層的厚度為IOnm?20nm，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的厚度為20nm? 40nm，所述金屬層的厚度為IOOnm?200nm。
4. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述Nb205、V2O 5和Ta2O5在所述金屬氧化物層中的摩爾用量相等。
5. 如權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光功能層包括依次層疊設(shè)置在所述透明導(dǎo)電陽極基板上的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。
6. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴注入層的材料包括空穴傳輸材料及摻雜在所述空穴傳輸材料中的空穴注入材料，所述空穴注入材料的摻雜質(zhì) 量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述空穴注入材料為M〇03、W03、V2O5和ReO 3中的至少一種，所述空穴傳輸材料為Ν，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三（咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑)聯(lián)苯、Ν, Ν' -二（3-甲基苯基)-Ν, Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián) 苯二胺和1，卜二[4-[Pif -二（ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒中的一種，所述空穴注入層的厚度為IOnm?15nm。
7. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述空穴傳輸層的材料為 N，Ν' -二苯基-N，Ν' -二（1-萘基）-1，Γ -聯(lián)苯-4, 4' -二胺、4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯、Ν，Ν' -二（3-甲基苯基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -聯(lián)苯二胺和 1，1_二[4-[N，N'-二（Ρ-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己烷中的一種，所述空穴傳輸層的厚度為30nm?50nm ; 所述電子傳輸層的材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7 -二苯基一 1，10 - 鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián) 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑和1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的一種，所述電子傳輸層的厚度為IOnm?60nm。
8. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光層的材料包括綠光主體材料和綠光客體材料，所述綠光客體材料的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2%?10%，所述綠光主體材料為4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基)三苯胺、9, 9' - (1，3-苯基）二-9H-咔唑、4, 4' -二（9-咔唑）聯(lián)苯川州'-二（3-甲基苯基），州'-二苯基-4,4'-聯(lián)苯二胺、1，1-二[4-[1以-二 (p-甲苯基）氨基]苯基]環(huán)己燒或9, 10-雙（1-萘基）蒽；所述綠光客體材料為三（2-苯基吡啶）合銥、乙酰丙酮酸二（2-苯基吡啶）銥或三[2-(對甲苯基）吡啶]合銥；所述發(fā)光層的厚度為IOnm?30nm。
9. 如權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子注入層的材料包括電子傳輸材料及摻雜在所述電子傳輸材料中的堿金屬硫酸鹽，以及鋰鹽或銫鹽，所述堿金屬硫酸鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%?25%，所述鋰鹽或銫鹽的摻雜質(zhì)量分?jǐn)?shù)為25%?35% ;所述堿金屬硫酸鹽為Li2S04、Na2S04、K 2S04、Rb2S04和Cs2SO 4中的任一種，所述鋰鹽為LiF、LiN3和 Li3N中的任一種，所述銫鹽為CsF、CsN3、Cs3N中的任一種，所述電子傳輸材料為4, 7-二苯基-1，10-菲羅啉、4, 7 -二苯基一 1，10 -鄰菲羅啉、4-聯(lián)苯酚基一二（2-甲基-8-羥基喹啉）合鋁、8-羥基喹啉鋁、3-(聯(lián)苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1，2, 4-三唑和 1，3, 5-三（1-苯基-IH-苯并咪唑-2-基）苯中的一種；所述電子注入層的厚度為15nm? 45nm〇
10. -種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：采用真空蒸發(fā)的方式在透明導(dǎo)電陽極基板上制備發(fā)光功能層，真空度為IXKT5? I X KT3Pa ; 再在所述發(fā)光功能層表面制備陰極，得到有機(jī)電致發(fā)光器件；所述陰極包括第一陰極層和第二陰極層；所述第一陰極層包括金屬氧化物層、合金層和導(dǎo)電氧化物薄膜層；所述第二陰極層包括多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層上的金屬層；具體地：先采用磁控濺射的方式在所述發(fā)光功能層上制備金屬氧化物層；然后采用真空蒸發(fā) 的方式在所述金屬氧化物層上制備合金層，真空度為IX KT5Pa?IX KT3Pa,蒸發(fā)速度 0.5A ~ 3A/S;再采用磁控濺射的方式在所述合金層上制備導(dǎo)電氧化物薄膜層；上述磁控濺射過程中的本底真空度為I X KT5?I X KT3Pa,加速電壓為300?800V，磁場為50? 200G，功率密度為10?40W/cm2 ;所述金屬氧化物層的材料為Nb205、V2O5和Ta 2O5中的至少兩種，所述合金層的材料為鎂-銀合金或鋰-鋁合金，所述導(dǎo)電氧化物薄膜層的材料為銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物；最后提供一掩膜板，將所述掩膜板覆蓋在所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面，然后采用真空蒸發(fā)的方式在未被覆蓋的所述導(dǎo)電氧化物薄膜層表面制備多個(gè)呈條狀間隔設(shè)置的金屬層，真空度為I X KT5Pa?I X 10_3Pa，蒸發(fā)速度1人~ 5A/S;所述金屬層的材料為Al、Ag、Au、Cu、 Ca 或 Ba。
【文檔編號】H01L51/52GK104518155SQ201310454868
【公開日】2015年4月15日申請日期:2013年9月29日優(yōu)先權(quán)日:2013年9月29日
【發(fā)明者】周明杰, 鐘鐵濤, 王平, 張振華申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司

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